專利名稱：：鍍覆構(gòu)件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及鍍覆構(gòu)件及其制造方法，特別涉及像在引線框上搭栽了ic芯片的半導(dǎo)體裝置之類的電子部件的外部端子那樣，在表面具有鍍層的鍍覆構(gòu)件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體裝置之類的電子部件中，在外部端子的基材中使用銅、銅合金、黃銅、42合金(鐵與Ni為42%的合金)等，然而如果直接使用底材，則端子表面就會氧化，有可能引起由焊接不良等造成的導(dǎo)通不良。因此，通常來說利用鍍覆等在端子表面形成保護(hù)膜(鍍層)來防止氧化。在使用Sn合金等作為鍍層的材料時，以往一直使用含有鉛的合金。近年來，從減輕環(huán)境負(fù)擔(dān)的觀點出發(fā)，逐漸要求無鉛化，在上述端子的鍍層材料中也開始4吏用例如《象Sn、Sn-Cu、Sn-Bi、Sn-Ag合金那樣不含有鉛的材料。但是，如果用無鉛材料對電子部件的端子表面進(jìn)行鍍覆處理，則會從鍍層中產(chǎn)生例如為Sn的針狀單晶的晶須。近年來，例如在引線框上搭載了IC芯片的半導(dǎo)體裝置之類的電子部件被要求進(jìn)一步小型化，其結(jié)果是，其端子間的間隔縮窄到數(shù)百pm左右。上述晶須有時會生長到數(shù)百nm的長度，在如前所述那樣端子間的間隔窄到數(shù)百pm左右的情況下，有可能因所產(chǎn)生的晶須而發(fā)生端子間短路，因此希望有用于抑制晶須產(chǎn)生的對策。作為用于這一點的對策，迄今為止已經(jīng)提出過很多方案，例如在專利文獻(xiàn)l中記載有如下的內(nèi)容，即，在構(gòu)成電子部件的外部端子的引線基材表面形成無鉛Sn鍍層時，通過增大構(gòu)成鍍層的晶體粒徑等，來盡可能地減小每單位體積的鍍層中所含的晶界的大小，從而可以抑制鍍層中晶須的產(chǎn)生。另一方面，在專利文獻(xiàn)2、3中記載有如下的技術(shù)，即，為了改善在形成無鉛Sn-Ag合金鍍覆皮膜(鍍層)時降低焊料潤濕性的情況、或者為了提高接合面強(qiáng)度，對鍍層的特定結(jié)晶方位面的定向指數(shù)進(jìn)行控制的技術(shù)。(321)面的定向指數(shù)試-驗l:恒溫放置(2000H)試-驗2:冷熱循壞(2000次)55"C85"C1.17未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生1.69未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生2.98未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生3.47未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生未產(chǎn)生4.61產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生8.27產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生產(chǎn)生應(yīng)說明的是，定向指數(shù)的計算是利用x射線衍射求出的。<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>應(yīng)說明的是，定向指數(shù)的計算方法與實施例l相同。[評價定向指數(shù)之比(220)/(321)為0.007、0.45的鍍覆構(gòu)件在恒溫放置試驗及冷熱循環(huán)試驗兩者中都產(chǎn)生了晶須。定向指數(shù)之比為2.17、3.43的鍍覆構(gòu)件在恒溫放置試驗中沒有產(chǎn)生晶須，然而在冷熱循環(huán)試驗中產(chǎn)生晶須。但是，定向指數(shù)之比為0.795、1.007的鍍覆構(gòu)件在恒溫放置試驗及冷熱循環(huán)試驗兩者中都沒有產(chǎn)生晶須，可知，通過使由無鉛材料形成的鍍層的(220)面與(321)面的定向指數(shù)之比(220)/(321)為0.5以上1.5以下，可以得到?jīng)]有晶須產(chǎn)生的鍍覆構(gòu)件。<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>(實施例4-2)在1251C的溫度下進(jìn)行10小時(H)、20小時(H)、40小時(H)、60小時(H)的熱處理。將熱處理前的(321)面的定向指數(shù)與熱處理后的(321)面的定向指數(shù)表示于表5中。時間(溫度1251C)熱處理前的(321)面的定向指數(shù)熱處理后的(321)面的定向指數(shù)10H4.474.154.472.9840H4.472.B560H4.474.08基材的定向基底層的定向鍍層的(321)面的定向指數(shù)無2203.27無無基底層4.61[評價如表6所示，在基材不具有定向的情況下，鍍層的(321)面的定向指數(shù)為4.61,脫離本發(fā)明的范圍，然而通過在基材表面形成具有(220)面的定向面的基底層，可以使鍍層的(321)面的定向指數(shù)為3.27這樣的本發(fā)明范圍內(nèi)的值。根據(jù)該結(jié)果可知，作為用于獲得基于本發(fā)明的鍍覆構(gòu)件的方法之一，在基材表面形成具有特定定向的基底層的做法是有效的。權(quán)利要求1.一種鍍覆構(gòu)件，其特征在于，在基材的表面具有由無鉛材料形成的鍍層，所述鍍層的(321)面的定向指數(shù)為2.5以上4.0以下。2.—種鍍覆構(gòu)件，其特征在于，在基材的表面具有由無鉛材料形成的鍍層，所述鍍層的(220)面與(321)面的定向指數(shù)之比即(220)面/(321)面的定向指數(shù)比為0.5以上1.5以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鍍覆構(gòu)件，其中，鍍層形成成分為Sn和/或Sn合金。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍覆構(gòu)件，其中，Sn合金為Sn-Cii合金。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任意一項所述的鍍覆構(gòu)件，其中，基材為Cu或Cu合金。6.根據(jù)權(quán)利要求l-5中任意一項所述的鍍覆構(gòu)件，其中，基材表面具有(220)的定向面。7.根據(jù)權(quán)利要求l-5中任意一項所述的鍍覆構(gòu)件，其中，在基材表面與鍍層之間形成具有(220)的定向面的基底層。8.—種鍍覆構(gòu)件的制造方法，其特征在于，是權(quán)利要求15中任意一項所述的鍍覆構(gòu)件的制造方法，具有如下工序使基材表面的結(jié)晶方位成為(220)面的第一工序、以及對所述基材表面實施鍍覆的第二工序。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍覆構(gòu)件的制造方法，其中，所述第一工序包括在基材表面形成將結(jié)晶方位控制為(220)面的基底層的工序。全文摘要本發(fā)明提供鍍覆構(gòu)件及其制造方法。本發(fā)明的鍍覆構(gòu)件，其特征在于，在基材的表面具有由無鉛的材料形成的鍍層，其中，所述鍍層的(321)面的定向指數(shù)為2.5以上4.0以下。本發(fā)明還提供用于制造此種鍍膜鍍覆構(gòu)件的制造方法，具有使基材表面的結(jié)晶方位成為(220)面的第一工序、以及對所述基材表面實施鍍膜鍍覆的第二工序。根據(jù)本發(fā)明，可以基本上完全地抑制在鍍層中產(chǎn)生晶須的情況。文檔編號C23C30/00GK101636526SQ200880008469公開日2010年1月27日申請日期2008年4月18日優(yōu)先權(quán)日2007年4月25日發(fā)明者坂野充,柴田靖文,近田滋,野村隆史申請人:豐田自動車株式會社