專利名稱：：研磨裝置及其程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及研磨裝置及其程序，尤其涉及將半導(dǎo)體晶片等研磨對(duì)象物研磨平整且成為鏡面狀的研磨裝置以及存儲(chǔ)在該研磨裝置的控制部中的程序。
背景技術(shù)：
：作為半導(dǎo)體裝置的布線形成工藝，一直使用將金屬(布線材料)埋入布線槽以及通孔的工藝(所謂金屬鑲嵌(夕'7V乂)工藝)。這是在預(yù)先形成在層間絕緣膜的布線槽或通孔中埋入鋁、近年來(lái)埋入銅或銀等金屬之后，通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)除去多余的金屬來(lái)實(shí)現(xiàn)平坦化的工藝技術(shù)。圖1A圖1D按工序順序表示半導(dǎo)體裝置的銅布線形成例。首先，如圖1A所示，在形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基材1上的導(dǎo)電層la之上，堆積例如由Si02形成的氧化膜或Low-K材料膜等的絕緣膜(層間絕緣膜)2，并通過(guò)例如光刻蝕刻技術(shù)在該絕緣膜2的內(nèi)部形成作為布線用微小凹部的通孔3和布線槽4，通過(guò)濺射法等，在其上形成由TaN等形成的阻擋層5(barrier)，進(jìn)一步在阻擋層5上形成作為電解電鍍的供電層的種子層(seed)6。然后，如圖1B所示，通過(guò)在晶片(研磨對(duì)象物)W的表面上鍍銅，在晶片W的通孔3以及布線槽4內(nèi)填充銅，并且在絕緣膜2上堆積銅膜7。然后，如圖1C所示，通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)等，除去阻擋層5上的種子層6以及銅膜7而使阻擋層5的表面露出，進(jìn)一步，如圖1D所示，除去絕緣膜2上的阻擋膜5，并根據(jù)需要除去絕緣膜2的表層的一部分，從而在絕緣膜2的內(nèi)部形成由種子層6和銅膜7形成的布線(銅布線)8。為了提高生產(chǎn)率，幵發(fā)有具備2條研磨線和1條清洗線的研磨裝置。在這樣的研磨裝置中，將研磨后的晶片(研磨對(duì)象物)依次從2條研磨線供給至1條清洗線。此時(shí)，在1張晶片進(jìn)入清洗工序時(shí)，直到該清洗工序結(jié)束，其他的晶片不能夠進(jìn)入清洗工序。因此，不能夠在研磨剛結(jié)束后就開(kāi)始對(duì)結(jié)束了研磨的晶片進(jìn)行清洗，從而產(chǎn)生需要待機(jī)至清洗機(jī)空閑為止的情況。在此，在金屬膜研磨工藝，例如上述的銅布線形成工藝中的銅膜研磨工藝中，如果研磨后的晶片在研磨結(jié)束后直接以潮濕的狀態(tài)進(jìn)行放置，則形成晶片表面的銅布線的銅會(huì)發(fā)生腐蝕。由于銅在半導(dǎo)體電路中形成布線，所以銅的腐蝕使布線電阻增大，因此，要求盡量避免銅發(fā)生腐蝕。以往，在研磨結(jié)束后至開(kāi)始進(jìn)行清洗的期間內(nèi)，為了延緩構(gòu)成銅布線的銅的腐蝕，通常向晶片表面供給純水，從而不使研磨后的晶片表面直接暴露在大氣中。但是，該方法不能夠可靠地防止銅的腐蝕。為了更加可靠地防止銅的腐蝕，要求盡量縮短從研磨結(jié)束至清洗開(kāi)始之間的時(shí)間本身。在此，例如提出有在晶片處理裝置中，管理晶片的輸送、處理以及清洗的工序的調(diào)度程序(參照日本特表2004-526263號(hào)公報(bào)、日本特表2002-511193號(hào)公報(bào)以及國(guó)際公開(kāi)第01/054187號(hào)小冊(cè)子)。對(duì)于以往的對(duì)晶片的輸送、處理以及清洗的工序進(jìn)行管理的調(diào)度程序，其主要目的通常是使生產(chǎn)率最大化。但是，若要想使生產(chǎn)率最大化，則有時(shí)在從研磨結(jié)束至清洗開(kāi)始的期間內(nèi)會(huì)產(chǎn)生晶片的清洗等待時(shí)間，因此，例如在銅布線形成工藝中，銅的腐蝕進(jìn)行，不能夠滿足更加可靠地防止銅的腐蝕的要求。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的在于提供盡量維持高的生產(chǎn)率而且使對(duì)研磨對(duì)象物的研磨結(jié)束至清洗開(kāi)始之間的時(shí)間最短的研磨裝置以及存儲(chǔ)在該研磨裝置的控制部?jī)?nèi)的程序。本發(fā)明的研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；第一研磨線以及第二研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)。上述控制部基于上述第一以及第二研磨線中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間、上述輸送機(jī)構(gòu)中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間、上述清洗線中的預(yù)測(cè)清洗時(shí)間以及驅(qū)動(dòng)上述清洗線的上述輸送單元開(kāi)始進(jìn)行清洗的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，決定上述第一或第二研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻。本發(fā)明的其他研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；多個(gè)研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)。上述控制部將從上述清洗線的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述多個(gè)研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊１景l(fā)明的又一其他研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；研磨線，具備對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨的多個(gè)研磨部；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的多個(gè)清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)。上述控制部將從上述清洗線的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧?。本發(fā)明的程序存儲(chǔ)在研磨裝置的控制部?jī)?nèi)，所述研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；第一研磨線以及第二研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)。該程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟基于上述第一以及第二研磨線中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間、上述輸送機(jī)構(gòu)中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間、上述清洗線中的預(yù)測(cè)清洗時(shí)間以及驅(qū)動(dòng)上述清洗線的上述輸送單元開(kāi)始進(jìn)行清洗的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，決定上述第一或第二研磨線的研磨幵始時(shí)刻。本發(fā)明的其他程序存儲(chǔ)在研磨裝置的控制部?jī)?nèi)，所述研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；多個(gè)研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)。該程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟將從上述清洗線的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述多個(gè)研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊１景l(fā)明的又一其他程序存儲(chǔ)在研磨裝置的控制部?jī)?nèi)，所述研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；研磨線，具備對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨的多個(gè)研磨部；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的多個(gè)清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)的運(yùn)轉(zhuǎn)。該程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟將從上述清洗線的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧?。根?jù)本發(fā)明，能夠在盡量維持高的生產(chǎn)率的情況下，也就是說(shuō)要某種程度地犧牲生產(chǎn)率的提高，不產(chǎn)生在研磨結(jié)束后至開(kāi)始進(jìn)行清洗為止的期間內(nèi)的清洗等待時(shí)間，立即清洗研磨結(jié)束后的研磨對(duì)象物，從而在使用例如銅布線形成工藝時(shí)，能夠更加可靠地防止銅的腐蝕。圖1A至1D是按工序順序表示半導(dǎo)體裝置的銅布線形成例的圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的研磨裝置的整體結(jié)構(gòu)的概要的俯視圖。圖3是表示圖2所示的研磨裝置的概要的結(jié)構(gòu)圖。圖4是為了使生產(chǎn)率最大化通過(guò)控制部控制圖2所示的研磨裝置時(shí)的時(shí)序圖。圖5是表示圖2所示的研磨裝置的第一控制例的時(shí)序圖。圖6是表示圖2所示的研磨裝置的第二控制例的時(shí)序圖。圖7是表示圖2所示的研磨裝置的第三控制例的時(shí)序圖。圖8是表示圖2所示的研磨裝置的第四控制例的時(shí)序圖。圖9是表示輸送管理軟件與在第二研磨結(jié)束后對(duì)輸送進(jìn)行控制以使晶片不出現(xiàn)等待時(shí)間地到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)的研磨線及輸送機(jī)構(gòu)之間的關(guān)系的流程圖。圖IO是計(jì)算中的晶片位于第一清洗機(jī)，而第二第四清洗機(jī)處于空閑狀態(tài)時(shí)的晶片圖(wafermap)的示意圖。圖IIA是表示前一晶片的晶片圖的示意圖的一例的圖，圖IIB是表示圖11A所示的前一晶片的晶片圖變化2次(N=2)后的晶片圖的示意圖。圖12是表示清洗單元和輸送管理軟件之間的關(guān)系的流程圖。具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。在下面的例子中示出了，準(zhǔn)備圖1B所示的在表面形成有銅膜7的晶片W，如圖1C所示，研磨除去阻擋層5上的銅膜7以及種子層6而使阻擋層7露出(第一研磨)，然后，如圖1D所示，研磨除去絕緣膜2上的阻擋層5以及按需要研磨除去絕緣膜2的表層的一部分(第二研磨)這樣的分2步進(jìn)行研磨的例子。另夕卜，下面說(shuō)明的研磨裝置的工序管理在研磨裝置內(nèi)的圖2所示的控制部70中進(jìn)行，該工序管理系統(tǒng)作為程序存儲(chǔ)在控制部?jī)?nèi)。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的研磨裝置的整體結(jié)構(gòu)的概要的俯視圖，圖3是表示圖2所示的研磨裝置的概要的結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，本實(shí)施方式的研磨裝置具備大致矩形的殼體10和載置容納有大量半導(dǎo)體晶片(研磨對(duì)象物)的多個(gè)(在本實(shí)施方式中為3個(gè))盒12的載置部14。盒12容納在例如由SMIF(StandardManufacturingInterface:標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面)箱或FOUP(FrontOpeningUnifiedPod:前開(kāi)式統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)箱)形成的密閉容器內(nèi)。在殼體10的內(nèi)部，在沿著殼體10的長(zhǎng)度方向的一個(gè)側(cè)面容納有第一研磨線20和第二研磨線30，所述第一研磨線20具備第一研磨部22和第二研磨部24，所述第二研磨線30具備第一研磨部32和第二研磨部34。第一研磨線20的第一研磨部22具備可自由裝卸地保持晶片W的頂圈(topring)22a和表面具有研磨面的研磨臺(tái)22b，第二研磨部24具備可自由裝卸地保持晶片的頂圈24a和表面具有研磨面的研磨臺(tái)24b。同樣，第二研磨線30的第一研磨部32具備頂圈32a和研磨臺(tái)32b，第二研磨部34具備頂圈34a和研磨臺(tái)34b。在殼體10的內(nèi)部，在沿著殼體10的長(zhǎng)度方向的另一個(gè)側(cè)面容納有清洗線40。在本例子中，該清洗線40具備配置成第一清洗機(jī)42a、第二清洗機(jī)42b、第三清洗機(jī)42c以及第四清洗機(jī)42d串聯(lián)的4個(gè)清洗機(jī)，以及具有對(duì)應(yīng)于該清洗機(jī)個(gè)數(shù)的手部且反復(fù)進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)的輸送單元44(參照?qǐng)D3)。由此，通過(guò)該輸送單元44的反復(fù)往返運(yùn)動(dòng)，晶片一邊依次被輸送至第一清洗機(jī)42a、第二清洗機(jī)42b、第三清洗機(jī)42c、第四清洗機(jī)42d—邊進(jìn)行清洗。其清洗節(jié)拍(tact)(清洗時(shí)間)設(shè)定為清洗機(jī)42a42d中清洗時(shí)間最長(zhǎng)的清洗機(jī)的清洗時(shí)間，在清洗時(shí)間最長(zhǎng)的清洗機(jī)的清洗工序結(jié)束之后，輸送單元44被驅(qū)動(dòng)來(lái)輸送晶片。在被載置部14、研磨線20、30以及清洗線40夾著的位置上，配設(shè)有在它們之間輸送晶片的輸送機(jī)構(gòu)50。該輸送機(jī)構(gòu)50具備使研磨前的晶片翻轉(zhuǎn)180。的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)52a及使研磨后的晶片翻轉(zhuǎn)180。的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b，在第一翻轉(zhuǎn)機(jī)52a和載置部14之間配置有第一輸送機(jī)械手54a，在第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b和清洗線40之間配設(shè)有第二輸送機(jī)械手54b。在第一研磨線20和清洗線40之間，從載置部14側(cè)按順序配置有第一直線式傳送裝置56a、第二直線式傳送裝置56b、第三直線式傳送裝置56c以及第四直線式傳送裝置56d。在該第一直線式傳送裝置56a的上方配置有上述第一翻轉(zhuǎn)機(jī)52a，在其下方配置有能夠上下升降的升降機(jī)58a。在第二直線式傳送裝置56b的下方配置有能夠上下升降的推進(jìn)器60a，在第三直線式傳送裝置56c的下方配置有能夠上下升降的推進(jìn)器60b。在第四直線式傳送裝置56d的下方配置有能夠上下升降的升降機(jī)58b。在第二研磨線30偵U，從載置部14側(cè)按順序配置有第五直線式傳送裝置56e、第六直線式傳送裝置56f以及第七直線式傳送裝置56g。在該第五直線式傳送裝置56e的下方配置有能夠上下升降的升降機(jī)58c，在第六直線式傳送裝置56f的下方配置有能夠上下升降的推進(jìn)器60c。在第七直線式傳送裝置56g的下方配置有能夠上下升降的推進(jìn)器60d。接著，說(shuō)明使用這樣的結(jié)構(gòu)的研磨裝置對(duì)晶片進(jìn)行研磨的處理。由第一輸送機(jī)械手54a從載置于載置部14的一個(gè)盒12取出的奇數(shù)張的第1張、第3張……的晶片，按照"第一翻轉(zhuǎn)機(jī)52a—第一直線式傳送裝置56a—頂圈22a(第一研磨線20的第一研磨部22)—第二直線式傳送裝置56b—頂圈24a(第一研磨線20的第二研磨部24)—第三直線式傳送裝置56c—第二輸送機(jī)械手54b—第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b—清洗機(jī)42a—清洗機(jī)42b—清洗機(jī)42c—清洗機(jī)42d—第一輸送機(jī)械手54a"的路徑被輸送，然后返回至原來(lái)的盒12。由第一輸送機(jī)械手54a從載置在載置部14中的同一個(gè)盒12取出的偶數(shù)張的第2張、第4張……的晶片，按照"第一翻轉(zhuǎn)機(jī)52a—第四直線式傳送裝置56d—第二輸送機(jī)械手54b—第五直線式傳送裝置56e—頂圈32a(第二研磨線30的第一研磨部32)—第六直線式傳送裝置56f—頂圈34a(第二研磨線30的第二研磨部34)—第七直線式傳送裝置56g—第二輸送機(jī)械手54b—第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b—清洗機(jī)42a—清洗機(jī)42b—清洗機(jī)42c—清洗機(jī)42d—第一輸送機(jī)械手54a"的路徑被輸送，然后返回至原來(lái)的盒12。在此，通過(guò)第一研磨線20的第一研磨部22以及第二研磨線30的第一研磨部32，如上所述研磨除去阻擋層5上的銅膜7以及種子層6(第一研磨)，通過(guò)第一研磨線20的第二研磨部24以及第二研磨線30的第二研磨部34，研磨除去絕緣膜2上的阻擋層5以及按照需要研磨除去絕緣膜2的表層的一部分(第二研磨)。然后，依次通過(guò)清洗機(jī)42a42d清洗第二研磨后的晶片，然后在進(jìn)行干燥后返回至盒12。在清洗線40上，在通過(guò)第一清洗機(jī)42a清洗由第一研磨線20研磨了的第1張晶片后，通過(guò)輸送單元44同時(shí)把持第1張晶片和由第二研磨線30研磨了的第2張晶片，同時(shí)地將第1張晶片輸送至第二清洗機(jī)42b、將第2張晶片輸送至第一清洗機(jī)42a，從而同時(shí)清洗2張晶片。然后，在清洗第l張以及第2張這2張晶片后，通過(guò)輸送單元44同時(shí)把持第1張及第2張晶片和由第一研磨線20研磨了的第3張晶片，同時(shí)地將第1張晶片輸送至第三清洗機(jī)42c、將第2張晶片輸送至第二清洗機(jī)42b、將第3張晶片輸送至第一清洗機(jī)42a，從而同時(shí)清洗3張晶片。通過(guò)依次反復(fù)進(jìn)行該操作，能夠通過(guò)1條清洗線40來(lái)應(yīng)對(duì)2條研磨線20、30。此時(shí)，如果通過(guò)控制部控制研磨裝置使生產(chǎn)率最大化，則如圖4的時(shí)序圖所示，在直到通過(guò)第一清洗機(jī)42a對(duì)研磨后的第2張晶片進(jìn)行清洗為止的期間產(chǎn)生清洗等待時(shí)間S,。另外，在直到通過(guò)第一清洗機(jī)42a對(duì)研磨后的第3張晶片進(jìn)行清洗為止的期間產(chǎn)生清洗等待時(shí)間S2。進(jìn)一步，在直到通過(guò)第一清洗機(jī)42a對(duì)研磨后的第4張晶片進(jìn)行清洗為止的期間產(chǎn)生清洗等待時(shí)間S3、S4。這樣，如果在研磨結(jié)束后至開(kāi)始進(jìn)行清洗的期間產(chǎn)生清洗等待時(shí)間，則例如在銅布線形成工藝中，銅有可能被腐蝕。此外，在上述的例子中，對(duì)從同一個(gè)盒12取出的奇數(shù)張的晶片由第一研磨線20、對(duì)從同一個(gè)盒12取出的偶數(shù)張的晶片由第二研磨線30分別交替地進(jìn)行研磨，但也可以是對(duì)從同一個(gè)盒12取出的奇數(shù)張的晶片由第二研磨線30而對(duì)從同一個(gè)盒12取出的偶數(shù)張的晶片由第一研磨線20分別交替地進(jìn)行研磨，還可以是對(duì)從不同的盒交替取出的晶片由第一研磨線20和第二研磨線30交替進(jìn)行研磨，然后使清洗后的晶片返回至原來(lái)的盒。在本發(fā)明中，為了盡可能地維持高的生產(chǎn)率，且不產(chǎn)生清洗等待時(shí)間，在研磨結(jié)束后能夠以最短的時(shí)間立即對(duì)晶片進(jìn)行清洗，而通過(guò)控制部按如下方式對(duì)研磨裝置進(jìn)行控制。在以下的例子中，說(shuō)明對(duì)從同一個(gè)盒12取出的奇數(shù)張的晶片由第一研磨線20、對(duì)從同一個(gè)盒12取出的偶數(shù)張的晶片由第二研磨線30分別交替進(jìn)行研磨的情況。首先，說(shuō)明不產(chǎn)生圖4所示的時(shí)序圖中的晶片的清洗等待時(shí)間S!S4，而能夠在研磨結(jié)束后立即轉(zhuǎn)移至對(duì)研磨結(jié)束后的第1張第4張晶片進(jìn)行清洗的工序的第一例子。此時(shí)，在由第一研磨線20的第一研磨部22(或者第二研磨線30的第一研磨部32)開(kāi)始進(jìn)行研磨之前，分別預(yù)測(cè)(1)在第一研磨部22、32中的研磨時(shí)間、(2)在第二研磨部24、34中的研磨時(shí)間、(3)從第一研磨部22或32至第二研磨部24或34的輸送時(shí)間以及(4)清洗開(kāi)始時(shí)刻。然后，基于這些預(yù)測(cè)值，計(jì)算第一研磨線20以及第二研磨線30中的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻與清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻的差值，將該差值作為研磨等待時(shí)間，使第一研磨線20的第一研磨部22及/或第二研磨線30的第一研磨部32中的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲該研磨等待時(shí)間。下面說(shuō)明具體的例子。(1)預(yù)測(cè)計(jì)算的實(shí)施時(shí)機(jī)預(yù)測(cè)計(jì)算在開(kāi)始進(jìn)行研磨工序之前進(jìn)行。具體地說(shuō)，開(kāi)始進(jìn)行研磨工序之前是指，開(kāi)始從第一直線式傳送裝置56a向第一研磨線20的第一研磨部22輸送晶片時(shí)，或者輸送結(jié)束之后。此外，在從第二研磨線30開(kāi)始進(jìn)行研磨的情況下，開(kāi)始進(jìn)行研磨工序之前是指，從第五直線式傳送裝置56e向第二研磨線30的第一研磨部32輸送晶片時(shí)，或者輸送結(jié)束之后。(2)預(yù)測(cè)算式的項(xiàng)目T1:第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間預(yù)測(cè)第一研磨線20的第一研磨部22中的研磨時(shí)間，將其作為第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T^。在本例中，第二研磨線30的第一研磨部32的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間也為IV作為預(yù)測(cè)研磨時(shí)間Td列如可以通過(guò)配方數(shù)據(jù)(recipedata)進(jìn)行計(jì)算或者采用同一配方的過(guò)去的平均時(shí)間。通常第一研磨部22、32的研磨(第一研磨)是一邊檢測(cè)研磨終點(diǎn)一邊進(jìn)行的。這樣，在一邊檢測(cè)終點(diǎn)一邊進(jìn)行研磨的情況下，晶片間研磨時(shí)間會(huì)出現(xiàn)偏差。因此，優(yōu)選采用平均時(shí)間。T2:第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間預(yù)測(cè)第一研磨線20的第二研磨部24中的研磨時(shí)間，將其作為第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2。在本例中，第二研磨線30的第二研磨部34的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間也為T2。作為該預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2例如可以通過(guò)配方數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算或者采用同一配方的過(guò)去的平均時(shí)間。T3:晶片的線內(nèi)預(yù)測(cè)輸送時(shí)間預(yù)測(cè)在第一研磨線20中，將晶片從第一研磨部22輸送至第二研磨部24所需要的時(shí)間，將其作為線內(nèi)預(yù)測(cè)輸送時(shí)間丁3。在本例中，第二研磨線30的線內(nèi)預(yù)測(cè)輸送時(shí)間也為T3。第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間^、第二研磨部中預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2以及線內(nèi)預(yù)測(cè)輸送時(shí)間T3的總和Ti+T2+T3為第一研磨線20中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間。在本例中，第二研磨線30中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間與第一研磨線20中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間的值相同。T4:輸送機(jī)構(gòu)中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間預(yù)測(cè)將在第一輸送線20中研磨(第一研磨部22中的第一研磨以及第二研磨部24中的第二研磨)結(jié)束后的晶片經(jīng)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送至清洗線40的時(shí)間，將其作為輸送機(jī)構(gòu)中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間T4。Fn:第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻將在第n-1張晶片的清洗幵始預(yù)測(cè)時(shí)刻F(w)上加上清洗線40所進(jìn)行的預(yù)測(cè)清洗時(shí)間T5之后而得出的時(shí)刻作為第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn。在此，關(guān)于第n-l張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F^D，從作為運(yùn)算對(duì)象的第n張晶片考慮是緊靠其前的晶片的清洗工序?qū)⒁_(kāi)始時(shí)的預(yù)測(cè)時(shí)刻。也就是說(shuō)，是為了清洗晶片而驅(qū)動(dòng)清洗線40的輸送單元44將該晶片取入清洗線40的第一清洗機(jī)42a的預(yù)測(cè)時(shí)刻。在實(shí)際進(jìn)行研磨的晶片為第1張時(shí)，預(yù)先設(shè)定第一研磨線20中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T,+T2+TV輸送機(jī)構(gòu)50中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間T4以及清洗線40中的預(yù)測(cè)清洗時(shí)間Ts，因此，能夠運(yùn)算第1張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F,作為預(yù)測(cè)值。另外，對(duì)于以后的第2張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F2，假設(shè)在研磨部的研磨工序中不發(fā)生延遲，則在第1張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻R上加上預(yù)測(cè)清洗時(shí)間TV就能夠計(jì)算出F2(F產(chǎn)F,+T5)。因此，作為運(yùn)算處理，能夠遞歸式地逐個(gè)計(jì)算出第2張、第3張、第4張……的開(kāi)始清洗工序的時(shí)間，來(lái)作為預(yù)測(cè)值。也就是說(shuō)，實(shí)際上第2張、第3張……的晶片的清洗還沒(méi)有開(kāi)始，因此作為"預(yù)測(cè)時(shí)刻"。預(yù)測(cè)清洗時(shí)間Ts也稱為清洗節(jié)拍。在本例的研磨裝置中，輸送單元44一并輸送多張晶片，因此將清洗線40的各清洗機(jī)42a42d中最消耗時(shí)間的工序的清洗時(shí)間作為清洗節(jié)拍T5。該清洗節(jié)拍丁5例如可以通過(guò)配方數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算或者采用同一配方的過(guò)去的平均時(shí)間。在此，在清洗節(jié)拍中還包括與清洗用的筆或刷等上下的缸動(dòng)作有關(guān)的時(shí)間，但該動(dòng)作能夠利用速度控制功能等強(qiáng)制性地進(jìn)行變更，因此能夠按照客戶的要求等采用過(guò)去的平均時(shí)間。清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn以及清洗節(jié)拍(預(yù)測(cè)清洗時(shí)間)Ts在第一研磨線20和第二研磨線30中共通。此外，對(duì)于上述的各預(yù)測(cè)時(shí)間1T4、Ts以及預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn的各項(xiàng)的定義，對(duì)于以下的例子也相同。(3)預(yù)測(cè)算式在以A表示研磨等待時(shí)間時(shí)，進(jìn)行下面的預(yù)測(cè)算式所示的運(yùn)算，求出研磨等待時(shí)間A。A=Fn-(當(dāng)前時(shí)刻+T!+T2+T3+T4)Fn=Fn-,+T5在A〉0,也就是說(shuō)，第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn>(當(dāng)前時(shí)刻十T,+T2+T3+T4)時(shí)，該A的值為研磨等待時(shí)間，使研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與研磨等待時(shí)間A相當(dāng)?shù)牧?。在A=0，也就是說(shuō)，第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn=(當(dāng)前時(shí)刻+T&T2+T3+T4)時(shí)，不產(chǎn)生研磨等待時(shí)間。在A<0;也就是說(shuō)，第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn<(當(dāng)前時(shí)刻十T一T2+T3+T4)時(shí)，產(chǎn)生清洗等待時(shí)間，需要使清洗工序進(jìn)行等待。在本例中，清洗線40的輸送單元44采用一并輸送晶片的機(jī)構(gòu)，因此，使對(duì)清洗線40的輸送單元44進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的時(shí)刻延遲與研磨等待時(shí)間A的絕對(duì)值相當(dāng)?shù)牧?。接著，進(jìn)一步具體地說(shuō)明控制部中的運(yùn)算處理。首先，設(shè)第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間L為120，第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2為90，晶片的線內(nèi)預(yù)測(cè)輸送時(shí)間T3為30，輸送機(jī)構(gòu)中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間T4為30，清洗節(jié)拍Ts為90。單位可以采用秒，也可以考慮使用各工序的相對(duì)值。此外，可以想到在第一研磨線20和第二研磨線30對(duì)不同盒的晶片進(jìn)行研磨時(shí)，預(yù)測(cè)研磨時(shí)間不同，此時(shí)，采用兩者中較長(zhǎng)的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間。當(dāng)前，在時(shí)刻IOO，第l張晶片(晶片ID:F1W01)到達(dá)第一研磨線20時(shí)，控制部在第一研磨線20的第一研磨部22開(kāi)始對(duì)第1張晶片進(jìn)行研磨之前，運(yùn)算對(duì)該第1張晶片進(jìn)行清洗的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻。具體地說(shuō)成為100(當(dāng)前時(shí)刻)+120(T!)+90(T2)+30(T3)+30(T4)=370。因此，在下面的表l所示的空白的狀態(tài)下，如表2所示，設(shè)定第l張晶片(晶片ID:F1W01)的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻。此時(shí)，第一研磨等待時(shí)間為0。(表1)<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>(表2)<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>接著，在第2張晶片(晶片ID:F2W01)在時(shí)刻130到達(dá)研磨裝置的第二研磨線30時(shí)，運(yùn)算部基于當(dāng)前時(shí)刻130進(jìn)行與上述第1張晶片相同的運(yùn)算，從而導(dǎo)出沒(méi)有等待時(shí)間時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻400(=130+120(T,)+90(T2)+30(T3)+30(T4))。另一方面，運(yùn)算部導(dǎo)出在第1張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F,即370上加上清洗節(jié)拍90而得出的、清洗線40的輸送單元44開(kāi)始驅(qū)動(dòng)的第2張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F2=460(=370+90)。接著，導(dǎo)出清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻460與研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻400的差值60，如表3所示，將該差值60作為第2張晶片(晶片ID:F2W01)的第一研磨等待時(shí)間。(表3)<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>控制部對(duì)第二研磨線30的第一研磨部32的頂圈34a發(fā)出指令，使其待機(jī)60之后幵始進(jìn)行研磨(第一研磨)，以使在清洗線40的輸送單元44馬上要開(kāi)始驅(qū)動(dòng)之前將研磨后的第2張晶片輸送至清洗線40。這樣，在第一研磨線20側(cè)的研磨剛開(kāi)始之后，馬上第二研磨線30側(cè)的研磨開(kāi)始，此時(shí)，在第1張晶片到達(dá)第一直線式傳送裝置52a之后，設(shè)置第1張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，然后，對(duì)到達(dá)第二研磨線30的第五直線式傳送裝置56e的第2張晶片計(jì)算研磨等待時(shí)間，使第一研磨部32的研磨開(kāi)始延遲(等待)與該研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧浚纱?，能夠在研磨工序開(kāi)始前使晶片以干燥的狀態(tài)待機(jī)。在第3張晶片(晶片ID:F1W02)在時(shí)刻250到達(dá)研磨裝置的第一研磨線20時(shí)，運(yùn)算部基于當(dāng)前時(shí)刻250進(jìn)行與上述第1張晶片相同的運(yùn)算，從而導(dǎo)出等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻520(-250+120(Ti)+90(T2)+30(T3)+30(T4))。另一方面，運(yùn)算部導(dǎo)出在第2張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F2即460上加上清洗節(jié)拍90的、清洗線40的輸送單元44開(kāi)始驅(qū)動(dòng)的第3張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F產(chǎn)550(=460+90)。接著，導(dǎo)出清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻550與研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻520的差值30,如表4所示，將該差值30作為第3張晶片(晶片ID:F1W02)的第一研磨等待時(shí)間。(表4)<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>控制部對(duì)第一研磨線20的第一研磨部22的頂圈24a發(fā)出指令，使其待機(jī)30之后開(kāi)始進(jìn)行研磨(第一研磨)，以使在清洗線40的輸送單元44馬上要開(kāi)始驅(qū)動(dòng)之前將研磨后的第3張晶片輸送至清洗線40。在第4張晶片(晶片ID:F2W02)在時(shí)刻340到達(dá)研磨裝置的第二研磨線30時(shí)，運(yùn)算部基于當(dāng)前時(shí)刻340進(jìn)行與上述第1張晶片相同的運(yùn)算，從而導(dǎo)出等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻610。另一方面，運(yùn)算部導(dǎo)出在第3張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F3即550上加上清洗節(jié)拍90的、清洗線40的輸送單元44開(kāi)始驅(qū)動(dòng)的第4張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F4=640。接著，導(dǎo)出清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻640與研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻610的差值30，如表5所示，將該差值30作為第4張(晶片ID:F2W02)的晶片的第一研磨等待時(shí)間。.(表5)<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>F2W0264030控制部對(duì)第二研磨線30的第一研磨部32的頂圈34a發(fā)出指令，使其待機(jī)30之后開(kāi)始進(jìn)行研磨(第一研磨)，以使在清洗線40的輸送單元44馬上要開(kāi)始驅(qū)動(dòng)之前將研磨后的第4張晶片輸送至清洗線40。以下，對(duì)以后的晶片進(jìn)行同樣的運(yùn)算。圖5示出此時(shí)的時(shí)序圖。如圖5的時(shí)序圖所示，對(duì)于第2張晶片(晶片ID:F2W01)，在研磨等待時(shí)間A,(=60)之后第二研磨線30的第一研磨部32開(kāi)始進(jìn)行研磨(第一研磨)，對(duì)于第3張晶片(晶片ID:F1W02)，在研磨等待時(shí)間A2(=30)之后第一研磨線20的第一研磨部22開(kāi)始進(jìn)行研磨(第一研磨)。然后，對(duì)于第4張晶片(晶片ID:F2W02)，在研磨等待時(shí)間A3(=30)之后第二研磨線30的第一研磨部32開(kāi)始進(jìn)行研磨(第一研磨)。這樣，將以往在研磨結(jié)束后至清洗開(kāi)始為止的清洗等待時(shí)間作為研磨工序開(kāi)始前的研磨等待時(shí)間，由此能夠消除研磨后至清洗前的清洗等待時(shí)間。在上述的第一例中，計(jì)算第一研磨部22、32的研磨前的研磨等待時(shí)間，而不計(jì)算第二研磨部24、34的研磨前的研磨等待時(shí)間，但可以不計(jì)算第一研磨部22、32的研磨前的研磨等待時(shí)間，計(jì)算第二研磨部24、34的研磨前的研磨等待時(shí)間，僅使第二研磨部的研磨(第二研磨)的研磨開(kāi)始延遲(第二例)。圖6示出該第二例的時(shí)序圖。在該第二例中，預(yù)測(cè)算式的觀點(diǎn)與第一例相同，但在第二直線式傳送裝置56b或第一輸送線20的第二研磨部24，或者第五直線式傳送裝置56e或第二輸送線30的第二研磨部34開(kāi)始進(jìn)行處理之前計(jì)算研磨等待時(shí)間，因此不需要上述的預(yù)測(cè)算式中的1\和T3。在該第二例的情況下，如圖6的時(shí)序圖所示，對(duì)于第2張晶片，在研磨等待時(shí)間A4(=60)之后第二研磨線30的第二研磨部34開(kāi)始進(jìn)行研磨，對(duì)于第3張晶片，在研磨等待時(shí)間As(=30)后第一研磨線20的第二研磨部24幵始進(jìn)行研磨(第二研磨)。然后，對(duì)于第4張晶片，在研磨等待時(shí)間A6(=90)后第二研磨線30的第二研磨部34開(kāi)始進(jìn)行研磨(第二研磨)。作為第二研磨部24、34的研磨開(kāi)始前的研磨等待時(shí)間，因此，能夠消除在研磨結(jié)束后至清洗前的清洗等待時(shí)間。下面說(shuō)明在第一研磨部22、32進(jìn)行研磨(第一研磨)之前計(jì)算研磨等待時(shí)間，而且還在第二研磨部24、34進(jìn)行研磨(第二研磨)之前，再次計(jì)算研磨等待時(shí)間，使第二研磨也延遲的第三例。如上所述，在銅布線形成工藝中，第一研磨部22、32對(duì)銅膜6進(jìn)行研磨，使下層的阻擋層5露出(第一研磨)。然后，第二研磨部24、34對(duì)阻擋層進(jìn)行研磨，而且按照需要對(duì)其下層的絕緣膜2進(jìn)行研磨(第二研磨)。與第二研磨相比，該第一研磨應(yīng)該研磨的銅膜的膜厚較厚，另外，第一研磨的研磨運(yùn)轉(zhuǎn)通常通過(guò)渦流傳感器或光學(xué)傳感器等檢測(cè)終點(diǎn)而結(jié)束研磨運(yùn)轉(zhuǎn)。也就是說(shuō)，第一研磨的研磨運(yùn)轉(zhuǎn)并不是通過(guò)時(shí)間控制來(lái)進(jìn)行的，因此在第一研磨中，晶片間的研磨時(shí)間的偏差大。在采用平均值作為第一研磨部的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間Tt的情況下，如果進(jìn)行上述第一例所示的控制，則在第一研磨部的實(shí)際的研磨時(shí)間(實(shí)際研磨時(shí)間)t,大于預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T,(t一T,)時(shí)，第二研磨以及輸送機(jī)構(gòu)的動(dòng)作開(kāi)始提早與其差值相當(dāng)?shù)臅r(shí)間(提前)。另一方面，清洗線受到此時(shí)正在進(jìn)行清洗的清洗時(shí)間的限制，所以第二研磨后的晶片等待與該提前相當(dāng)?shù)臅r(shí)間，直到清洗線的輸送單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)為止。即，銅的腐蝕進(jìn)行與該提前時(shí)間相當(dāng)?shù)牧?。為了解決這樣的課題，在控制部中進(jìn)行運(yùn)算，在進(jìn)行第二研磨之前補(bǔ)償?shù)谝谎心サ念A(yù)測(cè)研磨時(shí)間1與實(shí)際研磨時(shí)間t,的誤差即研磨時(shí)間的偏差。圖7是表示第三例的時(shí)序圖。在該例子中，將在第二研磨前運(yùn)算出的第四晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F4為該晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻。另外，需要還對(duì)后續(xù)的晶片反映該研磨的延遲量。這是因?yàn)?，在投入第l張晶片時(shí)，后續(xù)的第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn已經(jīng)遞歸式地被導(dǎo)出，在該導(dǎo)出時(shí)，第一研磨的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T,采用平均值。因此，為了修正后續(xù)的第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn，控制部進(jìn)行將第一研磨的延遲量遞歸式地反映給后續(xù)的晶片的運(yùn)算處理。在此，在該晶片的清洗結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻延于接下來(lái)的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻時(shí)，跳過(guò)該晶片，使其后的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻延遲。下面，更具體地進(jìn)行說(shuō)明。如圖7所示，關(guān)于第一研磨線20中的第3張晶片的研磨，假設(shè)實(shí)際研磨時(shí)間h比第一研磨部22所預(yù)測(cè)的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T^延遲30。關(guān)于第二研磨線30中的第2張晶片(F2W01)，如表6所示，第二研磨部34的研磨以及研磨后的輸送都按預(yù)期進(jìn)行。這與上述表3相同。(表6)晶片ID清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻第一研磨等待時(shí)間第二研磨等待時(shí)間F1W0137000F2W0146060F1W0255030另外，如表7所示，第3張晶片(F1W02)的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F3設(shè)定為550。第4張晶片(F2W02)的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F4設(shè)定為640。這與上述表5相同。(表7)晶片ID清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻第一研磨等待時(shí)間第二研磨等待時(shí)間F1W0137000F2W01460600F1W0255030F2W0264030另一方面，即使到了對(duì)第3張晶片預(yù)定的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F3即550，晶片也不到達(dá)，因此清洗線40的輸送單元44待機(jī)，直到晶片到達(dá)為止。也就是說(shuō)，第3張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F3是F2+90(T5)+30(t廣Tj)=580。該清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻580延于如表7所示的當(dāng)初的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻550。因此，如表8所示，將第3張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F3變更為580。如果這樣將第3張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F3變更為580，則第4張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F4就不能為640，而變更為670(=580+90)。(表8)<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>然后，實(shí)際上清洗線的輸送單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)是在580，延遲30發(fā)生。因此，如表9所示，對(duì)于后續(xù)的晶片，控制部將該30的延遲反映為第二研磨前的研磨等待時(shí)間。也就是說(shuō)，第4張晶片(F2W02)的等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻為520(當(dāng)前時(shí)刻)+90(T!)+30(t廣T。=640，早于第4張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻F4即670，因此，第4張晶片(晶片ID:F2W02)的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)間為670不變，將清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻670與研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻640的差30作為第二研磨等待時(shí)間。<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>如上所述，在表7中如時(shí)序圖所示，在第2張晶片的清洗結(jié)束之后，在第3張晶片的清洗開(kāi)始之前，產(chǎn)生清洗等待時(shí)間Se，進(jìn)一步，在第二研磨等待時(shí)間A7(=30)之后，第二研磨線30的第二研磨部34開(kāi)始對(duì)第4張晶片(晶片ID:F2W02)進(jìn)行研磨(第二研磨)。下面說(shuō)明第四例，對(duì)于清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，為了防止誤差累積，每當(dāng)在清洗線40上輸送(清洗)晶片時(shí)都對(duì)清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻進(jìn)行修正。在第三例中，在第二研磨前補(bǔ)償了第一研磨部的研磨時(shí)間的變動(dòng)。但是，在本例子中，不能夠補(bǔ)償?shù)诙心サ难心r(shí)間的變動(dòng)。第二研磨有時(shí)間控制和由終點(diǎn)檢測(cè)傳感器進(jìn)行的終點(diǎn)撿測(cè)控制，而在后者中可能與第一研磨一樣研磨時(shí)間產(chǎn)生變動(dòng)。因此，在本第四例中，通過(guò)將該第二研磨的研磨時(shí)間的變動(dòng)反映給后續(xù)晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，來(lái)補(bǔ)償?shù)诙心サ难心r(shí)間的變動(dòng)。圖8是表示第四例的時(shí)序圖。在圖8所示的時(shí)序圖中，關(guān)于第l張晶片，第二研磨部24中的實(shí)際的研磨時(shí)間(實(shí)際研磨時(shí)間)b延于第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2(t2>T2)。此時(shí)，對(duì)于第2張晶片，由于已經(jīng)幵始由第二研磨部進(jìn)行的研磨，因此，第1張晶片的延遲時(shí)間、即第二研磨部中的實(shí)際研磨時(shí)間與預(yù)測(cè)研磨時(shí)間的差(t2-T2)成為第2張晶片的清洗等待時(shí)間。另一方面，關(guān)于第3張以后的晶片，通過(guò)控制部的運(yùn)算處理，將第1張晶片的延遲時(shí)間遞歸式地反映為第二研磨的研磨等待時(shí)間。由此，即使采用平均值作為第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2，也能夠?qū)难心ズ笾燎逑撮_(kāi)始的清洗等待時(shí)間縮短為極其短的時(shí)間。具體地說(shuō)，在圖8中，在第1張晶片進(jìn)入第一研磨線20的第二研磨部24時(shí)，第2張晶片(晶片ID:F1W02)被搬入第二研磨線30的第一研磨部32。此時(shí)，如表IO所示，在進(jìn)行第一研磨前運(yùn)算第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn。該表10與上述表5相同。(表10)<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>F2W0264030現(xiàn)在，設(shè)第1張晶片的第二研磨部中的實(shí)際研磨時(shí)間t2比預(yù)測(cè)研磨時(shí)間丁2延遲15。對(duì)于清洗線40的輸送單元44，由于在清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻晶片不位于清洗線40上，所以產(chǎn)生清洗等待時(shí)間。第l張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)間Ft為370+15=385。第2張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)間F2為385(F》+90(清洗時(shí)間)=475(>460)。這樣，如表11所示，依次更新第n張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻Fn。(表11)晶片ID清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻第一研磨等待時(shí)間第二研磨等待時(shí)間F1W0138500F2W01475600F1W0256530F2W0265530另外，為了補(bǔ)償?shù)诙心ゲ康难心パ舆t時(shí)間(t2-T2=15)，控制部進(jìn)行以下的運(yùn)算。即，關(guān)于第3張以后的晶片，作為第二研磨部的研磨等待時(shí)間遞歸式地追加第1張晶片的處理所引起的第二研磨部的延遲時(shí)間即第二研磨部的實(shí)際研磨時(shí)間t2與預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2的差15(=t2-T2)。由此，后續(xù)的晶片不產(chǎn)生清洗等待時(shí)間。也就是說(shuō)，在第3張晶片的第二研磨的開(kāi)始時(shí)刻為430時(shí)，晶片的等待時(shí)間不存在時(shí)的第3張晶片的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻為430(當(dāng)前時(shí)刻)+90(預(yù)測(cè)研磨時(shí)間T2)+30(輸送機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間T4)=550。而如表11所示，第3張晶片的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)間F3為565。因此，如表12所示，將該清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻565與研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻550的差15設(shè)為第3張晶片(晶片ID:F1W02)的第二研磨部的第二研磨等待時(shí)間。(表12)<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>也就是說(shuō)，在圖8中如時(shí)序圖所示，對(duì)于第1張晶片不產(chǎn)生等待時(shí)間，但對(duì)于第2張晶片，產(chǎn)生第一研磨等待時(shí)間A8和清洗等待時(shí)間Ss，對(duì)于第3張晶片，產(chǎn)生第一研磨等待時(shí)間A9和第二研磨等待時(shí)間A1Q，對(duì)于第4張晶片，產(chǎn)生第一研磨等待時(shí)間A和第二研磨等待時(shí)間A12。此外，在第二研磨部的研磨(第二研磨)過(guò)程中實(shí)際研磨時(shí)間和預(yù)測(cè)研磨時(shí)間之間產(chǎn)生延遲時(shí)，對(duì)于已經(jīng)在其他研磨線上進(jìn)行第二研磨的晶片，是不能夠設(shè)定研磨等待時(shí)間的，因此，產(chǎn)生例如圖8的時(shí)序圖所示的清洗等待時(shí)間S5。此時(shí)，控制部能夠?qū)υ摼鰳?biāo)記，在清洗、干燥后，輸送至設(shè)置在晶片盒附近的例如在線(inline)膜厚檢測(cè)裝置，來(lái)觀察晶片的表面狀態(tài)。通常，在線膜厚檢測(cè)裝置根據(jù)檢測(cè)精度的高低，有時(shí)花費(fèi)時(shí)間對(duì)任意的晶片進(jìn)行抽樣檢測(cè)。通過(guò)控制部的標(biāo)記，來(lái)挑選出需要精密檢測(cè)的晶片，從而實(shí)現(xiàn)研磨工序的穩(wěn)定化和抽樣條件的適當(dāng)化。以上對(duì)具備2條研磨線和1條清洗線的研磨裝置進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明也能夠適用于其他裝置結(jié)構(gòu)。通常，在研磨線有m條，清洗線有n條的情況下，只要n^n就本發(fā)明的輸送控制就能夠適用。此時(shí)，考慮2種方法，一種是用各清洗線中最花費(fèi)清洗時(shí)間的清洗機(jī)的時(shí)間代表清洗時(shí)間的方法，另一種是用各清洗線中最花費(fèi)清洗時(shí)間的清洗機(jī)代表清洗時(shí)間的方法?？紤]裝置的結(jié)構(gòu)或控制部的處理能力等來(lái)決定采用哪種方法。另外，即使研磨線和清洗線都為1條的情況下，也適用本發(fā)明。艮P，在研磨時(shí)間與輸送時(shí)間的和大于清洗時(shí)間的情況下，換而言之清洗時(shí)間成為限速(律速)條件的情況下，也能夠適用本發(fā)明。作為具體例子，列舉出對(duì)研磨開(kāi)始起第2張以后的晶片計(jì)算研磨開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻的計(jì)算例。根據(jù)清洗時(shí)間運(yùn)算預(yù)測(cè)清洗線的輸送單元下一次進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的時(shí)刻，從該清洗時(shí)間減去研磨時(shí)間與輸送時(shí)間之和，由此導(dǎo)出等待時(shí)間。對(duì)于在第2張以后被研磨的晶片，使第一研磨或第二研磨的開(kāi)始延遲與該等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊Ｔ诖?，清洗時(shí)間代表具備在清洗線中最花費(fèi)時(shí)間的清洗工序的清洗機(jī)的清洗時(shí)間。研磨時(shí)間能夠使用固定時(shí)間也可以使用平均時(shí)間。此外，為了使第二研磨結(jié)束至清洗幵始的時(shí)間最短，也可以是以投入研磨裝置內(nèi)的所有的未清洗晶片為對(duì)象，計(jì)算出"清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"和"到達(dá)第一清洗機(jī)42a時(shí)的清洗單元40內(nèi)的晶片位置數(shù)據(jù)"(以下，稱為晶片圖)，基于這些數(shù)據(jù)控制研磨開(kāi)始的時(shí)機(jī)，使在第二研磨結(jié)束后晶片不出現(xiàn)等待時(shí)間地到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b。另外，在清洗機(jī)42a42d的清洗處理結(jié)束的時(shí)刻，預(yù)定應(yīng)該到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的未清洗晶片實(shí)際沒(méi)有到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的情況下，可以在輸送單元44的動(dòng)作中設(shè)定聯(lián)鎖(InterLock)，使輸送單元44的動(dòng)作停止，在晶片到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b之前不開(kāi)始下一個(gè)清洗處理。圖9示出了輸送管理軟件與在第二研磨結(jié)束后對(duì)輸送進(jìn)行控制使晶片不出現(xiàn)等待時(shí)間地到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的研磨線20、30及輸送機(jī)構(gòu)50之間的關(guān)系。如圖9所示，輸送管理軟件接受晶片移動(dòng)至各直線式傳送裝置(LTP)56a56c、56e56g時(shí)的信號(hào)，判斷之后的第二研磨部24、34有無(wú)晶片，在不存在晶片的情況下，按各個(gè)晶片分別計(jì)算出(1)清洗開(kāi)始預(yù)定時(shí)刻、(2)各直線式傳送裝置(LTP)56a56c、56e56g上的待機(jī)時(shí)間以及(3)晶片圖。這些計(jì)算方法根據(jù)清洗線40內(nèi)的晶片的有無(wú)而不同。下面，說(shuō)明各個(gè)情況。(a)清洗線40內(nèi)不存在晶片的情況此時(shí)，清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻是在"當(dāng)前時(shí)刻"上加上"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"的時(shí)刻。另外，各晶片的直線式傳送裝置(LTP)56a56c、56e56g上的待機(jī)時(shí)間為"0"。對(duì)于晶片圖，計(jì)算中的晶片位于第一清洗機(jī)42a，第二第四清洗機(jī)42b42d為空閑狀態(tài)。晶片圖是表示假設(shè)按預(yù)定進(jìn)行工藝時(shí)，在下一個(gè)清洗對(duì)象晶片應(yīng)該到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)器52b時(shí)的"n"時(shí)間后，其他晶片進(jìn)行何種處理的預(yù)定圖。圖10表示計(jì)算中的晶片位于第一清洗機(jī)42a，第二第四清洗機(jī)42b42d處于空閑狀態(tài)時(shí)的晶片圖的示意圖。(b)清洗線40內(nèi)存在晶片的情況此時(shí)，首先求出滿足下面的算式(1)的最小的"N"(N=l、2、……)。"當(dāng)前時(shí)刻"+"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"《"前一晶片清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"+"預(yù)計(jì)清洗節(jié)拍"XN……(1)然后，對(duì)應(yīng)于該"N"的值，如下計(jì)算出清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻等。此外，在本例子中，具備4個(gè)清洗機(jī)42a42d，因此，以比清洗機(jī)的數(shù)量少1個(gè)的3為閾值，分為1《N《3和4《N兩種情況。(i)1《N《3的情況此時(shí)，清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻是在"前一晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"上加上"預(yù)計(jì)清洗節(jié)拍"XN的時(shí)刻("前一晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"+"預(yù)計(jì)清洗節(jié)拍"XN)。各直線式傳送裝置(LTP)56a56c、56e56g上的待機(jī)時(shí)間是從"清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"減去在"當(dāng)前時(shí)刻"上加上"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"的值的時(shí)刻("清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"-("當(dāng)前時(shí)刻"+"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"))。晶片圖成為前一晶片的晶片圖僅移動(dòng)"N"，在第一清洗機(jī)42a中存在計(jì)算中的晶片的狀態(tài)。在此，圖11A以及11B表示前一晶片的晶片圖僅移動(dòng)"2"時(shí)，即N-2時(shí)的晶片圖的圖像的移動(dòng)前后的狀態(tài)。也就是說(shuō)，如圖11A所示，如果在前一晶片的晶片圖中，在第一清洗機(jī)42a以及第二清洗機(jī)42b中存在晶片1-6以及1-5，在第四清洗機(jī)42d存在晶片1-4，則在N-2的情況下，將晶片1-6以及晶片1-5輸送至第二清洗機(jī)42b以及第三清洗機(jī)42c，將晶片1-4輸送至第四清洗機(jī)42d之外(N=l)，進(jìn)一步，將晶片l-6以及晶片l-5輸送至第三清洗機(jī)42c以及第四清洗機(jī)42d(N=2)。由此，如圖11B所示，在晶片1-6以及1-5位于第三清洗機(jī)42c以及第四清洗機(jī)42d中的狀態(tài)下，在第一清洗機(jī)42a中存在計(jì)算中的晶片。(ii)4《N的情況此時(shí)，由于不受之前存在的晶片的清洗節(jié)拍的影響，所以與在清洗線內(nèi)不存在晶片的情況相同地計(jì)算出清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻、各直線式傳送裝置(LTP)56a56c、56e56g上的待機(jī)時(shí)間以及各晶片的晶片圖。如上所述，"前一晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"是指比清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻計(jì)算中的晶片早1張搬入第一清洗機(jī)42a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻。在研磨裝置內(nèi)不存在計(jì)算出了清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻的未清洗晶片的情況下，使用最終清洗開(kāi)始時(shí)刻實(shí)際值作為"前一晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"。也就是說(shuō)，在清洗單元40的擋板打開(kāi)的時(shí)機(jī)使清洗開(kāi)始標(biāo)志開(kāi)啟，輸送管理任務(wù)保存此時(shí)的時(shí)刻。此時(shí)，基于此時(shí)刻的清洗機(jī)內(nèi)的晶片位置信息計(jì)算清洗節(jié)拍。"清洗節(jié)拍"是指在清洗機(jī)42a42d中的最長(zhǎng)清洗處理時(shí)間上加上輸送單元40的輸送時(shí)間的時(shí)間。即使是相同的清洗配方，由于存在于清洗機(jī)內(nèi)的晶片的位置的不同，清洗節(jié)拍的值也發(fā)生變化，因此在上述算式(1)中，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卣f(shuō)不是單純地"XN"。因此，實(shí)際上基于前一晶片的晶片圖計(jì)算清洗節(jié)拍。在制作晶片圖時(shí)，從上述算式(1)的左邊減去機(jī)器(machine)常數(shù)"清洗幵始時(shí)刻計(jì)算時(shí)參數(shù)(sec)"之后如果算式(1)成立，則使用此時(shí)的"N"制作晶片圖。該參數(shù)用于通過(guò)使晶片進(jìn)入清洗線40內(nèi)而提高生產(chǎn)率，例如是5秒左右。清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻是通過(guò)使用滿足上述算式(1)的"N"而計(jì)算出的。接著，關(guān)于在直線式傳送裝置(LTP)56a56c、56e56g上具備晶片時(shí)的"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"，按晶片位于各傳送裝置上的情況進(jìn)行說(shuō)明。A.晶片位于直線式傳送裝置56a上的情況此時(shí)，"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"為以下時(shí)間的合計(jì)。1)升降機(jī)58a從上位置至下位置的下降時(shí)間2)直線式傳送裝置56a58d的交換時(shí)間3)從推進(jìn)器60a至頂圈22a的晶片交接時(shí)間4)第一研磨線20的第一研磨部22的處理時(shí)間5)從頂圈22a至推進(jìn)器60a的晶片分離(release)時(shí)間6)直線式傳送裝置56a58d的交換時(shí)間307)從推進(jìn)器60b至頂圈24a的晶片交接時(shí)間8)第一研磨線20的第二研磨部24的處理時(shí)間9)從頂圈24a至推進(jìn)器60b的晶片分離時(shí)間10)直線式傳送裝置56a58d的交換時(shí)間11)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58b至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間12)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間在此，作為"第一研磨部的處理時(shí)間"以及"第二研磨部的處理時(shí)間"使用同一盒內(nèi)的晶片的按作業(yè)(Job)單位的平均值，對(duì)于作業(yè)最初的晶片，使用與過(guò)去的同一配方的平均值。在沒(méi)有過(guò)去的平均值的情況下使用配方設(shè)定時(shí)間(研磨步驟的處理時(shí)間的總和)。這在下述情況中也相同。B.晶片位于直線式傳送裝置56b上的情況此時(shí)，"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"為以下時(shí)間的合計(jì)。1)推進(jìn)器60a的下降時(shí)間2)直線式傳送裝置56a58d的交換時(shí)間3)從推進(jìn)器60b至頂圈24a的晶片交接時(shí)間4)第一研磨線20的第二研磨部24的處理時(shí)間5)從頂圈24a至推進(jìn)器60b的晶片分離時(shí)間6)直線式傳送裝置56a58d的交換時(shí)間7)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58b至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間8)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間C.晶片位于直線式傳送裝置56c的情況此時(shí)，"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"為以下時(shí)間的合計(jì)。1)推進(jìn)器60b的下降時(shí)間2)直線式傳送裝置56a58d的交換時(shí)間3)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58b至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間4)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間D.晶片位于直線式傳送裝置56e的情況此時(shí)，"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"為以下時(shí)間的合計(jì)。1)升降機(jī)58c從上位置至下位置的下降時(shí)間2)直線式傳送裝置56e58g的交換時(shí)間3)從推進(jìn)器60c至頂圈32a的晶片交接時(shí)間4)第二研磨線30的第一研磨部32的處理時(shí)間5)從頂圈32a至推進(jìn)器60c的晶片分離時(shí)間6)直線式傳送裝置56e58g的交換時(shí)間7)從推進(jìn)器60d至頂圈34a的晶片交接時(shí)間8)第二研磨線30的第二研磨部34的處理時(shí)間9)從頂圈34a至推進(jìn)器60d的晶片分離時(shí)間10)直線式傳送裝置56e58g的交換時(shí)間11)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58c至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間12)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間E.晶片位于直線式傳送裝置56f的情況此時(shí)，"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"為以下時(shí)間的合計(jì)。1)推進(jìn)器60c的下降時(shí)間2)直線式傳送裝置56e58g的交換時(shí)間3)從推進(jìn)器60c至頂圈34a的晶片交接時(shí)間4)第二研磨線30的第二研磨部34的處理時(shí)間5)從頂圈34a至推進(jìn)器60d的晶片分離時(shí)間6)直線式傳送裝置56e58g的交換時(shí)間7)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58c至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間8)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間F.晶片位于直線式傳送裝置56g的情況32此時(shí)，"從當(dāng)前位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間"為以下時(shí)間的合計(jì)。1)推進(jìn)器60d的下降時(shí)間2)直線式傳送裝置56e58g的交換時(shí)間3)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58c至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間4)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間返回至圖9，如上所述，在計(jì)算出(1)清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻、(2)各直線式傳送裝置(LTP)56a56c、56e56g上的待機(jī)時(shí)間以及(3)各晶片的晶片圖之后，算出前(第一研磨前)和算出后的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻的誤差，并將該誤差反映至后續(xù)的晶片的預(yù)計(jì)時(shí)刻中。這是為了應(yīng)對(duì)第一研磨部22、32中的研磨時(shí)間與預(yù)測(cè)研磨時(shí)間不同的情況，對(duì)于位于第一研磨部22、32的上游側(cè)的直線式傳送裝置56a、56e的晶片，不進(jìn)行該處理。然后，輸送管理軟件在對(duì)于待機(jī)時(shí)間進(jìn)行計(jì)數(shù)之后，向輸送機(jī)構(gòu)發(fā)送輸送許可信號(hào)。也就是說(shuō)，如上所述，在直線式傳送裝置中，在從第一研磨部22、32輸送至第二研磨部24、34之前，設(shè)置待機(jī)時(shí)間。該待機(jī)時(shí)間是前一步驟的誤差時(shí)間。位于直線式傳送裝置56c、56g的晶片此后進(jìn)入清洗工序，因此對(duì)于位于直線式傳送裝置56c、56g的晶片不進(jìn)行該處理。輸送機(jī)構(gòu)接受該輸送許可，將晶片從各推進(jìn)器交給各頂圈，在研磨部移動(dòng)晶片信息(晶片圖)。輸送管理軟件接受來(lái)自研磨部的晶片信息移動(dòng)信號(hào)，重新設(shè)置啟動(dòng)許可。接著，參照?qǐng)D12說(shuō)明清洗單元40和輸送管理軟件的關(guān)系。清洗線40在打開(kāi)擋板后，驅(qū)動(dòng)輸送單元44，同時(shí)地將位于第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的晶片輸送至第一清洗機(jī)42a、將位于第一清洗機(jī)42a的晶片輸送至第二清洗機(jī)42b、將位于第二清洗機(jī)42b的晶片輸送至第三清洗機(jī)42c、將位于第三清洗機(jī)42c的晶片輸送至第四清洗機(jī)42d。然后，在關(guān)閉擋板后，進(jìn)行開(kāi)始基于清洗配方的清洗處理而結(jié)束基于第一第四清洗機(jī)42a42d的所有的清洗配方的清洗處理這樣一系列的輸送清洗處理。輸送管理軟件接受清洗單元40的打開(kāi)擋板(清洗動(dòng)作開(kāi)始)的信號(hào)，為了應(yīng)對(duì)第二研磨部34、44中的第二研磨時(shí)間與預(yù)計(jì)研磨時(shí)間不同的情況，計(jì)算出實(shí)際清洗幵始時(shí)刻與預(yù)計(jì)時(shí)刻的誤差，將其反映至未清洗晶片的預(yù)計(jì)時(shí)刻。然后，直到下一個(gè)清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻為止判斷是否存在預(yù)定到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的晶片，在具備預(yù)定到達(dá)的晶片的情況下，設(shè)置禁止清洗線40的輸送的輸送禁止標(biāo)志(聯(lián)鎖)。然后，在檢測(cè)出晶片到達(dá)了第二翻轉(zhuǎn)機(jī)42b時(shí)，向清洗線40發(fā)送允許輸送的輸送許可(重新設(shè)置禁止標(biāo)志)的信號(hào)。另一方面，在不具備預(yù)定到達(dá)的晶片的情況下，向清洗線40發(fā)送輸送許可(重新設(shè)置禁止標(biāo)志)的信號(hào)。清洗線40接受來(lái)自輸送管理軟件的清洗線40的輸送許可信號(hào)，進(jìn)行一系列的輸送清洗處理。接著，說(shuō)明在研磨裝置的一部分的單元中，發(fā)生使所有的單元停止的嚴(yán)重故障(異常輸送)時(shí)的措施。這種情況下，將位于發(fā)生嚴(yán)重故障的單元的上游的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值(例如-l)，并在后續(xù)晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻計(jì)算時(shí)不進(jìn)行參照。輸送管理任務(wù)對(duì)于清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻為無(wú)效值的晶片不許可從直線式傳送裝置至頂圈的晶片交接動(dòng)作，而是將其碎棄或者返回再進(jìn)行研磨。例如，在直線式傳送裝置56a56d發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于直線式傳送裝置56c、第一研磨線20的第二研磨部24、直線式傳送裝置56b、第一研磨部22以及傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60a的下降位置，在第一硏磨線20的第一研磨部22發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60a的上升位置，在第一研磨線20的第一研磨部22發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于直線式傳送裝置56c、第二研磨部24、傳送裝置56b、第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60b的下降位置，在第一研磨線20的第二研磨部24發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于第二研磨部24、直線式傳送裝置56b、第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60b的上升位置，在第一研磨線20的第二研磨部24發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于直線式傳送裝置56c、第二研磨部24、傳送裝置56b、第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在直線式傳送裝置56e56g發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于直線式傳送裝置56g、第二研磨線30的第二研磨部34、直線式傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60c的下降位置，在第二研磨線30的第一研磨部32發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60c的上升位置，在第二研磨線30的第一研磨部32發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于直線式傳送裝置56g、第二研磨部34、傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60d的下降位置，在第二研磨線30的第二研磨部34發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于第二研磨部34、直線式傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗幵始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在推進(jìn)器60d的上升位置，在第二研磨線30的第二研磨部34發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于直線式傳送裝置56g、第二研磨部34、傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在第二輸送機(jī)械手54b的下流側(cè)發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí)，將位于直線式傳送裝置56a56c、56e56f、第一研磨部22、32以及第二研磨部24、34的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在一部分的單元中發(fā)生工藝聯(lián)鎖(ProcessInterLock)時(shí)，不向研磨裝置內(nèi)投入新的晶片，在聯(lián)鎖時(shí)處理位于研磨裝置內(nèi)的所有的晶片，將位于發(fā)生工藝聯(lián)鎖的單元的上游的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值(例如-1)，并在后續(xù)晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻計(jì)算時(shí)不進(jìn)行參照。在直線式傳送裝置上具備清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻為無(wú)效值的晶片時(shí)，輸送管理任務(wù)不許可從直線式傳送裝置至頂圈的晶片交接動(dòng)作。例如，在第一研磨線20的第一研磨部22發(fā)生工藝聯(lián)鎖時(shí)，將位于直35線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在第一研磨線20的第二研磨部24上發(fā)生工藝聯(lián)鎖時(shí)，將位于直線式傳送裝置56b、第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在第二研磨線30的第一研磨部32上發(fā)生工藝聯(lián)鎖時(shí)，將位于直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在第二研磨線30的第二研磨部34上發(fā)生工藝聯(lián)鎖時(shí)，將位于直線式傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在對(duì)位于研磨裝置的一部分的單元上的晶片進(jìn)行的處理發(fā)生暫時(shí)停止(paused)時(shí)，將位于處理發(fā)生暫時(shí)停止的晶片所處的單元的上游的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值(例如-l)，并在后續(xù)晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻計(jì)算時(shí)不進(jìn)行參照。在直線式傳送裝置上具備清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻為無(wú)效值的晶片時(shí)，輸送管理任務(wù)不許可從直線式傳送裝置至頂圈的晶片交接動(dòng)作。例如，在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于第一研磨線20的第一研磨部22時(shí)，將位于第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于直線式傳送裝置56b時(shí)，將位于直線式傳送裝置56b、第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于第一研磨線20的第二研磨部24時(shí)，將位于第二研磨部24、直線式傳送裝置56b、第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于直線式傳送裝置56c時(shí)，將位于直線式傳送裝置56c、第二研磨部24、直線式傳送裝置56b、第一研磨部22以及直線式傳送裝置56a的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于第二研磨線30的第一研磨部32時(shí)，將位于第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。36在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于直線式傳送裝置56f時(shí)，將位于直線式傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于第二研磨線30的第二研磨部34時(shí)，將位于第二研磨部34、直線式傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于直線式傳送裝置56g時(shí)，將位于直線式傳送裝置56g、第二研磨部34、直線式傳送裝置56f、第一研磨部32以及直線式傳送裝置56e的晶片的清洗幵始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在處理發(fā)生暫時(shí)停止(Paused)的晶片位于第二輸送機(jī)械手54b的下游時(shí)，將位于直線式傳送裝置56a56c、56e56g、第一研磨部22、32以及第二研磨部24、34的晶片的清洗幵始預(yù)計(jì)時(shí)刻設(shè)為無(wú)效值。在嚴(yán)重故障后進(jìn)行重啟，工藝聯(lián)鎖或處理暫時(shí)停止后的重新開(kāi)始時(shí)，僅對(duì)清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻為無(wú)效值的晶片，重新計(jì)算預(yù)計(jì)時(shí)刻。重新計(jì)算從輸送到第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b所需要的時(shí)間短晶片開(kāi)始按照順序進(jìn)行。在此，從各位置至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間如下。A.第一輸送線20的第一研磨部22從第一輸送線20的第一研磨部22至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間是以下時(shí)間的合計(jì)。1)第一輸送線20的第一研磨部22的處理時(shí)間2)從頂圈22a至推進(jìn)器60a的晶片分離時(shí)間3)直線式傳送裝置56a56d的交換時(shí)間4)從推進(jìn)器60b至頂圈24a的晶片交接時(shí)間5)第一輸送線20的第二研磨部24的處理時(shí)間6)從頂圈24a至推進(jìn)器60b的晶片分離時(shí)間7)直線式傳送裝置56a56d的交換時(shí)間8)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58c至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間9)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間在此，第一輸送線20的第一處理部22的處理時(shí)間以及第二處理部24的處理時(shí)間在未觸底(touchdowm)(頂圈未與研磨臺(tái)接觸，也就是說(shuō)沒(méi)有開(kāi)始進(jìn)行研磨)時(shí)，與上述相同，使用按作業(yè)(Job)單位的平均值，對(duì)于作業(yè)的最初晶片，使用過(guò)去的同一配方的平均值。在沒(méi)有過(guò)去的平均值時(shí)，使用配方設(shè)定時(shí)間(研磨步驟的處理時(shí)間總計(jì))。在已觸底時(shí)，將處理時(shí)間設(shè)為"0"。這在下述的第二輸送線30的第一處理部32以及第二處理部34的處理時(shí)間中也相同。B.第一輸送線20的第二研磨部24從第一輸送線20的第二研磨部24至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間為下述時(shí)間的合計(jì)。1)第一輸送線20的第二研磨部24的處理時(shí)間2)從頂圈24a至推進(jìn)器60b的晶片分離時(shí)間3)直線式傳送裝置56a56d的交換時(shí)間4)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58c至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間5)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間C.第二輸送線30的第一研磨部32從第二輸送線30的第一研磨部32至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間為下述時(shí)間的合計(jì)。1)第二輸送線30的第一研磨部32的處理時(shí)間2)從頂圈32a至推進(jìn)器60c的晶片分離時(shí)間3)直線式傳送裝置56e56g的交換時(shí)間4)從推進(jìn)器60d至頂圈34a的晶片交接時(shí)間5)第二輸送線30的第二研磨部34的處理時(shí)間6)從頂圈34a至推進(jìn)器60的晶片分離時(shí)間7)直線式傳送裝置56e56g的交換時(shí)間8)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58c至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間9)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間D.第二輸送線30的第二研磨部34從第二輸送線30的第二研磨部34至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的輸送時(shí)間為下述時(shí)間的合計(jì)。1)第二輸送線30的第二研磨部34的處理時(shí)間2)從頂圈34a至推進(jìn)器60d的晶片分離時(shí)間3)直線式傳送裝置56e56g的交換時(shí)間4)通過(guò)第二輸送機(jī)械手54b從升降機(jī)58c至第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b輸送晶片的輸送時(shí)間5)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b的處理時(shí)間如上所述，以投入研磨裝置內(nèi)的所有的未清洗晶片為對(duì)象，計(jì)算出"清洗開(kāi)始預(yù)計(jì)時(shí)刻"和"到達(dá)第一清洗機(jī)42a時(shí)的清洗單元40內(nèi)的晶片位置數(shù)據(jù)"(以下晶片圖)，基于這些數(shù)據(jù)，在第二研磨結(jié)束后，控制研磨開(kāi)始的時(shí)機(jī)，使晶片不等待時(shí)間地到達(dá)第二翻轉(zhuǎn)機(jī)52b，由此，能夠使從研磨結(jié)束至清洗開(kāi)始的時(shí)間最短。本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，能夠在其技術(shù)思想的范圍內(nèi)實(shí)施各種不同的方式。產(chǎn)業(yè)實(shí)用性本發(fā)明能夠適用于將半導(dǎo)體晶片等研磨對(duì)象物研磨平整且成為鏡面狀的研磨裝置以及存儲(chǔ)在該研磨裝置的控制部中的程序。權(quán)利要求1.一種研磨裝置，其特征在于，具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；第一研磨線以及第二研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)；上述控制部基于上述第一以及第二研磨線中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間、上述輸送機(jī)構(gòu)中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間、上述清洗線中的預(yù)測(cè)清洗時(shí)間以及驅(qū)動(dòng)上述清洗線的上述輸送單元而開(kāi)始進(jìn)行清洗的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，決定上述第一或第二研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于，對(duì)最初被研磨的被研磨物，基于在當(dāng)前時(shí)刻上加上上述預(yù)測(cè)研磨時(shí)間以及上述預(yù)測(cè)輸送時(shí)間而得出的時(shí)刻，求出上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，對(duì)在最初被研磨的被研磨物之后的被研磨物，基于在之前的研磨對(duì)象物的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻上加上上述預(yù)測(cè)清洗時(shí)間而得出的時(shí)刻，求出上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于，上述第一以及第二研磨線各自具備第一研磨部和第二研磨部，上述各研磨線的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間是上述第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間、上述第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間以及將研磨對(duì)象物從上述第一研磨部輸送至上述第二研磨部所需要的線內(nèi)預(yù)測(cè)輸送時(shí)間的總和。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部將從上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻中減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出的時(shí)間作為研磨等待時(shí)間。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述第一研磨部或第二研磨部的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊?.根據(jù)權(quán)利要求4所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部在上述研磨等待時(shí)間為零時(shí)，使上述第一研磨部的研磨開(kāi)始時(shí)刻為從上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻向前追溯與上述預(yù)測(cè)研磨時(shí)間和上述預(yù)測(cè)輸送時(shí)間的合計(jì)時(shí)間相當(dāng)?shù)牧慷贸龅臅r(shí)刻。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部在上述研磨等待時(shí)間為負(fù)時(shí)，使上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間的絕對(duì)值相當(dāng)?shù)牧俊?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨裝置，其特征在于，上述清洗線具備至少2個(gè)清洗機(jī)，將上述清洗機(jī)中清洗時(shí)間長(zhǎng)的清洗機(jī)的清洗時(shí)間作為上述預(yù)測(cè)清洗時(shí)間。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的研磨裝置，其特征在于，上述輸送單元具備一并輸送多個(gè)研磨對(duì)象物的機(jī)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部在上述第一研磨部中的實(shí)際研磨時(shí)間比上述第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間延遲時(shí)，使上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻延遲與該延遲時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊?1.根據(jù)權(quán)利要求10所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部對(duì)后續(xù)的研磨對(duì)象物進(jìn)行將上述延遲時(shí)間反映為上述第二研磨部的研磨等待時(shí)間的運(yùn)算處理。12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部在上述第二研磨部的實(shí)際研磨時(shí)間比上述第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間延遲時(shí)，使上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻延遲與該延遲時(shí)間相當(dāng)?shù)?3.根據(jù)權(quán)利要求12所述的研磨裝置，其特征在于，上述控制部對(duì)后續(xù)的研磨對(duì)象物進(jìn)行將上述延遲時(shí)間反映為上述第二研磨部的研磨等待時(shí)間的運(yùn)算處理。14.一種研磨裝置，其特征在于，具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；多個(gè)研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)；上述控制部將從上述清洗線的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻中減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出的時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述多個(gè)研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊?5.—種研磨裝置，其特征在于，具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；研磨線，具備對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨的多個(gè)研磨部；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的多個(gè)清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)；上述控制部將從上述清洗線的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻中減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)?6.根據(jù)權(quán)利要求l、14或15所述的研磨裝置，其特征在于，上述研磨對(duì)象物在上層形成有金屬膜。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的研磨裝置，其特征在于，上述金屬膜為銅膜。18.—種程序，存儲(chǔ)在研磨裝置的控制部?jī)?nèi)，所述研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；第一研磨線以及第二研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及所述控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)；該程序的特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟基于上述第一以及第二研磨線中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間、上述輸送機(jī)構(gòu)中的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間、上述清洗線中的預(yù)測(cè)清洗時(shí)間以及驅(qū)動(dòng)上述清洗線的上述輸送單元而開(kāi)始進(jìn)行清洗的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，決定上述第一或第二研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟對(duì)最初被研磨的被研磨物，基于在當(dāng)前時(shí)刻上加上上述預(yù)測(cè)研磨時(shí)間以及上述預(yù)測(cè)輸送時(shí)間而得出的時(shí)刻，求出上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻；對(duì)在最初被研磨的被研磨物之后的被研磨物，基于在之前的研磨對(duì)象物的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻上加上上述預(yù)測(cè)清洗時(shí)間而得出的時(shí)刻，求出上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的程序，其特征在于，上述第一以及第二研磨線各自具備第一研磨部和第二研磨部，該程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟基于上述第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間、上述第二研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間以及將研磨對(duì)象物從上述第一研磨部輸送至上述第二研磨部所需要的線內(nèi)預(yù)測(cè)輸送時(shí)間的總和，求出上述預(yù)測(cè)研磨時(shí)間。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟將從上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻中減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出的時(shí)間作為研磨等待時(shí)間。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述第一研磨部或第二研磨部的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊?3.根據(jù)權(quán)利要求21所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟在上述研磨等待時(shí)間為零時(shí)，使上述第一研磨部的研磨開(kāi)始時(shí)刻為從上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻向前追溯與上述預(yù)測(cè)研磨時(shí)間和上述預(yù)測(cè)輸送時(shí)間的合計(jì)時(shí)間相當(dāng)?shù)牧慷贸龅臅r(shí)刻。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟在上述研磨等待時(shí)間為負(fù)時(shí)，使上述清洗幵始預(yù)測(cè)時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間的絕對(duì)值相當(dāng)?shù)牧俊?5.根據(jù)權(quán)利要求18所述的程序，其特征在于，上述清洗線具備至少2個(gè)清洗機(jī)，該程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟將上述清洗機(jī)中清洗時(shí)間長(zhǎng)的清洗機(jī)的清洗時(shí)間作為上述預(yù)測(cè)清洗時(shí)間。26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟在上述第一研磨部中的實(shí)際研磨時(shí)間比上述第一研磨部中的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間延遲時(shí)，使上述清洗幵始預(yù)測(cè)時(shí)刻延遲與該延遲時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊?7.根據(jù)權(quán)利要求26所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)對(duì)后續(xù)的研磨對(duì)象物執(zhí)行將上述延遲時(shí)間反映為上述第二研磨部的研磨等待時(shí)間的運(yùn)算處理。28.根據(jù)權(quán)利要求20所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟在上述第二研磨部的實(shí)際研磨時(shí)間比上述第二研磨部中的研磨時(shí)間的平均值延遲時(shí)，使上述清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻延遲與該延遲時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊?9.根據(jù)權(quán)利要求28所述的程序，其特征在于，使計(jì)算機(jī)對(duì)后續(xù)的研磨對(duì)象物執(zhí)行將上述延遲時(shí)間反映為上述第二研磨部的研磨等待時(shí)間的運(yùn)算處理。30.—種程序，存儲(chǔ)在研磨裝置的控制部?jī)?nèi)，所述研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；多個(gè)研磨線，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及所述控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)；該程序的特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟將從上述清洗線的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻中減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述多個(gè)研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧俊?1.—種程序，存儲(chǔ)在研磨裝置的控制部?jī)?nèi)，所述研磨裝置具備載置部，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒；研磨線，具備對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨的多個(gè)研磨部；清洗線，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的多個(gè)清洗機(jī)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元；輸送機(jī)構(gòu)，在上述載置部、上述研磨線以及上述清洗線之間輸送研磨對(duì)象物；以及所述控制部，控制上述研磨線、上述清洗線以及上述輸送機(jī)構(gòu)的運(yùn)轉(zhuǎn);該程序的特征在于，使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟將從上述清洗線的清洗幵始預(yù)測(cè)時(shí)刻中減去等待時(shí)間為零時(shí)的研磨結(jié)束預(yù)測(cè)時(shí)刻而得出時(shí)間作為研磨等待時(shí)間，在上述研磨等待時(shí)間為正時(shí)，使上述研磨線的研磨開(kāi)始時(shí)刻延遲與上述研磨等待時(shí)間相當(dāng)?shù)牧?。全文摘要研磨裝置具備載置部(14)，載置容納有多個(gè)研磨對(duì)象物的盒(12)；第一研磨線(20)及第二研磨線(30)，對(duì)研磨對(duì)象物進(jìn)行研磨；清洗線(40)，具備對(duì)研磨后的研磨對(duì)象物進(jìn)行清洗的清洗機(jī)(42a、42b、42c、42d)和輸送研磨對(duì)象物的輸送單元(44)；輸送機(jī)構(gòu)(50)，在載置部(14)、研磨線(20、30)及清洗線(40)之間輸送研磨對(duì)象物；控制部，控制研磨線(20、30)、清洗線(40)及輸送機(jī)構(gòu)(50)?？刂撇炕诘谝患暗诙心ゾ€(20、30)的預(yù)測(cè)研磨時(shí)間、輸送機(jī)構(gòu)(50)的預(yù)測(cè)輸送時(shí)間、清洗線(40)的預(yù)測(cè)清洗時(shí)間及驅(qū)動(dòng)清洗線(40)的輸送單元(44)而開(kāi)始進(jìn)行清洗的清洗開(kāi)始預(yù)測(cè)時(shí)刻，決定第一或第二研磨線(20、30)的研磨開(kāi)始時(shí)刻。文檔編號(hào)B24B37/04GK101663739SQ200880012830公開(kāi)日2010年3月3日申請(qǐng)日期2008年4月17日優(yōu)先權(quán)日2007年4月20日發(fā)明者中尾秀高,井上正文,武田晃一申請(qǐng)人:株式會(huì)社荏原制作所