專利名稱：：R-t-b型合金及其制造方法、用于r-t-b型稀土永磁體的細(xì)粉和r-t-b型稀土永磁體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及R-T-B型合金、用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉和R-T-B型稀土7^體。特別地，本發(fā)明涉及R-T-B型合金和用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉，該細(xì)粉可以提供具有優(yōu)異矯頑力的R-T-B型稀土永磁體。
背景技術(shù)：
：R-T-B型磁體因其高性能特性已經(jīng)用于硬盤(pán)(HD)、磁共振成像(MRI)、各種類(lèi)型的發(fā)動(dòng)機(jī)等。除R-T-B型磁體耐熱性的提高外，最近節(jié)能要求的提高使其在發(fā)動(dòng)機(jī)、包括汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)中的應(yīng)用率提高。R-T-B型磁體具有Nd、Fe和B作為主要組分，因此，這種磁體統(tǒng)稱為Nd-Fe-B型或R-T-B型磁體。在R-T-B型磁體中，R主要是Nd，其部分被另一稀土元素例如Pr、Dy和Tb替代；T是Fe，其部分被另一過(guò)渡金屬例如Co和Ni替代；且B是硼，并可能部分被C或N替代?？捎迷赗-T-B型磁體中的R-T-B型合金是下述合金其中產(chǎn)生磁化活性的磁性R2T14B相是主相，并它與非磁性的富含稀土元素的低熔點(diǎn)富R相共存。由于這種R-T-B型合金是活性金屬，其通常在真空中或在惰性氣體中熔融或鑄造。通常通過(guò)如下粉末冶金法由R-T-B型鑄造合金錠制造燒結(jié)磁體。將合金錠研磨成平均粒度為大約5微米(d50:通過(guò)激光衍射粒度分布分析器測(cè)量)的合金粉末，在磁場(chǎng)中壓制成型，在燒結(jié)爐中在大約1,000至i，ioox:的高溫?zé)Y(jié)，然后如果必要，進(jìn)行熱處理和機(jī)械處理，并進(jìn)一步電鍍以提高耐腐蝕性，由此完成燒結(jié)磁體。在R-T-B型燒結(jié)磁體中，富R相起到下列重要作用31)在燒結(jié)過(guò)程中利用低熔點(diǎn)形成液相，并由此有助于磁體的高致密化，并又有助于增強(qiáng)磁化；2)消除晶界上的不均勻性，并由此造成反向磁疇成核位置的減少和矯頑力的提高；和3)磁性分離主相并由此提高矯頑力。因此，如果富R相在成型磁體中呈^較差的狀態(tài)，就會(huì)發(fā)生燒結(jié)的局部失敗或磁性降低。因此，重要的是，富R相均勻^R在成型磁體中。富R相在R-T-B型燒結(jié)磁體中的分布極大地受原材料R-T-B型合金織構(gòu)的影響。鑄造R-T-B型合金中遇到的另一問(wèn)JHA在鑄造合金中產(chǎn)生(x-Fe。a-Fe具有可變形性，并且殘留在研磨機(jī)中不被研磨，這不僅降低了合金研磨中的研磨效率，還影響研磨之前和之后的組成波動(dòng)或粒度分布。如果a-Fe在燒結(jié)后仍留在磁體中，就造成磁體磁特性的降低。因此，合金迄今在必要時(shí)在高溫下經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間均化處理，以去除a-Fe。但是，a-Fe作為包晶核存在，因此它的清除要求長(zhǎng)時(shí)間的固相擴(kuò)散。如果A^度為數(shù)厘米并具有33%或更低的稀土含量的錠塊，則幾乎不可能清除a-Fe。為了解決在R-T-B型合金中產(chǎn)生a-Fe的問(wèn)題，已經(jīng)開(kāi)發(fā)并使用了以較高冷卻速率鑄造合金錠塊的薄帶連鑄法(簡(jiǎn)稱為"SC法，，)。SC法是通過(guò)迅速冷卻來(lái)使合金固化的方法，其中在內(nèi)部水冷的銅輥上鑄造熔融合金，并制造大約0.1至1毫米的薄片。在SC法中，將熔融合金過(guò)冷至產(chǎn)生主R2T14B相的溫度或甚至更低，以便可以直接由熔融合金制造R12T14B相并抑制a-Fe的形成。此外，在SC法中，在合金中產(chǎn)生精細(xì)的樣t結(jié)構(gòu)，以便制造具有微結(jié)構(gòu)的合金，這種微結(jié)構(gòu)能使富R相細(xì)微分歉。富R相通過(guò)在氫氣氛中與氫反應(yīng)而膨脹，并變成脆的氫化物。利用這種性質(zhì)，可以引入與富R相的^"^變相稱的細(xì)裂化。當(dāng)通過(guò)這種氬化步驟將合金粉化時(shí)，通過(guò)合金的氫化引發(fā)破裂而產(chǎn)生大量細(xì)裂紋，并因此獲得非常好的可研磨性。通過(guò)SC法制成的合金中的內(nèi)部富R相由此微細(xì)分歉，這還造成研磨和燒結(jié)后磁體中富R相的良好可分散性，由此提高磁體的磁特性(參見(jiàn)，例如，專利文獻(xiàn)l)。通過(guò)sc法制成的合金薄片也具有優(yōu)異的微結(jié)構(gòu)均勻性。微結(jié)構(gòu)均勻性可以通過(guò)富R相的晶粒直徑或a態(tài)來(lái)比較。在通過(guò)SC法制成的合金薄片的情形中，有時(shí)在合金薄片的鑄輥側(cè)(下文稱作"模具正面，，)上產(chǎn)生激冷晶體，但總體上可以獲得通過(guò)迅速冷卻固化而產(chǎn)生的適當(dāng)^L細(xì)的均勻織構(gòu)。如上所述，在通過(guò)SC法制成的R-T-B型合金中，富R相精細(xì)分散，并且還抑制了a-Fe的形成，因此R-T-B型合金具有用于制造燒結(jié)磁體的優(yōu)異微結(jié)構(gòu)。有助于增強(qiáng)矯頑力的Dy分布大大地影響磁體特性，特別是矯頑力與磁體^:結(jié)構(gòu)中元素分布之間的關(guān)系。例如，當(dāng)Dy靠近晶界相分布時(shí)，據(jù)報(bào)道矯頑力高(參見(jiàn)，例如專利文獻(xiàn)2)。更具體地，據(jù)報(bào)道，當(dāng)主相中存在Dy時(shí)矯頑力高(參見(jiàn)，例如專利文獻(xiàn)3和非專利文獻(xiàn)1)。另外，由于磁體特性和合金制造法之間具有明確的關(guān)系，制造合金的方法也與磁體特性的改進(jìn)一同發(fā)展。例如，控制微結(jié)構(gòu)的方法(參見(jiàn)，例如專利文獻(xiàn)4)和通過(guò)將鑄輥表面加工至預(yù)定粗糙度來(lái)控制微結(jié)構(gòu)的方法(參見(jiàn)，例如專利文獻(xiàn)5和6)是已知的。日本未審專利申請(qǐng)，初次公開(kāi)No.2004-43291[非專利文獻(xiàn)1HiroyukiTOMIZAWA，JournaloftheJapanSocietyofPowderandPowderMetalurgy,2005年3月，第52巻，第3期，第158-163頁(yè)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問(wèn)題但是，近年來(lái)，需要具有更高性能的R-T-B型稀土永磁體，因此，不斷要求進(jìn)一步提高R-T-B型稀土永磁體的磁特性，例如矯頑力。在上述情況下作出本發(fā)明，且本發(fā)明的目的是提供R-T-B型合金作為具有優(yōu)異磁特性的稀土基永磁體的原材料。本發(fā)明的另一目的是提供由上述R-T-B型合金制成的用于R-T-B型稀土7JC^體的細(xì)粉，和R-T-B型稀土永磁體。解決問(wèn)題的方式本發(fā)明人詳細(xì)觀察了用于制造R-T-B型稀土永磁體的含Dy的R-T-B型合金的織構(gòu)，以研究織構(gòu)狀態(tài)與磁特性之間的關(guān)系。本發(fā)明人還肯定，當(dāng)含Dy的R-T-B型合金除了由R2T14B相和富含R的富R相外還包括富含Dy的富Dy區(qū)域時(shí)，通過(guò)將由這種R-T-B型合金的薄片制成的細(xì)粉成型/煅燒而獲得的R-T-B型稀土永磁體具有優(yōu)異的磁特性，例如矯頑力。基于這些發(fā)現(xiàn)完成了本發(fā)明。也就是說(shuō)，本發(fā)明提供了下列各項(xiàng)。(1)R-T-B型合金(其中R是至少一種選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的元素；T是含有80質(zhì)量％或更多Fe的過(guò)渡金屬；且B含有50質(zhì)量％或更多硼(B)并含有0至少于50質(zhì)量。/。的C和N中的至少一種元素)，該合金是用在稀土基永磁體中的原材料并至少含有Dy，包含表現(xiàn)出磁性的主相，例如R2T14B相，與總體合金組成比相比相對(duì)富含R的富R相，和靠近富R相形成的與前述組成比相比相對(duì)富含Dy的富Dy區(qū)域。(2)如(1)中所述的R-T-B型合金，其中Dy濃度在主相中低于在富Dy區(qū)域中，并且在富R相中低于在主相中。(3)如(1)或(2)中所述的R-T-B型合金，其中該合金是通過(guò)薄帶連鑄法制成的平均厚度為0.1至1亳米的薄片。(4)制造如上述(1)至(3)任一項(xiàng)中所述的R-T-B型合金的方法，包括下列步驟制造平均厚度為0.1至1亳米的薄片，并以每1厘米寬度10克/秒或更高的平均速率向冷卻輥供應(yīng)熔融合金。(5)如(4)中所述的制造R-T-B型合金的方法，其特征在于將從冷卻輥上輥軋出的R-T-B型合金薄片在600至卯0"C的溫度保持30秒或更久。(6)用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉，其由上述(1)至(3)任一項(xiàng)中所述的R-T-B型合金制成或由通過(guò)(4)或(5)中所述的制造R-T-B型合金的方法制成的R-T-B型合金制成。(7)R-T-B型稀土永磁體，由(6)中所述的用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉制成。發(fā)明效果本發(fā)明的R-T-B型合金是靠近富R相形成的，并具有與總組成比相比相對(duì)富含Dy的富Dy區(qū)域。因此，可以獲得具有高矯頑力和優(yōu)異磁特性的稀土永磁體。此外，本發(fā)明的用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉和R-T-B型稀土永磁體由本發(fā)明的R-T-B型合金制成，或由通過(guò)本發(fā)明的制造R-T-B型合金的方法制成的R-T-B型合金制成，并因此具有高矯頑力和優(yōu)異的磁特性。附圖簡(jiǎn)述圖1是顯示本發(fā)明的R-T-B型合金的一個(gè)實(shí)例的照片。該照片在通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)觀察R-T-B型合金薄片截面時(shí)拍攝。圖2是圖1中所示的R-T-B型合金的電子圖像。圖3顯示與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Fe的X-射線圖像。圖4顯示與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Nd的X-射線圖像。圖5顯示與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Dy的X-射線圖像。圖6顯示與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Ga的X-射線圖像。圖7是圖1中所示的R-T-B型合金的電子圖像。圖8顯示與圖7中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Dy的X-射線圖像。7圖9顯示與圖7中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Fe的X-射線圖像。圖10顯示與圖7中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Nd的X-射線圖像。圖11是顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的用于制造合金的裝置的構(gòu)造正面示意圖。圖12是顯示在用于制造合金的裝置中提供的鑄造設(shè)備的正面示意圖。圖13是顯示在用于制造合金的裝置中提供的加熱設(shè)備的正面示意圖。圖14是顯示在用于制造合金的裝置中提供的加熱設(shè)備的側(cè)面示意圖。圖15是平面示意圖，顯示用于制造合金的裝置中所帶的開(kāi)-關(guān)臺(tái)和儲(chǔ)存容器(容器)。圖16是顯示用于制造合金的裝置的操作的正面示意圖。圖17是顯示用于制造合金的裝置的操作的正面示意圖。圖18是顯示用于制造合金的裝置的操作的正面示意圖。圖19是顯示用于制造合金的裝置的操作的正面示意圖。圖20是顯示制造用合金的裝置的操作的側(cè)面示意圖。圖21是不含富Dy區(qū)域的R-T-B型合金的電子圖像。圖22顯示與圖21中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Dy的X-射線圖像。圖23顯示與圖21中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Fe的X-射線圖像。圖24顯示與圖21中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Nd的X-射線圖像。圖25是顯示在實(shí)施例1、2和對(duì)比例1中制成的磁體的矯頑力(Hcj)的圖。參考符號(hào)描述1:制造裝置(用于制造合金的裝置)；2:鑄造設(shè)備；3:加熱設(shè)備；4:儲(chǔ)存容器；4a:冷卻板；5:容器；6:室；7:料斗；7a:料斗出口；21:壓碎設(shè)備；31:加熱器；31c:開(kāi)放部分；33:開(kāi)-關(guān)臺(tái)；33a:臺(tái)板；33b:開(kāi)-關(guān)系統(tǒng)；51:傳送帶(可移動(dòng)設(shè)備)；L:熔融合金；N:鑄造合金的薄片本發(fā)明的最佳實(shí)施方式圖1是顯示本發(fā)明的R-T-B型合金的一個(gè)實(shí)例的照片。該照片在通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)觀察R-T-B型合金薄片截面時(shí)拍攝。需要說(shuō)明，左手側(cè)是圖1中的模具正面。圖1中所示的R-T-B型合金是通過(guò)SC法制造的。以質(zhì)量比計(jì)，這種R畫(huà)T畫(huà)B型合金具有23。/。Nd、9%Dy、1%B、1。/。Co和0.2。/。Ga、余量為Fe的組成。需要指出，本發(fā)明的R-T-B型合金的組成(其中R是至少一種選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的元素；T是含有80質(zhì)量％或更多Fe的過(guò)渡金屬；且B含有50質(zhì)量％或更多硼并含有0至少于50質(zhì)量％的C和N中的至少一種元素)不限于上述具體組成，且該合金可以具有任何組成，只要其是至少含有Dy的R-T-B型合金。圖1中所示的R-T-B型合金由R2T14B相(主相)和富R相構(gòu)成。在圖1中，以白色標(biāo)示富R相并以灰色標(biāo)示R2T"B相(主相)。R2TwB相主要由柱狀晶體構(gòu)成，且部分由等軸晶體構(gòu)成。R2T"B相在短軸方向上的平均晶粒直徑為10至50微米。在R2T"B相中，沿柱狀晶體的長(zhǎng)軸延伸的線型富R相、或微?；幕虿糠制屏训母籖相存在于晶界處和晶粒內(nèi)。富R相是具有低熔點(diǎn)的非磁性相，并且與總組成比相比富含R。富R相之間的平均距離為3至IO微米。圖2至6顯示了使用波長(zhǎng)色散X-射線光鐠儀(WDS)通過(guò)電子探針微分析法(EPMA)對(duì)圖1中所示的R-T-B型合金進(jìn)行元素分布分析(數(shù)字制圖)的結(jié)果。圖2是圖1中所示的R-T-B型合金的電子圖像。用白色標(biāo)示富R相并用灰色標(biāo)示R2T^B相(主相)。圖3是與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Fe的X-射線圖像。從圖2和3中清楚看出，富R相所含的Fe比主相少。圖4是與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Nd的X-射線圖像。從圖2和4中清楚看出，富R相所含的Nd比主相多。圖5是與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Dy的X-射線圖像。從圖2和5中清楚看出，富R相所含的Dy比主相少。圖6是與圖2中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Ga的X-射線圖像。從圖2和6中清楚看出，富R相所含的Ga比主相多。圖7至10顯示使用場(chǎng)致發(fā)射-電子探針微分析器(FE-EPMA)進(jìn)行元素分布分析(數(shù)字制圖)的結(jié)果。圖7是圖1中所示的R-T-B型合金的電子圖像。以白色標(biāo)示富R相并以灰色標(biāo)示R2T"B相(主相)。圖8是與圖7中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Dy的X-射線圖像。從圖7和8中清楚看出，靠近富R相形成了富Dy區(qū)域，其與富R相和主相相比相對(duì)富含Dy。此外，從圖8中清楚看出，Dy濃度在主相中低于富Dy區(qū)域，在富R相中甚至更低。圖9是與圖7中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Fe的X-射線圖像。從圖7和9中清楚看出，富R相所含的Fe比主相少。圖IO是與圖7中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Nd的X-射線圖像。從圖7和圖IO中清楚看出，富R相所含的Nd比主相多。(制造方法)圖1中所示的本發(fā)明R-T-B型合金可以例如通過(guò)使用圖11中所示的用于制造合金的裝置的SC方法鑄造。[用于制造合金的裝置圖11是顯示本發(fā)明實(shí)施方案的用于制造合金的裝置的總體構(gòu)造的正面示意圖。概括而言，圖11中所示的用于制造合金的裝置1(下文稱作"制造裝置l")配有鑄造設(shè)備2、壓碎設(shè)備21和加熱設(shè)備3。加熱設(shè)備3包括加熱器31和容器5。容器5包括儲(chǔ)存容器4，和位于儲(chǔ)存容器4上的開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32。圖11中所示的制造裝置1配有室6。該室6包括鑄造室6a和保溫儲(chǔ)10存室6b，其位于鑄造室6a下方并連向鑄造室6a。鑄造設(shè)備2安裝在鑄造室6a中，加熱設(shè)備3安裝在保溫儲(chǔ)存室6b中。此外，在保溫儲(chǔ)存室6b中提供門(mén)6e，并用門(mén)6e封閉保溫儲(chǔ)存室6b，只有在將容器5傳送到保溫儲(chǔ)存室6b外時(shí)除外。此外，鑄造設(shè)備2還配有壓碎設(shè)備21，并在鑄造設(shè)備2和開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32之間提供料斗7。料斗7將鑄造合金薄片引導(dǎo)到開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32上。[鑄造設(shè)備圖12是顯示在制造裝置1中提供的鑄造設(shè)備2的正面示意圖。圖12中所示的鑄造設(shè)備2包括冷卻輥22，其通過(guò)使用水冷系統(tǒng)(圖中未顯示)迅速冷卻熔融合金來(lái)將熔融合金L鑄造成鑄造合金M;向冷卻輥22供應(yīng)熔融合金L的澆口盤(pán)23;和將鑄造合金M壓碎成鑄造合金薄片N的壓碎i殳備21。如圖12中所示，壓碎設(shè)備21例如包括一對(duì)壓碎輥21a。[加熱設(shè)備圖13是顯示在制造裝置1中提供的加熱設(shè)備3的正面示意圖。圖14是其側(cè)面示意圖，圖15是其平面示意圖。如圖13至15中所示，加熱設(shè)備3中所含的加熱器31具有加熱器蓋31a，和連接在加熱器蓋31a下方的主體31b。在其中提供加熱器蓋31a的目的是向容器5的方向釋放主體31b產(chǎn)生的熱，并防止來(lái)自主體31b的熱釋放到鑄造室6a中。此外，如果在其中提供加熱器蓋31a，則可以防止主體31b在一部分熔融合金或鑄造合金意外落入其中的情況下被破壞。加熱器31具有開(kāi)放部分31c，且料斗7的出口7a位于該開(kāi)放部分31c中。因此，通過(guò)料斗7并然后從鑄造設(shè)備2中下落的鑄造合金薄片N可以供應(yīng)到位于加熱器31下方的容器5中的開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32。此外，如圖11和13所示，加熱器31沿位于保溫儲(chǔ)存室6b內(nèi)的傳送帶51的縱向(容器5的移動(dòng)方向)放置。即使容器5在保溫儲(chǔ)存室6b內(nèi)移到時(shí)，這種構(gòu)造也能均勻保持位于開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32上的鑄造合金薄片N的溫度。加熱設(shè)備3中所含的開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32與儲(chǔ)存容器4整合，形成容器5。也就是說(shuō)，圖13至15中所示的容器5與儲(chǔ)存容器4和位于儲(chǔ)存容器4上的開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32—起形成。開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32配有多個(gè)沿容器5的移動(dòng)方向設(shè)置的開(kāi)-關(guān)臺(tái)33，此外，在開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32周?chē)峁┮龑?dǎo)元件52，且引導(dǎo)元件52防止通過(guò)料斗7掉落的鑄造合金薄片N散落到保溫儲(chǔ)存室6b中。各個(gè)開(kāi)-關(guān)臺(tái)33使從鑄造設(shè)備2供應(yīng)的鑄造合金薄片N留在其上，以通過(guò)加熱器31將溫度保持預(yù)定時(shí)間，并使鑄造合金薄片N在保溫時(shí)間后下落到儲(chǔ)存容器4中。各個(gè)開(kāi)-關(guān)臺(tái)33帶有臺(tái)板33a,和打開(kāi)或關(guān)閉臺(tái)板33a的開(kāi)-關(guān)系統(tǒng)33b。各個(gè)開(kāi)-關(guān)系統(tǒng)33b具有與臺(tái)板33a—側(cè)連接的轉(zhuǎn)軸33b!;和使轉(zhuǎn)軸33b,旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)單元(圖中未顯示)。各個(gè)驅(qū)動(dòng)單元可以自由旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)軸33b!，以便可以單獨(dú)控制各個(gè)臺(tái)板33a的傾斜角。各個(gè)臺(tái)板33a的傾斜角可以以順時(shí)針?lè)较蛟O(shè)定在從O。(此時(shí)臺(tái)板33a水平，圖13中用兩條虛線表示的位置)到大約卯°(此時(shí)臺(tái)板33a幾乎垂直，圖13中用實(shí)線表示的位置)的范圍內(nèi)的任何位置。由此，開(kāi)-關(guān)臺(tái)33可以通過(guò)啟動(dòng)開(kāi)-關(guān)系統(tǒng)33b來(lái)使鑄造合金薄片N在預(yù)定的保溫時(shí)間內(nèi)留在臺(tái)板33a上，然后可以通過(guò)使臺(tái)板33a的傾斜角更大來(lái)使鑄造合金薄片N下落到儲(chǔ)存容器4中。此外，開(kāi)-關(guān)臺(tái)33可以充當(dāng)儲(chǔ)存容器4的封蓋，這防止了加熱器31的熱到達(dá)儲(chǔ)存容器4，由此防止儲(chǔ)存容器4的內(nèi)部被加熱。此外，在儲(chǔ)存容器4內(nèi)提供了多個(gè)冷卻板4a。此外，如圖13和14所示，容器5位于傳送帶51(可移動(dòng)i殳備)上。傳送帶51能使容器5移向圖13的左手側(cè)或右手側(cè)。[合金鑄造所有圖16至19都是顯示用于制造合金的裝置的^Mt的正面示意圖。如圖16中所示，容器5首先移向使開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A(在圖中位于開(kāi)-關(guān)臺(tái)組32的左緣)正好在料斗7的出口7a下方的位置。此外，所有開(kāi)-關(guān)臺(tái)33均設(shè)定在關(guān)閉狀態(tài)。然后，通過(guò)啟動(dòng)圖12中所示的鑄造設(shè)備2來(lái)制##造合金薄片N。首先在熔融i殳備(圖中未顯示)中制備熔融合金L。熔融合金L的溫度隨合金內(nèi)容物的類(lèi)型而變，但被調(diào)節(jié)在1，300匸至1，500'C的范圍。將制成的熔融合金L傳向鑄造設(shè)備2，此時(shí)將其容納在耐火材料坩鍋24中。然后將熔融合金從耐火材料坩鍋24供應(yīng)到澆口盤(pán)23，并進(jìn)一步從澆口盤(pán)23供應(yīng)到冷卻輥22,由此使熔融合金L固化以制造鑄造合金M。此后，將鑄造合金M從冷卻輥22轉(zhuǎn)移到澆口盤(pán)23另一側(cè)，并插在兩個(gè)旋轉(zhuǎn)壓碎輥21a之間，以便將鑄造合金M壓碎成鑄造合金薄片N。向冷卻輥22供應(yīng)的熔融合金平均供應(yīng)速率為每1厘米寬度10克/秒或更大，優(yōu)選20克/秒或更大，更優(yōu)選25克/秒或更大，再更優(yōu)選每l厘米寬度100克/秒或更小。如果熔融合金L的供應(yīng)速率低于10克/秒，熔融合金L就不能稀薄地4皮潤(rùn)濕并分布在冷卻輥22上，而是可能由于熔融合金L本身的粘度或?qū)﹁T輥22表面的可潤(rùn)濕性而收縮，并可能引起合金品質(zhì)的波動(dòng)。另一方面，如果向冷卻輥22供應(yīng)的熔融合金平均供應(yīng)速率超過(guò)每1厘米寬度100克/秒，則冷卻輥22上的冷卻可能不足，并可能造成微結(jié)構(gòu)粗化、a-Fe的沉淀等。冷卻輥22上熔融合金的平均冷卻速率優(yōu)選為100至2000X:/秒。100'C/秒或更大的平均冷卻速率令人滿意，可防止a-Fe的沉淀或富R相的織構(gòu)粗化等。另一方面，如果平均冷卻速率為2000"C/秒或更低，過(guò)冷程度不會(huì)過(guò)度，并且可以將鑄造合金薄片在適當(dāng)溫度下供應(yīng)到加熱設(shè)備3。此夕卜，鑄造合金薄片不會(huì)過(guò)分冷卻，并因此不需要再加熱過(guò)程。需要指出，平均冷卻速率是如下確定的將熔融合金的剛要與冷卻輥接觸之前的溫度與離開(kāi)冷卻輥時(shí)的溫度之差除以熔融合金與冷卻輥的接觸時(shí)間。由于鑄造合金M和冷卻輥22之間接觸度的細(xì)微差異、鑄造合金M厚度的波動(dòng)等情況，離開(kāi)冷卻輥22時(shí)鑄造合金M的平均溫度稍有不同。離開(kāi)冷卻輥時(shí)鑄造合金M的平均溫度可以如下獲得例如，在寬度方向上用輻射溫度計(jì)從鑄造開(kāi)始到結(jié)束掃描合金表面，以測(cè)量溫度，并取測(cè)得值的平均值。離開(kāi)冷卻輥22時(shí)鑄造合金M的平均溫度優(yōu)選比在熔融合金平衡狀態(tài)下R2T14B相的固化溫度低100至500"€,更優(yōu)選4氐100至400*C。已知R2T14B相的熔融溫度在Nd-Fe-B三元體系中是1，150°C，但會(huì)由于Nd被其它稀土元素取代、Fe被其它過(guò)渡元素取代以及任何添加劑元素的種類(lèi)和添加量而變化。如果離開(kāi)冷卻輥22時(shí)鑄造合金M的平均溫度和在熔融合金平衡狀態(tài)下R2T"B相的固化溫度之間的差值小于IOO"C，這可能相當(dāng)于冷卻速率不足。另一方面，如果這種差值超過(guò)500X:,則熔融合金的過(guò)冷可能由于太高的冷卻速率而變得過(guò)大。離開(kāi)冷卻輥22時(shí)鑄造合金M的平均溫度在相同鑄造步驟(引流)內(nèi)也不等，且如果變化幅度大，這可能引起微結(jié)構(gòu)或品質(zhì)的波動(dòng)。因此，引流期間的變化幅度適當(dāng)?shù)匦∮?00'C，優(yōu)選100'C或更小，更優(yōu)選50匸，再更優(yōu)選20匸。鑄造合金薄片N優(yōu)選具有0.1至1毫米的平均厚度。如果薄片的平均厚度小于O.l毫米，固化速率可能過(guò)度提高，且富R相可能太微細(xì)地分散。另一方面，如果薄片的平均厚度超過(guò)l毫米，固化速率可能降低，這可能造成富R相的可分歉性的降低、a-Fe的沉淀等。然后，如圖16中所示，鑄造合金薄片N通過(guò)料斗7送往加熱設(shè)備3，并堆積(放置)在正好位于料斗7的出口7a下方的開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A上。在此期間，在其堆積在開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A上之后立即啟動(dòng)加熱器31，并通過(guò)加熱器31將鑄造合金薄片N保持在預(yù)定溫度下或加熱。堆積在開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A上的鑄造合金薄片N的量可以根據(jù)臺(tái)板33a的面積適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)。但是，由于從鑄造設(shè)備2連續(xù)供應(yīng)鑄造合金薄片N，它們?cè)谝欢〞r(shí)間內(nèi)從開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A中溢出，但這也取決于供應(yīng)速率。因此，當(dāng)鑄造合金薄片N的堆積量相對(duì)于開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A達(dá)到預(yù)定值時(shí)，容器5如圖17中所示移向該圖的左手側(cè)。然后，在右側(cè)靠近開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A的另一開(kāi)-關(guān)臺(tái)33B正好位于料斗7的出口7a下方，然后鑄造合金薄片N堆積在開(kāi)-關(guān)臺(tái)1433B上。此后，以相同方式，容器5根據(jù)鑄造合金薄片N的制備而移動(dòng)，且鑄造合金薄片N相繼堆積在開(kāi)-關(guān)臺(tái)33C至33E上。各開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A至33E上堆積的鑄造合金薄片N被加熱器31保持在預(yù)定溫度下或#>熱。保溫溫度優(yōu)選低于離開(kāi)冷卻輥時(shí)薄片N的溫度(離開(kāi)溫度)，并尤其優(yōu)選在(離開(kāi)溫度-ioox:)至離開(kāi)溫度的范圍內(nèi)，并更優(yōu)選在(離開(kāi)溫度-5(TC)至離開(kāi)溫度的范圍內(nèi)。更尤其地，保溫溫度優(yōu)選在600。C至900X:。當(dāng)保溫溫度為600"C或更高時(shí)，可以充分提高R-T-B型合金的矯頑力。此外，當(dāng)保溫溫度為900"C或更低時(shí)，可以防止a-Fe的沉積，并且可以防止孩t結(jié)構(gòu)(如富R相)的扭隨。此外，當(dāng)離開(kāi)溫度因任何原因而下降時(shí)，可以通過(guò)設(shè)定高于離開(kāi)溫度的保溫溫度，將鑄造合金薄片N加熱并保持在預(yù)定溫度。加熱范圍優(yōu)選在IOOX:內(nèi)，更優(yōu)選在50。C內(nèi)。如果加熱范圍太大，生產(chǎn)效率降低。應(yīng)該指出，即使薄片保持在iooot:，也可以改進(jìn)矯頑力。但是，這種溫度使微結(jié)構(gòu)粗糙。此外，細(xì)粉在精細(xì)壓碎時(shí)的粒度分布或流動(dòng)性、以及燒結(jié)溫度可能不利地變化。因此，當(dāng)它們保持在iooox:時(shí)，需要考慮其對(duì)后繼過(guò)程的影響。此外，保溫時(shí)間優(yōu)選為30秒或更久，更優(yōu)選30秒至大約數(shù)小時(shí)，最優(yōu)選30秒至大約30分鐘。如果保溫時(shí)間為30秒或更久，則可以充分提高矯頑力。也就是i兌，鑄造合金薄片可以經(jīng)過(guò)數(shù)小時(shí)保溫處理，但考慮到生產(chǎn)效率，保溫時(shí)間優(yōu)選為30分鐘或更少。然后，如圖18中所示，容器5進(jìn)一步相對(duì)于其余開(kāi)-關(guān)臺(tái)33F至33J以相同方式根據(jù)鑄造合金薄片N的制備而移動(dòng)，這樣，鑄造合金薄片N先后堆積在各開(kāi)-關(guān)臺(tái)33F至33J上。關(guān)于堆積在開(kāi)-關(guān)臺(tái)33A至33D上的鑄造合金薄片N，通過(guò)在經(jīng)歷了預(yù)定保溫時(shí)間時(shí)相繼使各開(kāi)-關(guān)臺(tái)如圖18中所示處于打開(kāi)狀態(tài)，它們先后落入儲(chǔ)存容器4。一旦鑄造合金薄片N落入儲(chǔ)存容器4，加熱器31的熱就不再到達(dá)鑄造合金薄片N,從而完成保溫處理。如上文參照?qǐng)D17所述，鑄造合金薄片N先后位于各開(kāi)-關(guān)臺(tái)上，因此不同開(kāi)-關(guān)臺(tái)在開(kāi)始開(kāi)-關(guān)臺(tái)上的鑄造合金薄片N保溫處理的啟始點(diǎn)具有時(shí)差。因此，優(yōu)選通過(guò)先后打開(kāi)各開(kāi)-關(guān)臺(tái)至開(kāi)放狀態(tài)來(lái)使鑄造合金薄片N先后落入儲(chǔ)存容器4，從而使保溫時(shí)間相對(duì)于各開(kāi)-關(guān)臺(tái)上鑄造合金薄片N保護(hù)固定。落入儲(chǔ)存容器4中的鑄造合金薄片N與冷卻板4a接觸，由此使熱吸收到冷卻板4a中，并因此使鑄造合金薄片N冷卻。圖19和20顯示了所有開(kāi)-關(guān)臺(tái)33都處于打開(kāi)狀態(tài)、且鑄造合金薄片N儲(chǔ)存在儲(chǔ)存容器4中的狀態(tài)。如果在此后進(jìn)行鑄造設(shè)備2的鑄造和壓碎過(guò)程，可以使容器5移向該圖的右手側(cè)，同時(shí)將所有開(kāi)-關(guān)臺(tái)33設(shè)定為關(guān)閉狀態(tài)，并根據(jù)鑄造合金薄片N的制^f吏鑄造合金薄片N先后位于各開(kāi)-關(guān)臺(tái)33上。相反，如果鑄造設(shè)備2的鑄造和壓碎過(guò)程終止，則將所有開(kāi)-關(guān)臺(tái)33切換至關(guān)閉狀態(tài)，以防止加熱器31的熱到達(dá)儲(chǔ)存容器4。然后，打開(kāi)保溫儲(chǔ)存室6b的門(mén)6e，并將容器5傳送到室6外，以收集鑄造合金薄片N，由此完成鑄造合金薄片N的制造。[冷卻速率下面描述制造R-T-B型合金時(shí)的冷卻速率。在本發(fā)明中，控制冷卻速率，以實(shí)現(xiàn)從主相固化點(diǎn)(大約1170)(其為剛固化后的溫度)到600X:(其低于富R相的固化點(diǎn)(大約700'C))的下列冷卻速率。也就是說(shuō)，將r-t-b型合金從i，ooox:到850X:的冷卻速率設(shè)定在100至3oox:/秒的范圍內(nèi)。如果從i，ooox:到8sox:的冷卻速率高于上迷范圍，Dy可能不充分?jǐn)U散到主相中。另一方面，如果冷卻速率低于上述范圍，Dy可能過(guò)度擴(kuò)散，以致不可能在主相中形成富Dy相。此外，R-T-B型合金從主相固化點(diǎn)到l，OOO"C的冷卻速率優(yōu)選設(shè)定在300至2，000'C/秒的范圍內(nèi)。通過(guò)將從主相固化點(diǎn)到l，OOO'C的冷卻速率設(shè)定在上述范圍內(nèi)，以高生產(chǎn)率獲得了具有富Dy區(qū)域的R-T-B型合金。此外，R-T-B型合金從850"C到600"C的冷卻速率優(yōu)選暫時(shí)設(shè)為IOO"C16/秒或更低。通過(guò)將從850X:到600"C的冷卻速率暫時(shí)設(shè)定在上述范圍內(nèi)，富R相中所含的Dy可以充分?jǐn)U散到相鄰主相中。因此可以容易地制造具有富Dy區(qū)域和甚至更高矯頑力的R-T-B型合金。本實(shí)施方案的R-T-B型合金和R-T-B型合金薄片是靠近富R相形成的，并具有與總組成比相比相對(duì)富含Dy的富Dy區(qū)域。相應(yīng)地，可以由它們獲得具有高矯頑力和優(yōu)異磁特性的稀土永磁體。換言之，本實(shí)施方案的R-T-B型合金與例如圖21至24中所示的不含富Dy區(qū)域的R-T-B型合金相比具有更高矯頑力。作為一個(gè)實(shí)例，圖21至24顯示了使用場(chǎng)致發(fā)射電子探針微分析器(FE-EPMA)進(jìn)行的不含富Dy區(qū)域的R-T-B型合金的元素分布分析(數(shù)字制圖)的結(jié)果。圖21至24中所示的R-T-B型合金通過(guò)SC法制造。以質(zhì)量比計(jì)，這種R-T-B型合金具有23%的Nd、9%的Dy、1°/。的B、1%的Co、和0.2%的Ga、余量為Fe的組成。圖21是不含富Dy區(qū)域的R-T-B型合金的電子圖像。以白色標(biāo)示富R相，并以灰色標(biāo)示R2T14B相(主相)。圖22是與圖21中所示的相應(yīng)的區(qū)域中Dy的X-射線圖像。從圖21和22中清楚看出，這種R-T-B型合金不具有任何與主相相比相對(duì)富含Dy的富Dy區(qū)域，而Dy濃度在富R相中低于在主相中。圖23是與圖21中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Fe的X-射線圖像。從圖21和23中清楚看出，富R相與主相相比含有較少Fe。圖24是與圖21中所示對(duì)應(yīng)的區(qū)域中Nd的X-射線圖像。從圖21和24中清楚看出，富R相與主相相比含有較多Nd。(R-T-B型稀土承l(wèi)體的制造)為了制造本發(fā)明的R-T-B型稀土永磁體，首先由本發(fā)明的R-T-B型合金制造用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉。本發(fā)明的用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉例如通過(guò)下述方法獲得通過(guò)氫吸收進(jìn)行由本發(fā)明的R-T-B型合金構(gòu)成的薄片的加氫裂化，然后使用研磨機(jī)(例如噴射磨機(jī))將薄片粉化。在加氫裂化中，例如，優(yōu)選預(yù)先進(jìn)行使薄片在預(yù)定壓力下保持在氫氣氛中的氫吸收步驟。然后，例如通過(guò)成型機(jī)等在橫向磁場(chǎng)中將所得用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉壓制成型，并在真空中燒結(jié)，由此獲得R-T-B型稀土永磁體。本實(shí)施方案的用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉和R-T-B型稀土永磁體由本發(fā)明的R-T-B型合金制成。因此，它們具有高矯頑力和優(yōu)異的磁特性。[實(shí)施例1稱取配制成具有以質(zhì)量比計(jì)23。/。Nd、9%Dy、0.98%B、1。/。Co和0.2%Ga和余量Fe的合金組成的原料金屬，然后通過(guò)使用高頻熔爐在氧化鋁坩鍋中在氬氣氛中在1大氣壓下熔融以制造熔融合金。然后將此熔融合金供應(yīng)到圖11中所示的制造裝置中的鑄造設(shè)備中，并通過(guò)SC方法鑄造。冷卻輥在鑄造中的轉(zhuǎn)速為1.3米/秒，供應(yīng)到冷卻輥上的熔融合金平均供應(yīng)速率為每1厘米寬度30克/秒，并且離開(kāi)冷卻輥時(shí)鑄造合金錠的平均溫度為850°C。該合金的冷卻速率從主相固化點(diǎn)到1000。C為700"C/秒，從1000"C到850'C為200。C/秒，從850'C到780'C為50X:/秒。此后，使用圖11中所示的制造裝置，使合金在開(kāi)-關(guān)臺(tái)上在大約780"C的溫度下保持300秒，然后以O(shè).ir/秒的冷卻速率冷卻至600"C或更低，以制造實(shí)施例1的R-T-B型合金薄片。此時(shí)合金的平均厚度為0.3毫米。[實(shí)施例2使用與實(shí)施例1中相同的原料金屬和相同的裝置制造熔融合金。然后使用與實(shí)施例1中相同的鑄造設(shè)備鑄造所得熔融合金。冷卻輥在鑄造中的轉(zhuǎn)速為0.87米/秒，供應(yīng)到冷卻輥上的熔融合金平均供應(yīng)速率為每1厘米寬度30克/秒，且離開(kāi)冷卻輥時(shí)鑄造合金錠的平均溫度為880°C。該合金的冷卻速率從主相固化點(diǎn)到iooox:為700"c/秒，從iooo'c到850匸為200*€/秒，從850"C到780匸為10X:/秒。此后，使用圖11中所示的制造裝置而不4吏用開(kāi)-關(guān)臺(tái)，使合金以0.1匸/秒的冷卻速率冷卻至600X:或更低，以制造實(shí)施例2的R-T-B型合金薄片。此時(shí)合金的平均厚度為0.45毫米。使用配有波長(zhǎng)色散X-射線光語(yǔ)儀的電子探針微分析器(WDS-EPMA)和場(chǎng)致發(fā)射-電子探針微分析器(FE-EPMA)對(duì)實(shí)施例1和2中獲得的R-T-B型合金薄片進(jìn)行元素分布分析(數(shù)字制圖)(表面分析)。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)實(shí)施例l和2中獲得的兩種R-T-B型合金薄片都形成了靠近富R相的富Dy區(qū)域，其與富R相和主相相比富含Dy。此外，在實(shí)施例1和2中獲得的兩種R-T-B型合金薄片中，Dy濃度在主相中低于在富Dy區(qū)域中，在富R相中甚至更低。(對(duì)比例1)使用與實(shí)施例1中相同的原料金屬和相同的裝置制造熔融合金。然后使用與實(shí)施例1中相同的鑄造設(shè)備鑄造所得熔融合金，以產(chǎn)生對(duì)比例1的R-T-B型合金薄片。冷卻輥在鑄造中的轉(zhuǎn)速為0.65米/秒，供應(yīng)到冷卻輥的熔融合金平均供應(yīng)速率為每1厘米寬度15克/秒，且離開(kāi)冷卻輥時(shí)鑄造合金錠的平均溫度為700"C。該合金的冷卻速率從主相固化點(diǎn)到iooox:為700。c/秒，從iooox:到700"C為400。C/秒，從700"C到600。C為10"C/秒。此后，使用圖11中所示的制造裝置而不使用開(kāi)-關(guān)臺(tái)，使合金以0.lt;/秒的冷卻速率冷卻至6oo*c或更低。此時(shí)合金的平均厚度為0.30毫米。使用WDS-EPMA和FE-EPMA對(duì)對(duì)比例1中獲得的R-T-B型合金薄片進(jìn)行元素分布分析(數(shù)字制圖)(表面分析)。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)對(duì)比例1中獲得的R-T-B型合金薄片沒(méi)有形成與總組成比相比富含Dy的任何富Dy區(qū)域。這種結(jié)果的一個(gè)可能的原因在于，在對(duì)比例1中，離開(kāi)冷卻輥時(shí)鑄造合金錠的溫度低，且合金在冷卻輥上冷卻過(guò)快，從而使合金從iooox:到700n的冷卻速率太高。因此，Dy和Nd可能不充分?jǐn)U散，并且沒(méi)有形成其濃度梯度。19下面，如下使用實(shí)施例1、2和對(duì)比例1中獲得的R-T-B型合金薄片制造磁體。首先使實(shí)施例1、2和對(duì)比例1中獲得的R-T-B型合金薄片經(jīng)過(guò)加氬裂化。加氫裂化通過(guò)下列方法進(jìn)行。使R-T-B型合金薄片在2大氣壓的氫氣氛中吸收氫氣，然后在真空中加熱至500t:以脫氫。此后，向其中加入0.07質(zhì)量％硬脂酸鋅，并通過(guò)噴射磨機(jī)使用氮?dú)饬鲗⑺梦锓刍?。通過(guò)激光衍射法測(cè)定，通過(guò)粉化獲得的粉末具有大約5.0微米的平均粒度。然后，通過(guò)成型機(jī)在橫向磁場(chǎng)中在0.8t/cm2成型壓力在100%氮?dú)夥罩袑⑺梅勰┎牧蠅褐瞥尚?，以獲得粉末壓實(shí)物。將所得粉末壓實(shí)物在1.33xl()-ShPa的真空中從室溫加熱，并在500。C保持1小時(shí)，然后在800匸保持1小時(shí)，以除去硬脂酸鋅和剩余的氬。然后將所得粉末壓實(shí)物加熱至1，030X:的燒結(jié)溫度，并在此保持3小時(shí)以制造燒結(jié)體。此后，將所得燒結(jié)體在氬氣氛中在80ox:、然后53ox:進(jìn)一步熱處理i小時(shí)。由此，在實(shí)施例1、2中均獲得10個(gè)磁體，并在對(duì)比例1中獲得5個(gè)磁體。通過(guò)直流BH曲線描繪器測(cè)量實(shí)施例1、2和對(duì)比例1中獲得的磁體的磁特性。結(jié)果顯示在表1和圖25中。圖25是顯示實(shí)施例1、2和對(duì)比例1中制成的磁體矯頑力(Hcj)的圖。在圖中，縱軸表示各示例的矯頑力，示例顯示在橫軸中。在圖25中，符號(hào)O表示實(shí)施例l和2中制成的磁體的矯頑力，符號(hào)A表示對(duì)比例1中制成的磁體的矯頑力。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>在表l中，"(BH)最大"是指最大磁能積，"Br"是指殘留磁通密度，"Hcj"是指矯頑力，且"Hk/Hcj"是指磁滯矩形度。如表1和圖25中所示，實(shí)施例1和2中獲得的磁體與由不含富Dy區(qū)域的R-T-B型合金制成的對(duì)比例1中獲得的磁體相比具有更高的矯頑力"Hcj"。磁體矯頑力的這種差異由元素濃度在其中的分布引起，這在它們?cè)诤辖馉顟B(tài)時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)，并即使在合金壓碎并燒結(jié)制成磁體后也繼續(xù)產(chǎn)生影響。一個(gè)可能的原因在于，由于在本發(fā)明的合金中存在富Dy區(qū)域且它們也留在磁體的晶粒中，僅有少量Dy留在富R相中，這不會(huì)有效影響矯頑力的提高。權(quán)利要求1.R-T-B型合金，其中R是至少一種選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的元素；T是含有80質(zhì)量％或更多Fe的過(guò)渡金屬；且B是含有50質(zhì)量％或更多硼(B)并還含有0至小于50質(zhì)量％的C和N中至少一種元素的元素，所述R-T-B型合金是用于稀土基永磁體中的原材料，并至少含有Dy，所述R-T-B型合金包含表現(xiàn)出磁性的主相，例如R2T14B相；與總體合金組成比相比富含R的富R相；和靠近富R相形成的與總體合金組成比相比富含Dy的富Dy區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1的R-T-B型合金，其中Dy濃度在主相中低于在富Dy區(qū)域中，并且在富R相中低于在主相中。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的R-T-B型合金，其中所迷合金是通過(guò)薄帶連鑄法制成的平均厚度為0.1至1毫米的薄片。4.制造根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)的R-T-B型合金的方法，所述方法包括下列步驟制造平均厚度為0.1至1亳米的薄片；并以每1厘米寬度10克/秒或更高的平均速率向冷卻輥供應(yīng)熔融合金。5.根據(jù)權(quán)利要求4的制造R-T-B型合金的方法，其中將從冷卻輥上輥軋出的R-T-B型合金薄片在600至900X:的溫度保持30秒或更久。6.用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉，其由根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)的R-T-B型合金制成，或由通過(guò)權(quán)利要求4或5的制造R-T-B型合金的方法制成的R-T-B型合金制成。7.R-T-B型稀土永磁體，由根據(jù)權(quán)利要求6的用于R-T-B型稀土永磁體的細(xì)粉制成。全文摘要本發(fā)明的目的是提供至少含Dy的R-T-B型合金，其中R是至少一種選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的元素；T是含有80質(zhì)量％或更多Fe的過(guò)渡金屬；且B是含有50質(zhì)量％或更多硼(B)并還含有0至小于50質(zhì)量％的C和N中至少一種元素的元素，所述R-T-B型合金作為具有優(yōu)異磁特性的稀土基永磁體的原材料，且本發(fā)明中提供的R-T-B型合金包括表現(xiàn)出磁性的主相，例如R₂T₁₄B相；與總體合金組成比相比相對(duì)富含R的富R相；和靠近富R相形成的與總體合金組成比相比相對(duì)富含Dy的富Dy區(qū)域。文檔編號(hào)C22C38/00GK101541996SQ20088000009公開(kāi)日2009年9月23日申請(qǐng)日期2008年1月28日優(yōu)先權(quán)日2007年2月5日發(fā)明者中島健一朗,長(zhǎng)谷川寬申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社