專利名稱：：電氣電子設(shè)備用銅合金及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及適用于電氣電子設(shè)備(Electrical/ElectronicDevice)的引線框、連接器、端子、繼電器、開關(guān)等的Cu-Ni-Si系電子設(shè)備用銅合金及其制造方法。
背景技術(shù)：
：以往，電傳導(dǎo)性和熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的磷青銅、丹銅、黃銅、科森銅鎳硅合金等銅系材料被廣泛用于電氣電子設(shè)備用材料。隨著近年的電氣電子設(shè)備的小型化、輕量化，對用于電氣電子設(shè)備的材料開始要求強(qiáng)度、導(dǎo)電性、耐應(yīng)力松弛特性、彎曲加工性、鍍覆性、壓制性、耐熱性等的提高。在此，同時提髙強(qiáng)度和彎曲加工性或者同時提高強(qiáng)度和導(dǎo)電性并不容易。i:述科森銅鎳硅合金乃Cu-Ni-Si系合金，由于Ni和Si成分的析出，其強(qiáng)度高，是能夠滿足作為電氣電子設(shè)備用銅合金所要求的特性的合金，但是，對于同時提高特性的上述那樣的更嚴(yán)格的條件，現(xiàn)有的科森銅鎳硅合金存在彎曲加工性不足之虞。例如，作為彎曲加工性得到改良的銅合金，有人提出了含有Ni:24%(質(zhì)量)、Si:0.51.0%、Zn:0.11.0%、Al、Mn、Cr等的合金，其中，S:0,002W以下，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)，析出物的尺寸為10nm以下，其分布密度為1x10S個/mi^以上，硬度Hv為220以上(參見日本特開平06-184680號公報)。但是，其彎曲加工性也不能令人滿意。另外，有人還提出了一種含有Ni:4.05.0。/。(質(zhì)量)、Ni/Si比在45的范圍的Si的銅合金板，其余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)，其中，人工時效硬化后的合金板組織中的Ni2Si析出物的平均粒徑為310nm，Ni2Si析出物的平均間隔為25nrn以下(例如參見日本特開2005-089843號公報)。該銅合金板改善了拉伸強(qiáng)度和導(dǎo)電率。另夕卜，還已知一種含有Ni:0.44.8。/o(質(zhì)量)、Si:0.11.2%、Mg等:00.3%的銅合金，其余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)，其中，平均結(jié)晶粒徑為lMm以下，粒徑不足3拜的晶粒占卯％以上的面積(例如參見日本特開2006-089763號公報)，該銅合金改善了拉伸強(qiáng)度、導(dǎo)電率和加工性。但是，雖然在日本特開平06-184680號公報、日本特開2005-089843號公報和2006-089763號公報中記載了以提髙科森銅鎳硅合金的強(qiáng)度為主要目的而進(jìn)行晶粒的超微細(xì)化的合金，但是并不熊與此同時將導(dǎo)電性、彎曲加工性改善到一個高水平。
發(fā)明內(nèi)容鑒于這樣的狀況，本發(fā)明人對銅合金的成分組成、平均結(jié)晶粒徑、該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與彎曲加工性等的關(guān)系進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)通過對其進(jìn)行適當(dāng)?shù)囊?guī)定，能夠改善彎曲加工特性，而不會使強(qiáng)度和導(dǎo)電性劣化?；谶@種認(rèn)識，進(jìn)一步進(jìn)行研究，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明提供了下述的技術(shù)方案(1)一種電氣電子設(shè)備用銅合金，其中，該電氣電子設(shè)備用銅合金含有1.55.0質(zhì)量％的Ni、0.41.5質(zhì)量％的Si，Ni/Si的質(zhì)量比為27，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)，該銅合金的平均結(jié)晶粒徑為2nm20阿，并且該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為lOnm以下。(2)如(1)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其中，所述平均結(jié)晶粒徑在15Mm以下的范圍，并且該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為8nm以下。(3)如(1)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其中，所述平均結(jié)晶粒徑在10Mm以下的范圍，并且該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為5拜以下。(4)如(1)(3)任意一項(xiàng)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其特征在于，除了上述成分之外，銅合金還含有0.0052.0質(zhì)量％的選自Mg、Sn以及Zn組成的組中的至少一種元素，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)。(5)如(1)(4)任意一項(xiàng)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其特征在于，除了上述成分之外，銅合金還含有0.0052.0質(zhì)量％選自Ag、Co、Cr、Fe、Mn、P、Ti以及Zr組成的組中的至少一種元素，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)。(6)—種電氣電子設(shè)備用銅合金的制造方法，其中，至少包括下述的工序a、工序b以及工序c。此外，本發(fā)明中，"平均結(jié)晶粒徑"是觀察熔化重結(jié)晶后的銅合金時存在于銅合金組織中的結(jié)晶的粒徑的平均值；"結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差"是基于這些結(jié)晶粒徑求出的。對于該金屬組織，可以rt例如OM(光學(xué)顯微鏡)、掃描型電子顯微鏡(SEM)等，在通過進(jìn)行熱處理(重結(jié)晶化處理)得到的組織狀態(tài)下、或者經(jīng)熱處理、時效處理、退火等得到的組織狀態(tài)下確認(rèn)該金屬組織。由下述的記載可知本發(fā)明的上述和其他的特征以及優(yōu)點(diǎn)。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的銅合金適當(dāng)?shù)匾?guī)定了Cu-Ni-Si系銅合金的平均結(jié)晶粒徑和結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差，特別地提高了彎曲加工特性，所以在電氣電子設(shè)備用途方面有用。下面對構(gòu)成本發(fā)明的電氣電子設(shè)備用銅合金的成分元素的作用效果及其含量進(jìn)行說明。Ni和Si析出Ni-Si化合物，有助于提髙強(qiáng)度。將Ni規(guī)定在1.55.0質(zhì)量％、Si規(guī)定在0.41.5質(zhì)量。/D的原因在于，其中的任一種元素不足其下限值時，都得不到足夠的強(qiáng)度，而其中的任一種元素髙于其上限值時，都會導(dǎo)致強(qiáng)度飽和，導(dǎo)電率降低。另外，Ni/Si'比在27以外的范圍時，強(qiáng)度和導(dǎo)電率的平衡明顯變差，不適合作為必須具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)電的電氣電子設(shè)備用合金。'本發(fā)明的銅合金優(yōu)選除了上述合金成分之外還含有選自Mg、Sn、Zn中的至少一種元素，由此改善材料特性。添加Mg時，有助于提髙應(yīng)力松弛特性，添加Sn時，有助于提高應(yīng)力松弛特性和提高強(qiáng)度，添加Zn時，有助于提高鍍層親和性(*。S濡扎性)。這樣的元素的含量過少時，不能得到其效果，而Mg含量過多時，導(dǎo)致鑄^時氧化物量增多，鑄造變得困難；Sn含量過多時因鑄造時的偏析會導(dǎo)致熱加工時產(chǎn)生裂痕；Zn含量過多時，不會進(jìn)一步提高鍍覆密合性(&，S密著性)，所有的元素過多的試樣均會發(fā)生導(dǎo)電率的明顯降低，因此不優(yōu)選這些元素過多。本發(fā)明的銅合金可通過選擇熱軋條件、冷軋條件、重結(jié)晶熱處理?xiàng)l件、時效熱處理?xiàng)l件、最終壓延條件等而容易地制造。上述的合金優(yōu)選除了上述合金成分之外還含有選自Ag、Co、Cr、Fe、Mn、P、Ti、Zr組成的組中的至少一種元素，由此可以改善材料特性。添加Ag、Co、Cr時，化合物的形成抑制了重結(jié)晶熱處理時的粒徑粗大化，這種抑制效果有助于彎曲加工性得到改善和強(qiáng)度得到提高；添加Fe、Ti、Zr時，形成化合物，有助于提高強(qiáng)度；通過添加P，有助于抑制鑄造時的氧化物量；通過添加Mn，有助于提高熱加工性。這樣的元素的含量過少時，不能充分得到其效果，而Ag過多時，成本提髙；Co過多時，難以進(jìn)行用于增大固溶的充分的熱處理，不能提高材料特性。Cr過多時，晶粒粗大化的抑制效果已經(jīng)飽和了；Fe過多時，導(dǎo)電率降低；Ti、Zr過多時，鑄造時的氧化物量增多，難以鑄造，或成為熱加工時的裂痕的產(chǎn)生源；Mn過多時，引起導(dǎo)電率的降低；P過多時，析出物增大導(dǎo)致發(fā)生彎曲加工性的劣化；所有的元素過多的試樣均會發(fā)生導(dǎo)電率明顯降低，因此不優(yōu)選這些元素過多。本發(fā)明的銅合金可通過選擇熱軋條件、冷軋條件、重結(jié)晶熱處理?xiàng)l件、時效熱處理?xiàng)l件、最終壓延條件等容易地進(jìn)行制造。接著，對于具有上述的平均結(jié)晶粒徑和結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差的電氣電子設(shè)備用銅合金的制造方法的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的制造方法中，優(yōu)選具有上述工序a、工序b以及工序c，具體地說，更優(yōu)選依次采用下述的工序(1)(10)。(1)鑄造含有1.55.0質(zhì)量％的Ni、0.41.5質(zhì)量％的Si的銅合金的工序，其中，Ni/Si的質(zhì)量比為27，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)；(2)進(jìn)行熱加工、冷加工的工序；(3)重結(jié)晶化熱處理工序；(3-l)優(yōu)選將直至到達(dá)溫度的升溫速度設(shè)定為10'C/秒以上，更優(yōu)選1or/秒ioo'c/秒(升溫速度)。(3-2)到達(dá)溫度優(yōu)選為700950'C(到達(dá)溫度)。(3-3)保持時間優(yōu)選為5300秒(保持溫度)。(3-4)優(yōu)選將直至例如300'C的冷卻速度設(shè)定為20'C/秒以上，更優(yōu)選20。C/秒200'C/秒(冷卻速度)。(4)時效析出工序；(4-l)到達(dá)溫度為300600'C、處理時間為0.510h,此時的從室溫至最高溫度的升溫速度優(yōu)選設(shè)在225'C/分鐘的范圍內(nèi)(升溫條件)。(4-2)降溫時，在30(TC以上時，優(yōu)選在爐內(nèi)以l2-C/分鐘的范圍內(nèi)的冷卻速度進(jìn)行冷卻(冷卻條件)。(5)優(yōu)選在250400'C的溫度進(jìn)行0.55hr加熱，或者在600800'C的溫度進(jìn)行560秒加熱作為應(yīng)變退火工序。如此進(jìn)行，可以高效率地得到具有上述所期望的特性的銅合金。此夕卜，優(yōu)選在工序(4)和工序(5)之間加入進(jìn)行壓延率30%以下(包括0%)的冷加工的工序。下面，對本發(fā)明的銅合金的平均結(jié)晶粒徑和該^晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差進(jìn)行說明。本發(fā)明的銅合金中，其平均結(jié)晶粒徑為2Mm20nm，優(yōu)選為15阿以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10拜以下。平均結(jié)晶粒徑過小時，有時可確認(rèn)到前工序中的加工組織的殘存，彎曲加工性明顯變差。另一方面，平均結(jié)晶粒徑過大時，彎曲加工時容易出現(xiàn)裂紋，彎曲加工性變差。平均結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為lOMm以下，該標(biāo)準(zhǔn)偏差過大時，變?yōu)榇罅胶托×交旌洗嬖诘臓顟B(tài)。此時，大的粒徑位于彎曲的頂點(diǎn)的情況下，有時在曲面出現(xiàn)裂紋，或者有時在彎曲時在大粒徑附近出現(xiàn)折皺，從折皺的大起伏附近發(fā)生鍍層剝離。本發(fā)明的電氣電子設(shè)備用銅合金的強(qiáng)度、導(dǎo)電性優(yōu)異，特別是彎曲加工特性優(yōu)異，能夠很好地用于引線框、連接器、端子、繼電器、開關(guān)等電氣電子設(shè)備用途。另外，通過本發(fā)明的制造方法，能夠高效率地制造具有上述特性的電氣電子設(shè)備用銅合金，還能夠很好地適合大量生產(chǎn)。實(shí)施例"F面基于實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明，但本發(fā)明并不限于此。[實(shí)施例l]熔煉具有下述表1所示的組成的銅合金，得到鑄造成110xl60x30mm的尺寸的鑄塊。將該鑄塊在1OO(TC保持30分鐘，通過熱軋將厚度從30mm加工到12mm后，迅速用水冷卻，實(shí)施淬火(焼入扛)，為了除去表面氧化皮膜，進(jìn)行面切削，達(dá)到10mm左右后，通過冷軋，根據(jù)適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)項(xiàng)目，加工到0.15mm、0.20mm、0，25mm。得到各中間試樣。其后，在表2所記載的溫度維持5300秒溫度的同時，對上述各中間試樣進(jìn)行重結(jié)晶化熱處理，迅速用水冷卻或者油冷卻進(jìn)行冷卻。此時，從室溫至最高溫度的升溫速度在10'C/秒以上的范圍內(nèi)，在300'C以上，冷卻速度在2(TC/秒以上的范圍內(nèi)。除去上述銅合金試樣的表面氧化皮膜后，根據(jù)需要進(jìn)行30%以下(包括0%)的冷軋，為了進(jìn)行時效析出，在45055(TC實(shí)施120分鐘熱處理。此時從室溫至最高溫度的升溫速度在225'C/分鐘的范圍內(nèi)；降溫時，在對析出狀況有影響的300'C以上，在爐內(nèi)以12'C/分鐘的范圍內(nèi)的冷卻速度進(jìn)行冷卻。其后，進(jìn)行壓延率30%以下(包括0°/。)的冷軋，在25040(TC的溫度進(jìn)行0.55hr的加熱或者在600800'C的溫度進(jìn)行560秒的加熱，進(jìn)行應(yīng)變退火。對于如此得到的電氣電子設(shè)備部件用銅合金材的試樣(銅合金試樣)進(jìn)行下述的各種特性評價。a.導(dǎo)電率在保持在20。C(士0.5'C)的恒溫漕中，通過四端子法測定比電阻，計算出導(dǎo)電率。端子間距離為100mm。1).0.2%屈服強(qiáng)度(耐力)和拉伸強(qiáng)度使用與壓延方向平行地切出的基于JISZ2201的5號試驗(yàn)片，基于JISZ2241，每個試樣各測定2根，求出其平均值。關(guān)于0.2%屈服強(qiáng)度，釆用微量殘余伸長法(才7七y卜法)，拉伸強(qiáng)度用最大拉伸應(yīng)力除以原截面積得到的數(shù)值來計算。c.平均結(jié)晶粒徑及其分布(標(biāo)準(zhǔn)偏差)利用濕式研磨、拋光研磨將試驗(yàn)片的與壓延方向垂直的截面精加工成鏡面后，用弱酸液對研磨面腐蝕幾秒，然后，用OM(光學(xué)顯微鏡)拍攝50600倍倍數(shù)的照片，用SEM(掃描型電子顯微鏡)拍攝4005000倍倍數(shù)的照片，基于JISH0501的切斷法，對于截面粒徑測定平均結(jié)晶粒徑。另外，通過一個一個地測定粒徑，求出其粒徑標(biāo)準(zhǔn)偏差。計算粒徑標(biāo)準(zhǔn)偏差時，其測定樣本數(shù)為200。此外，關(guān)于壓延后晶粒變得扁平的試樣，粒徑測定時，測定壓延前的試樣的粒徑(相當(dāng)于重結(jié)晶化熱處理工序終止時)。d.彎曲加工性評價(R/t(GW),R/t(BW)):實(shí)施上述的處理，除去板厚tH).25(mm)、板寬『10(mm)的試樣的氧化膜后，在壓延方向的平行方向(以下GW)、垂直方向(以下BW)這2個方向進(jìn)行內(nèi)側(cè)彎曲角度為90。的彎曲。彎曲的評價方法中，將上述的沒有出現(xiàn)微細(xì)裂紋的最小彎曲半徑R除以試樣板厚t,用得到的R/t進(jìn)行評價。確認(rèn)有無裂紋時，使用OM在50600倍進(jìn)行判斷，或者使用SEM在4002000倍進(jìn)行判斷。R/t的值越小，說明彎曲加工性越好。e.鍍覆層的密合性在30mmxl0mm的試驗(yàn)片上實(shí)施厚度1阿的光澤鍍錫，將其在大氣中，于15(TC保溫1000hr后，實(shí)施180。彎曲后，使彎曲復(fù)原，目視觀察彎曲部分的鍍錫的密合狀態(tài)，根據(jù)需要使用OM在50200倍進(jìn)行有無剝離的確認(rèn)。此處，彎曲部的剝離面積率為010%時記作""、1030%時記作"O"、30%50%時記作"厶"、50。/。以上時記作"X"。f.應(yīng)力松弛特性釆用日本電子材料工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格(EMAS-3003)的懸臂梁式(片持67'口7，式)，作為表面最大應(yīng)力，將載荷應(yīng)力設(shè)定成0.2%屈服強(qiáng)度的80°/。的值，在150'C的恒溫槽保持1000hr，測定應(yīng)力松弛率。對于上述結(jié)果，將中間試樣的合金組成列于表1,銅合金試樣的上述合金特性評價的結(jié)果列于表2表4。一<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>200880017586.5轉(zhuǎn)溫齒滅9/17:K<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表2中，添加了Ni、Si作為銅合金成分的是銅合金試樣1和2，除了Ni、Si之外還添加了Mg、Sn、Zn中的任意1種的是銅合金試樣35，除了Ni、Si之外還添加了Mg、Sn、Zn中任意2種以上的是銅合金試樣610。由于重結(jié)晶化溫度過髙而結(jié)晶粒徑過大的試樣或者由于重結(jié)晶化溫度過低而沒有結(jié)晶的試樣是銅合金試樣11和12。另外，Mg、Sn、Zn的添加量在規(guī)定范圍外的試樣是銅合金試樣1318。'由表2的結(jié)果可知，結(jié)晶粒徑過大的銅合金試樣11和12(比較例)的"鍍覆密合性"、"應(yīng)力松弛性"、"彎曲加工性"差，不足以實(shí)用。與此相對，本發(fā)明的銅合金(銅合金試樣110、1315)在所有的評價項(xiàng)目中均表現(xiàn)出了足夠?qū)嵱玫牧己玫暮辖鹛匦?。其中，如銅合金試樣No.7、8、9、IO的結(jié)果所示可知，進(jìn)一步添加Zn作為合金成分時，鍍覆密合性提高，有助于提高拉伸強(qiáng)度。另外，如銅合金試樣No.6、8、9、IO所示可知，添加Mg時，應(yīng)力松弛特性得到改善。另外，如銅合金試樣No.6、7、9、10所示可知，添加Sn時，應(yīng)力松弛特性提高，與Mg同時添加的No.9、10中，該特性特別明顯。另外，如銅合金試樣No.9、10所示可知，通過同時添加Mg、Sn、Zn,"拉伸強(qiáng)度"、"應(yīng)力松弛特性"、"鍍覆密合性"全部得到了改善。另外，添加量過少時，沒有發(fā)現(xiàn)上述的添加Mg、Sn、Zn所帶來的改善效果(參見銅合金試樣1315)。此外，作為參考，上述的Mg、Sn、Zn過多的情況如下Mg過多時，難以鑄造(參見銅合金試樣16),Sn、Zn過多時，有時引起導(dǎo)電率大幅降低(參見銅合金試樣17、18)。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>試樣見銅合金試樣2326。此外，表3中，為了以上述劃分進(jìn)行對比參考，還包括再次列出的表2所示的結(jié)果。作為比較例，Ni/Si的含量或其質(zhì)量比在規(guī)定范圍外的試樣見銅合金試樣2734。此處，對含有相同濃度的Ni的試樣之間進(jìn)行比較。將銅合金試樣No.23(實(shí)施例)和30(比較例)、銅合金試樣25(實(shí)施例)和34(比較例)進(jìn)行比較時，比較例的試樣的"拉伸強(qiáng)度"、"0.2%屈服強(qiáng)度"和"導(dǎo)電率"差。另外，將銅合金試樣No,24(實(shí)施例)和29(比較例)、銅合金試樣26(實(shí)施例)和33(比較例)比較時，比較例的試樣的Ni/Si大于7.0，"拉伸強(qiáng)度"、"0.2%屈服強(qiáng)度"差。另外，如銅合金試樣No.27、31(均為比較例)所示，Ni量不足L5時，即使將Ni/Si保持在適當(dāng)?shù)闹担?拉伸強(qiáng)度"也出現(xiàn)了明顯的降低。由以上的結(jié)果可知，Ni含量或Ni/Si在規(guī)定范圍外時，有出現(xiàn)導(dǎo)電率降低和強(qiáng)度降低的趨勢。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表4對比給出了未添加可選元素Ag、Co、Cr、Fe、Mn、P、Ti、Zr的銅合金試樣35(實(shí)施例)、添加了規(guī)定范圍內(nèi)的上述可選元素的銅合金試樣3643(實(shí)施例)、添加了不足規(guī)定范圍的上述可選元素的銅合金試樣4451(實(shí)施例)的結(jié)果。由這些對比結(jié)果可知，由于添加上述可選元素的作用(例如上述可選元素與Ni、Si形成的化合物析出等)，銅合金試樣No.3643的"拉伸強(qiáng)度"和"0.2%屈服強(qiáng)度"得到了提高。其中，對于锏合金試樣No.37、38、42、43來說，由于添加Co、Cr、Ti、Zr，晶粒成長性得到了控制，其結(jié)果"彎曲加工性"得到了進(jìn)一步改善。另一方面，上述可選元素的添加量過少的試樣沒有發(fā)現(xiàn)上述那樣的改善效果(參見銅合金試樣No.4451)。此外，銅合金試樣5259是上述可選元素過多的試樣(參考例)，銅合金試樣53產(chǎn)生了裂痕，不能進(jìn)行熱加工。銅合金試樣54、58、59在鑄造時產(chǎn)生了大量的氧化物，不能得到試樣。銅合金試樣52、55、56、57由于添加物的增大導(dǎo)致析出增多，因此導(dǎo)電率明顯降低或者彎曲加工性變差。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>表5給出了重結(jié)晶化處理時的升溫速度、到達(dá)溫度(重結(jié)晶化溫度)、保持時間、冷卻(降溫)速度不同的例子。銅合金試樣6974(比較例)在晶粒成長的溫度域的處理時間變長，平均結(jié)晶粒徑變大，等等，彎曲加工性差。另外，保持時間極短的銅合金試樣68(比較例)的"拉伸強(qiáng)度"、"0.2%屈服強(qiáng)度"降低。與此相對，以本發(fā)明的制造方法的規(guī)定內(nèi)的"升溫速度"、"保持時間"、"降溫速度"進(jìn)行處理的銅合金試樣6067(實(shí)施例)在各評價項(xiàng)目中均顯示出了良好的合金特性。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的電氣電子設(shè)備用銅合金可以很好地用于引線框、連接器、端子、繼電器、開關(guān)等電氣電子設(shè)備用途。另外，本發(fā)明的制造方法適合作為能夠高效地制造上述的電氣電子設(shè)備用銅合金的方法。匕面將本發(fā)明與其實(shí)施方式一同進(jìn)行了說明，但是只要沒有特別指定，本發(fā)明并不限于說明中的任何細(xì)節(jié)，在不違反權(quán)利要求書所示的發(fā)明的精神和范圍的條件下，本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋。本申請基于2007年3月26日在日本國提出的專利申請?zhí)卦?007-080266以及2008年3月25日在日本國提出的專利申請?zhí)卦?008-079256要求優(yōu)先權(quán)，并以參考的形式將這些申請的內(nèi)容作為本說明書的一部分記入本說明書。權(quán)利要求1、一種電氣電子設(shè)備用銅合金，其中，該電氣電子設(shè)備用銅合金含有1.5質(zhì)量％～5.0質(zhì)量％的Ni、0.4質(zhì)量％～1.5質(zhì)量％的Si，Ni/Si的質(zhì)量比為2～7，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)，平均結(jié)晶粒徑為2μm～20μm，并且該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為10μm以下。2、如權(quán)利要求l所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其中，所述平均結(jié)晶粒徑在15拜以下的范圍，并且該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為Sum以下。3、如權(quán)利要求l所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其中，所述平均結(jié)晶粒徑在10曄以下的范圍，并且該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為5pm以下。4、如權(quán)利要求13任意一項(xiàng)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其中，除了上述成分，銅合金還含有0.005質(zhì)量％2.0質(zhì)量％選自Mg、Sn以及Zn組成的組中的至少一種元素，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)。5、如權(quán)利要求14任意一項(xiàng)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金，其特征在于，除了上述成分之外，銅合金還含有0.005質(zhì)量％2.0質(zhì)量％選自Ag、Co、Cr、Fe、Mn、P、Ti以及Zr組成的組中的至少一種元素，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)。6、一種電氣電子設(shè)備用銅合金的制造方法，其特征在于，所述方法至少包括下述的工序a、工序b以及工序c:工序a:鑄造銅合金，其后進(jìn)行熱加工、冷加工的工序，所鑄造的銅合金含有1.5質(zhì)量％5.0質(zhì)量％的Ni、0.4質(zhì)量％1.5質(zhì)量°/。的Si，并且Ni/Si的質(zhì)量比為27，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)；工序b:所述工序a后，進(jìn)行重結(jié)晶化熱處理的工序，在該重結(jié)晶化熱處理中，升溫速度設(shè)定為10'C/秒以上，到達(dá)溫度設(shè)定為700'C950'C，保持時間設(shè)定為5秒300秒，冷卻到300'C的冷卻速度設(shè)定為20'C/秒以上；工序c:所述工序b后進(jìn)行時效析出的工序。全文摘要本發(fā)明提供一種電氣電子設(shè)備用銅合金，其含有1.5～5.0質(zhì)量％的Ni、0.4～1.5質(zhì)量％的Si，Ni/Si的質(zhì)量比為2～7，余分包括Cu和不可避免的雜質(zhì)，平均結(jié)晶粒徑為2μm～20μm，并且該結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為10μm以下。文檔編號C22C9/06GK101680057SQ20088001758公開日2010年3月24日申請日期2008年3月26日優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日發(fā)明者三原邦照,廣瀨清慈,松尾亮佑,江口立彥,金子洋申請人:古河電氣工業(yè)株式會社