專利名稱：濺射設(shè)備和薄膜形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射設(shè)備和薄膜形成方法，更特別地，涉及獲得均一性品質(zhì)優(yōu)異的膜
并且抑制從靶材產(chǎn)生粒子的濺射設(shè)備和薄膜形成方法。
背景技術(shù)：
在濺射設(shè)備的反應(yīng)濺射中，如氧氣或氮?dú)獾确磻?yīng)氣體與如氬氣等惰性氣體一起被 導(dǎo)入，以在真空室內(nèi)發(fā)生濺射。在該反應(yīng)濺射中，由于所產(chǎn)生的等離子體中的氬離子碰撞靶 材，耙材的粒子被擊出。靶材的粒子與上述反應(yīng)氣體反應(yīng)，并且由該反應(yīng)所產(chǎn)生的反應(yīng)物形 成的膜沉積在基板上。另外，如果反應(yīng)氣體的濃度高，則耙材的表面與反應(yīng)氣體反應(yīng)以形成 化合物層。由于這些物質(zhì)被濺射，具有期望組成的反應(yīng)物沉積在基板上。
在傳統(tǒng)的濺射設(shè)備的情況下，從真空室的壁附近進(jìn)行到真空室的氣體導(dǎo)入。真空 室內(nèi)的氣體濃度保持均一，直到產(chǎn)生等離子體為止。然而， 一旦產(chǎn)生等離子體，反應(yīng)氣體與 等離子體中的濺射原子反應(yīng)從而被消耗。因此，反應(yīng)氣體的濃度在等離子體的周圍高而在 等離子體的中央部低。另外，如上所述，在真空室的壁附近進(jìn)行氣體導(dǎo)入。因此，即使連續(xù) 供給反應(yīng)氣體，也由等離子體外側(cè)的反應(yīng)首先消耗反應(yīng)氣體。從而，在等離子體的外側(cè)和內(nèi) 側(cè)之間可能出現(xiàn)反應(yīng)氣體的濃度梯度。結(jié)果，可能出現(xiàn)如下問(wèn)題沉積在基板上的膜的品質(zhì) 在中央部與外周部之間是不同的。 因此，為了解決上述問(wèn)題，過(guò)去已經(jīng)提出了幾個(gè)提案。 根據(jù)專利文獻(xiàn)1，公開(kāi)了一種濺射設(shè)備，在該濺射設(shè)備中，也從設(shè)置于靶材的多個(gè) 小孔或者設(shè)置于插入構(gòu)件的多個(gè)小孔以及從傳統(tǒng)的氣體導(dǎo)入口(設(shè)置在真空室的壁附近 的氣體導(dǎo)入口 )導(dǎo)入氣體，其中，插入構(gòu)件被置于被分割靶材的分割面上。
專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)平5-320891號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，盡管專利文獻(xiàn)1所示的方法由于能夠使等離子體中的反應(yīng)氣體的分布均一 而成為有效的技術(shù)，但是該方法具有下述待解決的問(wèn)題。首先，在作為專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的 一種形式的通過(guò)在靶材自身中產(chǎn)生小孔來(lái)導(dǎo)入氣體的方法中，可消耗的靶材需要被加工， 從而導(dǎo)致運(yùn)行成本增加。另外，還需要在墊板(backing plate)中產(chǎn)生小孔，從而當(dāng)接合具 有小孔的靶材時(shí)需要相當(dāng)高的精度。隨著基板和靶材的尺寸增加，如上所述的該問(wèn)題變得 日益嚴(yán)重。 接著，在作為專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的另一形式的從設(shè)置在插入構(gòu)件中的多個(gè)小孔導(dǎo) 入氣體的方法中，其中，該插入構(gòu)件被置于被分割靶材的分割面上，由于設(shè)備構(gòu)造的原因， 濺射時(shí)電壓也被施加到插入構(gòu)件。因此，不僅靶材被濺射，而且插入構(gòu)件也被濺射，因此，基 板可能被污染。 另外，隨著平行板式濺射設(shè)備中的基板和靶材的尺寸的增加，墊板也不可避免地 變得更大。另一方面，由于制造方法或者操作的問(wèn)題，難以制造作為一體部件的大的墊板。因此，采用例如如下方法形成通過(guò)將多個(gè)構(gòu)件(也被稱為墊板元件)放在一起而使尺寸增加的墊板(也被稱為大尺寸墊板)，并且將大尺寸墊板安裝到設(shè)備。然而，墊板元件之間
的間隙用作粒子產(chǎn)生源，并且在如ITO膜等透明導(dǎo)電膜的情況下可成為產(chǎn)生結(jié)瘤(nodule)
的原因。也就是說(shuō)，粒子積聚在各墊板之間的間隙中，并且積聚的粒子在間隙中堆積形成結(jié)
瘤。產(chǎn)生結(jié)瘤的進(jìn)程導(dǎo)致如薄膜形成速度降低和電弧放電頻率增加等問(wèn)題。這進(jìn)一步導(dǎo)致
關(guān)閉設(shè)備以進(jìn)行去除結(jié)瘤的工作，從而降低了制造效率。另外，結(jié)瘤可能導(dǎo)致產(chǎn)生額外的粒
子，并且額外的粒子可能例如附著到形成于基板的膜，從而可能導(dǎo)致膜品質(zhì)的劣化。 本發(fā)明的目的是解決上述問(wèn)題并且提供濺射設(shè)備和薄膜形成方法，使得即使對(duì)于
較大的基板也能夠獲得均一性品質(zhì)優(yōu)異的膜并且抑制粒子和結(jié)瘤的產(chǎn)生。
本發(fā)明的第一方面是一種濺射設(shè)備，該濺射設(shè)備包括真空容器；基板保持件，其
位于真空容器內(nèi)以支撐基板；多個(gè)墊板，其被配置成與基板保持件相對(duì)以支撐多個(gè)靶材；
以及氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其用于將氣體導(dǎo)入到真空容器中；其中，多個(gè)墊板被配置成彼此之間形
成有第一間隙，氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)經(jīng)由第一間隙導(dǎo)入氣體。 本發(fā)明的第二方面是一種薄膜形成方法，其利用根據(jù)第一方面的濺射設(shè)備在基板上形成薄膜，該方法包括在多個(gè)墊板上配置彼此之間形成有間隙的多個(gè)靶材的步驟，其中，多個(gè)靶材被以如下方式配置在多個(gè)墊板上使得多個(gè)靶材兩兩之間的第二間隙比多個(gè)墊板兩兩之間的第一間隙小，并且第二間隙與第一間隙的至少一部分重疊。 根據(jù)本發(fā)明，使等離子體內(nèi)的氣體分布均一化，并且減少了用于支撐靶材的構(gòu)件被濺射。因此，可以在基板上形成均一性品質(zhì)優(yōu)異的膜，并且減少基板污染。
另外，從由于基板和靶材的尺寸的增加而使用的多個(gè)墊板兩兩之間的間隙導(dǎo)入氣體，結(jié)果，粒子較不可能積聚在該間隙中。從而，可以抑制粒子和結(jié)瘤的產(chǎn)生。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的濺射設(shè)備的側(cè)面剖視 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的被分割的墊板和靶材的主視 圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的設(shè)置有絕緣板的隔板的主視 圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的隔板的正面剖視 圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的隔板的主視圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。注意，在下面說(shuō)明的附圖
中，用相同的附圖標(biāo)記表示具有相同功能的部件，并且將省略重復(fù)說(shuō)明。(第一實(shí)施方式) 在下文中，將利用圖1至圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的濺射設(shè)備。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的濺射設(shè)備的示意性構(gòu)造的側(cè)面剖視圖。該濺射設(shè)備包括真空容器9、設(shè)置在真空容器9內(nèi)以支撐基板的基板保持件7以及與基板相對(duì)定位的陰極機(jī)構(gòu)。該陰極機(jī)構(gòu)具有用于支撐靶材1的墊板2。靶材1被支撐到該墊板2上。 另外，在濺射設(shè)備中設(shè)置用于將氣體從氣體供給管11A導(dǎo)入到真空容器9的第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)以及用于將氣體從氣體導(dǎo)入管11B導(dǎo)入到真空容器9的第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)。第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)被定位成與真空容器9的墊板2分開(kāi)。第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)用于從墊板供給氣體。 墊板2經(jīng)由絕緣板12被安裝到用作支撐構(gòu)件的隔板3。利用未示出的螺栓構(gòu)件將隔板3安裝到形成進(jìn)行濺射的空間(下文中被稱為成膜室)的真空容器9。利用0型環(huán)10真空密封隔板3和真空容器9。磁體8位于隔板3的大氣側(cè)。 注意，在本實(shí)施方式中，利用0型環(huán)10使隔板3和真空容器9彼此聯(lián)接。然而，本實(shí)施方式不限于此，可以利用例如粘合劑或者螺栓和螺母使隔板3和真空容器9彼此聯(lián)接。從而，只要隔板3和真空容器9能夠彼此聯(lián)接，就可以使用任何構(gòu)件或材料。
圖2是示出靶材1被安裝到墊板2的狀態(tài)的主視圖。 如圖2所示，耙材1具有以預(yù)定間隔配置的三個(gè)耙材構(gòu)件(子耙材)耙材la、lb和lc。在本說(shuō)明書中，耙材la、lb和lc的集合被稱為靶材l。另外，墊板2具有以預(yù)定間隔配置的三個(gè)墊板(子墊板)墊板2a、2b、2c。在本說(shuō)明書中，墊板2a、2b和2c的集合被稱為墊板2。靶材la至lc可以通過(guò)分割一個(gè)靶材形成或者可以是單獨(dú)的靶材。同樣地，墊板2a至2c可以通過(guò)分割一個(gè)墊板形成或者可以是單獨(dú)的墊板。然而，由于可以容易地應(yīng)對(duì)對(duì)大尺寸基板的濺射，因此，使用單獨(dú)的墊板是優(yōu)選的。 圖4是示出靶材1和墊板2被設(shè)置在隔板3上的狀態(tài)的正面剖視圖。墊板2和靶材1經(jīng)由絕緣板12被安裝到隔板3。氣體導(dǎo)入槽5被設(shè)置在隔板3中。氣體導(dǎo)入槽5在隔板3的絕緣板12側(cè)形成為溝槽(trench)。各氣體導(dǎo)入槽5的一部分被連接到用于將氣體導(dǎo)入到真空容器9中的氣體供給管IIB。 圖5是示出設(shè)置有氣體導(dǎo)入槽5的隔板3的主視圖。 注意，在本實(shí)施方式中，隔板3被設(shè)置成與真空容器9分開(kāi)的構(gòu)件，并且利用作為連接部件的0型環(huán)10等使隔板3與真空容器9聯(lián)接。然而，本實(shí)施方式不限于此，隔板3和真空容器9可以彼此成一體。也就是說(shuō)，可以使真空容器9的預(yù)定壁起到隔板3的作用。在該情況下，各氣體導(dǎo)入槽5和氣體導(dǎo)入管11B之間的連接機(jī)構(gòu)可以形成在真空容器9的
預(yù)定壁上。 圖3是示出絕緣板12被安裝到隔板3的狀態(tài)的主視圖。在絕緣板12中設(shè)置多個(gè)孔(通孔)13。絕緣板12的孔13被設(shè)置在與位于絕緣板的背面?zhèn)鹊臍怏w導(dǎo)入槽5(虛線)連通的位置。也就是說(shuō)，孔13被定位成使供給到氣體導(dǎo)入槽5的氣體通過(guò)該孔13。
注意，在本實(shí)施方式中，與位于真空容器9的壁附近的氣體導(dǎo)入管IIA分開(kāi)地，氣體從氣體導(dǎo)入管11B側(cè)經(jīng)由氣體導(dǎo)入槽5和孔13供給到成膜室側(cè)。也就是說(shuō)，從形成在產(chǎn)生等離子體的區(qū)域內(nèi)的陰極機(jī)構(gòu)的預(yù)定位置的孔13供給氣體。在氣體從這些孔13被供給到成膜室中的情況下，可以減小如反應(yīng)氣體等氣體的濃度梯度。由于可以將氣體均一地供給到產(chǎn)生等離子體的區(qū)域并且進(jìn)一步使上述濃度梯度均一化，因此，如圖3所示，沿著各氣體導(dǎo)入槽5的長(zhǎng)度方向配置多個(gè)孔13是優(yōu)選的。然而，即使僅形成一個(gè)孔13，也可以將氣體供給到所產(chǎn)生的等離子體中。從而，可以使上述濃度梯度減小相應(yīng)的量。如上所述，在本實(shí)施方式中，可以通過(guò)形成至少一個(gè)孔13使得氣體導(dǎo)入槽5和成膜室彼此連通來(lái)得到上述優(yōu)點(diǎn)。 構(gòu)成墊板2的各墊板2a至2c以彼此之間形成有間隙的狀態(tài)被配置在絕緣板12上。此時(shí)，各墊板2a至2c被布置成不阻擋形成于絕緣板12的所有孔13。也就是說(shuō)，墊板2a至2c被定位成使得墊板2a至2c兩兩之間的間隙15與一些孔13重疊。另外，由于通過(guò)間隙15的氣體需要被導(dǎo)入到成膜室中，因此，耙材la至lc兩兩之間的間隙14與間隙15的至少一部分重疊。通過(guò)以這種方式形成間隙14和間隙15，可以將從各氣體導(dǎo)入槽5導(dǎo)入的氣體供給到成膜室中。 另外，構(gòu)成靶材1的各靶材la至lc以彼此之間形成有用作氣體噴出口 4的間隙的狀態(tài)被配置在墊板2上。靶材1被設(shè)置在墊板2上，使得靶材兩兩之間的間隙14比墊板兩兩之間的間隙15小。通過(guò)以這種方式使間隙14比間隙15小，可以使耙材la至lc起到阻擋等離子體的掩模的作用，從而防止墊板2a至2c暴露于等離子體。因此，可以防止墊板被濺射并且減少基板污染。 耙材兩兩之間的間隙14優(yōu)選是0. 2mm以上，但是不大于1. 0mm。通過(guò)將該間隙設(shè)定成1. Omm以下，可以防止濺射粒子通過(guò)該間隙旁通。另外，通過(guò)將該間隙設(shè)定成O. 2mm以上，可以防止在通常使用范圍內(nèi)的氣體流量下阻擋從孔13噴出氣體。 注意，在本實(shí)施方式中，如圖2所示，墊板2是沿上下方向被分成三部分的墊板2a、2b和2c(子墊板)的集合，靶材l是靶材la、lb和lc(子靶材)的集合。然而，可以任意地改變子墊板和子靶材的數(shù)量和尺寸。 另外，在上述實(shí)施方式中，用作氣體供給口的孔被設(shè)置在絕緣板中。作為可選方案，可以使用板狀體而不限于絕緣板。 借助于設(shè)置在隔板3中的氣體導(dǎo)入槽5將氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)連接到大氣側(cè)的氣體導(dǎo)入管IIB。因此，即使在氣體導(dǎo)入路徑被設(shè)置在靶材1與磁體8之間以將氣體供給到所產(chǎn)生的等離子體中的情況下，也可以減小靶材1與磁體8之間的距離。從而，可以增大靶材1的表面上的磁場(chǎng)強(qiáng)度。這里，磁體8優(yōu)選能夠相對(duì)于耙材1平行地且橫向地?cái)[動(dòng)，以提高耙材1的利用效率。 通過(guò)下文中說(shuō)明的以下步驟來(lái)執(zhí)行具有上述構(gòu)造的反應(yīng)濺射設(shè)備中的薄膜形成。首先，如圖2和圖4所示，耙材la至lc被定位在以預(yù)定間隔配置的墊板2a至2c上。也就是說(shuō)，耙材la至lc被布置在墊板2a至2c上，使得耙材la至lc兩兩之間的間隙比墊板2a至2c兩兩之間的間隙小，并且耙材la至lc兩兩之間的間隙與墊板2a至2c兩兩之間的間隙的至少一部分重疊。 接著，利用MFC (質(zhì)量流量控制器)等預(yù)先控制如氬氣等惰性氣體和如氮?dú)饣蜓鯕獾确磻?yīng)氣體的流量，以使如氬氣等惰性氣體和如氮?dú)饣蜓鯕獾确磻?yīng)氣體具有預(yù)定的壓力，然后，從氣體導(dǎo)入管11A和IIB供給作為混合氣體的如氬氣等惰性氣體和如氮?dú)饣蜓鯕獾确磻?yīng)氣體。從第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)同時(shí)進(jìn)行上述混合氣體的導(dǎo)入，在前一種情況下，氣體被直接導(dǎo)入到真空容器中，在后一種情況下，氣體借助于隔板3內(nèi)部的氣體導(dǎo)入槽5經(jīng)由包括在墊板2和靶材1中的間隙從氣體噴出口 4被導(dǎo)入到真空容器9中。
接著，利用DC電源等對(duì)靶材1施加電力，以進(jìn)行反應(yīng)濺射，從而在與靶材1相對(duì)的基板6上形成膜。注意，經(jīng)由隔板3并且利用貫穿絕緣板的電力供給路徑將電力從DC電源供給到耙材l。 注意，在上述實(shí)施方式中，第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)被設(shè)置在真空容器中，并且從各氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)供給含有惰性氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體。然而，從第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入混合氣體不是本質(zhì)。本發(fā)明的本質(zhì)是使產(chǎn)生等離子體的區(qū)域中的反應(yīng)氣體的濃度梯度均一化。在本發(fā)明中，如果從第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)供給反應(yīng)氣體，則可以減小反應(yīng)氣體的濃度梯度。另外，由于從第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)供給至少反應(yīng)氣體，因此，可以從第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)僅導(dǎo)入用于濺射靶材的惰性氣體。也就是說(shuō)，可以從第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)供給至少反應(yīng)氣體，并且可以從第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)供給至少惰性氣體。
如上所述，在本實(shí)施方式中，以彼此之間設(shè)置有間隙的狀態(tài)配置多個(gè)墊板2a至2c以及多個(gè)靶材la至lc，沿著這些間隙的長(zhǎng)度方向形成與氣體導(dǎo)入管IIB連接的氣體導(dǎo)入槽5，并且間隙14和15形成為供從氣體導(dǎo)入槽5供給的氣體通過(guò)。因此，反應(yīng)氣體能夠從靶材內(nèi)的區(qū)域被供給到陰極機(jī)構(gòu)與基板6之間的區(qū)域。從而，可以減小產(chǎn)生等離子體的區(qū)域中的反應(yīng)氣體的濃度梯度。因此，可以使將在基板上形成的膜的品質(zhì)均一化。
傳統(tǒng)上，為了增加基板或靶材的尺寸，配置多個(gè)墊板。因此，存在粒子積聚在墊板之間的間隙中并且用作粒子產(chǎn)生源的情況。然而，在本實(shí)施方式中，使墊板之間的間隙起到氣體導(dǎo)入路徑的一部分的功能。因此，上述間隙中積聚的粒子減少，從而可以抑制結(jié)瘤和粒子的產(chǎn)生。 此外，在本實(shí)施方式中，使用多個(gè)墊板和多個(gè)耙材，并且利用當(dāng)配置這些墊板和耙材時(shí)形成的間隙來(lái)形成氣體導(dǎo)入路徑的一部分。因此，無(wú)需如在專利文獻(xiàn)1中那樣執(zhí)行在靶材和墊板中產(chǎn)生孔的加工或者設(shè)置插入構(gòu)件的加工就可以將氣體供給到陰極機(jī)構(gòu)與基板之間的區(qū)域。因此，可以以減少的成本來(lái)執(zhí)行反應(yīng)濺射。另外，通過(guò)無(wú)需應(yīng)用上述加工而如上所述地配置墊板和靶材，可以形成氣體導(dǎo)入路徑。因此，可以使用現(xiàn)有的墊板和靶材而無(wú)需進(jìn)行加工，并且容易增加基板和靶材的尺寸。
(第二實(shí)施方式) 在第一實(shí)施方式中，說(shuō)明了包括第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)二者的形式。在本實(shí)施方式中，將說(shuō)明不設(shè)置第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的形式。 當(dāng)從第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入含有惰性氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體時(shí)，惰性氣體和
反應(yīng)氣體二者都被導(dǎo)入到真空容器9內(nèi)的陰極機(jī)構(gòu)與基板6之間。另外，第二氣體導(dǎo)入機(jī)
構(gòu)被設(shè)計(jì)成供給氣體，從而減小陰極機(jī)構(gòu)與基板6之間的產(chǎn)生等離子體的區(qū)域中的反應(yīng)氣
體的濃度梯度。因此，無(wú)需設(shè)置包括氣體導(dǎo)入管IIA的第一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)就可以將惰性氣
體和反應(yīng)氣體供給到產(chǎn)生等離子體的區(qū)域。另外，可以使反應(yīng)氣體的濃度梯度均一化。 如上所述，在本實(shí)施方式中，當(dāng)從第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)供給混合氣體時(shí)，如果第一氣
體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)未被設(shè)置在真空中，則可以實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施方式相同的優(yōu)點(diǎn)。 雖然已經(jīng)參照

了本申請(qǐng)的優(yōu)選方案和實(shí)施方式，但是，本發(fā)明不限于這
些方案和實(shí)施方式，而是可以在從所附權(quán)利要求書的范圍的說(shuō)明所了解的技術(shù)范圍內(nèi)被變
型成各種其它形式。
權(quán)利要求
一種濺射設(shè)備，其包括真空容器；基板保持件，其位于所述真空容器內(nèi)以支撐基板；多個(gè)墊板，其被配置成與所述基板保持件相對(duì)以支撐多個(gè)靶材；以及氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其用于將氣體導(dǎo)入到所述真空容器中；其中，所述多個(gè)墊板被配置成彼此之間形成有第一間隙，所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)經(jīng)由所述第一間隙導(dǎo)入氣體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其特征在于，所述濺射設(shè)備還包括配置在所述多 個(gè)墊板上的所述多個(gè)靶材，所述多個(gè)靶材彼此之間形成有第二間隙，其中，所述多個(gè)靶材被以如下方式配置在所述多個(gè)墊板上使得所述多個(gè)靶材兩兩之 間的所述第二間隙比所述多個(gè)墊板兩兩之間的所述第一間隙小，并且所述第二間隙與所述 第一間隙的至少一部分重疊，所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)經(jīng)由所述第一間隙和所述第二間隙導(dǎo)入氣體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其特征在于，所述濺射設(shè)備還包括絕緣板，其位于所述多個(gè)墊板的與用于支撐所述多個(gè)靶材的表面相反的表面上，并且 所述絕緣板具有至少一個(gè)通孔；以及支撐構(gòu)件，其位于所述絕緣板的與配置所述多個(gè)墊板的表面相反的表面上，并且在所 述支撐構(gòu)件中形成槽；其中，所述絕緣板位于所述支撐構(gòu)件的形成有所述槽的表面上；并且所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)順次經(jīng)由所述槽、所述通孔以及所述第一間隙導(dǎo)入所述氣體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射設(shè)備，其特征在于，所述第二間隙位于0. 2mm至1. 0mm的 范圍內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其特征在于，由所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入到所述真 空容器中的氣體是含有惰性氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其特征在于，所述濺射設(shè)備還包括另一氣體導(dǎo)入 機(jī)構(gòu)，所述另一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)與所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)分開(kāi)設(shè)置并且被設(shè)計(jì)成從與所述墊板分 開(kāi)的位置導(dǎo)入氣體。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射設(shè)備，其特征在于，從所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入至少惰性 氣體，并且從所述分開(kāi)的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入至少反應(yīng)氣體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射設(shè)備，其特征在于，從所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和所述分開(kāi)的 氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入含有所述惰性氣體和所述反應(yīng)氣體的混合氣體。
9. 一種薄膜形成方法，其使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備在基板上形成薄膜，該 方法包括在所述多個(gè)墊板上配置彼此之間形成有間隙的所述多個(gè)靶材的步驟，其中，所述多個(gè)靶材被以如下方式配置在所述多個(gè)墊板上使得所述多個(gè)靶材兩兩之間的所述第二間隙比所述多個(gè)墊板兩兩之間的所述第一間隙小，并且所述第二間隙與所述第一間隙的至少一部 分重疊。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜形成方法，其特征在于，以所述方式導(dǎo)入的氣體是含有 惰性氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述濺射設(shè)備還包括另一氣體 導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，所述另一氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)與所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)分開(kāi)設(shè)置并且被設(shè)計(jì)成從與所述氣 體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)分開(kāi)的位置導(dǎo)入氣體，其中，從所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入至少惰性氣體，并且從所述分開(kāi)的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入 至少反應(yīng)氣體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜形成方法，其特征在于，從所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和所述 分開(kāi)的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)導(dǎo)入含有所述惰性氣體和所述反應(yīng)氣體的混合氣體。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜形成方法，其特征在于，從所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)和所述 分開(kāi)的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)同時(shí)導(dǎo)入所述混合氣體。
全文摘要
本發(fā)明提供即使對(duì)于較大的基板也能獲得具有均一性的品質(zhì)優(yōu)異的膜并且抑制粒子和結(jié)瘤的產(chǎn)生的濺射設(shè)備和薄膜形成方法。本發(fā)明的濺射設(shè)備包括真空容器(9)；基板保持件(7)，其用于支撐基板(6)；陰極機(jī)構(gòu)，其被定位成與基板(6)相對(duì)，以及第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其用于將氣體導(dǎo)入到真空容器(9)中。陰極機(jī)構(gòu)具有彼此之間形成有間隙的多個(gè)靶材(1a)至(1c)和彼此之間形成有間隙的多個(gè)墊板(2a)至(2c)。多個(gè)靶材兩兩之間的間隙(14)比多個(gè)墊板兩兩之間的間隙(15)小。另外，間隙(14)與間隙(15)的至少一部分重疊。第二氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)經(jīng)由間隙(15)和間隙(14)導(dǎo)入氣體。
文檔編號(hào)C23C14/34GK101778961SQ20088001031
公開(kāi)日2010年7月14日 申請(qǐng)日期2008年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月30日
發(fā)明者千葉俊伸, 吉岡勝也 申請(qǐng)人:佳能安內(nèi)華股份公司