專利名稱：蒸鍍裝置及使用蒸鍍裝置的膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及蒸鍍裝置及使用蒸鍍裝置的膜的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著移動設(shè)備的高性能化及多功能化，要求作為其電源的 二次電池的高容量化。作為能夠滿足該要求的二次電池，非水電解質(zhì)二次 電池受到關(guān)注。為了實現(xiàn)非水電解質(zhì)二次電池的高容量化，提出了一種使
用硅(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)等作為電極活性物質(zhì)(以下，簡稱作"活 性物質(zhì)")的方案。使用這種電極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池用電極(以 下簡稱作"電極")， 一般是通過將含有電極活性物質(zhì)、結(jié)合劑等的漿料涂 布在集電體上而形成的(以下，稱作"涂布型電極")。但是，由于反復(fù)充 放電，活性物質(zhì)急劇地膨脹、收縮，其結(jié)果就是活性物質(zhì)可能被粉碎、微 細化。若活性物質(zhì)產(chǎn)生粉碎、微細化，則不僅會引起電極的集電性的降低， 而且由于活性物質(zhì)與電解液的接觸面積增大，從而促進了由活性物質(zhì)引起 的電解液的分解反應(yīng)，存在不能得到充分的充放電循環(huán)特性的問題。另夕卜， 在涂布型電極中，由于在電極中含有導(dǎo)電材料、結(jié)合劑等，因此，很難提 高電極的容量。
因此，對代替涂布型電極而通過使用蒸鍍法、賊射法或CVD法等的真 空處理在集電體上形成活性物質(zhì)層來制造電極的方法進行了研究。采用蒸 鍍方法形成的電極與涂布型電極相比，能夠抑制活性物質(zhì)層的微細化，并 且，由于能夠進一步提高集電體與活性物質(zhì)層的結(jié)合性，因此，能夠提高 電極中的電子傳導(dǎo)性，并且，能夠改善電極容量及充放電循環(huán)特性。另夕卜， 在涂布型電極中存在導(dǎo)電材料、結(jié)合劑等，但是，通過采用蒸鍍方法形成 活性物質(zhì)層，能夠降低或排除電極中存在的這些物質(zhì)的量，因此，能夠從本質(zhì)上提高電極的容量。
但是，采用蒸鍍方法也可能由于充放電時活性物質(zhì)的膨脹、收縮而使 集電體和活性物質(zhì)層相剝離，在集電體上產(chǎn)生應(yīng)力從而產(chǎn)生褶皺，成為使 充放電循環(huán)特性降低的主要原因。
對此，在本申請人的專利文獻1及2中提出了通過使硅粒子從相對于集 電體的法線方向傾斜的方向蒸鍍(斜蒸鍍)，來形成活性物質(zhì)體層的方案。 這種活性物質(zhì)體層具有利用后述的陰影(shadowing)效果形成的、相對于 集電體表面的法線方向在一方向上傾斜的柱狀的活性物質(zhì)體在集電體表面 配列的構(gòu)造。通過該構(gòu)造,能夠確保在活性物質(zhì)體間具有緩和硅的膨脹應(yīng) 力的空間，因此，能夠抑制活性物質(zhì)體從集電體剝離，抑制集電體產(chǎn)生褶 皺，相比以往能夠提高充放電循環(huán)特性。
另夕卜，在專利文fc中提出了如下方案，為了進一步有效地緩和作用在 集電體上的活性物質(zhì)的膨脹應(yīng)力， 一邊切換蒸鍍方向， 一邊進行多階段的 斜蒸鍍，由此，形成成長為鋸齒狀的活性物質(zhì)體。鋸齒狀的活性物質(zhì)體例 如通過下面的方式形成。
首先，在集電體上，從相對于集電體的法線方向傾斜的第l方向進行蒸 鍍并形成第l部分后(第l階段的蒸鍍工序)，然后^M目對于集電體的法線 方向向與第1方向的相反側(cè)傾斜的第2方向進行蒸鍍，并在第1部分上形成第
2部分(第2階段的蒸鍍工序)。然后，再從第1方向進行蒸鍍形成第3部分 (第3階段的蒸鍍工序)。這樣， 一邊切換蒸鍍方向， 一邊反復(fù)進行蒸鍍工 序直到達到任意的層疊數(shù)，來得到活性物質(zhì)體。
這種活性物質(zhì)體的形成能夠采用例如上述的專利文獻2所記載的蒸鍍 裝置進行。在專利文fe記載的蒸鍍裝置中，在蒸發(fā)源的上方配置有固定集 電體的固定臺。固定臺，其表面以相對于與蒸發(fā)源中的蒸發(fā)面(蒸鍍原料 的上表面)平行的平面傾斜的方式,皮配置，由此，能夠從相對于集電體的 法線方向傾斜任意的角度的方向使蒸鍍原料入射到集電體表面。另外，通 過切換固定臺的傾斜方向，能夠切換蒸鍍原料的入射方向(蒸鍍方向)。 因此，通過一邊切換固定臺的傾斜方向， 一邊反復(fù)進行多階段的蒸鍍工序，
13從而能夠得到上述那樣的鋸齒狀的活性物質(zhì)體。此外，還記載有下述的構(gòu) 造，即，代替切換固定臺的傾斜方向，而通過使蒸發(fā)源移動或交互使用多 個蒸發(fā)源，來切換蒸鍍原料的入射方向的構(gòu)造。
但是，若是用專利文獻2記載的蒸鍍裝置，則由于要對被切割成預(yù)定的 尺寸的集電體進行蒸鍍，因此，生產(chǎn)率較低。因此，這樣的蒸鍍裝置^^ 適用于批量生產(chǎn)處理。
而在專利文獻3 ~ 6中公開了 一種適合批量生產(chǎn)處理使用的巻軸到巻軸 (Roll-to-Roll)的方式的蒸鍍裝置。
在專利文獻3中，提出了使用巻軸到巻軸的方式的蒸鍍裝置，并通過斜 蒸鍍形成活性物質(zhì)層的方案。在該蒸鍍裝置中，在腔室內(nèi)，使片狀的集電 體從放巻巻軸向收巻巻軸移動，在規(guī)定的蒸鍍區(qū)域，能夠在正移動的集電 體表面連續(xù)形成蒸鍍膜(活性物質(zhì)層)。在該蒸鍍區(qū)域，由于蒸鍍原料是 從相對于集電體的法線方向傾斜的一個方向入射到集電體表面的，因此， 能夠形成^M目對于集電體的法線方向、向特定的方向傾斜的柱狀的活性物 質(zhì)體。
在專利文獻4中，作為用于連續(xù)生產(chǎn)電解電容用電極材料的蒸鍍裝置， 公開有各種構(gòu)造的巻軸到巻軸的方式的蒸鍍裝置。例如，提出了下述方案 對一個蒸發(fā)源配置兩個蒸鍍巻軸，并使通過上述蒸發(fā)源蒸發(fā)的金屬粒子蒸 鍍在各蒸鍍巻軸上的J41表面上，由此形成對一個蒸發(fā)源設(shè)置兩個蒸鍍區(qū) 域的構(gòu)造。
但是，使用專利文to及4記載的現(xiàn)有的巻軸到巻軸的方式的蒸鍍裝置 4艮難連續(xù)地形成專利文獻2所記載的那樣的成長為鋸齒狀的活性物質(zhì)體。
如上所述，專利文獻2記載的活性物質(zhì)體，是通過對集電體一邊切換蒸 鍍原料的入射方向(蒸鍍方向) 一邊進行多階段的蒸鍍而形成的，在專利 文fc的蒸鍍裝置中，若想切換蒸鍍原料相對于集電體的入射方向(蒸鍍方 向)，則需要改變蒸鍍區(qū)域相對于蒸發(fā)源的配置。因此，在使腔室內(nèi)保持 成真空的狀態(tài)下纟艮難切換蒸鍍方向，不能連續(xù)形成含有上述那樣的活性物 質(zhì)體的蒸鍍膜。另夕卜，專利文獻4的蒸鍍裝置原本不是按照進行斜蒸鍍那樣構(gòu)成的，很 難對蒸鍍原料相對于集電體表面的法線方向的入射角度、蒸鍍方向進行控 制。因此，不能控制活性物質(zhì)體的蒸鍍方向并形成成長成鋸齒狀的活性物 質(zhì)體。
而且，根據(jù)上述那樣現(xiàn)有的蒸鍍裝置，在腔室內(nèi)，由于僅在蒸發(fā)的蒸 鍍原料飛散的區(qū)域(能夠蒸鍍的區(qū)域)的極小一部分中形成蒸鍍區(qū)域，因 此，飛散至能夠蒸鍍的區(qū)域的蒸鍍原料的大部分都沒有用于蒸鍍，還存在 材料利用效率極低的問題。
對此，在專利文獻5及6中公開了一種以制造磁帶為目的，具有蒸鍍方 向互不相同的多個蒸鍍區(qū)域的巻軸到巻軸的方式的蒸鍍裝置的構(gòu)造。使用 這些蒸鍍裝置，能夠制造出具有蒸鍍方向不同的層疊層成的結(jié)構(gòu)的膜。
通過專利文獻5的圖4所公開的蒸鍍裝置，例如，使由高分子材料構(gòu)成 的基材沿溫度被控制在-10。C ~-15。C的三個圓筒狀的旋轉(zhuǎn)筒輸送，在各旋 轉(zhuǎn)筒上的兩個區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)進行蒸鍍。在各蒸鍍區(qū)域中，由于是將與 基材的欲進行蒸鍍的面相反側(cè)的面一邊通過旋轉(zhuǎn)筒進行冷卻一邊進行蒸 鍍，所以能夠防止基材因蒸鍍原料的熱而熔化的現(xiàn)象(熱影響)。
專利文獻6公開了一種蒸鍍裝置的構(gòu)造，其是以防止磁帶的基材(例如 PET)的熱影響為目的，具有直接冷卻基材的欲蒸鍍的面的冷卻裝置。
以下，參照附圖詳細說明專利文獻6公開的蒸鍍裝置的構(gòu)造。圖34是表 示專利文獻6公開的現(xiàn)有的蒸鍍裝置的剖視圖。
蒸鍍裝置2000具有進行基材的放巻及收巻的輥1010、 1012;用于冷 卻在輥1010及輥1012之間移動的基材1014的冷卻裝置1016及冷卻支持體 1018;配置在基材1014的輸送路徑下方的蒸發(fā)源1020;規(guī)定對基材1014進 行蒸鍍的范圍的掩護遮蔽板1022、 1024、 1026。在蒸鍍裝置2000中，基材 1014從輥1010#皮導(dǎo)出，通過上述冷卻裝置1016冷卻后，以向蒸發(fā)源1020凸 出的方式被輸送，并凈皮收巻在輥1012上。冷卻支持體1018與被上述那樣輸 送的基材1014的背面(與蒸鍍面相反側(cè)的面)接觸。在這樣的基材1014的 輸送路徑中，在最靠近蒸發(fā)源的部分(成為凸出的頂點的部分)的上游側(cè)的區(qū)域(上游側(cè)蒸鍍區(qū)域)1030及下游側(cè)的區(qū)域(下游側(cè)蒸鍍區(qū)域)1032 處對基材1014進行斜蒸鍍。在上游側(cè)蒸鍍區(qū)域1030及下游側(cè)蒸鍍區(qū)域1032， 由于從相對于基材1014的法線方向互不相同的方向入射蒸鍍材料，因此， 能夠憑借通過這些區(qū)域1030、 1032而在基材1014上連續(xù)形成蒸鍍方向不同 的2層。此外，蒸鍍區(qū)域1030的下端部(蒸發(fā)源側(cè)的端部)由掩護遮蔽板1022 規(guī)定，上端部(輥1010側(cè)的端部)由掩護遮蔽板1024規(guī)定。同樣，蒸鍍區(qū) 域1032的下端部(蒸發(fā)源側(cè)的端部)由掩護遮蔽板1022規(guī)定，上端部(輥 IOIO側(cè)的端部)由掩護遮蔽板1026規(guī)定。
專利文獻l:國際公開第2007/015419號小冊子
專利文獻2:國際公開第2007/052803號小冊子
專利文獻3:日本特開2007-128659號公才艮
專利文獻4:日本專利第2704023號說明書
專利文獻5:日本特開昭53-87706號公報
專利文獻6:日本特開平10- 130815號公才艮

發(fā)明內(nèi)容
如上述那樣，專利文獻5及6>^開的蒸鍍裝置，由于具有蒸鍍方向不同 的多個蒸鍍區(qū)域，因此，能夠連續(xù)地進行蒸鍍方向不同的多階段的蒸鍍工 序。
但是，如果利用專利文獻5的蒸鍍裝置，則由于各蒸鍍區(qū)域形成在旋轉(zhuǎn) 筒上，所以存在不能夠充分確保各蒸鍍區(qū)域的尺寸的問題。因此，不能夠 充分確保在蒸發(fā)的蒸鍍原料飛散的能夠蒸鍍的區(qū)域中進行蒸鍍的區(qū)域(包
括所有的蒸鍍區(qū)域)的比例，；f艮難有效地改善蒸鍍材料的利用效率。而且，
還存在不容易對各蒸鍍區(qū)域中的蒸鍍角度進行控制的問題。關(guān)于這些問題， 后面將參照附圖進行詳細說明。
另一方面，如果利用專利文獻6的蒸鍍裝置2000，則如圖34所示，由于 能夠?qū)Τ蔞字狀被輸送的基材1014進行蒸鍍，因此，與專利文獻5的蒸鍍裝 置相比，有可能提高能夠蒸鍍的區(qū)域中進行蒸鍍的區(qū)域的比例，從而能夠
16改善材料利用效率。但是，在蒸鍍裝置2000中，由于在冷卻支持體1018上 進行蒸鍍，因此存在下述.問題點。
在蒸鍍區(qū)域1030、 1032之間移動的基材1014，在最靠近蒸發(fā)源1020的 部分處以銳角折回。此時，基材1014的背面(與被蒸鍍的面相反側(cè)的面) 與冷卻支持體1018摩擦，有可能在基材1014的背面產(chǎn)生劃傷、在輸送的基 材1014上生成褶皺。另外，折回時基材1014從冷卻支持體1018浮起，使基 材1014不能纟皮充分地冷卻，其結(jié)果就是，會產(chǎn)生基材1014斷開等損傷。另 外，由于是以與冷卻支持體1018相接觸的方式， 一邊輸送基材1014—邊進 行蒸鍍的，因此，基材1014的輸送路徑由冷卻支持體1018的形狀所決定， 有可能使相對于基材1014的蒸鍍角度的選擇自由度變小。
而且，在蒸鍍裝置2000中，由于在輥1010和輥1012之間只形成兩個蒸 鍍區(qū)域1030、 1032，因此，m難高效形成層疊數(shù)多的蒸鍍膜。
本發(fā)明是鑒于上述情況作出的發(fā)明，其目的在于提供一種蒸鍍裝置， 在一邊切換相對于基板的法線方向的蒸鍍方向、 一邊能夠連續(xù)進行多階段 的斜蒸鍍的蒸鍍裝置中，不會對輸送基板造成損傷，在蒸鍍材料的利用效 率及量產(chǎn)性方面優(yōu)良，能夠容易控制蒸鍍角度。
本發(fā)明的蒸鍍裝置，是在腔室內(nèi)以巻軸到巻軸的方式使片狀的I4M多 動，由此在上述1^L上連續(xù)形成蒸鍍膜的蒸鍍裝置，其具有
使蒸鍍原料蒸發(fā)的蒸發(fā)源；
輸送部，其包括巻繞保持上述基板的第l及第2巻軸和對上述14l進行 引導(dǎo)的引導(dǎo)部，上述第1及第2巻軸的一方導(dǎo)出上述皿，上述引導(dǎo)部對導(dǎo) 出的141進行引導(dǎo)，且上述第1及第2巻軸的另一方收巻上述141，由此按 照使上述g通過上述蒸發(fā)的蒸鍍原料到達的能夠蒸鍍的區(qū)域的方式來輸 送上述a;
遮蔽部，其配置在上述能夠蒸鍍的區(qū)域，形成來自上述蒸發(fā)源的蒸鍍 原料不能到達的遮蔽區(qū)域， 并且，
上述引導(dǎo)部在上述能夠蒸鍍的區(qū)域內(nèi)包括第l引導(dǎo)部件和第2引導(dǎo)部
17件，所述第1引導(dǎo)部件是按照使上述m的被上述蒸鍍原料照射的面向上述
蒸發(fā)源凸出的方式對上述J41進行引導(dǎo)的部件；所述第2引導(dǎo)部件是在上述 基板的輸送路徑中，配置在比上述第1引導(dǎo)部件更靠近上述第2巻軸側(cè)，按 照使上述J41的被上述蒸鍍原料照射的面向上述蒸發(fā)源凸出的方式對上述 !41進行引導(dǎo)的部件，
上述遮蔽部具有分別配置在上述第1及第2引導(dǎo)部件和上述蒸發(fā)源之間 的第1及第2遮蔽部件，
上述第l引導(dǎo)部件，在上述基板的輸送路徑中，形成第1蒸鍍區(qū)域和第2 蒸鍍區(qū)域，所述第l蒸鍍區(qū)域位于比上述第l遮蔽部件更靠近上述第l巻軸側(cè) 的位置處，所述第2蒸鍍區(qū)域位于比上述第1遮蔽部件更靠近上述第2巻軸側(cè) 的位置處，
上述第2引導(dǎo)部件，在上述基板的輸送路徑中，形成第3蒸鍍區(qū)域和第4 蒸鍍區(qū)域，所述第3蒸鍍區(qū)域位于比上述第2遮蔽部件更靠近上述第1巻軸側(cè) 的位置處，所述第4蒸鍍區(qū)域位于比上述第1遮蔽部件更靠近上述第2巻軸側(cè) 的位置處，
上述第1到第4蒸鍍區(qū)域包括按照使上述皿的被上述蒸鍍原料照射的 面成為平面的方式對上述a進行輸送的平面輸送區(qū)域，
在除了上述遮蔽區(qū)域以外的上述能夠蒸鍍的區(qū)域中，按照使上述蒸鍍 原料不從上述M的法線方向入射到上述基板的方式對上述蒸發(fā)源配置上 述輸送部。
通過本發(fā)明的蒸鍍裝置，能夠一邊切換蒸鍍方向， 一邊連續(xù)進行多階 段的蒸鍍工序。具體來說，通過包含第l引導(dǎo)部件及第l遮蔽部件的輸送部， 在腔室內(nèi)形成蒸鍍方向相異的第1及第2蒸鍍區(qū)域。在第l蒸鍍區(qū)域中，能夠 使蒸鍍原料從相對于基板的法線方向傾斜的方向入射到基板表面，在第2 蒸鍍區(qū)域中，能夠使蒸鍍原料^目對于基板的法線方向、向與第l蒸鍍區(qū)域 中的傾斜方向相反側(cè)傾斜的方向入射到141表面。由此，在a表面形成 成長方向相異的兩層。然后，在通過第2引導(dǎo)部件及第2遮蔽部件形成的第3 及第4蒸鍍區(qū)域中，同樣能夠形成成長方向相異的兩層。這樣，在基板在第l及第2巻軸之間被輸送的期間，能夠連續(xù)進行蒸鍍方向相異的4個階段的蒸 鍍工序。另外，通過切換I41的輸送方向并重復(fù)進行蒸鍍，能夠進一步形 成層疊數(shù)多的蒸鍍膜。
因此，通過使用本發(fā)明的蒸鍍裝置，由于能夠使多個活性物質(zhì)體在基 板表面成長成鋸齒狀，所以與使用專利文獻3及4記載的現(xiàn)有的巻軸到巻軸 的方式的蒸鍍裝置制造的電極相比，能夠制造出有效緩和了活性物質(zhì)的膨 脹應(yīng)力的電極。另外，通過本發(fā)明的蒸鍍裝置，由于能夠使上述那樣的活 性物質(zhì)體連續(xù)形成在片狀的^i4^面上，所以，與專利文獻2記載的通過對 固定集電體的臺的傾斜方向進行切換來控制蒸鍍方向的生產(chǎn)過程相比，能 夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)性優(yōu)良的生產(chǎn)過程。
另外，本發(fā)明的蒸鍍裝置中的第l及第2蒸鍍區(qū)域由于包括按照使J4！ 的4皮蒸鍍原料照射的面(以下稱作"蒸鍍面")成為平面的方式輸送M 的平面輸送區(qū)域，所以與具有僅在旋轉(zhuǎn)筒(輥)上進行蒸鍍的構(gòu)造的蒸鍍 裝置(例如專利文獻5)相比，能夠提高蒸發(fā)源蒸發(fā)的蒸鍍材料所飛散的能 夠蒸鍍的區(qū)域中的進行蒸鍍的區(qū)域所占的比例，能夠提高蒸鍍材料的利用 效率。
而且，由于介由引導(dǎo)部件將M輸送至位于其兩側(cè)的兩個蒸鍍區(qū)域， 所以，能夠不對輸送141造成損傷地連續(xù)進行蒸鍍工序。另外，能夠以比 以往更高的自由度容易地對各蒸鍍區(qū)域中的蒸鍍角度進行控制。
通過本發(fā)明，在通過引導(dǎo)部件按照向蒸發(fā)源凸出那樣凈皿定的141路 徑中，能夠在該引導(dǎo)部件的兩側(cè)形成蒸鍍方向不同的蒸鍍區(qū)域。因此，能 夠提供一種可以連續(xù)進行蒸鍍方向不同的多個蒸鍍工序且量產(chǎn)性優(yōu)良的蒸 鍍裝置。另外，能夠比以往提高蒸鍍原料的利用效率。
使用本發(fā)明的蒸鍍裝置，通過生產(chǎn)效率優(yōu)良的生產(chǎn)過程，能夠制造充 放電循環(huán)特性優(yōu)良的電極。


圖l是示意地表示本發(fā)明的第1實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。圖2是用于說明在本發(fā)明的第1實施方式的蒸鍍裝置中，蒸鍍原料向基 板入射的角度(入射角度)的剖視圖。
圖3是示意地表示使用本發(fā)明的第1實施方式的蒸鍍裝置形成的活性物 質(zhì)體(層疊數(shù)n-2)的剖視圖。
圖4是示意地表示使用本發(fā)明的第1實施方式的蒸鍍裝置形成的活性物 質(zhì)體(層疊數(shù)n-5)的剖視圖。
圖5是用于說明本發(fā)明的第l實施方式的其他的蒸鍍裝置的構(gòu)造的剖視圖。
圖6是示意地表示本發(fā)明的第2實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。 圖7是示意地表示本發(fā)明的第3實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。 圖8是示意地表示使用本發(fā)明的第3實施方式的蒸鍍裝置形成的活性物
質(zhì)體(層疊數(shù)11=2 )的剖視圖。
圖9是示意地表示本發(fā)明的第3實施方式的其他的蒸鍍裝置的剖視圖。
圖10是示意地表示本發(fā)明的第4實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。
圖11是示意地表示使用本發(fā)明的第4實施方式的蒸鍍裝置形成的活性
物質(zhì)體(層疊數(shù)11=7)的剖視圖。
圖12 U)及(b)分別是示例地表示使用本發(fā)明的蒸鍍裝置制造的實
施例1及實施例2的膜的俯視圖，(c)是示意地表示(a)及(b)所示的膜
中的活性物質(zhì)體的剖視圖。
圖13是用于說明基板的輸送次數(shù)C和膜(活性物質(zhì)體)的層疊數(shù)n之間
的關(guān)系的圖，(a)是示例地表示具有V字型路徑的蒸鍍裝置的剖視圖，(b)
及(c )是示例地表示使用具有W字型路徑的蒸鍍裝置形成的膜(活性物質(zhì)
體)的剖視圖。
圖14是示意地表示本發(fā)明的第5實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。 圖15 (a)是示意地表示本發(fā)明的第6實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖， (b)是示意地表示使用(a)所示的蒸鍍裝置形成的蒸鍍膜的剖視圖。 圖16是示意地表示本發(fā)明的第7實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。 圖17 (a)是示意地表示本發(fā)明的第8實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖，
20(b)是示意地表示(a)所示的蒸鍍裝置中的蒸鍍區(qū)域的放大剖視圖。
圖18是示意地表示本發(fā)明的第8實施方式的其他的蒸鍍裝置中的蒸鍍
區(qū)域的放大剖^L圖。
圖19是示意地表示本發(fā)明的第8實施方式的其他的蒸鍍裝置的剖視圖。 圖20 (a)及(b)分別是示意且示例地表示參考實施方式A的真空蒸^
鍍裝置的剖視圖。
圖21是示意地表示參考實施方式A中的第1蒸鍍部及第2蒸鍍部的剖視圖。
圖22是示意地表示通過參考實施方式A的蒸鍍裝置形成的蒸鍍膜的剖 視圖。
圖23是示意地表示參考實施方式A中的第1蒸鍍部及第2蒸鍍部的 一個 變形例的局部剖^L圖。
圖24是示意地表示參考實施方式A中的第1蒸鍍部及第2蒸鍍部的其他 的變形例的局部剖視圖。
圖25是示意地表示參考實施方式B的真空蒸鍍裝置的剖視圖。
圖26是示意地表示通過參考實施方式B的蒸鍍裝置形成的蒸鍍膜的剖 視圖。
圖27是示意地表示參考實施方式C的真空蒸鍍裝置的剖視圖。
圖28是示意地表示參考實施方式C中的第1蒸鍍部及第2蒸鍍部的剖視圖。
圖29是示意地表示通過參考實施方式C的蒸鍍裝置形成的蒸鍍膜的剖 視圖。
圖30是示意地表示參考實施方式C中的第1蒸鍍部及第2蒸鍍部的 一個 變形例的局部剖視圖。
圖31是示意地表示參考實施方式C中的第1蒸鍍部及第2蒸鍍部的其他 的變形例的局部剖視圖。
圖32是示意地表示參考實施方式D的真空蒸鍍裝置的剖視圖。
圖33是示意地表示通過參考實施方式D的蒸鍍裝置形成的蒸鍍膜的剖視圖。
圖34是表示現(xiàn)有的蒸鍍裝置的剖視圖。
圖35 ( a)是示意且示例地表示僅由曲面輸送區(qū)域構(gòu)成的蒸鍍區(qū)域的剖 視圖，(b)是示意且示例地表示包括平面輸送區(qū)域的蒸鍍區(qū)域的剖視圖。 符號的說明
1排氣泵
2腔室
3、 8方文巻或收巻巻軸
4絲
5a ~5m輸送輥
6a ~6d引導(dǎo)部件
9蒸發(fā)源
9s蒸發(fā)面
10a、10b遮蔽板
lla、lib氣體導(dǎo)入管
15a、15b、15c 遮蔽板
20a--20d遮蔽部件
22噴嘴部
24噴嘴部遮蔽板
28遮擋板
60a--60h蒸鍍區(qū)域
100、200、300、 400、 500、 600具體實施例方式
以下， 一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明的蒸鍍裝置的實施方式。 (第l實施方式)
在本實施方式的蒸鍍裝置中，在腔室內(nèi)，按照向蒸發(fā)源成為凸出狀的 方式輸送片狀的141，并在成為凸出的頂點的部分的兩側(cè)的區(qū)域進行蒸鍍。
22〈蒸鍍裝置的構(gòu)成〉 首先，參照圖l。圖l是表示本發(fā)明第l實施方式的蒸鍍裝置的示意剖視
圖。蒸鍍裝置100具有腔室(真空槽)2;設(shè)在腔室2的外部，用于對腔室 2進行排氣的排氣泵1;從腔室2的外部向腔室2導(dǎo)入氧氣等氣體的氣體導(dǎo)入 管lla、 llb。在腔室2的內(nèi)部設(shè)有使蒸鍍原料蒸發(fā)的蒸發(fā)源9;輸送片狀 的1414的輸送部；形成由蒸發(fā)源9蒸發(fā)的蒸鍍原料不能到達的遮蔽區(qū)域的 遮蔽部；用于對基&4進行加熱的加熱部i6a、 16b;與氣體導(dǎo)入管lla、 lib 連接的，用于對基板4的表面供給氣體的噴嘴部22。
蒸發(fā)源9包括例如收容蒸鍍原料的坩鍋等容器和用于使蒸鍍原料蒸發(fā) 的加熱裝置，蒸鍍材料及容器被構(gòu)成為能夠適當裝卸。作為加熱裝置，例 如可以使用電阻加熱裝置、誘導(dǎo)加熱裝置、電子束加熱裝置等。在進行蒸 鍍時，收容在坩鍋內(nèi)的蒸鍍原料通過上述加熱裝置被加熱，從其上表面(蒸 發(fā)源)9s蒸發(fā)，并被供給到基板4的表面。
輸送部包括能夠巻繞并保持1414的第1及第2巻軸3、 8和引導(dǎo)^4的 引導(dǎo)部。引導(dǎo)部具有第l引導(dǎo)部件(這里為輸送輥)6及其他的輸送輥5a-5d，這樣，按照侵羞板4通過從蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸鍍原料所到達的區(qū)域(能 夠蒸鍍的區(qū)域)那樣，規(guī)定皿4的輸送路徑。
第1及第2巻軸3、 8、輸送輥5a 5d及第l引導(dǎo)部件6具有例如長度為 600mm的圓筒形，以其長度方向(即輸送的基板4的寬度方向)相互平行 的方式配置在腔室內(nèi)。在圖1中，僅示出了與這些圓筒形的底面平行的截面。
此外，蒸發(fā)源9也可以構(gòu)成為，例如蒸鍍原料的蒸發(fā)面9s具有與通過上 述輸送部輸送的基板4的寬度方向平行的充分的長度(例如600mm以上)。 由此，能夠沿M4的寬度方向進行大致平均的蒸鍍。此外，蒸發(fā)源9還可 以由沿凈皮輸送的基板4的寬度方向配列的多個坩鍋構(gòu)成。
在本實施方式中，第1及第2巻軸3、 8的任一方導(dǎo)出基板4，輸送輥5a 5d及第151導(dǎo)部件6對被導(dǎo)出的1414沿輸送路徑進行引導(dǎo)，第1及第2巻軸3 、 8的另一方收巻基板4。被收巻的基板4，根據(jù)需要，通過上述另一方的巻軸 進一步被導(dǎo)出，在輸送路徑上沿相反方向被輸送。這樣，本實施方式中的第l及第2巻軸3、 8根據(jù)輸送方向能夠發(fā)揮放巻巻軸的作用也能夠發(fā)揮收巻 巻軸的作用。另外，由于通過反復(fù)進行輸送方向的翻轉(zhuǎn)能夠?qū)?通過蒸 鍍區(qū)域的次數(shù)進行調(diào)整，因此，能夠連續(xù)地實施所希望的次數(shù)的蒸鍍工序。
在上述基板4的輸送路徑中，從第l巻軸側(cè)開始，以輸送輥5a、 5b、第l 引導(dǎo)部件6及輸送輥5c、 5d的順序進行配置。在本說明書中，"基板4的輸送 路徑中第1巻軸側(cè)"與基板4的輸送方向、第l巻軸的空間上的配置無關(guān)，是 指以第1及第2巻軸3、 8為兩端的輸送路徑上的第1巻軸側(cè)。另外，輸送輥6 配置在相鄰的輸送輥5b、 5c的下方，按照使1414中的被蒸鍍原料照射的面 向蒸發(fā)源9凸出的方式引導(dǎo)M4。"按照向蒸發(fā)源9凸出的方式引導(dǎo)1414" 是指以向蒸發(fā)面9s凸出的方式引導(dǎo)1414，通過該構(gòu)造，在圖示的剖視圖中， J414的路徑成為通過輸送輥6轉(zhuǎn)換方向的V字型或U字型。在本說明書中， 將由第1引導(dǎo)部件6規(guī)定的V字型或U字型的路徑稱作"V字型路徑"。
在第1引導(dǎo)部件6和蒸發(fā)源9 (蒸發(fā)面9s)之間配置有第1遮蔽部件20， 其能夠防止從蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸鍍材料從J4^4的法線方向入射，并且，將 V字型路徑的蒸鍍區(qū)域分為兩部分。通過這樣的構(gòu)造，在基板4的輸送路徑 中形成第l蒸鍍區(qū)域60a和第2蒸鍍區(qū)域60b，所述第l蒸鍍區(qū)域60a位于比第l 遮蔽部件20靠近第1巻軸側(cè)，所述第2蒸鍍區(qū)域60b位于比第l遮蔽部件20靠 近第2巻軸側(cè)。在本說明書中，蒸鍍區(qū)域的名稱與腔室2中的第1及第2巻軸3、 8的設(shè)置位置、M4的輸送方向無關(guān)，在由第1引導(dǎo)部件6規(guī)定的V字型路 徑中，若位于第l引導(dǎo)部件6的第l巻軸側(cè)則為"第l蒸鍍區(qū)域60a"，若位于第 2巻軸側(cè)則成為"第2蒸鍍區(qū)域60b"。因此，"第l蒸鍍區(qū)域60a，，在M4的輸 送路徑中位于比第1遮蔽部件20更靠近第1巻軸側(cè)的位置即可，例如第1巻軸 3與第l蒸鍍區(qū)域60a的直線距離也可以比第l巻軸3與第l引導(dǎo)部件6的直線 距離長。
遮蔽部配置在能夠蒸鍍的區(qū)域內(nèi)，除了上述的第1遮蔽部件20以夕卜，還 包括按照覆蓋與蒸發(fā)源9、排氣泵l連接的排氣口 (未圖示)的方式配置 的遮蔽板10a、 10b;以覆蓋噴嘴部22的方式配置的噴嘴部遮蔽板24;從腔 室2的側(cè)壁向第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b的上端部分別延伸的遮蔽板15a、
2415b。遮蔽板15a、 15b被配置成覆蓋在14l4的輸送路徑中的蒸鍍區(qū)域60a、 60b以外的能夠蒸鍍的區(qū)域移動的基板4、第1及第2巻軸3、 8及加熱部16a、 16b等，防止蒸鍍原料到達這些位置。
本實施方式中的遮蔽板15a、 15b具有壁部15a'、 15b'，該壁部15a'、 15b' 具有與通過對應(yīng)的蒸鍍區(qū)域60a、 60b的J4^4的蒸鍍面對向的面(對向面) Ya、 Yb。如后述，在第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b中，通過相對于14l4的 蒸鍍面配置對向面Ya、 Yb,能夠緩和在這些蒸鍍區(qū)域60a、 60b內(nèi)基板4所 受到的熱量的差，能夠形成更均質(zhì)的蒸鍍膜。另外，在從噴嘴部22， 一邊 導(dǎo)入氣體一邊進行蒸鍍的情況下，通過這些對向面Ya、 Yb，還能夠得到使 從設(shè)在噴嘴部22的側(cè)面的多個出射口出射的氣體高效地滯留在蒸鍍區(qū)域 60a、 60b內(nèi)的效果。
此外，本實施方式中的輸送部及遮蔽部，按照使從蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸
蒸發(fā)源9配置，由此，能夠W目對于M4的法線方向傾斜的方向進行蒸鍍 (斜蒸鍍)。在圖1所示的蒸鍍裝置100中，通過第1遮蔽部件20及噴嘴部遮 蔽板24，防止了蒸鍍材料從^4的法線方向入射到1414上，但是，根據(jù) 輸送部的構(gòu)造的不同，還存在其他的遮蔽板(例如15a、 15b等)也具有相 同的作用的情況。
本實施方式中的噴嘴部22配置在遮蔽板15b和第l引導(dǎo)部件5c之間。噴 嘴部22是例如沿被輸送的基板4的寬度方向(與圖l所示的截面垂直的方向) 延伸的管，在其側(cè)面可以設(shè)置用于向?qū)?yīng)的蒸鍍區(qū)域60a、 60b噴出氣體的 多個出射口。由此，在第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b中，沿^4^4的寬度方向 能夠大致均勻地供給氣體。另外，噴嘴部22優(yōu)選構(gòu)成為分別向第1及第3蒸 鍍區(qū)域60a、 60b平行地噴射氣體。通過這樣的構(gòu)造，能夠提高從噴嘴部22 出射的氧氣和蒸鍍粒子之間的反應(yīng)率，不會使腔室2的真空壓力惡化，能夠 形成氧化度高的蒸,。
加熱部16a、 16b分別配置在V字型路徑的第l巻軸側(cè)及第2巻軸側(cè)。通 過這樣的構(gòu)造，在從第1巻軸3輸送J^4至V字型路徑時，能夠通過加熱部16a將通過V字型路徑前的基板4加熱到200。C ~400°C (例如300。C)，在從 第2巻軸8輸送基板4至V字型路徑時，能夠通過加熱部16b將通過V字型路徑 前的基板4加熱到200。C ~ 400。C (例如300。C )。將14l4加熱到上述溫度后， 能夠除去附著在M4的欲蒸鍍的表面上的有機物，能夠使J414與蒸鍍原 料(例如硅粒子)的結(jié)合力及蒸鍍原料(硅粒子)彼此之間的結(jié)合力提高。 〈蒸鍍裝置的動作〉
下面，說明蒸鍍裝置100的動作。這里，使用蒸鍍裝置IOO，以在基板4 的表面形成包括硅氧化物的多個活性物質(zhì)體的情況為例進行說明。
首先，在第1及第2巻軸3、 8中的一方的巻軸(這里為第1巻軸3)上巻 繞縱長的J414。作為M4，可以使用銅箔、鎳箔等金屬箔。如后詳述的 那樣，為了將多個活性物質(zhì)體隔開規(guī)定間隔地配置在基板4的表面上，需要 利用斜蒸鍍所產(chǎn)生的陰影效果，因此，優(yōu)選在金屬箔的表面形成凹凸圖案。 在本實施方式中，作為凹凸圖案，可以使用規(guī)則地配置有例如上表面為菱 形(對角線20fimxl0nm)、高度為10nm的四棱柱形狀的突起的圖案。 將沿菱形的長的對角線的間隔設(shè)為20pm、將沿短的對角線的間隔設(shè)為 10nm、將與菱形的邊平行的方向上的間隔設(shè)為10fim。另外，將各突起的 上表面的表面粗糙度Ra設(shè)為例如2.0jim 。
另夕卜，將蒸鍍材料(例如硅)收容在蒸發(fā)源9的坩鍋內(nèi)，氣體導(dǎo)入管lla、 11b與設(shè)置在蒸鍍裝置100的外部的氧氣瓶等連接。在該狀態(tài)下，使用排氣 泵1對腔室2進行排氣。
然后，導(dǎo)出巻繞在第1巻軸3上的基板4，向第2巻軸8輸送。！414首先 通過加熱部16a加熱到200。C 300。C的溫度以后，通過包括第1及第2蒸鍍區(qū) 域60a、 60b的V字型路徑。此時，通過電子束加熱裝置等加熱裝置(未圖 示)使蒸發(fā)源9的坩鍋內(nèi)的硅蒸發(fā)，供給到通過第l及第2蒸鍍區(qū)域60a及60b 的^414的表面。同時，將氧氣通過氣體導(dǎo)入管lla及氣體導(dǎo)入管llb從噴嘴 部22供給至M4的表面。由此，在g4的表面，通過反應(yīng)性蒸鍍，能夠 使含有硅和氧的化合物(硅氧化物)成長。在這些蒸鍍區(qū)域60a、 60b處表 面被蒸鍍了硅氧化物后的基板4由第2巻軸8收巻。
26〈蒸鍍區(qū)域中的入射角度〉
這里， 一邊參照圖2， 一邊說明在第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b中蒸鍍原
料向1414入射的角度(入射角度)e。這里所說的"入射角度e"是指基板4
的法線與蒸鍍原料的入射方向所成的角度。
圖2是表示腔室2中的第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、60b與蒸發(fā)源9的位置關(guān)系 的示意剖視圖。為了簡單，對與圖l相同的構(gòu)成要素標注相同的參照符號并 省略說明。
如圖2所示，第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b在上述V字型路徑中配置在第 l引導(dǎo)部件6的兩側(cè)。此時，第l蒸鍍區(qū)域60a中的蒸鍍原料的入射角度e,在 第l蒸鍍區(qū)域60a的下端部(第1引導(dǎo)部件6側(cè)的端部)62L處的蒸鍍原料的 入射角度e2以上且第l蒸鍍區(qū)域60a的上端部62U處的蒸鍍原料的入射角度
ei以下的范圍內(nèi)。此外，上端部62u處的入射角度ei是垂直于第i蒸鍍區(qū)域
60a的直線32與連接第1蒸鍍區(qū)域60a的上端部62U及蒸發(fā)面9s的中心的直 線30所成的角度，下端部62L處的入射角度62是垂直于第l蒸鍍區(qū)域60a垂 直的直線36與連接第l蒸鍍區(qū)域60a的下端部62L及蒸發(fā)面9s的中心的直線 34所成的角度。同樣，第2蒸鍍區(qū)域60b中的蒸l^^料的入射角度e在第2蒸 鍍區(qū)域60b的下端部64L處的蒸鍍原料的入射角度63以上且第2蒸鍍區(qū)域 60b的上端部64U處的蒸4Lf、料的入射角度e4以下的范圍內(nèi)。
在本實施方式中，優(yōu)選按照j吏上述入射角度ei e4的任何一個都在
45°~75°的方式相對于蒸發(fā)源9配置第1引導(dǎo)部件6、輸送輥5b、 5c、遮蔽板 15a、 15b、遮蔽部件20及噴嘴部遮蔽板24。下面說明其理由。
若入射角度ei ~ 94的任何一個都被控制在45。 ~ 75。，則第1及第2蒸鍍 區(qū)域60a、 60b中的硅的入射角度e的范圍分別為45。 75。。若硅的入射角度 6不足45。，貝'jm^利用陰影效果使硅僅向J4!4的突起71上入射，有不能在 活性物質(zhì)體間形成充分的間隙的可能性。因此，若應(yīng)用于鋰二次電池的負 極，則在鋰二次電池的充電時，由于各活性物質(zhì)體的膨脹而容易在基板4 上產(chǎn)生褶皺。另一方面，若入射角度e大于75。，則由于活性物質(zhì)體的成長 方向向141^面較大地傾斜，所以基板4的表面與活性物質(zhì)體之間的附著力
27變小，J^L4與活性物質(zhì)體的結(jié)合性降低。因此，若應(yīng)用鋰二次電池的負極， 則伴隨著鋰二次電池的充放電，活性物質(zhì)體容易從皿4上剝離。
另外，第1蒸鍍區(qū)域60a及第2蒸鍍區(qū)域60b中的蒸鍍原料的入射方向夾 著J414的法線方向相互向相反側(cè)傾斜。由此，由于能夠使活性物質(zhì)體沿相 對于基板4的法線方向、向相反側(cè)交互傾斜的方向成長，所以，能夠得到上 述那樣的鋸齒狀的活性物質(zhì)體。
在本實施方式中，第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b中的蒸鍍原料(例如硅) 的入射角度e以下面的方式被控制。輸送輥5b、 5c及第l引導(dǎo)部件6相對于蒸 發(fā)源9被配置成V字型路徑中的輸送輥5b與第1引導(dǎo)部件6之間的至少一部 分區(qū)域及第l引導(dǎo)部件6與輸送輥5c之間的至少一部分區(qū)域中，硅的入射角 度e在所希望的范圍(例如45。~75。，優(yōu)選60。~75°)內(nèi)。另外，遮蔽板15a、 15b、遮蔽部件20及噴嘴部遮蔽板24被配置成對欲向V字型路徑中的入射 角度e在上述范圍以外的區(qū)域入射的硅進行遮蔽。具體說明如下在圖2所 示的例中，第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b的上端部62U、 64U處的入射角度ei、 03分別通過遮蔽板15a、 15b調(diào)整。另夕卜，下端部62L、 64L處的入射角度92、 04通過遮蔽部件2O及噴嘴部遮蔽板24調(diào)整。此外，也可以不設(shè)置遮蔽部件 20，而使噴嘴部遮蔽板24作為遮蔽部件而起作用。這里，入射角度61~04 分別為75。、 60。、 60。及75。 (91=75。、 02=60。、 03=60。、 94=75。)。
這樣，根據(jù)本實施方式，能夠通過輸送部件輥5b、 5c和引導(dǎo)部件6之間 的配置關(guān)系容易地控制入射角度e。另夕卜，在蒸鍍區(qū)域60a、 60b的平面輸送 區(qū)域中，皿4的背面(與蒸鍍面相反側(cè)的面)不與輸送部、冷卻支持體等 部件接觸，因此，能夠以比專利文獻5及6的蒸鍍裝置更高的自由度選擇蒸 鍍角度。
〈蒸鍍裝置100的對向面〉
下面，對相對于通過第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b的I4l4的蒸鍍面配置 對向面Ya、 Yb的優(yōu)點進行說明。
在圖34所示的現(xiàn)有的蒸鍍裝置2000中，在蒸鍍區(qū)域1030、 1032中靠近 蒸發(fā)源1020的下端部，由于蒸發(fā)源1020及蒸鍍粒子的作用使基材1014受到
28的熱量較多，隨著遠離蒸發(fā)源1020，上述熱量變小，在蒸鍍區(qū)域1030、 1032 的上端部熱量最小。因此，在蒸鍍區(qū)域1030、 1032中移動的基材1014的表 面處產(chǎn)生溫度梯度，很難得到在膜厚方向上均質(zhì)的膜。此外，在蒸鍍區(qū)域 1030、 1032中移動的基材1014的背面與冷卻支持體1018接觸，但是冷卻支 持體1018越靠近蒸發(fā)源1020、變得越小，所以很難通過冷卻支持體1018充 分緩和在蒸鍍區(qū)域1030、 1032的上端部和下端部之間產(chǎn)生的基材1014的受 熱量的差。
對此，根據(jù)本實施方式，如以下說明的那樣，由于利用來自對向面Ya、 Yb的輻射熱，能夠進一步對通過蒸鍍區(qū)域60a、 60b時的14!4所受到的熱 量進行均衡化，因此能夠得到在膜厚方向上更均質(zhì)的蒸鍍膜。
再次參照圖2。在本申請說明書中，與蒸鍍區(qū)域60a、 60b中的基&4的 蒸鍍面對向的"對向面Ya、 Yb"是與通過該蒸鍍區(qū)域60a、 60b的基板的表面 (蒸鍍面)對向并緩和由于蒸鍍原料的入射而在蒸鍍面處產(chǎn)生的溫度差的 面。本實施方式中的對向面Ya、 Yb配置在能夠蒸鍍的區(qū)域上，并且，被配 置成在遠離蒸發(fā)源9的端部(上端部)62U、 64U處與蒸鍍面接近，隨著靠 近蒸發(fā)源9而遠離蒸鍍面。因此，在例如第2蒸鍍區(qū)域60b中，蒸鍍面與對向 面Yb的距離DY在上端部64U附近小，越靠近下端部64L變得越大。換言之， 在圖2所示的截面中，所謂與各蒸鍍面對應(yīng)的對向面Ya、 Yb，具有向上方 凸出的倒V字型的形狀。另外，各蒸鍍面與對向面Ya、 Yb所成的角度0Y為 90。以下。
通過第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b的M4的蒸鍍面通常被輻射熱及蒸鍍 粒子照射。本實施方式中的J414的蒸鍍面所受到的熱量主要為由蒸發(fā)源9 產(chǎn)生的輻射熱、來自對向面Ya、 Yb的輻射熱、和蒸鍍粒子的熱量。由于輻 射熱與距熱源的距離的平方成反比，所以，來自蒸發(fā)源9的輻射熱的量在蒸 鍍區(qū)域60a、 60b中靠近蒸發(fā)源9的區(qū)域大，距蒸發(fā)源9越遠越小。同樣，蒸 鍍粒子的熱量也是在靠近蒸發(fā)源9的區(qū)域大，距蒸發(fā)源9越遠越小。另一方 面，來自對向面Ya、 Yb的輻射熱的量與蒸鍍面和對向面Ya、 Yb之間的距 萬Dy的平方成反比。如上所述，由于距離DY越靠近蒸發(fā)源9越大，所以來
29自對向面Ya、 Yb的輻射熱的量在蒸鍍區(qū)域60a、 60b中距蒸發(fā)源9遠的區(qū)域 大，距蒸發(fā)源9越近變得越小。這樣，由來自對向面Ya、 Yb的輻射熱的量 而在基板4產(chǎn)生的溫度梯度與由來自蒸發(fā)源9的輻射熱的量及蒸鍍粒子的熱 量產(chǎn)生的溫度梯度反向。因此，能夠降低由來自蒸發(fā)源9的輻射熱的量及蒸 鍍粒子的熱量在M4產(chǎn)生的溫度差。
蒸鍍面和對向面Ya、 Yb之間的角度0Y只要在9O。以下即可，但優(yōu)選 25°~70。。若小于25°，則來自蒸發(fā)源9的蒸鍍粒子很難到達蒸鍍面，存在 蒸鍍效率降低的可能。另外，若大于70°,則4艮難將熱鎖閉在這些面之間， 利用對向面Ya、Yb來使蒸鍍面受到的熱量均衡化的效果有可能變小。另夕卜， 至少在蒸鍍區(qū)域60a、 60b的上端部附近，需要按照使蒸鍍面能夠受到對向 面Ya、 Yb發(fā)出的輻射熱那樣，使對向面Ya、 Yb與蒸鍍面之間的距離Dy設(shè) 定得充分小。
此外，在蒸鍍裝置100中，設(shè)有遮蔽板15a、 15b，該遮蔽板15a、 15b 具有分別與第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b對向的對向面Ya、 Yb，但是，只要 對蒸鍍區(qū)域60a、 60b中的至少一方設(shè)置具有對向面Ya、 Yb的遮蔽板15a、 15b，就能夠在配置有對向面Ya、 Yb的蒸鍍區(qū)域60a、 60b中得到上述效果。
在本實施方式中，利用遮蔽板15a、15b來配置相對于通過蒸鍍區(qū)域60a、 60b的14l4的蒸鍍面的對向面Ya、 Yb,但是，對向面Ya、 Yb也可以設(shè)置 在遮蔽板15a、 15b以外的部件上，對具有對向面Ya、 Yb的部件的構(gòu)造沒有 特別限定。
具有對向面Ya、 Yb的部件可以具有加熱或冷卻對向面Ya、 Yb的構(gòu)造。 例如，可以具有加熱對向面Ya、 Yb的加熱器、或通過冷卻水冷卻對向面 Ya、 Yb的背面的冷卻水路徑等。
對向面Ya、 Yb若通過加熱器等4皮加熱，則向?qū)ο蛎鎅a、 Yb飛去的蒸 鍍粒子的一部分,iL^射，而入射至對向的蒸鍍區(qū)域的1414的蒸鍍面。因此， 能夠改善蒸鍍粒子對M4的蒸鍍面的附著效率(蒸鍍效率)。另外，若對 向面Ya、 Yb的溫度高，則由于蒸鍍粒子的一部分在對向面Ya、 Yb上移動 并固著，使附著在對向面Ya、 Yb上的蒸鍍粒子和對向面Ya、 Yb之間的結(jié)
30合力變大。因此，蒸鍍中堆積在對向面Ya、 Yb上的蒸鍍膜很難從對向面 Ya、 Yb上剝離。若蒸鍍粒子和對向面Ya、 Yb之間的結(jié)合力小，則蒸鍍中 堆積在對向面Ya、 Yb上的蒸ltt的一部分剝離并落到蒸發(fā)源9上，有可能 發(fā)生飛濺，但通過加熱對向面Ya、 Yb，能夠提高對向面Ya、 Yb和蒸HM 之間的結(jié)合性從而抑制飛'減。此外，"飛濺，，是指蒸發(fā)源9的蒸鍍原料沒有氣 化而以液體的狀態(tài)飛到能夠蒸鍍的區(qū)域。而且，由于蒸鍍區(qū)域的皿4從對 向面Ya、 Yb接受的輻射熱的量變多，！414的蒸鍍面的溫度上升，所以， 蒸鍍粒子在蒸鍍面上移動并固著，能夠提高I414的蒸鍍面與蒸 之間的 結(jié)合性。在加熱對向面Ya、 Yb的情況下，對向面Ya、 Yb的溫度優(yōu)選為例 如100。C ~400°C，這樣，能夠更確實地得到上述的效果。
或者，具有對向面Ya、 Yb的部件也可以被冷卻。在對向面Ya、 Yb通 過水冷等^皮冷卻的情況下，能夠得到如下的效果。
附著在^4的蒸鍍面上的有機物，由于受到蒸發(fā)源9的輻射熱蒸發(fā)后 匯集在較冷的面上，因此，有時蒸發(fā)的有機物再一次與蒸鍍粒子一起^^皮蒸 鍍在基板4的蒸鍍面上，附著在溫度較低的基板4的表面上，成為使基板4 與蒸鍍粒子的結(jié)合性降低的主要原因。若對向面Ya、 Yb被冷卻，則由于蒸 發(fā)的有機物能夠匯集在對向面Ya、 Yb上，所以能夠減輕從基板4的蒸鍍面 蒸發(fā)的有機物的影響，提高蒸鍍面與蒸鍍膜之間的結(jié)合性。在冷卻對向面 Ya、 Yb的情況下，對向面Ya、 Yb的溫度優(yōu)選為例如-20°C ~ 20°C，由此， 能夠更有效地減輕蒸發(fā)的有機物的影響。此外，若冷卻對向面Ya、 Yb，則 由于來自對向面Ya、 Yb的輻射熱變少，所以緩和J414的溫度差的效果有 時變小。但是，即使在這樣的情況下，由于能夠降低上述那樣的蒸發(fā)的有 機物所產(chǎn)生的影響，所以還是有利的。
此外，本實施方式中的對向面Ya、 Yb不限定于上述構(gòu)造。在本實施方 式中，通過第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b中的至少一方的蒸鍍區(qū)域的基板4 的蒸鍍面只要與為了緩和蒸鍍面中由于照射的輻射熱產(chǎn)生的溫度差所設(shè)置 的對向面對向即可，也可以如后述的實施方式那樣，利用蒸鍍時由輸送部 進行輸送的基板4形成對向面Ya、 Yb。具體來說，以與蒸鍍區(qū)域60a、 60b
31中的至少一方對向的方式設(shè)置其它蒸鍍區(qū)域，按照使通過其它蒸鍍區(qū)域的
基板4的蒸鍍面成為蒸鍍區(qū)域60a、 60b的對向面，并使通過蒸鍍區(qū)域60a、 60b的J4l4的蒸鍍面成為其它蒸鍍區(qū)域的對向面的方式配置輸送部。 〈蒸鍍裝置100的材料利用效率〉
在蒸鍍裝置100中，在與蒸發(fā)源9的蒸發(fā)面9s垂直且包含蒸鍍方向的任 意的截面中，使分別連結(jié)第1蒸鍍區(qū)域60a的上端部62U及下端部62L與蒸發(fā) 面9s的中心的直線30、 34之間的角度范圍為A，使分別連結(jié)第2蒸鍍區(qū)域60b 的上端部64U及下端部64L與蒸發(fā)面9s的中心的直線之間的角度范圍為B, 如圖2所示，能夠?qū)恼舭l(fā)面9s的中心向角度范圍A及B出射的硅原子用于 蒸鍍。因此，與只形成一個蒸鍍區(qū)域的蒸鍍裝置(例如專利文獻3的蒸鍍裝 置)、在旋轉(zhuǎn)筒(輥)上進行蒸鍍的專利文獻5的蒸鍍裝置相比，能夠?qū)⒊?射范圍更廣的硅原子用于蒸鍍，因此，能夠提高蒸鍍材料(硅)的利用率， 并且，還能夠提高蒸鍍效率。
這里，對與專利文獻5的蒸鍍裝置那樣在旋轉(zhuǎn)筒上進行蒸鍍的構(gòu)造相比 情況下的蒸鍍裝置100的優(yōu)點進行詳細說明。在專利文獻5的蒸鍍裝置中， 僅在基板的被蒸鍍原料照射的面沿旋轉(zhuǎn)筒呈曲面狀被輸送的區(qū)域(以下， 稱作"曲面輸送區(qū)域")進行蒸鍍。與此相對，在本實施方式中，由于能夠 在J414的被蒸鍍原料照射的面呈平面的方式輸送1414的區(qū)域(以下，稱 作"平面輸送區(qū)域")進行蒸鍍，因此，如以下一邊參照附圖一邊進行的說 明那樣，能夠?qū)⑾蚋鼜V范圍出射的蒸鍍原料用于蒸鍍。此外，蒸鍍裝置IOO 中的蒸鍍區(qū)域60a、 60b都僅由平面輸送區(qū)域構(gòu)成，但只要蒸鍍區(qū)域60a、 60b 包括平面輸送區(qū)域即可。例如，如后述的實施方式那樣，蒸鍍區(qū)域60a、 60b 可以包括沿引導(dǎo)部件輸送皿4的曲面輸送區(qū)域。
圖35 U)是示例地表示僅在旋轉(zhuǎn)筒上進行蒸鍍的情況下的蒸鍍區(qū)域， 即由曲面輸送區(qū)域構(gòu)成的蒸鍍區(qū)域的示意剖視圖，圖35 (b)是示例地表示 包括平面輸送區(qū)域的蒸鍍區(qū)域的示意剖視圖。為了筒單，在這些圖中，對 與圖2相同的構(gòu)成要素標注相同的參照符號并省略說明。
從圖35(a)可知，在旋轉(zhuǎn)筒1040上進行蒸鍍的情況下，在旋轉(zhuǎn)筒1040
32的表面中，在位于蒸鍍原料飛散的角度范圍Zo (能夠蒸鍍的區(qū)域)內(nèi)的部 分中形成兩個蒸鍍區(qū)域1042、 1044。使連結(jié)這些蒸鍍區(qū)域1042、 1044的上 端部及下端部與蒸發(fā)面9s的中心的直線之間的角度范圍分別為Z" Z2，能 夠利用于蒸鍍的蒸鍍原料的出射角度的范圍相對于蒸鍍原料飛散的角度范 圍的比例由(Z什z2) /Zq表示。該比例根據(jù)旋轉(zhuǎn)筒1040的尺寸(直徑)、 數(shù)、旋轉(zhuǎn)筒1040與蒸發(fā)源9之間的距離等決定，在對各蒸鍍區(qū)域1042、 1044 中的蒸鍍角度進行控制的同時提高上述比例是很困難的。
與此相對，如圖35(b)所示，根據(jù)本實施方式，能夠與引導(dǎo)部件6的 直徑無關(guān)地任意設(shè)置角度范圍A、 B。這樣，能夠使能在各蒸鍍區(qū)域60a、 60b被利用的蒸鍍原料的出射角度的范圍A、 B相對于蒸鍍原料飛散的角度 范圍Z。的比例(A+B) /Z。大于上述現(xiàn)有的蒸鍍裝置中的上述比例(ZrhZ2) /Z0。另外，通過輸送輥的配置等，能夠更容易地對各蒸鍍區(qū)域60a、 60b中 的蒸鍍角度進行控制，所以是有利的。此外，為了進一步提高蒸鍍材料的 利用效率，可以如后述的實施方式那樣，在能夠蒸鍍的區(qū)域中配置多個引 導(dǎo)部件6并設(shè)置多條V字型路徑。另外，不僅在平面輸送區(qū)域內(nèi)進行蒸鍍， 也可以在引導(dǎo)部件6上進行蒸鍍。
而且，在旋轉(zhuǎn)筒1040上進行蒸鍍的情況下，為了形成充分大的蒸鍍區(qū) 域1042、 1044，需要使旋轉(zhuǎn)筒1040的直徑擴大到某程度。因此，在能夠蒸 鍍的區(qū)域內(nèi)4艮難配置更多的旋轉(zhuǎn)筒。與此相對，在平面輸送區(qū)域進行蒸鍍 的情況下，如后述的實施方式那樣，由于能夠相對于蒸鍍源形成多個蒸鍍 區(qū)域，所以能夠有效地進行蒸鍍方向不同的蒸鍍工序。 〈膜的形成工序〉
以下，參照附圖詳細說明在第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b中形成蒸I^M 的工序。這里，以使用珪作為蒸鍍原料、 一邊從噴嘴部22供給氧一邊進行 蒸鍍、形成硅氧化物膜(SiOx， 0<x<2)作為蒸鍍膜的工序為例進行說明。
圖3是示意地表示蒸鍍膜(硅氧化物膜)的一例的圖，是與 14垂直 且包括硅的入射方向(蒸鍍方向)的剖視圖。
首先，在第l蒸鍍區(qū)域60a中，^M目對于J414的法線方向M以60。 75。的角度傾斜的方向42向基板4的表面入射硅。此時，硅容易蒸鍍在配列于集 電體4的表面上的突起72上，因此，硅氧化物在突起72上成長成柱狀。另一 方面，在集電體4的表面產(chǎn)生突起72及成長成柱狀的硅氧化物的影形成Si 原子不入射的不蒸鍍硅氧化物的區(qū)域(陰影效果)。在如圖3所示的例中， 通過這樣的陰影效果，S源子不附著在集電體4的表面中的相鄰的突起72之 間的溝上，硅氧化物不成長。其結(jié)果就是，硅氧化物有選擇地在集電體4 的各突起72上成長成柱狀，能夠得到第l部分pl (第l階段的蒸鍍工序)。 第l部分pl的成長方向Gl相對于基板4的法線方向M傾斜。
此后，基板4被輸送到第2蒸鍍區(qū)域60b。在第2蒸鍍區(qū)域60b中，從相 對于基板4的法線方向M在與方向42相反的 一側(cè)以60。 ~ 75°的角度傾斜的 方向44向^414的表面入射硅。此時，由于通過上述的陰影效果，硅選擇性 地入射到形成在集電體4上的第l部分pl上，所以在第l部分pl上形成具有 從集電體4的法線方向M傾斜的成長方向G2的第2部分p2 (第2階段的蒸鍍 工序)。
第l及第2部分pl、 p2的成長方向Gl、 G2分別由硅的入射方向42、 44 決定。因此，在本實施方式中，第2部分p2的成長方向G2相對于集電體4的 法線方向M向與第l部分pl的成長方向Gl相反的一側(cè)傾斜。另外，使第l及 第2部分pl、 p2的成長方向Gl、 G2與基板4的法線方向M所成的角度(成 長角度)分別為 a (pi) 、 a(p2) j ^i4!4的法線方向M與硅的入射方向42、 44 所成的角度(入射角度)分別為e(pD、 e(p2)，這些角度之間滿足2tana(pD =tan0 (pl) 、 2tana (p2) =tan9 (p2)的關(guān)系。
這樣，形成具有成長方向不同的兩個部分的2層的活性物質(zhì)體(層疊數(shù) n=2) 40。各活性物質(zhì)體40由于與形成在集電體4的表面上的突起72對應(yīng)地 配列，所以能夠確保在相鄰的活性物質(zhì)體間有充分的間隔。因此，能夠抑 制由于活性物質(zhì)體40的膨脹應(yīng)力而引起的電極的變形等問題。
此外，在形成如圖所示那樣的層疊結(jié)構(gòu)的活性物質(zhì)體40的情況下，優(yōu) 選使第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b的下端部62L、 64L處的蒸鍍原料的入射角 度92及e3大致相等。下面說明其理由。
34從蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸鍍原料的濃度，越接近從蒸發(fā)面9s的中心開始垂 直于蒸發(fā)面9S延伸的線(以下簡稱作"通過蒸發(fā)面9S的中心的法線")N越 高，另外，越接近蒸發(fā)面9s越高。因此，蒸鍍量在第l蒸鍍區(qū)域60a中的下 端部62L的附近比上端部62U的附近多。因此，在第l蒸鍍區(qū)域60a形成的第 l部分pl的成長方向Gl主要由入射角度02決定。同樣，在第2蒸鍍區(qū)域60b 形成的第2部分p2的成長方向G2主要由蒸鍍量較多的下端部64U處的入射 角度03決定。此時，若入射角度62及e3大致相等，則能夠使構(gòu)成活性物質(zhì) 體40的各部分pl及p2在夾著基板4的法線方向的相互相反的一側(cè)以大致相 等的角度傾斜，能夠使活性物質(zhì)體40作為整體沿基板4的法線方向成長，因 此是有利的。
下面，進一步詳細地說明第l部分pl及第2部分p2的形狀。圖3所示的 第l部分pl及第2部分p2的成長方向Gl、 G2是通過對第l部分pl及第2部分 p2的成長方向平均化并由直線表示的方向，實際上，第l部分pl及第2部分 p2的成長方向是隨著成長而變化的。具體來說，如箭頭G1'及G2'所示，第 l部分pl的成長方向與法線方向M所成的角度(成長角度)a實際上在第l 階段的蒸鍍工序的初期較大，隨著成長漸漸變小。這是由于，在第l階段的 蒸鍍工序中，從第l蒸鍍區(qū)域60a的上端部到下端部，對沿接近蒸發(fā)源9的方 向移動的1414進行蒸鍍，隨著^414接近蒸發(fā)源9,蒸鍍材料相對于基板4 的法線方向M的入射角度8變小(參照圖2)。例如，由于第l部分pl的J^L 4附近的成長方向Gl'由蒸鍍區(qū)域60a的上端部的入射角度e (圖2所示的01、 04)決定，第l部分pl的上表面附近的成長方向Gl'由蒸鍍區(qū)域60a的下端 部的入射角度e (圖2所示的92、 93; 62<01、 03<04)決定，所以第l部分 pl的I4!4附近的成長角度比其上表面附近的成長角度大。
而第2部分p2的成長方向與法線方向M所成的成長角度a實際上在第2 階段的蒸鍍工序的初期較小，隨著成長而漸漸變大。這是由于，在第2階段 的蒸鍍工序中，從第2蒸鍍區(qū)域60b的下端部到上端部，對沿遠離蒸發(fā)源9 的方向移動的1414進行蒸鍍，隨著M4遠離蒸發(fā)源9，蒸鍍材料相對于基 板4的法線方向M的入射角度e變大。
35因此，在圖3所示的截面中，第l部分pl沿實際的成長方向Gl'向上方 (隆起方向)翻翹，第2部分p2沿實際的成長方向G2'向下方翻翹。
另夕卜，第l部分pl的寬度隨著成長而變大。由于如上述那樣越靠近蒸發(fā) 源9，蒸鍍原料的濃度越高，所以隨著第l階段的蒸鍍工序的進行，基板4 靠近蒸發(fā)源9，入射到^4的蒸鍍原料的量(蒸鍍量)變多。相反地，第2 部分p2的寬度隨著成長而變小。這是由于隨著第2階段的蒸鍍工序的進行， M4遠離蒸發(fā)源9，對^U的蒸鍍量變小。
在上述中， 一邊參照圖3—邊以2層構(gòu)造的活性物質(zhì)體40為例進行了說 明，但是，通過一邊佳J414的輸送方向翻轉(zhuǎn)， 一邊重復(fù)進行蒸鍍，能夠形 成3層以上的活性物質(zhì)體。例如，在上述第2階段的蒸鍍工序后，使由第2 巻軸8收巻的基板4向第1巻軸3輸送并進行蒸鍍。這樣，通過切換輸送方向， 使其多次通過第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b，能夠形成任意的層疊數(shù)n的活 性物質(zhì)體。
圖4是示例地表示使用蒸鍍裝置100形成的具有5層(層疊數(shù)11=5)活性 物質(zhì)體的蒸鍍膜的剖視圖。圖4所示的活性物質(zhì)體75，例如以如下方式形成。
首先，進行上述第1及第2階段的蒸鍍工序。由此，形成相對于基板4 的法線方向M傾斜的第l部分pl和相對于基板4的法線方向M向與第l部分 pl相反側(cè)傾斜的第2部分的下層p2L。第2階段的蒸鍍工序后，基敗4由第2 巻軸8收巻。
接下來，從第2巻軸8導(dǎo)出基板4，通過加熱部16b加熱后，引導(dǎo)至第2 蒸鍍區(qū)域60b。在第2蒸鍍區(qū)域60b中，由于珪原子從上述方向44入射，所 以在上述第2部分的下層p2L上，硅氧化物沿與第2部分p2的成長方向G2大 致相同的方向進一步成長，從而形成第2部分的上層p2U (第3階段的蒸鍍 工序)。由此，得到由第2部分的下層p2L及上層p2U構(gòu)成的第2部分p2。
接下來，將14!4引導(dǎo)至第l蒸鍍區(qū)域60a。在第l蒸鍍區(qū)域60a中，在第 2部分p2上，形成向與第1部分的成長方向G1平行的方向成長的第3部分的 下層p3L (第4階段的蒸鍍工序)。然后，將基板4收巻在第1巻軸3上，再 使輸送方向翻轉(zhuǎn)，并引導(dǎo)至第l蒸鍍區(qū)域60a，進行蒸鍍，得到第3部分的上層p3U (第5階段的蒸鍍工序)。這樣， 一邊切換1414的輸送方向， 一邊 反復(fù)進行蒸鍍直到第8階段的蒸鍍工序，由此，能夠得到活性物質(zhì)體(層疊 數(shù)11=5) 75。
在切換輸送方向并反復(fù)進行蒸鍍的情況下，優(yōu)選對這些蒸鍍區(qū)域60a、 60b的長度、位置進行調(diào)整，以使第l蒸鍍區(qū)域60a中的成膜量(例如第l部 分p2的厚度)和第2蒸鍍區(qū)域60b中的成膜量(例如第2部分p2的下層p2L的 厚度)的比大致為l:l。若上述比大于l:l,則活性物質(zhì)體作為整體向一方 向傾斜，其結(jié)果就是，相鄰的活性物質(zhì)體間的間隙距集電體表面越近變得 越小，所以在充電時活性物質(zhì)體彼此之間相碰，存在容易在基板上產(chǎn)生褶 皺的問題。對此，只要輸送部被配置成使上述比大致為l:l，則由于能夠使 活性物質(zhì)體75作為整體沿基&4的表面的大致法線方向成長，所以能夠抑制 上述問題。
此外，為了筒單，雖圖4沒有示出，但在形成3層以上的活性物質(zhì)體的 情況下，通過一邊^(qū)J414沿接近蒸發(fā)源9的方向移動、 一邊進行蒸鍍的工 序得到的部分pl、 p2U、 p3U、 p4U也與參照圖3進行說明的第l部分pl的形 狀同樣，隨著成長而變粗，并且，具有向上方(隆起方向)翻翹的形狀。 另外，通過一邊佳J4M沿遠離蒸發(fā)源9的方向移動一邊進行蒸鍍的工序得 到的部分p2L、 p3L、 p4L、 p5也與參照圖3進行說明的第2部分p2的形狀同 樣，隨著成長變細，并且，具有向下方翻翹的形狀。但是，還存在各部分 的"翻翹"、寬度的變化，隨著構(gòu)成活性物質(zhì)體的層疊數(shù)n、各部分的厚度的 不同，而通過截面觀察不能確認的情況。
采用本實施方式的蒸鍍裝置得到的膜，與采用例如專利文獻2記載的分 批式的蒸鍍裝置所得到的膜相比具有如下的優(yōu)點。在分批式的蒸鍍裝置中，
另外，根據(jù)需要，也可以切換固定臺的傾斜方向，進行多次蒸鍍工序。但 是，在這樣的蒸鍍裝置中，通常，由于是以M表面的中央部位于蒸發(fā)源 的中心的法線上的方式來配置固定臺的，所以即4吏切換固定臺的傾斜方向， 也僅有_&^面的中央部一直位于蒸鍍原料的濃度最高的區(qū)域。因此，在
37基板表面的中央部蒸鍍量較多，在J4l表面的端部附近蒸鍍量較少，4帥 形成具有均勻厚度的蒸鍍膜。對此，若使用本實施方式的蒸鍍裝置，則在
各蒸鍍工序中，能夠在片狀的a4全體上形成均勻厚度(活性物質(zhì)體的高
度)的膜。此外，采用分批式的蒸鍍裝置得到的膜在以下方面也與采用本 實施方式的蒸鍍裝置形成的膜不同，即采用分批式的蒸鍍裝置得到的膜不
具有參照圖3說明那樣的具有"翻翹"、寬度的變化的形狀、參照圖13所述的 層疊構(gòu)造。
在本實施方式中，優(yōu)選對被加熱部16a、 16b加熱后隨后通過的輸送輥 除外的輸送輥(包括第1引導(dǎo)部件6)進行冷卻，以使由加熱部16a、 16b加 熱的14l4的溫度在通過各蒸鍍區(qū)域60a、 60b的期間不超過500。C。另外， 還要對由輸送部進行的對1414的輸送速度、蒸鍍速度進行適當調(diào)整以4植 板4的溫度不超過500。C。
如上所述，通過將在第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b中移動時的基板4的溫 度控制在例如200。C以上且不足500。C，能夠調(diào)整活性物質(zhì)體的成長角度(基 板4的法線方向M與活性物質(zhì)體的成長方向G1、 G2所成的角度)a。如上所 述，活性物質(zhì)體的成長角度a由蒸鍍原料的入射角度e決定(2tana=tane， 以下，稱作"tan法則，，)，但在入射角度e為60。以上時，存在成長角度a變 得比通過上述tan法則所決定的角度小的傾向。此時，若^4的溫度比上 述范圍低，則成長角度a會變得特別小。若以小的成長角度a形成鋸齒狀的 活性物質(zhì)體，則比以遵守tan法則的成長角度成長的活性物質(zhì)體粗，不能充 分地確?；钚晕镔|(zhì)體間的間隙。若使用這樣的活性物質(zhì)體形成電極，則在 充電時活性物質(zhì)體彼此相碰，有可能在皿上產(chǎn)生挫屈、褶皺。此外，"挫 屈"是指J4U電M)由于膨脹應(yīng)力而發(fā)生彎曲，若產(chǎn)生挫屈，則電極的 截面成為波浪狀。因此，通過將14l4的溫度控制在20(rC以上，能夠使活 性物質(zhì)體的成長角度a接近由tan法則所決定的角度，所以能夠充分地確保 活性物質(zhì)體間的膨脹空間。另一方面，若基板4的溫度不足500。C，則能夠 防止1414由于熱變形而產(chǎn)生褶皺。另外，在使用銅J41作為1414的情況 下，能夠防止硅向銅M擴散。
38在本實施方式中，加熱部16a、 16b凈皮配置在蒸鍍區(qū)域以外的區(qū)域中， 對向蒸鍍區(qū)域60a、 60b輸送前的基板4進行加熱，但是，這些加熱部16a、 16b也可以配置于第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b。其中，若如本實施方式的 構(gòu)造那樣，按照對即將輸送至第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b的14l4進行加熱 那樣配置加熱部16a、 16b，則能夠更準確地控制蒸鍍時的1414的溫度，因 此是優(yōu)選的。
此外，代替圖2所示的構(gòu)造，如圖5所示，還可以在剖視圖中以相對于 通過蒸發(fā)面9s的中心的法線N成線對稱的方式形成第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b。根據(jù)這樣的構(gòu)造，具有如下優(yōu)點能夠使這些蒸鍍區(qū)域60a、 60b的 入射角度02、 03相等(92-93)，并且，能夠容易地將在各蒸鍍區(qū)域60a、 60b被蒸鍍的量(蒸鍍量)調(diào)整成大致相等，能夠容易使活性物質(zhì)體作為整 體沿1414的大致法線方向成長。另一方面，才艮據(jù)圖1及圖2所示的構(gòu)造，由 于可以利用能夠蒸鍍的區(qū)域中的從蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸鍍原料的濃度高的區(qū) 域(包括通過蒸發(fā)面9s的中心的法線N的中央的區(qū)域)作為蒸鍍區(qū)域，所 以具有能夠更高效地使用蒸鍍原料的優(yōu)點。
若使用本實施方式的蒸鍍裝置，則在片狀的1414的表面能夠連續(xù)地形 成任意的層疊數(shù)n的活性物質(zhì)體。此外，在形成層疊數(shù)n為30以上的活性物 質(zhì)體的情況下，各活性物質(zhì)體的截面形狀有時也不是沿成長方向傾斜的鋸 齒形狀，而是沿B4的法線方向直立的柱狀。即使在這樣的情況下，例如 通過截面SEM觀察也能夠確認無論活性物質(zhì)體的截面形狀如何，活性物 質(zhì)體的成長方向是從活性物質(zhì)體的底面向上表面呈鋸齒狀延伸的。
另外，由于這些活性物質(zhì)體在1414的表面以間隔規(guī)定的間隔的方式被 配置，因此，能夠?qū)⑾噜彽幕钚晕镔|(zhì)體間的空間作為伴隨充放電這些活性 物質(zhì)體膨脹用的膨脹空間使用。因此，活性物質(zhì)的應(yīng)力被緩和，能夠抑制 正極負極間的短路，其結(jié)果就是，能夠得到充放電循環(huán)特性高的電池。
此夕卜，以形成由硅氧化物構(gòu)成的活性物質(zhì)體的情況為例對蒸鍍裝置IOO 的動作進行了說明，但是，使用的蒸鍍材料、得到的蒸鍍膜的用途并不限 于此例。另外，在上述記載中，使由蒸發(fā)源9蒸發(fā)的蒸鍍原料(硅原子)與從噴嘴部22供給的氣體(氧氣)進行反應(yīng)來形成蒸鍍膜，但是，也可以不 供給氣體，僅使蒸鍍原料在J414的表面成長。 (第2實施方式)
以下， 一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明的第2實施方式的蒸鍍裝置。在本 實施方式中，在腔室內(nèi)的能夠蒸鍍的區(qū)域內(nèi)設(shè)有兩處在第l實施方式中說明 的V字型的g路徑(V字型路徑)，形成共計四個蒸鍍區(qū)域。
圖6是示意地表示本發(fā)明笫2實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。為了簡單， 對與圖1所示的蒸鍍裝置100相同的構(gòu)成要素標注相同的參照符號并省略說 明。圖6所示的蒸鍍裝置200具有輸送部，該輸送部包括第1及第2巻軸3、 8; 輸送輥5a 5c;第1及第2引導(dǎo)部件(輸送輥)6a、 6b，由此來規(guī)定基板4 的輸送路徑。
輸送輥5a、 6a、 5b、 6b、 5c在上述基板4的輸送路徑中從第l巻軸側(cè)按 該順序配置。在本實施方式中，第l引導(dǎo)部件6a配置在相鄰的輸送輥5a、 5b 的下方，按照使M4中由蒸鍍原料照射的面向蒸發(fā)源9凸出那樣對 進行引導(dǎo)，形成V字型路徑。在第l引導(dǎo)部件6a和蒸發(fā)源9之間配置有第l遮 蔽部件20a ，其防止從蒸發(fā)源9的蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸鍍材料從1^14的法線方 向入射，并且將V字型路徑中的蒸鍍區(qū)域一分為二。通過這樣的構(gòu)造，在 該V字型路徑中形成比第l遮蔽部件20a更位于第l巻軸側(cè)的第l蒸鍍區(qū)域 60a和比第l遮蔽部件20a更位于第2巻軸側(cè)的第2蒸鍍區(qū)域60b。同樣，第2 引導(dǎo)部件6b配置在相鄰的輸送輥5b、 5c的下方，按照^1414中的被蒸鍍原 料照射的面向蒸發(fā)源9凸出那樣對J^14進行引導(dǎo)，形成V字型路徑。在第2 引導(dǎo)部件6b和蒸發(fā)源9之間配置有第l遮蔽部件20b，其防止從蒸發(fā)源9的蒸 發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸鍍材料從1^14的法線方向入射，并且將V字型路徑中的蒸 鍍區(qū)域一分為二。通過這樣的構(gòu)造，在該V字型路徑中形成比第1遮蔽部件 20b更位于第l巻軸側(cè)的第3蒸鍍區(qū)域60c和比第l遮蔽部件20b更位于第2巻 軸側(cè)的第4蒸鍍區(qū)域60d。按照使其相對于1414的法線方向僅傾斜45。 ~ 70° 的角度那樣，控制這些蒸鍍區(qū)域60a 60d中的蒸鍍原料的入射方向。此夕卜， 如本實施方式那樣，在基板4的被蒸鍍原料照射的面連續(xù)在兩個V字型路徑
40中以w字型被輸送的情況下，有時也將該輸送路徑稱作"w字型路徑"。
根據(jù)本實施方式的蒸鍍裝置200，由于在能夠蒸鍍的區(qū)域形成四個蒸鍍 區(qū)域，所以能夠?qū)⑾蚋鼜V闊角度出射的蒸鍍原料利用于蒸鍍，能夠進一步 提高蒸鍍材料的利用率。另外，在M4的表面，在切換蒸鍍方向的同時連 續(xù)進行4階段的蒸鍍工序后，可以切換輸送方向進一步進行多階段的蒸鍍。 因此，能夠在a4的表面上連續(xù)形成任意的層疊數(shù)n (例如n-30 40)的 活性物質(zhì)體。
另外，優(yōu)選在蒸鍍裝置200中設(shè)置具有與通過第l及第4蒸鍍區(qū)域60a 、 60d的基敗4的蒸鍍面對向的壁部的遮蔽板15a、 15b。由此能夠使從設(shè)在噴 嘴部22的側(cè)面的多個出射口射出的氣體有效地滯留在蒸鍍區(qū)域60a、60b內(nèi)。
另外，優(yōu)選遮蔽板15a、 15b的壁部的表面具有作為緩和由于來自蒸發(fā) 源9的輻射熱而在通過對應(yīng)的蒸鍍區(qū)域的^L4的蒸鍍面所產(chǎn)生的溫度差的 對向面的功能。而且優(yōu)選，通過第2蒸鍍區(qū)域60b的皿4的蒸鍍面與通過第 3蒸鍍區(qū)域60c的基板4的蒸鍍面相互對向，使其相互之間作為用于緩和由于 來自蒸發(fā)源9的輻射熱而在蒸鍍面所產(chǎn)生的溫度差的對向面發(fā)揮作用。通過 這樣的構(gòu)造，在全部的蒸鍍區(qū)域60a 60d中，能夠降低上述溫度差并形成 更均質(zhì)的蒸鍍膜。此外，本實施方式的蒸鍍裝置也可以不具有具備上述那 樣的壁部的遮蔽板15a、 15b，并且通過對向的蒸鍍區(qū)域的1414的蒸鍍面也 可以不作為相互之間的"對向面，，發(fā)揮作用，只要使至少一個通過蒸鍍區(qū)域 的基板4的蒸鍍面按照與緩和由于來自蒸發(fā)源9的輻射熱而產(chǎn)生的溫度差的 面對向那樣構(gòu)成，則就能夠抑制由于上述溫度差而造成的蒸,的均質(zhì)性 的降低，因此是有利的。
以下，說明使用蒸鍍裝置200的膜的形成方法。
首先，從第l巻軸3將M4輸送到第l蒸鍍區(qū)域60a。接下來，在第l蒸 鍍區(qū)域60a中， 一邊使基板4向接近蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊使從蒸發(fā)源9 蒸發(fā)的蒸鍍原料^M目對于14^4的表面的法線傾斜的方向(入射方向)入射 到基板4的表面，使蒸鍍原料堆積(第l階段的蒸鍍工序)。由此，在^414 的表面上形成第l膜。
41接下來，將基板4輸送到第2蒸鍍區(qū)域60b,在第2蒸鍍區(qū)域60b, —邊
^S414沿離開蒸發(fā)源9的方向移動，一邊使蒸鍍原料;M目對于14M的表面
的法線向與第l階段的蒸鍍工序中的入射方向相反側(cè)傾斜的方向入射到基 板4的表面(第2階段的蒸鍍工序)。由此，在第1膜上形成第2膜。
接下來，將14!4輸送到第3蒸鍍區(qū)域60c，在第3蒸鍍區(qū)域60c中， 一邊 ^J4l4沿接近蒸發(fā)源9的方向移動，一邊使蒸4^f、料^目對于M4的表面 的法線向與第l階段的蒸鍍工序中的入射方向相同側(cè)傾斜的方向入射到基 板4的表面(第3階段的蒸鍍工序)。由此，在第2膜上得到第3膜。
然后，將基板4輸送到第4蒸鍍區(qū)域60d，在第4蒸鍍區(qū)域60d中， 一邊 ^J414沿離開蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊使蒸鍍原料從相對于1414的表面 的法線向與第l階段的蒸鍍工序中的入射方向相反側(cè)傾斜的方向入射到基 板4的表面(第4階段的蒸鍍工序)。由此，在第3膜上得到第4膜。
形成第1~第4膜后，將^414收巻在第2巻軸8上。這樣，形成具有層疊 構(gòu)造的膜(層疊數(shù)11=4)。
在上述第4階段的蒸鍍工序后，接下來，可以從第2巻軸8向第1巻軸3 輸送基板4，進一步進行4階段的蒸鍍。
在該情況下，首先，將J4l4輸送到第4蒸鍍區(qū)域60d，在第4蒸鍍區(qū)域 60d中， 一邊^(qū)J414沿接近蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊使蒸鍍原料入射到基 板4上，在第4膜上形成第5膜(第5階段的蒸鍍工序)。
然后，將J4!4輸送到第3蒸鍍區(qū)域60c,在第3蒸鍍區(qū)域60c中， 一邊使 M4向離開蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊使蒸鍍原料入射到基板4上，在第5 膜上形成第6膜(第6階段的蒸鍍工序)。
隨后，同樣地，在第2蒸鍍區(qū)域60b中， 一邊使基板4向接近蒸發(fā)源9的 方向移動， 一邊進行第7階段的蒸鍍工序，在第l蒸鍍區(qū)域60a中， 一邊^(qū)^ 板4向離開蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊進行第8階段的蒸鍍工序，將^4由 第1巻軸3收巻。
此夕卜，蒸鍍原料的入射方向^v射角度由蒸鍍區(qū)域60a 60d中的1414 的法線與蒸發(fā)源9的中心的法線所成的角度決定。因此，在同一蒸鍍區(qū)域進
42行蒸鍍的情況下，無論1414的輸送方向如何，蒸鍍原料的入射方向A^射 角度都相同。例如，第4階段及第5階段的蒸鍍工序都是在第4蒸鍍區(qū)域60d 中進行的，因此，蒸鍍原料的入射方向^^射角度相同。
在第8階段的蒸鍍工序之后，根據(jù)需要，可以對M4的輸送方向進行 切換，并將基板4按照從第l到第4蒸鍍區(qū)域60a 60d的順序輸送，進一步重 復(fù)進行與上述第1 第4階段的蒸鍍工序同樣的蒸鍍工序。這樣，能夠一邊 切換皿4的輸送方向 一 邊進行任意階段數(shù)的蒸鍍工序。
蒸鍍裝置200還在第1蒸鍍區(qū)域60a的第l巻軸側(cè)及第4蒸鍍區(qū)域60d的第 2巻軸側(cè)分別具有將J^14加熱到200。C 400。C的加熱部16a及16b。通過這 樣的構(gòu)造，能夠在從第1巻軸3經(jīng)過W字型路徑向第2巻軸8輸送基板4時，通 過加熱部16a對被導(dǎo)入W字型路徑前的J4l4進行加熱，在反方向輸送M4 時，通過加熱部16b對被導(dǎo)入W字型路徑前的14l4進行加熱。
在一邊切換1414的輸送方向一邊重復(fù)進行蒸鍍的情況下，優(yōu)選第l、 第2、第3及第4蒸鍍區(qū)域60a、 60b、 60c、 60d中的成膜量的比為l:2:2:l。這 樣，若將M4可能連續(xù)通過兩次的第l及第4蒸鍍區(qū)域60a、 60d中的成膜量 設(shè)定成其他的蒸鍍區(qū)域(第2及第3蒸鍍區(qū)域60b、 60c)中的成膜量的1/2， 則能夠使構(gòu)成鋸齒狀的活性物質(zhì)體的各部分的厚度大致均勻，因此，能夠 使活性物質(zhì)體作為整體沿M4的法線方向成長。此外，"M4連續(xù)兩次通 過蒸鍍區(qū)域"是指，在通過該蒸鍍區(qū)域并沿規(guī)定的方向形成了蒸鍍膜后，不 在其他的蒸鍍區(qū)域沿其他的方向在該蒸鍍膜上形成蒸鍍膜，而是通過切換 輸送方向，再次通過該蒸鍍區(qū)域進行蒸鍍。 (第3的實施方式)
以下， 一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明的第3實施方式的蒸鍍裝置，在本 實施方式中，與第l實施方式同樣地，設(shè)置兩處V字型的M路徑(V字型 路徑)，全體形成四個蒸鍍區(qū)域(第1~第4蒸鍍區(qū)域)60a~60d。但是， 本實施方式的輸送部在使通過第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、60b后的基板4折回并 將其引導(dǎo)到第3及第4蒸鍍區(qū)域60c、 60d的構(gòu)造上與第l實施方式不同。
圖7是示例地表示本實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。為了簡單，對與圖
436所示的蒸鍍裝置200同樣的構(gòu)成要素標注相同的參照符號并省略說明。
在蒸鍍裝置300中，基板4的輸送路徑由第1及第2巻軸3、 8;輸送輥5a 5f;第l及第2引導(dǎo)部件6a、 6b規(guī)定。輸送輥5c ~ 5e按照在基板4的輸送路徑 中的第2蒸鍍區(qū)域60b和第3蒸鍍區(qū)域60c之間、繞過第2巻軸8的方式配置(翻 轉(zhuǎn)構(gòu)造)。根據(jù)該構(gòu)造，能夠偵J4!4的與蒸發(fā)源9s相對向的表面翻轉(zhuǎn)。因 此，能夠在14!4通過第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b時，在1414的一方的表 面(稱作"第l表面")上進行蒸鍍，在通過第3及第4蒸鍍區(qū)域60c、 60d時， 在基板4的另一方的表面("第2表面，，)上進行蒸鍍。因此，使用蒸鍍裝置 300能夠在保持腔室2的真空狀態(tài)的情況下在皿4的兩面連續(xù)形成蒸4iM。
另外，在本實施方式中，第2蒸鍍區(qū)域60b與第4蒸鍍區(qū)域60d相互對向 地形成，在這些蒸鍍區(qū)域60b、 60d之間，以覆蓋輸送輥5b、 5f的方式配置 有遮蔽板15c。遮蔽板15c防止蒸鍍原料入射到輸送輥5b、 5f，并且，對這 些蒸鍍區(qū)域60b、 60d的上端部處的入射角度進行控制。
在本實施方式中，在與基板4的表面垂直且包括^4的輸送方向的截 面中，第1引導(dǎo)部件6a及第2引導(dǎo)部件6b夾著通過蒸發(fā)面9s的中心的法線N 被配置在兩側(cè)。另外，按照使第l到第4蒸鍍區(qū)域60a 60d中的任一個(在 圖示的例中為蒸鍍區(qū)域60b)與通過蒸發(fā)面9s的中心的法線N相交的方式相 對于蒸發(fā)源9配置輸送部。由此，能夠最大限度地利用能夠蒸鍍的區(qū)域中的 蒸鍍原料的濃度高的區(qū)域來進行蒸鍍，因此是有利的。此外，在圖示的蒸 鍍裝置300中，第2蒸鍍區(qū)域60b和第4蒸鍍區(qū)域60d在能夠蒸鍍的區(qū)域的大 致中央以相互對向的方式形成，但在本說明書中由于沿輸送路徑對蒸鍍區(qū) 域賦予了名稱，所以根據(jù)輸送部的配置也可以使其他的蒸鍍區(qū)域在能夠蒸 鍍的區(qū)域的中央相互對向配置。無論在何種情況下，只要按照在能夠蒸鍍 的區(qū)域的大致中央對向配置的兩個蒸鍍區(qū)域的任一方與上述法線N相交那 樣地配置，就能夠得到與上述相同的效果。
另外，在各蒸鍍區(qū)域60a ~ 60d的上端附近分別配置有將14l4加熱到例 如200。C ~ 400。C的加熱部16a ~ 16d。加熱部16a ~ 16d"被配置在各蒸鍍區(qū) 域60a ~ 60d的上端附近，，是指^i殳置在對應(yīng)的蒸鍍區(qū)域以外的區(qū)域，并且將其設(shè)置對即將被引導(dǎo)至該蒸鍍區(qū)域之前的皿4進行加熱的位置處。通過這 樣的構(gòu)造，能夠在從第1巻軸3向第2巻軸8輸送J414時，通過加熱部16a、 16c對通過各V字型路徑前的基板4進行加熱，在反方向輸送^14時，通過 加熱部16d、 16b對被引導(dǎo)至各V字型路徑前的^4l4進行加熱。此外，在蒸 鍍裝置200中設(shè)置有四個加熱部，但在例如沒必要切換基板4的輸送方向的 情況等下，也可以設(shè)置兩個加熱部。在該情況下，在基板4的輸送路徑中， 可以設(shè)置被配置在比第l蒸鍍區(qū)域60a更靠近第l巻軸側(cè)的加熱部16a及被配 置在第2蒸鍍區(qū)域60b和第3蒸鍍區(qū)域60c之間的加熱部16c。
圖8是表示使用蒸鍍裝置300在基板4的兩面分別形成的蒸鍍膜的 一例 的剖視圖。圖示的蒸4^，是通過將基板4從第1巻軸3向第2巻軸8輸送而形 成的，具有隔開間隔地配置的多個活性物質(zhì)體。
在本實施方式中，作為基板4，使用在兩面(第1表面及第2表面)Sl、 S2形成有凹凸圖案的金屬箔。形成在各表面S1、 S2上的圖案與第l實施方 式說明的凹凸圖案相同，省略說明。
在14^4的第1表面S1上形成有由成長方向不同的兩層構(gòu)成的多個活性 物質(zhì)體90。各活性物質(zhì)體90由在第l蒸鍍區(qū)域60a中形成的笫l部分pl和在4 第2蒸鍍區(qū)域60b中形成在第l部分pl上的第2部分p2構(gòu)成。另一方面，在基 板4的第2表面S2上也形成有同樣的兩層構(gòu)造的活性物質(zhì)體92?；钚晕镔|(zhì)體 92由分別在第3及第4蒸鍍區(qū)域60c、 60d上形成的第l及第2部分ql、 q2構(gòu)成。
在本實施方式中，優(yōu)選按照使第l ~第4蒸鍍區(qū)域60a ~ 60d中的蒸鍍原
料的入射角度e的范圍相互大致相等的方式配置輸送部及遮蔽部。另外，優(yōu)
選第l 第4蒸鍍區(qū)域60a 60d中的成膜量相互大致相等。由此，在基板4 的兩面能夠形成具有同樣的形狀;SJ^度的活性物質(zhì)體90、 92。使用這樣的 !414來制造鋰二次電池用電極的話，由于能夠使因活性物質(zhì)體卯的膨脹而 作用在1414的第1表面S1上的應(yīng)力與因活性物質(zhì)體92的膨脹而作用在141 4的第2表面S2面上的應(yīng)力大致相同，所以在重復(fù)進行充放電時，能夠有效 地防止因這些應(yīng)力的差而橫Jj^4彎曲的情況。
此外，在圖7所示的蒸鍍裝置300中，對輸送輥5b、 5f設(shè)置單獨的遮蔽
45板15c，但也可以對輸送輥5b、 5f分別設(shè)置遮蔽板。這樣的蒸鍍裝置的構(gòu)造 如圖9所示。為了簡單，對與圖7相同的構(gòu)成要素標注相同的參照符號，省 略說明。
在圖9所示的蒸鍍裝置300'中，為了更有效地防止蒸4^f、料附著在輸送 輥5b、 5f上，沿各輸送輥5b、 5f配置遮蔽板15d、 15e。因此，蒸鍍區(qū)域60b、 60d的上端部由這些遮蔽板15d、 15e規(guī)定。另外，在這些輸送輥5b、 5f的間 隙的上方配置遮蔽板15e，防止蒸鍍原料通過輸送輥5b、 5f之間附著在上方 的基昧上。這樣的遮蔽部件的構(gòu)造可以適用于需要以形成翻轉(zhuǎn)構(gòu)造為目 的、在相對向的蒸鍍區(qū)域之間配置兩個以上的輸送輥的蒸鍍裝置。此外， 遮蔽部件的構(gòu)造不限定于圖7及圖9所示那樣的構(gòu)造。例如遮蔽板15a、 15b 還可以具有具備緩和1414的溫度差的功能的壁部。 (第4實施方式)
以下， 一邊參照附圖 一邊對本發(fā)明的第4實施方式的蒸鍍裝置進行說 明。本實施方式的蒸鍍裝置的輸送部構(gòu)成為形成兩處參照圖6在第2實施 方式說明那樣的W字型的141路徑(W字型路徑)，并且，在這些W字型 路徑之間具有使基板4的由蒸鍍原料照射的面反轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)構(gòu)造。翻轉(zhuǎn)構(gòu)造可 以與參照圖7在第3實施方式中說明的構(gòu)造相同。
圖10是示意地表示本實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。為了簡單，對與 在上述實施方式中說明的蒸鍍裝置IOO、 200、 300相同的構(gòu)成要素標注相同 的參照符號，并省略說明。
圖IO所示的蒸鍍裝置400具有輸送部，該輸送部包括第l及第2巻軸3、 8; 輸送輥5a 5m;第l ~第4引導(dǎo)部件6a ~ 6d，由此，^!4的輸送路徑被規(guī) 定。另外，為了不使從蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸鍍原料從14l4的法線方向入射到 基板4，配置有遮蔽板15a ~ 15e及第l ~第4的遮蔽部件6a ~ 6d。
輸送輥5a ~ 5m在上述基板4的輸送路徑中從第l巻軸側(cè)開始以該順序 配置。另外，第1~第4的引導(dǎo)部件(輸送輥)6a 6d在上述基板4的輸送路 徑中從第l巻軸側(cè)開始以該順序配置。與上述實施方式同樣，各引導(dǎo)部件 6a ~ 6d按照偵J4!4中的被蒸鍍原料照射的面向蒸發(fā)源9凸出的方式對a
464進行引導(dǎo)，并形成V字型路徑。在各引導(dǎo)部件6a 6d和蒸發(fā)源9之間分別 配置第l ~第4的遮蔽部件20a 20d，其防止從蒸發(fā)源9的蒸發(fā)面9s蒸發(fā)的蒸 鍍材料從基板4的法線方向入射，并且將V字型路徑中的蒸鍍區(qū)域一分為 二。通過這樣的構(gòu)造，在由第l引導(dǎo)部件6a形成的V字型路徑中，形成有比 第l遮蔽部件20a更位于第l巻軸側(cè)的第l蒸鍍區(qū)域60a和比第l遮蔽部件20a 更位于第2巻軸側(cè)的第2蒸鍍區(qū)域60b。同樣，在由第2引導(dǎo)部件6b形成的V 字型路徑中，形成有比第l遮蔽部件20b更位于第l巻軸側(cè)的第3蒸鍍區(qū)域60c 和比第l遮蔽部件20b更位于第2巻軸側(cè)的第4蒸鍍區(qū)域60d，在由第3引導(dǎo)部 件6c形成的V字型路徑中，形成有比第l遮蔽部件20c更位于第l巻軸側(cè)的第 5蒸鍍區(qū)域60e和比第l遮蔽部件20c更位于第2巻軸側(cè)的第6蒸鍍區(qū)域60f，在 由第4引導(dǎo)部件6d形成的V字型路徑中，形成有比第l遮蔽部件20d更位于第 l巻軸側(cè)的第7蒸鍍區(qū)域60g和比第l遮蔽部件20d更位于第2巻軸側(cè)的第8蒸 鍍區(qū)域60h。另夕卜，在這些第l 第8蒸鍍區(qū)域60a 60h和蒸發(fā)面9s之間配置 有遮擋板28。
本實施方式中的輸送部及遮蔽部以第l 第8蒸鍍區(qū)域60a 60h中的蒸 鍍原料的入射方向相對于基板4的法線方向傾斜例如45。 ~ 75。的角度的方 式相對于蒸發(fā)源9配置。
本實施方式中的輸送輥5f ~ 5h按照在基板4的輸送路徑中的第4蒸鍍區(qū) 域60d和第5蒸鍍區(qū)域60e之間、繞過第2巻軸8的方式配置(翻轉(zhuǎn)構(gòu)造)。通 過該構(gòu)造，能夠使通過包括第l ~第4蒸鍍區(qū)域60a ~ 60d的W字型路徑后的 1414翻轉(zhuǎn)，將其引導(dǎo)至第5 第8蒸鍍區(qū)域60e 60h，所以能夠在保持腔室 2的真空狀態(tài)的情況下，在1414的兩面連續(xù)形成蒸,。
蒸鍍裝置400另外還具有設(shè)置在各蒸鍍區(qū)域以外的區(qū)域的、將1414加 熱到200。C 400。C的四個加熱部16a 16d。加熱部16a ~ 16d分別配置在第 1、第4、第5及第8蒸鍍區(qū)域60a、 60d、 60e、 60h的上端附近。通過這樣的 構(gòu)造，能夠在從第1巻軸3向第2巻軸8輸送^414時，用加熱部16a、 16c對即 將通過各W字型路徑之前的基板4進行加熱，在反方向輸送基板4時，用加 熱部16b、 16d對通過各W字型路徑之前的14l4進行加熱。此外，在蒸鍍
47裝置400中設(shè)置四個加熱部，但在例如沒有必要切換J414的輸送方向的情 況等下，也可以設(shè)置兩個加熱部。在該情況下，在1^4的輸送路徑中，可 以設(shè)置配置在比第l蒸鍍區(qū)域60a更靠近第l巻軸側(cè)的加熱部16a和配置在第 4蒸鍍區(qū)域16d和第5蒸鍍區(qū)域16e之間的加熱部16c。
通過蒸鍍裝置400 ，能夠?qū)?414的兩面 一邊切換蒸鍍方向 一邊連續(xù)進 行多階段的蒸鍍工序。另外，由于在能夠蒸鍍的區(qū)域中形成有八個蒸鍍區(qū) 域，所以能夠?qū)⑾蚋鼜V闊角度射出的蒸鍍原料用于蒸鍍，能夠進一步提高 蒸鍍材料的利用率。
以下，說明使用蒸鍍裝置400形成膜的方法。
首先，在第l 第4蒸鍍區(qū)域60a 60d中， 一邊參照圖6—邊進行與上述 第1~第4階段的蒸鍍工序同樣的蒸鍍工序，形成第1 第4膜。
接下來，將M4的蒸鍍面翻過來，在第5 第8蒸鍍區(qū)域60e 60h中， 對與皿4的形成有第1 第4膜的面相反側(cè)的面(背面)進行蒸鍍。具體來 說，在第5蒸鍍區(qū)域60e中， 一邊使基板4沿接近蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊 從相對于g4的表面的法線傾斜的方向(入射方向)使從蒸發(fā)源9蒸發(fā)的 蒸鍍原料入射到皿4的背面，在1414的背面形成第l'膜(第l'蒸鍍工序)。 然后，在第6蒸鍍區(qū)域60f中， 一邊使^4沿離開蒸發(fā)源9的方向移動，一 邊從相對于基板4的表面的法線向與第1，蒸鍍工序的入射方向的相反側(cè)傾 斜的方向使蒸lt^料入射到M4的背面，由此，在第1'膜上形成第2'膜(第 2'蒸鍍工序)。接下來，在第7蒸鍍區(qū)域60g中， 一邊^(qū)S414沿接近蒸發(fā)源 9的方向移動， 一邊從相對于基板4的表面的法線向與第1'蒸鍍工序中的入 射方向相同側(cè)傾斜的方向使蒸鍍原料入射到1414的背面，從而在第2'膜上 形成第3'膜(第3'蒸鍍工序)。之后，在第8蒸鍍區(qū)域60h中， 一邊^(qū)f植板4 沿離開蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊從相對于1414的表面的法線向與第1'蒸 鍍工序中的入射方向的相反側(cè)傾斜的方向使蒸鍍原料入射到基板4的背面， 由此在第3，膜上形成第4'膜(第4'蒸鍍工序)。
然后，將1^4暫時收巻在第2巻軸8上，接下來在第8~第5蒸鍍區(qū)域 60h ~ 60e中以該順序輸送基板4，在這些蒸鍍區(qū)域60h ~ 60e中進行第5' ~第8'的蒸鍍工序。具體來說，首先，在第8蒸鍍區(qū)域60h中， 一邊^(qū)J4^4沿接 近蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊在g4上入射蒸鍍原料，從而在第4'膜上形 成第5'膜(第5'階段的蒸鍍工序)。然后，在第7蒸鍍區(qū)域60g中， 一邊使基 板4沿離開蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊在J414上入射蒸鍍原料，從而在第5' 膜上形成第6'膜(第6'階段的蒸鍍工序)。之后也同樣，在第6蒸鍍區(qū)域60f 中， 一邊使基板4沿接近蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊進行第7'階段的蒸鍍工 序，在第5蒸鍍區(qū)域60e中， 一邊佳J414沿離開蒸發(fā)源9的方向移動， 一邊 進行第8'階段的蒸鍍工序。
此外，如上述那樣，在同一蒸鍍區(qū)域進行蒸鍍的情況下，無論基板4
的輸送方向如何，蒸鍍原料的入射方向;s^射角度都相同。例如，由于第
4'階段及第5'階段的蒸鍍工序都是在第8蒸鍍區(qū)域60h中進行的，所以蒸鍍
原料的入射方向;s^v射角度相同。
在第8'階段的蒸鍍工序之后，再次將基板4的蒸鍍面反轉(zhuǎn)，輸送到第4 蒸鍍區(qū)域60d。然后，在笫4 第2蒸鍍區(qū)域60d 60a中，對14l4的形成有 第1~第4膜的面進行第5~第8階段的蒸鍍工序，形成第5~第8膜。第5~第 8階段的蒸鍍工序與參照圖6上述說明的第5~第8蒸鍍工序相同。然后，基 板4被收巻在第l巻軸3上。
在第8階段的蒸鍍工序后也可以根據(jù)需要切換基板4的輸送方向，將基 板4按照順序輸送至第1 ~第8蒸鍍區(qū)域60a ~ 60h的，進一步反復(fù)進行上述第 1~第4階段的蒸鍍工序及第1'~第4'的蒸鍍工序。這樣，通過在第1巻軸3 和第3巻軸8之間使基板4往返任意的次數(shù)，能夠進行所希望的階段數(shù)的蒸 鍍。
在本實施方式中，在與基&4的表面垂直且包括1414的輸送方向的截 面中，第l及第2引導(dǎo)部件6a及6b和第3及第4引導(dǎo)部件6c及6d夾著通過蒸發(fā) 源9的中心的法線N被配置在兩側(cè)，按照使第l到第8蒸鍍區(qū)域60a ~ 60h中的 任意一個區(qū)域與通過蒸發(fā)源9的中心的法線相交的方式相對于蒸發(fā)源9配置 輸送部，是優(yōu)選的。由此，可以利用能夠蒸鍍的區(qū)域中的從蒸發(fā)源9蒸發(fā)的 蒸鍍原料的濃度更高的區(qū)域來進行蒸鍍，所以能夠提高蒸鍍材料的利用效
49率。
此外，蒸鍍裝置400具有用于使基板4反轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)構(gòu)造，但是本實施方 式的蒸鍍裝置也可以不具有翻轉(zhuǎn)構(gòu)造。在這樣的蒸鍍裝置中，！414通過兩 個W字型路徑，由此，僅在基&4的一方的表面上形成8層(層疊數(shù)n: 8) 的活性物質(zhì)體。
下面，對使用蒸鍍裝置400在J414的兩面形成的蒸4^M的結(jié)構(gòu)的一例 進行說明。圖11是表示通過將1414從第1巻軸3向第2巻軸8輸送(去路)， 然后從第2巻軸8向第1巻軸3輸送(回路)而得到的蒸鍍膜的剖視圖。在該 例中，形成在基板4的各表面上的蒸鍍膜分別具有隔開間隔配置的多個活性 物質(zhì)體。
在本實施方式中，作為J414，使用在兩面(第1表面及第2表面)Sl、 S2上形成有凹凸圖案的金屬箔。這里，形成在各表面S1、 S2上的圖案與第 l實施方式中所說明的凹凸圖案相同，省略說明。
在基板4的第1及第2表面S1、 S2上分別形成有多個活性物質(zhì)體94、 96。 各活性物質(zhì)體94具有七個第1 ~第7部分pl ~ p7層疊的結(jié)構(gòu)(層疊數(shù)n: 7), 該七個第l ~第7部分pl p7具有相對于第l表面Sl的法線方向相互向相反 側(cè)傾斜的成長方向。
活性物質(zhì)體94、 96例如通過如下方式形成。首先，在去路中，從第l 巻軸3導(dǎo)出的^4通過第l 第4蒸鍍區(qū)域60a 60d,由此，在g4的第l 表面Sl上按照第l部分pl、第2部分p2、第3部分p3及第4部分的下層p4L的 順序?qū)盈B(第1~第4蒸鍍工序)。
接下來，基板4通過翻轉(zhuǎn)構(gòu)造被反轉(zhuǎn)并通過第5 ~第8蒸鍍區(qū)域60e ~ 60h，由此，在基板4的第2表面S2上按照第l部分ql、第2部分q2、第3部分 q3及第4部分的下層q4L的順序?qū)盈B(第l'~第4'蒸鍍工序)。
然后，！414被暫時收巻在第2巻軸8上，隨后，進一步向第1巻軸3放出 (回路)。在回路中，！^L4首先通過第8蒸鍍區(qū)域60h。這里，在去路中形 成的第4部分的下層4qL上，沿與下層4qL大致相同的方向成長有上層4qU， 得到由下層4qL及上層4qU構(gòu)成的第4部分4q。然后，！4l4以第7、第6、第
505蒸鍍區(qū)域60g、 60f、 60e的順序通過這些區(qū)域，在第4部分4q上形成第5 ~ 第7部分q5 ~ q7 (第5' ~第8'蒸鍍工序)。這樣，得到具有第l ~第7部分ql ~ q7的7層的活性物質(zhì)體(層疊數(shù)n: 7)96。
接下來，^i4!4通過翻轉(zhuǎn)構(gòu)造^^轉(zhuǎn)，并被引導(dǎo)至第4蒸鍍區(qū)域60d，這 里，在去路中形成的第4部分的下層4pL上形成上層4pU,得到第4部分4p。 然后，J414以笫3、第2及第l蒸鍍區(qū)域60c、 60b、 60a的順序通過這些區(qū)域， 從而形成第5 笫7部分p5 p7 (第5~第8蒸鍍工序)。這樣，得到具有第 1 ~第7部分pl ~ p7的7層的活性物質(zhì)體(層疊數(shù)n: 7 ) 94。
在切換基板4的輸送方向并反復(fù)進行蒸鍍的情況下，優(yōu)選按照使第l ~ 第8的蒸鍍區(qū)域60a 60h的成膜量的比為l:2:2:l:l:2:2:l的方式構(gòu)成輸送 部、遮蔽部。由此，如上述第2實施方式中說明的那樣，通過將J414有可 能連續(xù)兩次通過的蒸鍍區(qū)域60a、 60d、 60e、 60h中的成膜量設(shè)定成其他的 蒸鍍區(qū)域60b、 60c、 60f、 60g中的成膜量的1/2,能夠使構(gòu)成活性物質(zhì)體的 各部分的厚度(除去第l部分和成為最上層的部分)大致相等。若以圖ll 所示的活性物質(zhì)體為例進行具體說明的話，可以使兩次通過第4蒸鍍區(qū)域 60d而形成的第4部分p4的厚度與一次通過第2及第3蒸鍍區(qū)域60b、 60c而分 別形成的第2及第3部分p2、 p3的厚度大致相等，因此能夠防止活性物質(zhì)體 94作為整體向特定的方向較大地傾斜。對于活性物質(zhì)體96也同樣。因此， 將成膜量的比如上述那樣進行設(shè)定，則能夠利用斜蒸鍍并使活性物質(zhì)體作 為整體沿M4的法線方向成長。
<實施例1及實施例2>
在實施例1"J中，使用蒸鍍裝置400，將在表面上規(guī)則形成有凸部的基 板在第1巻軸3和第2巻軸8之間輸送八次(去路和回i^起來的次數(shù))，進 行第1 第32階段的蒸鍍工序，由此來形成膜(層疊數(shù)n: 25)。另外，使 實施例l中的蒸鍍角度(蒸鍍原料相對于M法線的入射角度)e比實施例2 中的蒸鍍角度e大，除了這點以外，實施例1和實施例2的蒸鍍^相同。在 這些實施例中，作為141使用排列有柱狀的凸部的金屬箔。凸部的上表面 為菱形，其對角線的長度為20junxl0nm。
51圖12 U)及(b)是示例地表示實施例1及實施例2的膜的俯視圖。另 外，圖12 (c)是示意地表示圖12 U)及(b)所示的活性物質(zhì)體97a、 97b 的沿XIIa-XIIa線、XIIb-XIIb線的截面形狀的圖。此外，圖12(a)及(b) 所示的箭頭98是與上述菱形的長對角線平行的方向，箭頭99是與上述菱形 的短對角線平行的方向。
如圖所示，實施例1及實施例2的膜由隔開間隔地配置的多個活性物質(zhì) 體97a、 97b構(gòu)成，各活性物質(zhì)體97a、 97b的層疊數(shù)n為25層。關(guān)于輸送基 板4的次數(shù)和層疊數(shù)n之間的關(guān)系如后所述。
從該結(jié)果可知，活性物質(zhì)體97a、 97b是與14!4的凸部的排列對應(yīng)地隔 開間隔而形成的。另夕卜，沿活性物質(zhì)體97a的上表面的方向98、99的寬度(約 33nm及約25nm)比沿活性物質(zhì)體97b的上表面的方向98、 99的寬度(約 30nm及約20nm )大。因此，相鄰的活性物質(zhì)體97b的間隔比活性物質(zhì)體97a 的間隔大。由此可知，若蒸鍍角度e大，則活性物質(zhì)體的寬度就大，與此相 伴，相鄰的活性物質(zhì)體的間隔就變小。而且，從圖12(c)可知，活性物質(zhì) 體97a、97b在形成于l^l4上的凸部72上具有面向紙面從左方向堆積的部分 pl、 p3…與從右方向堆積的部分p2、 p4…層疊的結(jié)構(gòu)。
這里， 一邊參照圖13 (a) ~ (c)， 一邊說明在使用具有V字型路徑 或W字型路徑的蒸鍍裝置100 400來形成膜時，！41在第1巻軸和第2巻軸 之間輸送的次數(shù)的合計(以下，稱作"輸送次數(shù)C")與膜(活性物質(zhì)體) 的層疊數(shù)n之間的關(guān)系。此外，在切換輸送方向進行蒸鍍的情況下，去路及 回路的合計次數(shù)為"輸送次數(shù)C"。
首先，參照圖13(a)。圖13 (a)是示意地表示使用具有一個V字型 路徑的蒸鍍裝置IOO或具有兩個V字型路徑和翻轉(zhuǎn)構(gòu)造的蒸鍍裝置300而形 成的活性物質(zhì)體的剖視圖。
在蒸鍍裝置IOO、 300中，在基板第一次在第1巻軸和第2巻軸之間輸送 的期間(去路)，在兩個蒸鍍區(qū)域(例如圖l所示的第l及第2蒸鍍區(qū)域60a、 60b)中，依次形成成長方向不同的兩個部分pl、 p2L。這些部分pl、 p2L 的成長方向相對于M的法線向相互相反的一側(cè)傾斜。此時的活性物質(zhì)體具有由部分pl構(gòu)成的第l層及由部分p2L構(gòu)成的第2層的兩層結(jié)構(gòu)(層疊數(shù) n: 2)
接下來，切換輸送方向，在第二次進行輸送的期間(回路)，形成具 有與部分p2L相同的成長方向的部分p2U和具有相對于基板的法線向與部 分p2U相反側(cè)傾斜的成長方向的部分p3L。此時的活性物質(zhì)體，具有由部分 pl構(gòu)成的第l層、由部分p2L、 p2U構(gòu)成的第2層以及由部分p3L構(gòu)成的第3 層的層疊結(jié)構(gòu)(層疊數(shù)n: 3)。同樣，再次切換輸送方向，在進行第三次 輸送的期間(去路)，形成部分p3U、 p4L，活性物質(zhì)體的層疊數(shù)n為4層。 這樣，形成的活性物質(zhì)體的層疊數(shù)n通過使用輸送次數(shù)C的下式表示。
n=C + l
另外，在部分p2L和部分p2U之間以及在部分p3L和部分p3U之間分別
形成有薄的氧化膜ioi。氧化膜ioi是在切換m的輸送方向從而使14i的
蒸鍍面翻轉(zhuǎn)的期間，蒸鍍面與氧W應(yīng)而形成的。因此，在通過蒸鍍裝置 100、 300形成的活性物質(zhì)體中，無論層疊數(shù)n是多少，在位于作為活性物質(zhì) 體的最下層的第l層和最上層(在圖示的例中為由部分p4L構(gòu)成的第4層) 之間的各層(以下，稱作"中間層，，)形成薄的氧化膜IOI。
而且，在蒸鍍區(qū)域60a、 60b中的成膜量大致相等的情況下，最下層及 最上層的厚度分別為位于其之間的各中間層的厚度的約1/2。
圖13 (b)是示例地表示使用具有一個W字型路徑的蒸鍍裝置200或使 用具有兩個W字型路徑和翻轉(zhuǎn)構(gòu)造的蒸鍍裝置400形成的活性物質(zhì)體的剖 視圖。
在蒸鍍裝置200、 400中，在基板在第1巻軸和第2巻軸之間第一次4皮輸 送的期間(去路)，在四個蒸鍍區(qū)域(例如圖6所示的第1 ~第4蒸鍍區(qū)域60a ~ 60d)中，依次形成四個部分pl、 p2， p3、 p4L。這些部分pl、 p2、 p3、 p4L的成長方向相對于基敗的法線向相互相反側(cè)傾斜。此時的活性物質(zhì)體 具有分別由部分pl p3構(gòu)成的第l 第3層以及由部分p4L構(gòu)成的第4層的 四層結(jié)構(gòu)(層疊數(shù)n: 4)。
接下來，切換輸送方向，在第二次進行輸送的期間(回路)，形成部
53分p4U、 p5、 p6、 p7L四層。部分p4U具有與部分p4L相同的成長方向。此 時的活性物質(zhì)體具有分別由部分pl p3構(gòu)成的第l 第3層、由部分p4L及 p4U構(gòu)成的第4層、分別由部分p5 p7L構(gòu)成的第5 第7層的層疊結(jié)構(gòu)(層 疊數(shù)n: 7)。同樣，再次切換輸送方向，在第三次進行輸送的期間(去路)， 形成部分p7U、 p8、 p9、 plOL，活性物質(zhì)體的層疊數(shù)to為10層。形成的活 性物質(zhì)體的層疊數(shù)n用使用輸送次數(shù)C的下式表示。 n=3xC+l
另外，在部分p4L和部分p4U之間以及在部分p7L和部分p7U之間分別 形成有薄的氧化膜101。這樣，在利用蒸鍍裝置200、 400那樣的具有W字型 路徑的蒸鍍裝置所形成的活性物質(zhì)體中，每3層就形成由兩個部分構(gòu)成的， 在該兩個部分之間具有氧化膜101的層(以下稱作"含有氧化膜的層")。這 種含有氧化膜的層從第4層開始每3層產(chǎn)生一次。換言之，含有氧化膜的層 的產(chǎn)生層為第(3xm+l)層(m:從l到(C-l)的整數(shù)、C:輸送次數(shù))。
而且，如上所述，只要蒸鍍區(qū)域60a 60d中的成膜量的比約為l:2:2:l， 則活性物質(zhì)體的中間層的厚度就能夠相互大致相等。由部分pl構(gòu)成的最下 層及最上層(在圖示的例中為由部分plOL構(gòu)成的第10層)的厚度分別為各 中間層的厚度的約1/2。
此外，在蒸鍍區(qū)域60a 60d中的成膜量相互大致相等的情況下，如圖 13(c)所示，第4層、第7層等含有氧化膜的層的厚度約為其他層的厚度的 2倍。由于存在這樣的含有氧化膜的層，所以形成在含有氧化膜的層上的層 的開始位置向與含有氧化膜的層的成長方向相同的一側(cè)轉(zhuǎn)移。由此，形成 蒸鍍位置每3層就向相互相反的一側(cè)轉(zhuǎn)移的活性物質(zhì)體。 (第5實施方式)
以下， 一邊參照附圖， 一邊對本發(fā)明的第5實施方式的蒸鍍裝置進行說 明。本實施方式的蒸鍍裝置的輸送部的構(gòu)成為在兩處形成由三個V字型 路徑構(gòu)成的J4l路徑(記作"Vx3型路徑")，并且在這些Vx3型路徑之間具 有用于使1^4的被蒸鍍原料照射的面反轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)構(gòu)造。翻轉(zhuǎn)構(gòu)造可以與參 照圖7在第3實施方式中說明的構(gòu)造相同。圖14是示意地表示本實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。為了簡單，對與 上述實施方式中說明的蒸鍍裝置400相同的構(gòu)成要素標注相同的參照符號 并省略i兌明。
蒸鍍裝置500具有與參照圖IO說明的蒸鍍裝置400相同的構(gòu)造。但是， 引導(dǎo)部件6a ~ 6f的數(shù)量增加到6個，在各引導(dǎo)部件6a ~ 6f的兩側(cè)分別形成有 蒸鍍區(qū)域，所以蒸鍍區(qū)域的數(shù)量變?yōu)?2個。因此，與蒸鍍裝置400相比，在 將1414從第1巻軸3向第2巻軸8輸送一次的過程中，能夠形成層疊數(shù)為12 層的蒸鍍膜。因此，尤其有利于形成層疊數(shù)多的蒸鍍膜的情況。
蒸鍍裝置500的動作及使用蒸鍍裝置500的膜的形成方法與蒸鍍裝置 400的動作及膜的形成方法相同。 (第6實施方式)
以下， 一邊參照附圖， 一邊說明本發(fā)明的蒸鍍裝置的第6實施方式。 圖15是本實施方式的蒸鍍裝置的示意剖視圖。蒸鍍裝置600具有導(dǎo)出 (集電體)602的放巻部601;將導(dǎo)出的141602進行收巻的收巻部606; 蒸發(fā)源604;相對于蒸發(fā)源604呈放射狀配置的多個支承巻軸603a、 603b、 603c、 603d;配置在支承巻軸603a、 603b、 603c和蒸發(fā)源604之間的遮蔽板 613。在蒸鍍裝置600中，支承巻軸603a、 603b、 603c(以下，稱作"前方支 承巻軸")與支承巻軸(以下稱作"后方支承巻軸，，)604d相比，被設(shè)置在相 對于蒸發(fā)源604較遠的位置處。
在本實施方式中，通it^文巻部601導(dǎo)出141602，并將1^602^目對于 蒸發(fā)源604呈放射狀配置的前方支承巻軸603a、 603c、 603b和與這些支承巻 軸相比更遠地呈i文射狀配置的后方支承巻軸603d之間交互通過，然后由收 巻部606收巻成線圏狀，前方支承巻軸603a、 603b、 603c形成使J4^602成 V字型輸送的V字型路徑。這之中，在位于中央位置的前方支承巻軸603c 的兩側(cè)分別形成有多個蒸鍍區(qū)域609b 609e。因此，前方支承巻軸603c相 當于上述實施方式中的"引導(dǎo)部件"。另夕卜，在位于最靠i^i文巻部601側(cè)的前 方支承巻軸603a的與放巻部601相反的一側(cè)形成有蒸鍍區(qū)域609a,在位于最 靠近收巻部606側(cè)的支承巻軸603b的與收巻部606相反的 一側(cè)形成有蒸鍍區(qū)
55域609f。在本實施方式中，在支承巻軸603a的放巻部601側(cè)及支承巻軸603b 的收巻部606側(cè)不進4于蒸鍍。
通過本實施方式，由于相對于一個蒸發(fā)源604通過支承巻軸603c、 603d 形成有多個蒸鍍區(qū)域(蒸鍍形成部)609a~609f，所以量產(chǎn)性優(yōu)異。另外 優(yōu)選，相對于通過蒸鍍區(qū)域609b的基板602的蒸鍍面，通過蒸鍍區(qū)域609a 的J41602的蒸鍍面成為"對向面"，相反地，相對于通過蒸鍍區(qū)域609a的基 板602的蒸鍍面，通過蒸鍍區(qū)域609b的基板602的蒸鍍面作為參照圖2說明的 上述"對向面，，發(fā)揮作用。由此，在這些蒸鍍區(qū)域609a、 609b中，能夠佳羞 板602受到的熱量均衡化。同樣，也優(yōu)選使通過蒸鍍區(qū)域609c及609d的141 602的蒸發(fā)面相互成為對向面，^吏通過蒸鍍區(qū)域609e及609f的14^602的蒸 發(fā)面相互成為對向面。因此，不用另外設(shè)置具有對向面的部件，就能降低 在全部蒸鍍區(qū)域609a ~ 609f中基板602受到的熱量的差，因此是有利的。
下面說明使用蒸鍍裝置600的膜的制造方法。作為基板602，使用在表 面進行了凸加工的帶狀的金屬箔(集電體)。將該J41602通過放巻部601 導(dǎo)出，使其在相對于蒸發(fā)源604呈放射狀配置的前方支承巻軸603a、 603b、 603c和后方支承巻軸603d之間交互移動，并由收巻部606收巻成線圏狀。此 時，對移動的^41604，在蒸鍍區(qū)域609a 609f中進行蒸鍍。這里，由于這 些支承巻軸603a ~ 603d相對于蒸發(fā)源604呈放射狀且以相同的角度配置，所 以蒸鍍區(qū)域609a、 609c、 609e中的基板602的蒸鍍面相對于蒸發(fā)源604的角 度95~97相互相等，同樣，蒸鍍區(qū)域609b、 609d、 609f中的基板602的蒸鍍 面相對于蒸發(fā)源6O9的角度08 eiO相互相等。另外，若使角度05 e7為y,
則角度e8 eio為-y，角度e5 eio的絕對值全部相等。
對使用蒸鍍裝置600得到的膜的截面通過SEM進行觀察，將其示意圖 表示在圖15(b)中。通過該圖可知，形成在表面具有凸部607的基板602 的表面上的薄膜層610a ~ 601f相對于基板602的法線交互向相反側(cè)以相同 的角度傾斜。這是由于，^U文巻部601導(dǎo)出的14^602在通過蒸鍍區(qū)域609a 的期間蒸鍍形成薄膜層610a，在蒸鍍區(qū)域609b蒸鍍形成薄膜層610b，在蒸 鍍區(qū)域609c蒸鍍形成薄膜層610c，在蒸鍍區(qū)域609d蒸鍍形成薄膜層610d,
56在蒸鍍區(qū)域609e蒸鍍形成薄膜層610e,在蒸鍍區(qū)域609f蒸鍍形成薄膜層 610f，由此，蒸鍍面相對于蒸發(fā)源604的角度在Y和-y之間交互切換。
然后，形成在帶狀的^L602的凹凸部交互形成有多層電極活性物質(zhì)薄 膜的電極板，并將其切割(slit)加工成由圓筒形的鋰離子二次電池(未圖 示)所規(guī)定的寬度從而制成鋰離子二次電池用電極板。切割后的電極板沒 有翹曲等不良，而且也沒有發(fā)現(xiàn)電極活性物質(zhì)薄膜的脫落。
這樣，根據(jù)本實施方式，由于4吏用單個的蒸發(fā)源604，所以也容易對堆 積速度進行控制，能夠穩(wěn)定地連續(xù)形成薄膜。另外，由于通過相鄰的蒸鍍 區(qū)域的H1602的蒸發(fā)面相互相對向，所以能夠使J41602在蒸鍍區(qū)域受到 的熱量均衡化。而且，通過在面對蒸發(fā)源的前方支承巻軸603a 603c和蒸 發(fā)源604之間設(shè)置遮蔽板613，能夠防止由于蒸發(fā)物而使支承巻軸603a ~ 603c受到污染，還具有^f吏蒸鍍結(jié)束后的清潔變得簡單、能夠縮短蒸鍍裝置 600的非運轉(zhuǎn)時間的優(yōu)點。 (第7實施方式)
以下邊參照附圖邊對本發(fā)明的第7實施方式的蒸鍍裝置進行說明。在本
實施方式的蒸鍍裝置中，不僅對以平面狀被輸送的141進行蒸鍍，還對沿 引導(dǎo)部件以曲面狀被輸送的a進行蒸鍍，在這點上與上述實施方式不同。
圖16是示意地表示本實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖。為了簡單，對與 上述實施方式所說明的蒸鍍裝置300'(圖9)相同的構(gòu)成要素標注相同的參
照符號并省略說明。
在蒸鍍裝置700中，引導(dǎo)部件710a、 710b的一部分沒有4皮遮蔽部件20a、 20b遮蔽而位于能夠蒸鍍的區(qū)域，并且也在沿引導(dǎo)部件710a、 710b以曲面 狀被輸送的基板4上入射蒸鍍原料。因此，各蒸鍍區(qū)域60a 60d不僅包括以 平面狀輸送1414的平面輸送區(qū)域，還包括以曲面狀輸送M4的曲面輸送 區(qū)域720a ~ 720d。蒸鍍裝置700的其他構(gòu)造與參照圖9說明的蒸鍍裝置300' 相同。
由于各蒸鍍區(qū)域60a ~ 60d包括曲面輸送區(qū)域720a ~ 720d，所以與各蒸 鍍區(qū)域僅包括平面輸送區(qū)域的情況相比，能夠^J^巨蒸發(fā)源9近的、蒸鍍原料
57以更高濃度存在的區(qū)域內(nèi)的皿4的蒸鍍面的面積增大，所以能夠大幅度地 提高材料的利用效率。另外，蒸鍍原料對基板4的堆積速度與1414和蒸發(fā) 源9之間的距離的平方成反比，根據(jù)本實施方式，由于能夠縮短;S414的蒸 鍍面和蒸發(fā)源9之間的距離，所以能夠大幅度地提高相對于g4的蒸鍍原 料的堆積速度。此外，在圖示的截面中，由于曲面輸送區(qū)域720a 720d用 曲線表示，所以也有被稱作"曲面移動部"的情況。在曲面輸送區(qū)域720a 720d中進行蒸鍍的優(yōu)點在后述的參考實施方式C中也有記載。
在蒸鍍裝置700中，在全部的蒸鍍區(qū)域60a ~ 60d中設(shè)置曲線輸送區(qū)域 720a 720d,但只要是在至少一個蒸鍍區(qū)域中設(shè)置，就能夠得到上述的效 果。例如，可以僅在夾著蒸發(fā)源9的中心的法線N相對向的蒸鍍區(qū)域60b、 60d中設(shè)置曲線輸送區(qū)域720b、 720d。
而且，雖無圖示，但本實施方式的構(gòu)造也適用于蒸鍍裝置IOO、 200、 300、 400、 500、 600。在這些蒸鍍裝置的蒸鍍區(qū)域中設(shè)置曲線輸送區(qū)域， 在引導(dǎo)部件上進行蒸鍍，由此能夠得到與上勤目同的效果。 (第8實施方式)
以下邊參照附圖邊對本發(fā)明第8實施方式的蒸鍍裝置進行說明。在本實 施方式的蒸鍍裝置中，在蒸鍍區(qū)域內(nèi)的基板輸送路徑中設(shè)有傾斜方向切換 輥，在傾斜方向切換輥上也進行蒸鍍，在這點上與第7實施方式的蒸鍍裝置 700不同。
圖17 (a)是示意地表示本實施方式的蒸鍍裝置的剖視圖，圖17 (b) 是用于說明圖17 ( a )所示的蒸鍍裝置中的蒸鍍區(qū)域的示意放大剖視圖。為 了簡單，對與上述實施方式所說明的蒸鍍裝置700 (圖16)相同的構(gòu)成要素 標注相同的參照符號并省略說明。
蒸鍍裝置800，在蒸鍍區(qū)域60b中具有配置在引導(dǎo)部件710a和輸送輥5b 之間的傾斜方向切換輥750b ，在蒸鍍區(qū)域60d中具有配置在引導(dǎo)部件710b 和輸送輥5f之間的傾斜方向切換輥750d。這些傾斜方向切換輥750b、 750d 分別對蒸鍍區(qū)域60b、 60d中的基板的輸送路徑相對于蒸發(fā)源9的傾斜角度 (與通過蒸發(fā)源9的中心的法線N所成的角度)進行切換。所以在這些蒸鍍
58區(qū)域60b、 60d中，分別在傾斜方向切換輥750b、 750d的上游側(cè)及下游側(cè)形 成傾斜角度不同的兩個平面輸送區(qū)域。
因此，如圖17(b)所示，本實施方式中的蒸鍍區(qū)域60b具有沿引導(dǎo) 部件710a的曲面輸送區(qū)域(也稱作"下端曲面輸送區(qū)域")720b;沿傾斜方 向切換輥750b的曲面輸送區(qū)域(中間曲面輸送區(qū)域)724b;位于引導(dǎo)部件 710a及傾斜方向切換輥750b之間的平面輸送區(qū)域722b;位于傾斜方向切換 輥750b和輸送輥5b之間的平面輸送區(qū)域726b。同樣，蒸鍍區(qū)域60d具有沿 引導(dǎo)部件710b的下端曲面輸送區(qū)域720d;沿傾斜方向切換輥750d的中間曲 面輸送區(qū)域724d;位于引導(dǎo)部件71 Ob及傾斜方向切換輥750d之間的平面輸 送區(qū)域722d;位于傾斜方向切換輥750d和輸送輥5f之間的平面輸送區(qū)域 726d。
才艮據(jù)本實施方式，與沒有設(shè)置傾斜方向切換輥的情況相比，由于能夠 縮短平面輸送區(qū)域中的I414和蒸發(fā)源9之間的距離，所以能夠提高蒸鍍原 料的堆積速度及材料的利用效率。另夕卜，還具有能夠抑制在M4移動時產(chǎn) 生褶皺的優(yōu)點。而且，通過對傾斜方向切換輥750b、 750d進行冷卻，能夠 緩和蒸鍍中的J414所受的熱，并抑制J^4的熱膨脹。此外，設(shè)置傾斜方 向切換輥750b、 750d的構(gòu)成所產(chǎn)生的優(yōu)點在后述的參考實施方式D中也有 記載。
在蒸鍍裝置800中，在夾著蒸發(fā)源9的法線N相對向的兩個蒸鍍區(qū)域 60b、 60d中設(shè)置傾斜方向切換輥750b、 750d，這是因為在靠近蒸發(fā)源9的 中心的法線N的蒸鍍區(qū)域中，容易確保形成在傾斜方向切換輥的上游側(cè)及 下游側(cè)的平面輸送區(qū)域的蒸鍍角度。此外，傾斜方向切換輥可以設(shè)置在至 少一個蒸鍍區(qū)域中，也可以將傾斜方向切換輥配置在全部蒸鍍區(qū)域60a ~ 60d中。
另外，也可以在一個蒸鍍區(qū)域中配置多個傾斜方向切換輥。例如，如 圖19所示，可以在蒸鍍區(qū)域60b中配置傾料方向切換輥750b、 760b，也可 以在蒸鍍區(qū)域60d中配置傾斜方向切換輥750d、 760d。在圖示的例中，各 蒸鍍區(qū)域60b、 60d分別包括下端曲面輸送區(qū)域、兩個中間曲面輸送區(qū)域和
59三個平面輸送區(qū)域。
本實施方式的構(gòu)造也適用于蒸鍍裝置100、 200、 300、 400、 500、 600。 圖19是示意地表示在蒸鍍裝置400 (圖IO )中配置傾斜方向切換輥的構(gòu)造的 剖視圖。為了簡單，對與蒸鍍裝置400相同的構(gòu)成要素標注相同的參照符號 并省略說明。
在圖19所示的蒸鍍裝置800'中，在蒸鍍區(qū)域60b、 60c、 60f、 60g中分 別配置傾斜方向切換輥750b、 750c、 750f、 750g，在這些傾斜方向切換輥 上也進行蒸鍍(中間曲面輸送區(qū)域)。此外，在蒸鍍裝置800'中，雖不在 引導(dǎo)部件6a 6d上進行蒸鍍，但是，也可以構(gòu)成為在引導(dǎo)部件上也進行蒸 鍍。
由本發(fā)明的蒸鍍裝置形成的活性物質(zhì)體的形狀不限于上述第1~第8實 施方式中說明的形狀，能夠根據(jù)欲應(yīng)用的電池的設(shè)計容量進行適當?shù)倪x擇。 例如，各活性物質(zhì)體的層疊數(shù)n也可以適當?shù)剡x擇。但是，層疊數(shù)n優(yōu)選為 3層以上。若為2層以下，則有可能不能充分抑制活性物質(zhì)體的寬度方向(橫 方向)的膨脹。另一方面，層疊數(shù)n的優(yōu)選范圍的上限是由活性物質(zhì)體全體 的厚度(例如100jim以下)及構(gòu)成活性物質(zhì)體的各部分的厚度(例如2nm 以上)所決定的，例如為50層(100jim/2nm)。更優(yōu)選層疊數(shù)n為30 ~ 40。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的蒸鍍裝置，可以在1414的表面形 成包括隔開間隔地配置的多個活性物質(zhì)體的活性物質(zhì)層。形成有活性物質(zhì) 層的^4根據(jù)需要被切割成規(guī)定的尺寸，從而成為鋰二次電池等非水電解 質(zhì)二次電池用的負極。這樣得到的負極，抑制了伴隨著活性物質(zhì)的膨脹而 引起的活性物質(zhì)體的破壞、極板的變形，另外，由于還能夠防止隔離體 (separator)的孔變形，所以能夠?qū)崿F(xiàn)良好的充放電循環(huán)特性。
上述負極可以適用于圓筒型、扁平型、硬幣型、多邊形等各種形狀的 非水電解質(zhì)二次電池。非水電解質(zhì)二次電池能夠通過公知的方法制造。具 體來說，將使用本發(fā)明的蒸鍍裝置得到的負極與包括正極活性物質(zhì)的正極 板介由微多孔性薄膜等構(gòu)成的隔離體相對向，形成^1群，將該極板群和 具有鋰離子傳導(dǎo)性的電解液一起收容在殼體內(nèi)，由此，得到非水電解質(zhì)二
60次電池。作為正極活性物質(zhì)、電解液，可以使用在鋰離子二次電池中一般
所使用的材料。例如，作為正極活性物質(zhì)可以使用LiCo02、 LiNi02、 LiMn204等，作為電解液，可以使用將六氟磷酸鋰等溶解在碳酸乙二酯、 碳酸丙二酯等環(huán)狀碳酸酯類中得到的電解液。另外，對電池的封閉形態(tài)沒 有特殊限制。
(參考的實施方式A)
以下， 一邊參照附圖一邊對蒸鍍裝置的參考實施方式A進行說明。 圖20 (a)是示意地表示參考實施方式A的蒸鍍裝置的剖視圖。 實施方式A的蒸鍍裝置1000A是由真空槽802;真空槽802的外側(cè)的排氣 泵801;與真空槽802的輔助排氣口830連通的輔助排氣泵831;設(shè)置在排氣 泵801附近的真空槽802的內(nèi)部的使蒸鍍原料蒸發(fā)的蒸發(fā)源809;設(shè)置在蒸發(fā) 源809兩側(cè)的遮蔽板810a、 810b;成為將氧氣導(dǎo)入真空槽802內(nèi)的氧氣供給 部的氣體導(dǎo)入管811a、 811b構(gòu)成的。此外，遮蔽板810a、 810b以覆蓋蒸發(fā) 源809和排氣泵801的方式呈八字狀i殳置。
另外，在真空槽802的內(nèi)部設(shè)置有巻繞有14^804的放巻巻軸803;輸 送輥805a 805h;收巻巻軸808;圓筒狀的第一筒812;第二筒813;第三筒 814;第四筒815。第1蒸鍍部862由上述第一筒812和第二筒813構(gòu)成。另夕卜， 第1蒸鍍部862中的第1蒸鍍區(qū)域860由位于從蒸發(fā)源809的蒸發(fā)面的中心通 過氣體導(dǎo)入管811a的端部并引出到第一筒812的直線與第一筒812的接點和 第二筒813之間的基板804的蒸鍍面構(gòu)成。第2蒸鍍部863由上述第三筒814 和第四筒815構(gòu)成。另外，第2蒸鍍部863中的第2蒸鍍區(qū)域861由位于從蒸發(fā) 源809的蒸發(fā)面的中心通過氣體導(dǎo)入管811b的端部并引出到第三筒814的直 線與第三筒814的接點和第四筒815之間的i4^804的蒸鍍面構(gòu)成。
此外，為了有效地防止蒸鍍材料附著在各筒上，如圖20(b)所示，相 對于第一筒~第四筒812、 813、 814、 815分別配置遮蔽板810g、 810f、 810c、 810d，還可以在第二及第四筒813、 815的間隙的上方配置遮蔽板811e。
圖21示意地表示了真空槽802內(nèi)的第1蒸鍍部862與第2蒸鍍部863以及 蒸發(fā)源809的位置關(guān)系。如圖21所示，第1蒸鍍部862和第2蒸鍍部863，在通
61過蒸發(fā)源的蒸發(fā)面的中心的法線的兩側(cè)，按照使第1蒸鍍區(qū)域860的蒸鍍面 及第2蒸鍍區(qū)域861的蒸鍍面相對向的方式配置。另外，在實施方式A中， 將第一筒812、第二筒813、第三筒814及第四筒815，按照蒸鍍原料的粒子 向141804的入射角為45。 75。，滿足011=45。、 012=750、 013=450、 014=750 那樣配置。此外，將圖21中的eil定義成從蒸發(fā)源809的蒸發(fā)面的中心通過 氣體導(dǎo)入管811a的端部向第一筒812引出的直線與從該直線和第一筒812的 交點引出的法線所成的角度；將ei2定義成從蒸發(fā)源809的蒸發(fā)面的中心向 第二筒813上與M804最后接觸的接點引出直線，從該接點引出的法線和 上述直線所成的角度；將ei3定義成從蒸發(fā)源809的蒸發(fā)面的中心通過氣體 導(dǎo)入管811b的端部向第三筒814引出的直線與從該直線和第三筒814的交點 引出的法線所成的角度；將ei4定義成從蒸發(fā)源809的蒸發(fā)面的中心向第四 筒815上與M804最后接觸的接點引出直線，從該接點引出的法線與上述 直線所成的角度。另夕卜，第四筒815被配置成使第2蒸發(fā)區(qū)域861與通過蒸發(fā) 源的蒸發(fā)面的中心的法線(中心線)相交。由此構(gòu)成為，從蒸發(fā)源809蒸發(fā) 的蒸發(fā)原料不會從第1蒸發(fā)區(qū)域860及第2蒸發(fā)區(qū)域861的間隙向輔助排氣口 830側(cè)直接蒸發(fā)。
接下來，說明實施方式A的蒸鍍裝置1000A的動作。首先，使M804 移動。將M巻巻軸803導(dǎo)出的縱長的皿804按順序引導(dǎo)至輸送輥805a、 805b，第一筒812，第二筒813，輸送輥805c、 805d、 805e、 805f、 805g， 第三筒814，第四筒815，最后由收巻巻軸8收巻。所使用的^804由于用 作電極的集電體，所以使用在表面及背面形成有凹凸圖案形狀的薄膜狀的 金屬箔。該金屬原料例如是銅、鎳、鋁等滿足作為集電體所需的電導(dǎo)率的 原料。形成的凹凸圖案形狀為20nmx20nm的菱形，高度為10nm，表面的 算術(shù)平均粗糙度(Ra)為2.0nm。使從蒸發(fā)源809蒸發(fā)的蒸鍍原料蒸鍍在移 動的該^41804上，從而形成蒸鍍膜(蒸鍍粒子)。蒸發(fā)源809使用蚶堝等， 并通過電阻加熱裝置、誘導(dǎo)加熱裝置、電子束加熱裝置等加熱裝置(未圖 示)對蒸發(fā)源809進行加熱，例如，使成為蒸鍍原料的硅蒸發(fā)。！41804在 從第一筒812到第二筒813之間，被蒸發(fā)源809蒸發(fā)的硅照射，在J41804的
62單面上形成由硅構(gòu)成的第1活性物質(zhì)層821。然后，！41804在從第三筒814 到第四筒815之間通過被蒸發(fā)源809蒸發(fā)的硅照射，由此，在另一面上形成 由硅構(gòu)成的第2活性物質(zhì)層823。另外，在形成包括硅和氧的化合物的活性 物質(zhì)層的情況下，將氧氣從氣體導(dǎo)入管811a及氣體導(dǎo)入管811b導(dǎo)入，并在 氧氣環(huán)境下從蒸發(fā)源809使硅蒸發(fā)。此外，算術(shù)平均粗糙度(Ra)由日本 工業(yè)規(guī)格(JISB 0601-1994)確定，例如可以通過接觸式、激光式的表面
粗糙度計等進行測定。
圖22是表示此時得到的M804上的蒸鍍膜的示意圖。由于是按照使從 蒸發(fā)源809的中央蒸發(fā)的蒸鍍原料的粒子向基板804的入射角傾斜的方式設(shè) 置第1蒸發(fā)區(qū)域860及笫2蒸發(fā)區(qū)域861的，所以能夠使具有傾斜角度的柱狀 形狀的蒸鍍膜形成在圖22所示那樣的M804上。另外，如圖20所示，由于 第1成膜區(qū)域860及第2成膜區(qū)域861相對于蒸發(fā)源809在左右配置，所以能夠 在兩個成膜區(qū)域同時蒸鍍。另外，如圖20所示，在第一筒812到第二筒813 之間及第三筒814到第四筒815之間通過的基板804,由于相對于蒸發(fā)源809 在左右配置，所以能夠在兩個成膜區(qū)域同時蒸鍍。此外，在皿804的表背 面分別形成的第1活性物質(zhì)層821的成長方向和第2活性物質(zhì)層823的成長方 向大致對稱。
實施方式A中的蒸鍍裝置IOOOA的特征在于，第四筒815位于蒸發(fā)源809 的正上方，在第二筒813和第四筒815之間設(shè)置間隙，并且，第四筒815比第 二筒813配置在更上方。由此，能夠防止在第二筒813及第四筒815的附近真 空度降低的情況以及蒸鍍原料的粒子的沖擊概率增加且附著力降低的情 況。而且，由于第2成膜區(qū)域861位于蒸鍍粒子向141的入射角為75。的位置 且位于蒸發(fā)源809的正上方，能夠在蒸發(fā)的材料濃度最高的區(qū)域進行成膜。 這是由于，在真空環(huán)境下被加熱的材料根據(jù)COS法則進行蒸發(fā)，所以距蒸 發(fā)源的法線方向越近蒸氣濃度越高，能夠提高材料利用率，并且能夠積極 地利用蒸發(fā)源的正上方向。此夕卜，代替第2蒸鍍區(qū)域861，使第1蒸鍍區(qū)域860 如第2蒸鍍區(qū)域861那樣配置，也能夠得到同樣的效果。
此外，在eil和ei3不足45。的情況下，成長的粒子急劇生長，m難在基
63板804的凸凹面上形成在粒子間具有空間的蒸鍍膜。其結(jié)果就是，在充放電 時，由于粒子的膨船艮容易在^L上生成褶皺。另外，在912和ei4大于75。 的情況下，由于成長的粒子較大地傾斜，所以向M的凸凹面上進行的附 著變?nèi)?，會形成與J41的結(jié)合性較弱的蒸鍍膜，在充放電時，電極活性物 質(zhì)容易從141剝離。因此，在實施方式A的蒸鍍裝置1000A中，優(yōu)選按照對 于在第一筒812到第二筒813之間以及從第三筒814到第四筒815之間通過時 的基板804,作為從蒸發(fā)源809的中央蒸發(fā)的蒸鍍粒子的硅以入射角45° ~ 75。的范圍飛來的方式設(shè)定ei1、 012、 013、 014。
另外，在真空槽802的外側(cè)設(shè)有排氣泵801和與設(shè)在真空槽802上部的輔 助排氣口830連通的輔助排氣泵831,利用排氣泵801及輔助排氣泵831，對 真空槽802內(nèi)進行真空排氣。在蒸鍍裝置1000A中，當真空槽802內(nèi)的壓力 上升到4.5xlO^Pa左右時，使用排氣速度為5000L/sec的輔助排氣泵831，并 調(diào)整配管電導(dǎo)以使輔助排氣口830處的真空排氣速度成為2000L/sec，由此， 能夠使真空壓從4.5xl(^Pa左右改善到3.0xlO^Pa左右。
此外，為了提高氣體分子的排氣能力，優(yōu)選在相互接近的成膜區(qū)域的 周圍，即蒸鍍粒子向141的入射角75。的周圍設(shè)置間隙，來對導(dǎo)入氣體分子 進行排氣。另外，為了提高氣體分子的排氣能力，優(yōu)選在成膜區(qū)域的上方 進行真空排氣。尤其，若在上方配置真空排氣口，則由于從蒸發(fā)源809直接 蒸發(fā)原料的粒子不能夠到達，所以無需對真空泵進行保護，能夠在排氣效 率最優(yōu)的狀態(tài)下設(shè)置真空泵。另外，由于在真空排氣口附近蒸發(fā)原料不成 膜，不產(chǎn)生堆積物，所以不用擔心堆積物落下污染基tl等。另外，由于能 夠改善相互接近的成膜區(qū)域附近的真空度，所以能夠使氧氣、具有指向性 的硅的蒸發(fā)粒子在成膜區(qū)域分布并蒸鍍。因此，能夠抑制由于蒸鍍時的真 空度的降低導(dǎo)致的活性物質(zhì)粒子間的空間減少以及電極活性物質(zhì)的膨脹收 縮，能夠得到充放電循環(huán)特性高的電池。
另外，在實施方式A中形成的第1活性物質(zhì)層821及第2活性物質(zhì)層823 之間的空間能夠作為伴隨充放電的電極板膨脹時所需要的膨脹空間使用， 能夠緩和電極活性物質(zhì)的應(yīng)力，所以能夠抑制正極負極間的短路，當然可
64以得到充^t電循環(huán)特性高的電池。
圖23是在實施方式A的蒸鍍裝置1000A的蒸鍍區(qū)域中的、第l成膜區(qū)域 860及第2成膜區(qū)域861的一個變形例的局部示意圖。如圖23所示，可以為下 述構(gòu)造，即，在構(gòu)成第1成膜區(qū)域860的第一筒812和第二筒813以及構(gòu)成第2 成膜區(qū)域861的第三筒814和第四筒815之間分別配置輔助筒850。通過配置 輔助筒850，在第1成膜區(qū)域860及第2成膜區(qū)域861中，在J4l804的直線移 動部的中間設(shè)置曲線移動部，由于能夠抑制14^804移動時的松弛，所以能 夠抑制在移動中產(chǎn)生的褶皺。
圖24是在實施方式A的蒸鍍裝置IOOOA的蒸鍍區(qū)域中的、第l成膜區(qū)域 860及第2成膜區(qū)域861的一個變形例的局部示意圖?？梢詾橄率鰳?gòu)造，即， 如圖24所示，將第一筒812、第二筒813、第三筒814、第四筒815及多個輔 助筒850作為冷卻構(gòu)造，并將各筒設(shè)定在-3(TC 20。C的范圍內(nèi)，從而對基 板804進行冷卻。由于能夠?qū)φ翦冎谢?04所受到的熱(來自蒸發(fā)源809 的輻射熱、蒸鍍粒子的凝固熱等)進行緩和，所以能夠抑制基板804移動中 的熱膨脹，能夠抑制在移動中產(chǎn)生的褶皺。 (參考的實施方式B)
下面，說明參考實施方式B的蒸鍍裝置1000B的構(gòu)造。圖25是實施方式 B的蒸鍍裝置1000B的示意剖視圖。實施方式B的蒸鍍裝置IOOOB具有與實 施方式A的真空蒸鍍裝置1000A大致相同的構(gòu)造，但在具有下述路徑的方面 與蒸鍍裝置1000A不同，所述路徑是位于將皿804從第1成膜區(qū)域860向第 2成膜區(qū)域861引導(dǎo)的路徑中的、以在第1成膜區(qū)域860及第2成膜區(qū)域861中 在J41804的同 一面上進行成膜的方式佳J41804移動的路徑。
下面，說明實施方式B的蒸鍍裝置1000B的動作。蒸鍍裝置1000B與實 施方式A的蒸鍍裝置1000A進行大致相同的動作。不同點在于，首先，在第 1成膜區(qū)域860及第2成膜區(qū)域861中在141804同 一 面上成膜。將使其成膜了 的巻軸再次設(shè)置于放巻巻軸803,對上次沒有形成蒸鍍膜的&^804面重復(fù) 進行相同的操作，具體來說進行如下動作，如圖25所示，在真空槽802中從 放巻巻軸803放巻的縱長的基板804,按順序被引導(dǎo)至輸送輥805a、 805b，第一筒812，第二筒813，輸送輥805c、 805d、 805e，第四筒815，第三筒814, 輸送輥805g、 805f、 805h，最后由收巻巻軸808收巻。
圖26表示由實施方式B的蒸鍍裝置1000B形成的蒸鍍膜的剖視圖。使蒸 發(fā)的蒸鍍原料的粒子向1^804的入射方向相異，在第1成膜區(qū)域860及第2 成膜區(qū)域861中是在141804的同 一面上進行成膜的，所以如圖7所示那樣， 能夠形成鋸齒形狀的第1活性物質(zhì)層821和第2活性物質(zhì)層823。此外，在實 施方式B中，由于在蒸發(fā)源809的上部設(shè)有第2成膜區(qū)域861，所以當然能夠 在蒸發(fā)原料的蒸氣濃度較濃的區(qū)域進行成膜，能夠提高材料的利用率。
此外，實施方式A、 B所示的蒸鍍膜形成后的電極820的各形狀不限于 上述內(nèi)容，可以根據(jù)電池的設(shè)計容量適當選擇。
另外，通過將由上述蒸鍍裝置1000A及1000B制造的電極820與包括 LiCo02、 LiNi02、 LiMii204等的鋰離子二次電池中一般:使用的正極活性物 質(zhì)的正極板、由微多孔性薄膜等構(gòu)成的隔離體、六氟磷酸鋰等在碳酸乙二 酯、碳酸丙二酯等環(huán)狀碳酸酯類中溶解而成的一般公知組成的具有鋰離子 傳導(dǎo)性的電解液一起使用，能夠容易地制作非水電解質(zhì)二次電池。
通過上述蒸鍍裝置1000A及1000B，能夠在相當于蒸發(fā)源的正上方的蒸 發(fā)原料的蒸氣濃度較濃的區(qū)域且高入射角區(qū)域附近進行成膜。因此，不僅 具有緊湊的裝置構(gòu)造，還能夠在從蒸發(fā)源供給的蒸發(fā)原料的蒸氣濃度較濃 的區(qū)域進行成膜，因此，能夠提高蒸發(fā)原料的利用率，能夠通過生產(chǎn)效率 較高的蒸鍍方法連續(xù)形成劣化少的膜。 (參考的實施方式C)
圖27是示意地表示參考實施方式C的蒸鍍裝置1000C的剖視圖。如圖27 所示，實施方式C的蒸鍍裝置1000C是由真空槽902;真空槽卯2外側(cè)的排氣 泵901;與真空槽卯2的輔助排氣口930連通的輔助排氣泵931;設(shè)置在排氣 泵901附近且在真空槽902的內(nèi)部的使蒸鍍原料蒸發(fā)的蒸發(fā)源卯9;設(shè)在蒸發(fā) 源909兩側(cè)的遮蔽板10a、 10b;成為向真空槽902內(nèi)導(dǎo)入氧氣的氧氣供^HP 的氣體導(dǎo)入管911a、 911b構(gòu)成的。此外，遮蔽板910a、 910b以覆蓋蒸發(fā)源 909和排氣泵卯l的方式被i殳置成八字形。
66另夕卜，在真空槽902的內(nèi)部設(shè)有巻繞有141卯4的放巻巻軸卯3、輸送輥 卯5a 卯5h、收巻巻軸908、圓筒狀的第一筒912、第二筒913、第三筒914、 第四筒915。第1蒸鍍部962由上述第一筒912和第二筒913構(gòu)成，第l蒸鍍部 962中的第1蒸鍍區(qū)域960由位于從蒸發(fā)源909的蒸發(fā)面的中心通過氣體導(dǎo)入 管911a的端部向第一筒912引出的直線與第一筒912的接點到第二筒913之 間的基板卯4的蒸發(fā)源9面構(gòu)成。第2蒸鍍部963由上述第三筒914和第四筒 915構(gòu)成，第2蒸鍍部963中的第2蒸鍍區(qū)域961由位于從蒸發(fā)源909的蒸發(fā)面 的中心通過氣體導(dǎo)入管911b的端部向第三筒914引出的直線與第三筒914的 接點到第四筒915之間的J41卯4的蒸發(fā)源9面構(gòu)成。此外，第1蒸鍍區(qū)域960 及第2蒸鍍區(qū)域961配置成在通過蒸發(fā)源的蒸發(fā)面的中心的法線的兩側(cè)蒸鍍 區(qū)域相對向。
圖28是示意地表示上述第1蒸鍍部962、第2蒸鍍部963及蒸發(fā)源909等的 設(shè)置位置的圖。如圖28所示，第1蒸鍍區(qū)域960由佳羞板卯4沿第一筒912移 動的第1曲線移動部964、偵J41904在第一筒912和第二筒913之間的直線部 分移動的第1直線移動部965構(gòu)成。另外，第2蒸鍍區(qū)域963由佳J^904沿笫 三筒914移動的第2曲線移動部966、使J41904在第三筒914和第四筒915之 間的直線部分移動的第2直線移動部967構(gòu)成。另外，圖28所示的921是從蒸 發(fā)源卯9的蒸發(fā)面的中心通過氣體導(dǎo)入管911a的端部并向第一筒912引出的 直線與從該直線和第一筒912相交的點引出的法線所成的角度。e22是從基 板卯4沿第一筒912移動結(jié)束的點引出的法線與從蒸發(fā)源909的蒸發(fā)面的中 心向基板卯4上的該點引出的直線所成的角度。023是從蒸發(fā)源9O9的蒸發(fā)面 的中心向第二筒913上與14^904最后接觸的接點引出直線，從該接點引出 的法線和上述直線所成的角度。這些921、 G22、 623是滿足45°<; 921<022<023<75°的關(guān)系的角度，在本實施方式C中，按照使921=45°、 022=63。、 923=70。的方式設(shè)置第一筒912、第二筒913。此外，第三筒914 和第四筒915設(shè)置在與第一筒912和第二筒913以從蒸發(fā)源卯9的蒸發(fā)面的中 心引出的中心線呈線對稱的位置處。
下面，說明實施方式C的蒸鍍裝置1000C的動作。首先，偵J41904移
67動。將從放巻巻軸卯3放巻的縱長的基板卯4按順序?qū)胼斔洼伱?a、 905b， 第一筒912，第二筒913，輸送輥905c、 905d、卯5e、 905f、 905g，第三筒 914，第四筒915,最后由收巻巻軸卯8收巻。所使用的皿904由于作為電 極的集電體使用，所以可以使用在表面及背面上形成有凹凸圖案形狀的薄 膜狀的金屬蕩。例如，該金屬原料為銅、鎳、鋁等滿足作為集電體所需的 電導(dǎo)率的原料。形成的凹凸圖案形狀為20nmx20nm的菱形，高度為10nm， 表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為2.0nm。使從蒸發(fā)源909蒸發(fā)的蒸鍍原料蒸 鍍在移動的該J^L904上，形成蒸鍍膜(蒸鍍粒子)。蒸發(fā)源909使用坩鍋 等，通過電阻加熱裝置、誘導(dǎo)加熱裝置、電子束加熱裝置等加熱裝置(未 圖示)對蒸發(fā)源909進行加熱，使例如成為蒸鍍原料的硅蒸發(fā)。 1卯4在 從第一筒912到第二筒913之間的第1成膜區(qū)域960中被由蒸發(fā)源卯9蒸發(fā)的 硅照射，在^904的單面上形成由硅構(gòu)成的第1活性物質(zhì)層921。隨后，基 板904在從第三筒914到第四筒915之間的第2成膜區(qū)域961中被由蒸發(fā)源卯9 蒸發(fā)的硅照射，在另一面上也形成由硅構(gòu)成的第2活性物質(zhì)層923。另外， 在形成包括硅和氧的化合物的活性物質(zhì)層的情況下，氧氣從氣體導(dǎo)入管 911a及氣體導(dǎo)入管911b被導(dǎo)入，在氧氣環(huán)境下從蒸發(fā)源909使珪蒸發(fā)。此夕卜， 算術(shù)平均^:度(Ra)由日本工業(yè)規(guī)格(JISB 0601-1994)確定，例如可 以通過接觸式、激光式的表面粗糙度計等進行測定。
圖29是表示此時得到的 1卯4上的蒸鍍膜的示意圖。由于是按照使從 蒸發(fā)源卯9的中央蒸發(fā)的蒸鍍原料的粒子向基板的入射角為傾斜的方式設(shè) 置第1蒸發(fā)區(qū)域960及第2蒸發(fā)區(qū)域961的，所以能夠使具有傾斜角度的柱狀 形狀的蒸銜度形成在如圖29所示那樣的141卯4上。
實施方式C的蒸鍍裝置1000C構(gòu)成為，按照對于在第一筒912到第二筒 913之間及通過第三筒914到第四筒915之間通過時的基板904，從蒸發(fā)源卯9 的中央蒸發(fā)的蒸鍍粒子的硅以入射角在45。 ~ 75°的范圍內(nèi)飛來的方式設(shè)置 第1成膜區(qū)域960及第2成膜區(qū)域961。在真空蒸鍍中，由于在真空環(huán)境中被 加熱的材料根據(jù)COS法則蒸發(fā)，所以越接近蒸發(fā)源909的法線方向蒸氣濃度 越高，提高了材料的利用率，另外，在將從蒸發(fā)源卯9的法線傾斜的角度定
68義為蒸發(fā)角時，材料的利用率能夠通過蒸鍍粒子的蒸發(fā)角度的范圍進行調(diào) 整。即，在相同的蒸發(fā)角度的范圍內(nèi)，由于距蒸發(fā)源的距離越近，從蒸發(fā)
源蒸發(fā)的材料向基板904堆積的速度就越快，所以為了提高生產(chǎn)效率，使蒸 發(fā)角度擴大，且縮短從蒸發(fā)源卯9到基板卯4之間的距離是重要的。但是， 在成膜區(qū)域僅僅U板904直線移動的區(qū)域的情況下，就不得不將入射角大 的成膜區(qū)域設(shè)置在距蒸發(fā)源909較遠的位置處。因此，在實施方式C的蒸鍍 裝置1000C中，使第l蒸鍍區(qū)域960由將g904沿第一筒912移動的第l曲線 移動部964和將J41904在由第一筒912和第二筒913構(gòu)成的直線部分直線移 動的第1直線移動部965構(gòu)成，使第2蒸鍍區(qū)域963由將^i4l904沿第三筒914 移動的第2曲線移動部966和將基板卯4在由第三筒914和第四筒915構(gòu)成的 直線部分直線移動的第2直線移動部967構(gòu)成。即，由第1曲線移動部964及 第2曲線移動部966構(gòu)成了入射角45°~63°附近的成膜區(qū)域，所以能夠?qū)⑷?射角75。附近的成膜區(qū)域設(shè)置在距蒸發(fā)源近的位置處。例如，利用蒸發(fā)角 2° ~ 32°和-32° ~ -2。，通過將入射角45。 ~ 63。的范圍設(shè)置在第一筒912及第 三筒914上，將入射角63°~75°的范圍配置成直線狀，使得與將入射角45°~ 75。的成膜區(qū)域配置成直線狀的情況相比，能夠?qū)⑷肷浣?5。的位置拉近至 7/10的距離。由于向B的堆積速度與蒸發(fā)源和^41之間的距離的平方成 反比，所以能夠使材料向a的堆積速度提高至約2倍。另外，由于入射角 45°~63°的區(qū)域接近蒸發(fā)源卯9,是受輻射熱的影響及蒸鍍材料的能量、基 板的溫度變高的區(qū)域，所以通過^i4l與筒接觸，還能夠從皿排熱，能 夠得到抑制J4l溫度上升的效果。
此外，在021不足45。的情況下，成長的粒子急劇生長，在141904的凸 凹面上形成在粒子間具有空間的蒸鍍膜容易變得困難。其結(jié)果就是，在充 -故電時，由于粒子的膨脹而在基板上容易產(chǎn)生褶皺。此外，在623大于75。 的情況下，由于成長的粒子大幅度傾斜，向141的凸凹面上的附著變?nèi)酰?會形成與141的結(jié)合性較弱的蒸鍍膜，在充放電時，電極活性物質(zhì)容易從 基板剝落。因此，在實施方式C的蒸鍍裝置1000C中，優(yōu)選按照對于在第一 筒912到第二筒913之間以及第三筒914到第四筒915之間通過時的J4l卯4,
69作為從蒸發(fā)源909的中央蒸發(fā)的蒸鍍粒子的硅以入射角45。~75°的范圍飛 來的方式設(shè)定021及e23。
此外，在實施方式C的蒸鍍裝置1000C中，當真空槽902內(nèi)的壓力上升 到4.5xl(^Pa左右時，使用排氣速度為5000L/sec的輔助排氣泵931,并調(diào)整 配管電導(dǎo)以使輔助排氣口930處的真空排氣速度成為2000L/sec，由此，能 夠使真空壓從4.5xlO^Pa左右改善到3.0xl(^Pa左右。
另外，將傾斜配置的g904的第l成膜區(qū)域960及第2成膜區(qū)域961相對 于蒸發(fā)源909左右對稱地設(shè)置，并在成為相互接近的上述成膜區(qū)域的周圍 的、蒸鍍粒子向a的入射角75。的周圍設(shè)置輔助排氣口930，由此，能夠 強化真空排氣能力。由此，由于能夠改善相互接近的上述成膜區(qū)域附近的 真空度，并使氧氣、具有指向性的硅的蒸發(fā)粒子在成膜區(qū)域分布，所以能 夠抑制由于蒸鍍時的真空度的降低導(dǎo)致的活性物質(zhì)粒子間的空間減少以及 電極活性物質(zhì)的膨脹收縮，能夠得到充放電循環(huán)特性高的電池。
另外，由于通過實施方式C形成的第1活性物質(zhì)層921及第2活性物質(zhì)層 923之間的空間能夠作為伴隨充放電的電極板膨脹時所需要的膨脹空間使 用，所以能夠緩和電極活性物質(zhì)的應(yīng)力，抑制正極負極間的短路，當然能 夠得到充放電循環(huán)特性高的電池。
圖30是實施方式C的蒸鍍裝置1000C的蒸鍍區(qū)域中的、第1蒸鍍區(qū)域960 及第2蒸鍍區(qū)域961的一個變形例的局部示意圖。也可以如圖30所示那樣構(gòu) 成，即，在第1成膜區(qū)域960和第2成膜區(qū)域961的各中間部配置輔助筒950。 通過配置輔助筒950，使得第1成膜區(qū)域960由第1曲線移動部964、第l中間 直線移動部970、第1中間曲線移動部968和第1直線移動部965構(gòu)成，使得第 2成膜區(qū)域961由第2曲線移動部966、第2中間直線移動部970、第2中間曲線 移動部969和第2直線移動部967構(gòu)成。通過上述構(gòu)造，在第1成膜區(qū)域960 及第2成膜區(qū)域961中，由于能夠抑制J41904移動時的松弛，所以能夠抑制 移動中產(chǎn)生的褶皺。
另外，通過i殳置第l中間曲線移動部968及第2中間曲線移動部969，能 夠使第1直線移動部965和第2直線移動部967中的入射角較高的成膜區(qū)域接近蒸發(fā)源909，所以能夠進行滿"射角度和蒸發(fā)角度兩者的成膜，能夠提 高材料的利用率。
此外，通過形成能夠冷卻第1中間曲線移動部968及第2中間曲線移動部 969的構(gòu)造，使得能夠?qū)L進行排熱，得到抑制^4l溫度上升的效果。例 如，可以形成下述構(gòu)造，即，將各筒設(shè)定在-30°C 20。C的范圍內(nèi)，從而 對基板卯4進行冷卻的構(gòu)造。在蒸鍍中由于能夠緩和M卯4所受到的熱(來 自蒸發(fā)源卯9的輻射熱、蒸鍍粒子的凝固熱等)，所以能夠抑制141904移 動中的熱膨脹，抑制在移動中產(chǎn)生的褶皺。
圖31是實施方式C的蒸鍍裝置1000C的蒸鍍區(qū)域中的、第1蒸鍍區(qū)域960 及第2蒸鍍區(qū)域961的一個變形例的局部示意圖。如圖31所示，能夠構(gòu)成為 分別在第1成膜區(qū)域960和第2成膜區(qū)域961中各配置兩個輔助筒950。
通過上述構(gòu)造，能夠使第1直線移動部965和第2直線移動部967的入射 角高的成膜區(qū)域進一步靠近蒸發(fā)源卯9，因此，能夠進行滿足入射角度和蒸 發(fā)角度兩者的成膜，能夠提高材料的利用率。 (參考的實施方式D)
下面，說明參考實施方式D的蒸鍍裝置1000D的構(gòu)造。圖32是示意地表 示實施方式D的蒸鍍裝置1000D的剖視圖。本實施方式D的蒸鍍裝置1000D 具有與實施方式C的蒸鍍裝置1000C大致相同的構(gòu)造，但在以下方面與蒸鍍 裝置1000C不同，即具有位于將基板904從第1成膜區(qū)域960向第2成膜區(qū)域 961引導(dǎo)的路徑中的、以在第1成膜區(qū)域960及第2成膜區(qū)域961中在1^卯4 的同 一面上進行成膜的方式^J41卯4移動的路徑。
下面說明實施方式D的蒸鍍裝置1000D的動作。本實施方式D的蒸鍍裝 置1000D,進行與實施方式C所示的蒸鍍裝置1000C大致相同的動作。不同 點在于，首先，在第1成膜區(qū)域960及第2成膜區(qū)域961中在141904的同一面 上成膜。將成膜了的巻軸再次設(shè)置于放巻巻軸903，對上次沒有形成蒸皿 的141904的面重復(fù)進行相同的操作。具體來說進行如下動作，如圖32所示， 在真空槽卯2中從放巻巻軸903放巻的縱長的基板904按順序通過輸送輥 905a、 905b，第一筒912,第二筒913，輸送輥5c、 5d、 5e，第四筒915,第
71三筒914,輸送輥卯5g、卯5f、卯5h，最后由收巻巻軸卯8收巻。
圖33表示由實施方式D的蒸鍍裝置1000D形成的蒸4W的剖視圖。使蒸 發(fā)的蒸鍍原料的粒子向基板904的入射方向相異，由于在第1成膜區(qū)域960 及第2成膜區(qū)域961中對基板卯4的同一面成膜，所以能夠如圖33所示那樣形 成鋸齒形狀的第1活性物質(zhì)層921和第2活性物質(zhì)層923。此外，在本實施方 式D中，與實施方式C同樣地，在第1蒸鍍區(qū)域960中設(shè)置笫1曲線移動部964 和笫1直線移動部965,在第2蒸鍍區(qū)域961中設(shè)置第2曲線移動部966和第2 直線移動部967，使蒸鍍粒子傾斜蒸鍍在基板卯4上的蒸鍍區(qū)域和蒸發(fā)源909 之間的相對距離接近，所以能夠提高材料的利用效率。
此外，實施方式C、 2所示的蒸鍍膜形成后的電極20的各形狀不限于上 述的內(nèi)容，可以根據(jù)電池的設(shè)計容量適當選擇。
另夕卜，通過上述蒸鍍裝置1000C及200制造的電極920與包括LiCo02、 LiNi02、 LiMn204等的在鋰離子二次電池中一般^f吏用的正極活性物質(zhì)的正 極板、由微多孔性薄膜等構(gòu)成的隔離體、六氟磷酸鋰等在碳酸乙二酯、碳 酸丙二酯等環(huán)狀碳酸酯類中溶解成的、 一般^^知組成的具有鋰離子傳導(dǎo)性 的電解液一起使用，能夠容易地制作非水電解質(zhì)二次電池。
根據(jù)實施方式C;SJD，不用增大蒸鍍裝置的真空槽的尺寸，就能夠擴大 蒸鍍區(qū)域，能夠以更高的效率形成蒸鍍膜。另外，能夠使從蒸發(fā)源向M 面的入射角成為75。的蒸鍍面附近的14l與蒸發(fā)源之間的距離縮小。因此， 能夠改善蒸鍍粒子對141的堆積速度，所以能夠提高材料的利用率，能夠 以生產(chǎn)效率高的蒸鍍方法連續(xù)形成劣化少的膜。
工業(yè)可利用性
本發(fā)明的蒸鍍裝置能夠用于制造利用蒸,的各種器件，例如電池等 電化學(xué)器件、光元件及光電路部件等光學(xué)器件、傳感器等各種器件元件等。 本發(fā)明能夠適用于所有電化學(xué)元件，尤其是如果應(yīng)用于使用伴隨充放電而 產(chǎn)生較大膨脹、收縮的活性物質(zhì)的電池用 1的制造，則可以提供抑制了 由于活性物質(zhì)的膨脹而引起的極板的變形、褶皺的產(chǎn)生，能量密度高的極 板，因此是有利的。
7權(quán)利要求
1.一種蒸鍍裝置，是通過在腔室內(nèi)以卷軸到卷軸的方式使片狀的基板移動，從而在所述基板上連續(xù)形成蒸鍍膜的蒸鍍裝置，其特征在于，具有使蒸鍍原料蒸發(fā)的蒸發(fā)源；輸送部，其包括卷繞保持所述基板的第1及第2卷軸和引導(dǎo)所述基板的引導(dǎo)部，并且，所述第1及第2卷軸的一方導(dǎo)出所述基板，所述引導(dǎo)部對導(dǎo)出的基板進行引導(dǎo)，且所述第1及第2卷軸的另一方收卷所述基板，由此按照使所述基板通過所述蒸發(fā)了的蒸鍍原料到達的能夠蒸鍍的區(qū)域的方式來輸送所述基板，遮蔽部，其配置在所述能夠蒸鍍的區(qū)域，形成來自所述蒸發(fā)源的蒸鍍原料不能到達的遮蔽區(qū)域，所述引導(dǎo)部在所述能夠蒸鍍的區(qū)域內(nèi)包括第1引導(dǎo)部件和第2引導(dǎo)部件，其中，第1引導(dǎo)部件是按照使所述基板的被所述蒸鍍原料照射的面向所述蒸發(fā)源凸出的方式對所述基板進行引導(dǎo)的部件；第2引導(dǎo)部件是在所述基板的輸送路徑中，被配置在比所述第1引導(dǎo)部件更靠近所述第2卷軸側(cè)的位置處，按照使所述基板的被所述蒸鍍原料照射的面向所述蒸發(fā)源凸出的方式對所述基板進行引導(dǎo)的部件，所述遮蔽部具有分別配置在所述第1及第2引導(dǎo)部件與所述蒸發(fā)源之間的第1及第2遮蔽部件，所述第1引導(dǎo)部件，在所述基板的輸送路徑中，形成第1蒸鍍區(qū)域和第2蒸鍍區(qū)域，所述第1蒸鍍區(qū)域位于比所述第1遮蔽部件更靠近所述第1卷軸側(cè)的位置處，所述第2蒸鍍區(qū)域位于比所述第1遮蔽部件更靠近所述第2卷軸側(cè)的位置處，所述第2引導(dǎo)部件，在所述基板的輸送路徑中，形成第3蒸鍍區(qū)域和第4蒸鍍區(qū)域，所述第3蒸鍍區(qū)域位于比所述第2遮蔽部件更靠近所述第1卷軸側(cè)的位置處，所述第4蒸鍍區(qū)域位于比所述第1遮蔽部件更靠近所述第2卷軸側(cè)的位置處，所述第1到第4蒸鍍區(qū)域包括按照使所述基板的被所述蒸鍍原料照射的面成為平面的方式對所述基板進行輸送的平面輸送區(qū)域，在除了所述遮蔽區(qū)域以外的所述能夠蒸鍍的區(qū)域中，按照使所述蒸鍍原料不從所述基板的法線方向入射到所述基板的方式相對于所述蒸發(fā)源配置所述輸送部。
2. 如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，所述引導(dǎo)部在所述基板的輸送路徑中 的所述第2蒸鍍區(qū)域和所述第3蒸鍍區(qū)域之間具有用于使所述M的被所述 蒸鍍原料照射的面反轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)構(gòu)造。
3. 如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，在與所述J41的表面垂直且包括所述 基板的輸送方向在內(nèi)的截面中，所述第1引導(dǎo)部件及所述第2引導(dǎo)部件以夾 著通過所述蒸發(fā)源的中心的法線方式而被配置在兩側(cè)，按照使所述第l到第 4蒸鍍區(qū)域中的任一個與通過所述蒸發(fā)源的中心的法線相交的方式，相對于 所述蒸發(fā)源配置所述輸送部。
4. 如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，所述第l、第2、第3及第4蒸鍍區(qū)域中 的成膜量的比為1:2:2:1。
5. 如權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，還具有將所述基板加熱到200。C ~ 400。C的第l及第2加熱部，所述第l加熱部在所述基k的輸送路徑中被配置 在比所述第1蒸鍍區(qū)域更靠近所述第1巻軸側(cè)的位置處，所述第2加熱部被配 置在所述基板的輸送路徑中的所述第2蒸鍍區(qū)域和所述第3蒸鍍區(qū)域之間。
6. 如權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，還具有將所述基板加熱到200。C ~ 400。C的第l、第2、第3及第4加熱部，所述第l、第2、第3及第4加熱部分別配置在所述第1、第2、第3及第4 蒸鍍區(qū)域的上端附近。
7. 如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，所述引導(dǎo)部在所述能夠蒸鍍的區(qū)域內(nèi) 還具有第3引導(dǎo)部件，其在所述M的輸送路徑中被配置在比所述第2引導(dǎo)部 件更靠近所述第2巻軸側(cè)的位置處，按照使所述基板的被所述蒸鍍原料照射的面向所述蒸發(fā)源凸出的方式對所述1^L進行引導(dǎo)；第4引導(dǎo)部件，其在所述基板的輸送路徑中被配置在比所述第3引導(dǎo)部 件更靠近所述第2巻軸側(cè)的位置處，按照使所述M的被所述蒸鍍原料照射 的面向所述蒸發(fā)源凸出的方式對所述141進行引導(dǎo)，所述遮蔽部還具有分別配置在第3及第4引導(dǎo)部件與所述蒸發(fā)源之間的 第3及第4遮蔽部件，所述第3引導(dǎo)部件，在所述基板的輸送路徑中，形成第5蒸鍍區(qū)域和第6 蒸鍍區(qū)域，所述第5蒸鍍區(qū)域位于比所述第3遮蔽部件更靠近所述第1巻軸側(cè) 的位置，所述第6蒸鍍區(qū)域位于比所述第3遮蔽部件更靠近所述第2巻軸側(cè)的 位置，所述第4引導(dǎo)部件，在所述J41的輸送路徑中，形成第7蒸鍍區(qū)域和第8 蒸鍍區(qū)域，所述第7蒸鍍區(qū)域位于比所述第4遮蔽部件更靠近所述第1巻軸側(cè) 的位置，所述第8蒸鍍區(qū)域位于比所述第4遮蔽部件位于更靠近所述第2巻軸 側(cè)的位置。
8. 如權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，所述引導(dǎo)部在所述J41的輸送路徑中 的所述第4蒸鍍區(qū)域和所述第5蒸鍍區(qū)域之間具有用于使所述基板的被所述 蒸鍍原料照射的面反轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)構(gòu)造。
9. 如權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，在與所述M的表面垂直且包括輸送 所述J41的方向的截面中，所述第1及第2引導(dǎo)部件與所述第3及第4引導(dǎo)部 件以夾著通過所述蒸發(fā)源的中心的法線的方式而被配置在兩側(cè)，按照使所 述第1到第8蒸鍍區(qū)域中的任一個與通過所述蒸發(fā)源的中心的法線相交的方 式，相對于所述蒸發(fā)源配置所述輸送部。
10. 如權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，所述第l、第2、第3、第4、第5、第 6、第7及第8蒸鍍區(qū)域中的成膜量的比為1:2:2:1:1:2:2:1。
11. 如權(quán)利要求8所述的蒸鍍裝置，還具有將所述基板加熱到200。C ~ 400。C的第l及第2加熱部，所述第l加熱部在所述基板的輸送路徑中被配置 在比所述第1蒸鍍區(qū)域更靠近所述第1巻軸側(cè)的位置處，所述第2加熱部被配 置成在所述基板的輸送路徑中的所述第4蒸鍍區(qū)域和所述第5蒸鍍區(qū)域之間對所述M進行加熱。
12. 如權(quán)利要求8所述的蒸鍍裝置，還具有將所述基板加熱到200。C ~ 400。C的第l、第2、第3及第4加熱部，所述第l、第2、第3及第4加熱部分別被配置在所述第1、第4、第5及第 8蒸鍍區(qū)域的上端附近。
13. 如權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，所述引導(dǎo)部在所述能夠蒸鍍的區(qū)域 內(nèi)還具有第5引導(dǎo)部件，其在所述基板的輸送路徑中被配置在比所述第4引導(dǎo)部 件更靠近所述第2巻軸側(cè)的位置處，按照使所述^的被所述蒸鍍原料照射 的面向所述蒸發(fā)源凸出的方式對所述1^1進行引導(dǎo)；第6引導(dǎo)部件，其在所述J41的輸送路徑中被配置在比所述第5引導(dǎo)部 件更靠近所述第2巻軸側(cè)的位置處，按照使所述141的被所述蒸鍍原料照射 的面向所述蒸發(fā)源凸出的方式對所述M進行引導(dǎo)，所述遮蔽部還具有分別配置在所述第5及第6引導(dǎo)部件與所述蒸發(fā)源之 間的第5及第6遮蔽部件，所述第5引導(dǎo)部件，在所述基板的輸送路徑中，形成第9蒸鍍區(qū)域和第 10蒸鍍區(qū)域，所述第9蒸鍍區(qū)域位于比所述第5遮蔽部件更靠近所述第1巻軸 側(cè)的位置處，所述第10蒸鍍區(qū)域位于比所述第5遮蔽部件更靠近所述第2巻 軸側(cè)的位置處，所述第6引導(dǎo)部件，在所述基板的輸送路徑中，形成第ll蒸鍍區(qū)域和第 12蒸鍍區(qū)域，所述第11蒸鍍區(qū)域位于比所述第6遮蔽部件更靠近所述第1巻 軸側(cè)的位置處，所述第12蒸鍍區(qū)域位于比所述第6遮蔽部件更靠近所述第2 巻軸側(cè)的位置處。
14. 如權(quán)利要求13所述的蒸鍍裝置，所述引導(dǎo)部在所述基板的輸送路徑 中的所述第6蒸鍍區(qū)域和所述第7蒸鍍區(qū)域之間具有用于使所述基板的被所 述蒸鍍原料照射的面反轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)構(gòu)造。
15. 如權(quán)利要求13所述的蒸鍍裝置，在與所ii!4^的表面垂直且包括輸 送所述基&的方向的截面中，所述第1~第3引導(dǎo)部件和所述第4~第6引導(dǎo)部件以夾著通過所述蒸發(fā)源的中心的法線的方式而被配置在兩側(cè)，按照使所述第1到第12蒸鍍區(qū)域中的任一個與通過所述蒸發(fā)源的中心的法線相交 的方式相對于所述蒸發(fā)源配置所述輸送部。
16. 如權(quán)利要求14所述的蒸鍍裝置，所述第l、第2、第3、第4、第5、 第6、第7、第8、第9、第10、第11及第12蒸鍍區(qū)域中的成膜量的比為 1:2:2:2:2:1:1:2:2:2:2:1。
17. 如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，在與所述基板的表面垂直且包括輸 送所述基ll的方向的截面中，按照使通過各蒸鍍區(qū)域的基板的任意點與所 述蒸發(fā)源的中心的連接線與所述基板的法線方向成45° ~ 75°的角度的方 式，相對于所述蒸發(fā)源配置所述輸送部。
18. 如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，所述第1到第4蒸鍍區(qū)域中的至少一 個蒸鍍區(qū)域還具有曲面輸送區(qū)域，所述曲面輸送區(qū)域按照使所述^L的被 所述蒸鍍原料照射的面成為曲面的方式對所述M進行輸送。
19. 如權(quán)利要求18所述的蒸鍍裝置，所述第1到第4引導(dǎo)部件中的至少一 個引導(dǎo)部件位于所述能夠蒸鍍的區(qū)域，所述曲面輸送區(qū)域包括沿所述至少一個引導(dǎo)部件中的位于所述能夠蒸 鍍的區(qū)域的部分對所述141進行輸送的下端曲面輸送區(qū)域。
20. 如^f又利要求19所述的蒸鍍裝置，所述輸送部進而在所述至少一個蒸 鍍區(qū)域中具有傾斜方向切換輥，所述傾斜方向切換輥用于形成與通過所述 蒸發(fā)源的中心的法線所成的角度不同的兩個平面輸送區(qū)域，中間曲面輸送區(qū)域。
21，如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，所述遮蔽部件還具有具備壁部的至 少一個遮蔽板，所述壁部的表面與通過所述第1到第4蒸鍍區(qū)域中的任一個 蒸鍍區(qū)域的所述M的被所述蒸鍍原料照射的面相對向。
22.如權(quán)利要求21所述的蒸鍍裝置，所述壁部的所^面位于所述能夠 蒸鍍的區(qū)域，所述任一個蒸鍍區(qū)域與所述壁部的表面之間的距離隨著接近 所述蒸發(fā)源而變大。
23. 如權(quán)利要求21所述的蒸鍍裝置，在所述能夠蒸鍍的區(qū)域中，還具有 配置在各引導(dǎo)部件的附近的、向由該引導(dǎo)部件形成的兩個蒸鍍區(qū)域供給氣 體的噴嘴部，所述壁部使從所述噴嘴部射出的氣體滯留在所述任一個蒸鍍 區(qū)域內(nèi)。
24. 如權(quán)利要求21所述的蒸鍍裝置，所述壁部的所a面緩和由于所述 蒸鍍原料的照射而在所述任一個蒸鍍區(qū)域中的被所述蒸鍍材料照射的面處 產(chǎn)生的溫度差。
25. 如權(quán)利要求7所述的蒸鍍裝置，所述遮蔽部件還具有具備壁部的至 少一個遮蔽板，所述壁部的表面與通過所述第1到第8蒸鍍區(qū)域中的任一個 蒸鍍區(qū)域的所述基&的被所述蒸鍍原料照射的面相對向。
26. 如權(quán)利要求25所述的蒸鍍裝置，所述壁部的所id^面位于所述能夠 蒸鍍的區(qū)域，所述任一個蒸鍍區(qū)域與所述壁部的表面之間的距離隨著接近 所述蒸發(fā)源而變大。
27. 如權(quán)利要求25所述的蒸鍍裝置，在所述能夠蒸鍍的區(qū)域中，還具有 配置在各引導(dǎo)部件的附近的、向由該引導(dǎo)部件形成的兩個蒸鍍區(qū)域供給氣 體的噴嘴部，所述壁部4吏從所述噴嘴部射出的氣體滯留在所述任一個蒸鍍 區(qū)域內(nèi)。
28. 如權(quán)利要求25所述的蒸鍍裝置，所述壁部的所述表面緩和由于所述 蒸鍍原料的照射而在所述任一個蒸鍍區(qū)域中的被所述蒸鍍材料照射的面處 產(chǎn)生的溫度差。
29. 如權(quán)利要求13所述的蒸鍍裝置，所述遮蔽部件還具有具備壁部的至 少一個遮蔽板，所述壁部的表面與通過所述第1到第12蒸鍍區(qū)域中的任一個 蒸鍍區(qū)域的所述基&的被所述蒸鍍原料照射的面相對向。
30. 如權(quán)利要求29所述的蒸鍍裝置，所述壁部的所id^面位于所述能夠 蒸鍍的區(qū)域，所述任一個蒸鍍區(qū)域與所述壁部的表面之間的距離隨著接近 所述蒸發(fā)源而變大。
31. 如權(quán)利要求29所述的蒸鍍裝置，在所述能夠蒸鍍的區(qū)域中，還具有 配置在各引導(dǎo)部件的附近的、向由該引導(dǎo)部件形成的兩個蒸鍍區(qū)域供給氣體的噴嘴部，所述壁部使從所述噴嘴部射出的氣體滯留在所述任一個蒸鍍 區(qū)域內(nèi)。
32. 如權(quán)利要求29所述的蒸鍍裝置，所述壁部的所W面緩和由于所述 蒸鍍原料的照射而在所述任一個蒸鍍區(qū)域中的被所述蒸鍍材料照射的面處 產(chǎn)生的溫度差。
33. —種膜的制造方法，是通過使用具有腔室、配置在所述腔室內(nèi)且使 蒸鍍原料蒸發(fā)的蒸發(fā)源、配置在所述腔室內(nèi)且輸送片狀的14l的輸送部的 巻軸到巻軸的方式的蒸鍍裝置，通過所述輸送部使所述基板移動，由此， 在所述141上連續(xù)形成含有所述蒸鍍原料的膜的膜的制造方法，包括工序(A),即，將所述基板按順序輸送到以在所述腔室內(nèi)相對 于所述蒸發(fā)源互相不重疊的方式設(shè)置的第l區(qū)域、第2區(qū)域、第3區(qū)域及第4 區(qū)域中的工序，所述工序(A)包括(a) 在所述第l區(qū)域中， 一邊使所述基板沿接近所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料從相對于所述基板的表面的 法線傾斜的第1方向入射到所述141的表面，由此，在所述J41的表面堆積 所述蒸鍍原料的工序，(b) 在所述笫2區(qū)域中， 一邊使所述M沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料從相對于所述基板的表面的 法線向與所述第1方向相反側(cè)傾斜的第2方向入射到所述141的表面，由此， 在所述1^L的表面堆積所述蒸鍍原料的工序，(c) 在所述第3區(qū)域中， 一邊使所述基板沿接近所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料/M目對于所述基敗的表面的 法線向與所述第1方向相同側(cè)傾斜的第3方向入射到所述M的表面，由此 在所述M的表面堆積所述蒸鍍原料的工序，(d) 在所述第4區(qū)域中， 一邊使所述J41沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料^目對于所述a的表面的法線向與所述第i方向相反側(cè)傾斜的第4方向入射到所述m的表面，由此在所述皿的表面堆積所述蒸鍍原料的工序，所述第1區(qū)域、所述第2區(qū)域、所述第3區(qū)域及所述第4區(qū)域中的所述蒸 鍍原料的堆積量的比為1:2:2:1。
34. 如權(quán)利要求33所述的膜的制造方法，在所述工序(A)之后，還 包括將所述14l按順序輸送到所述第4區(qū)域、所述第3區(qū)域、所述第2區(qū)域及 所述第l區(qū)域的工序(B)，所述工序(B)包括(e) 在所述第4區(qū)域中， 一邊使所述a沿接近所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述基板的表面的法 線從所述第4方向入射到所述基板的表面，由此，在所述基敗的表面堆積所 述蒸鍍原料的工序，(f) 在所述第3區(qū)域中， 一邊使所述基板沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述基板的表面的法 線從所述第3方向入射到所述J41的表面，由此在所述J41的表面堆積所述 蒸鍍原料的工序，(g) 在所述第2區(qū)域中， 一邊使所述M沿接近所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述基&的表面的法 線從所述第2方向入射到所述1^1的表面，由此在所述基板的表面堆積所述 蒸鍍原料的工序，(h) 在所述第l區(qū)域中， 一邊使所述基板沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述M的表面的法 線從所述第1方向入射到所述基&的表面，由此在所述基敗的表面堆積所述 蒸鍍原料的工序。
35. 如權(quán)利要求34所述的膜的制造方法，交互重復(fù)進行多次所述工序(A) 及所述工序(B)。
36. 如權(quán)利要求34所述的膜的制造方法，在所述工序(A)和所述工序(B) 之間還具有使所述M的被所述蒸鍍原料照射的面反轉(zhuǎn)，并按順序?qū)⑺龌遢斔偷皆谒銮皇覂?nèi)以相對于所述蒸發(fā)源相互不重疊的方式設(shè)置的第5區(qū)域、 第6區(qū)域、第7區(qū)域及第8區(qū)域的工序(A');在所述工序(A')之后，按順序?qū)⑺龌遢斔偷剿龅?區(qū)域、所述 笫7區(qū)域、所述第6區(qū)域及所述第5區(qū)域，然后，使所iij^板的被所述蒸鍍原 料照射的面反轉(zhuǎn)的工序(B')，所述工序(A')包括(a，)在所述第5區(qū)域中， 一邊使所述基板沿接近所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料M目對于所述基板的表面的 法線傾斜的第5方向入射到所述基板的堆積有所述蒸鍍原料的面的相反側(cè) 的表面，由此在所述1^的所述相反側(cè)的表面堆積所述蒸鍍原料的工序，(b')在所述第6區(qū)域中， 一邊使所述141沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料^M目對于所述141的表面的 法線向與所述第5方向相反側(cè)傾斜的第6方向入射到所述141的所述相反側(cè) 的表面，由此在所述M的所勤目反側(cè)的表面堆積所述蒸鍍原料的工序，(c')在所述第7區(qū)域中， 一邊使所述基板沿接近所述蒸發(fā)源的方向 移動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料從相對于所述14^的表面 的法線向與所述第5方向相同側(cè)傾斜的第7方向入射到所述141的所勤目反 側(cè)的表面，由此在所述基板的所述相反側(cè)的表面堆積所述蒸鍍原料的工序，(d')在所述第8區(qū)域中， 一邊使所述基板沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料從相對于所述141的表面的 法線向與所述第5方向相反側(cè)傾斜的第8方向入射到所述141的所述相反側(cè) 的表面，由此在所述141的所述相反側(cè)的表面堆積所述蒸鍍原料的工序， 所述工序(B')包括(e')在所述第8區(qū)域中， 一邊使所述a沿接近所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述a的表面的法 線從所述第8方向入射到所述M的表面，由此在所述皿的表面堆積所述 蒸鍍原料的工序，(f )在所述第7區(qū)域中， 一邊使所述M沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述M的表面的法線從所述第7方向入射到所述M的表面，由此在所述基K的表面堆積所述 蒸鍍原料的工序，(g')在所述第6區(qū)域中， 一邊使所述141沿接近所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述J41的表面的法 線從所述第6方向入射到所述基板的表面，由此在所述基板的表面堆積所述 蒸鍍原料的工序，(h')在所述第5區(qū)域中， 一邊使所述141沿遠離所述蒸發(fā)源的方向移 動， 一邊使從所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的所述蒸鍍原料相對于所述基板的表面的法 線從所述第5方向入射到所述J4l的表面，由此在所述基板的表面堆積所述 蒸鍍原料的工序，所述第5區(qū)域、所述第6區(qū)域、所述第7區(qū)域及所述第8區(qū)域中的所述蒸 鍍原料的堆積量的比為1:2:2:1。
全文摘要
本發(fā)明提供一種蒸鍍裝置，是通過在腔室(2)內(nèi)以卷軸到卷軸的方式使片狀的基板(4)移動，由此在基板(4)上連續(xù)形成蒸鍍膜的蒸鍍裝置(100)，具有使蒸鍍原料蒸發(fā)的蒸發(fā)源(9)；包括卷繞保持基板(4)的第1及第2卷軸(3、8)和對基板(4)進行引導(dǎo)的引導(dǎo)部的輸送部；配置在上述能夠蒸鍍的區(qū)域的、形成來自蒸發(fā)源(9)的蒸鍍原料不能到達的遮蔽區(qū)域的遮蔽部，并且，蒸鍍區(qū)域(60a～60d)包括按照使基板(4)的被蒸鍍原料照射的面成為平面的方式輸送基板(4)的平面輸送區(qū)域，在除了遮蔽區(qū)域之外的能夠蒸鍍的區(qū)域中，按照使蒸鍍材料不從基板(4)的法線方向入射到基板(4)的方式相對于蒸發(fā)源(9)配置輸送部。
文檔編號C23C14/24GK101542008SQ20088000048
公開日2009年9月23日 申請日期2008年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月9日
發(fā)明者今宿升一, 岡崎禎之, 本田和義, 柳智文 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社