專(zhuān)利名稱(chēng)：用于在共用等離子涂覆區(qū)沉積多種涂覆材料的裝置與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及用于涂覆基材的系統(tǒng)。更具體而言，本發(fā)明涉及 等離子涂覆系統(tǒng)及方法，由此使藥劑的導(dǎo)入得以控制來(lái)增強(qiáng)形成在基 材上的涂層。
2.
背景技術(shù)：
通常，等離子涂覆系統(tǒng)(本發(fā)明可應(yīng)用的)包括順序相連的各個(gè) 站或區(qū)域，并且基材連續(xù)移動(dòng)通過(guò)所述站或區(qū)域。這些區(qū)域可以包括 送入鎖定件、加熱區(qū)、 一個(gè)或多個(gè)涂覆區(qū)和送出鎖定件。在涂覆區(qū)(或 多個(gè)涂覆區(qū))中是一個(gè)或多個(gè)等離子源，比如膨脹熱等離子(ETP) 源，以及用于注射涂覆劑的相關(guān)裝置。在涂覆操作期間，基材被移動(dòng) 通過(guò)等離子源(或多個(gè)等離子體源)，涂覆劑(或多種涂覆劑)被注射 到從等離子源射出的等離子射流中。隨著基材移動(dòng)穿過(guò)最終形成的等 離子巻流，涂層就沉積在基材的表面上。
這樣的現(xiàn)有工藝系統(tǒng)不適用于在基材的單個(gè)側(cè)面上同時(shí)涂覆多個(gè) 涂覆子層。如果要涂覆多個(gè)涂覆子層，就要使以前涂覆過(guò)的基材穿過(guò) 附加的涂覆區(qū)，在附加的涂覆區(qū)涂覆附加的的涂覆子層。

發(fā)明內(nèi)容
總體來(lái)講，本發(fā)明涉及通過(guò)將不同的試劑成分注射到從各個(gè)等離 子源射出的等離子射流的上游側(cè)和下游側(cè)的每一側(cè)來(lái)同時(shí)、雙重應(yīng)用等離子源的裝置和方法?？商鎿Q地，供給到所述射流兩側(cè)的試劑成分 是相同的，但是流向上游側(cè)和下游側(cè)的流量是不同的。不同的上游和 下游試劑"配方"可以反映在基材上的復(fù)合涂層中，或者是材料的混合 物中或者是在兩種材料之間的分級(jí)中，這取決于注射參數(shù)和試劑在沉 積到基材上之前穿透到等離子射流中所需的時(shí)間。
總體來(lái)講，依據(jù)本發(fā)明的裝置是用于涂覆基材的串連、連續(xù)等離 子涂覆系統(tǒng)。在這種系統(tǒng)中， 一系列的基材按順序(單件)連續(xù)穿過(guò) 涂覆區(qū)。等離子涂覆系統(tǒng)可包括一個(gè)等離子源或一排等離子源(等離 子陣列)。該系統(tǒng)還包括從等離子源上游的位置將第 一涂覆劑注射到由 等離子源射出的等離子射流中的裝置，以及從等離子源下游的位置將 第二涂覆劑注射到等離子射流中的裝置。用于注射試劑的裝置可包括 在本領(lǐng)域已知的歧管、單獨(dú)的噴射器或嘴口。在注射期間控制器調(diào)節(jié) 涂覆劑的流動(dòng)。第二組用于注射試劑的裝置還可以使用并控制涂層沉 積在基材的第二側(cè)面或相對(duì)的表面上。
更多的特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)從下述說(shuō)明和權(quán)利要求中變得顯而易見(jiàn)。


圖l是依據(jù)本發(fā)明原理涂覆基材的系統(tǒng)的示意性平面圖2是貫穿圖1中系統(tǒng)的涂覆區(qū)的端視圖的示意圖3是圖2中所見(jiàn)涂覆區(qū)并大致沿線(xiàn)3-3剖開(kāi)的示意性側(cè)視圖4示出了帶有可選擇性地用作基材的相連空間填充板的基材前
進(jìn)通過(guò)圖1中的系統(tǒng)；
圖5A描繪了一對(duì)噴射器，用于涂覆依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式
的基材；
圖5B描繪了以圖5A中所示噴射器制造基材上的混合涂層； 圖6A描繪了一對(duì)噴射器，用于涂覆依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方 式的基材；
圖6B描繪了以圖6A中所示噴射器制造基材上的多層涂層。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考附圖，在圖1中示意性示出了依據(jù)本發(fā)明原理的基材涂
覆系統(tǒng)10?；耐扛蚕到y(tǒng)10優(yōu)選地用于在制作塑性玻璃板中涂覆多個(gè)基材20。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，所形成的塑性玻璃板可用于對(duì)透光度有要求的多種應(yīng)用中，包括但不局限于，計(jì)算機(jī)顯示器或監(jiān)視器、用于手持裝備(如手機(jī)、MP3播放器等)的顯示器、透鏡、汽車(chē)部件(包括車(chē)窗、天窗和照明燈)、摩托車(chē)風(fēng)擋、頭盔護(hù)目鏡，以及非車(chē)用窗戶(hù)，如用于船舶、火車(chē)、飛機(jī)及建筑物?；?0(示出了兩個(gè)基材)；陂連續(xù)移動(dòng)通過(guò)系統(tǒng)10，該系統(tǒng)10包括各個(gè)站或區(qū)域。這樣的區(qū)域可包括送入鎖定件12、基材加熱區(qū)14、 一個(gè)或多個(gè)基材涂覆區(qū)16和送出鎖定件18,它們都順次連接并且處于氣密狀態(tài)。所述各種區(qū)域可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)真空泵(未示出)抽成真空從而保持對(duì)涂覆操作有益的合適真空壓力。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，基材本身可以由各種不同的材料形成。在示例性實(shí)施方式中，基材20由熱塑性材料制成。這樣的材料包括但不局限于聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺和聚氯乙烯。其它合適的用于基材20的材料包括聚碳酸酯樹(shù)脂、聚酯碳酸酯、丙烯酸類(lèi)聚合物、聚酯、聚氨基曱酸酯類(lèi)及類(lèi)似物。可用來(lái)制作基材20的更多材料示例包括陶瓷、玻璃、金屬或半導(dǎo)體?；?0可依據(jù)材料的構(gòu)造通過(guò)不同的技術(shù)形成。這些技術(shù)包括但不局限于注射成形、冷成型、真空成型、擠壓、吹塑成型、傳遞模塑、壓力成形以及熱成形。 一旦形成，基材20在形狀上可以是彎曲的或平坦的，在性質(zhì)上可以是剛性的或柔性的。
在應(yīng)用系統(tǒng)10時(shí)，基材20被放置在基材承載件24上，其可以是架子、懸吊工具或其它裝置。這樣的裝置在工業(yè)中是已知的，因此就不在此進(jìn)一步說(shuō)明。基材承載件24進(jìn)入送入鎖定件12，然后在送入鎖定件12內(nèi)或在送入鎖定件12之前，與傳送器接合， 一般以箭頭25指示，將承載件24和基材20傳輸通過(guò)涂覆系統(tǒng)10。顯然，任何適于傳輸承栽件24和基材20通過(guò)涂覆系統(tǒng)10的裝置都可以使用。一旦傳輸?shù)交募訜釁^(qū)14內(nèi)，基材20就被加熱到適于涂覆基材20的溫度。為達(dá)此目的，基材加熱區(qū)14包括加熱單元26，圖中示出了兩個(gè)。加熱單元26定位在基材加熱區(qū)14的內(nèi)部或外部，位于側(cè)壁或沿著側(cè)壁，或者定位在系統(tǒng)10的整體設(shè)計(jì)指定的位置。各種類(lèi)型的加熱單元26都可使用，包括但不局限于紅外線(xiàn)加熱器、電阻加熱器、非活性等離子流及類(lèi)似裝置。
在穿越通過(guò)基材加熱區(qū)14后，基材承載件24進(jìn)入基材涂覆區(qū)16,在所述基材涂覆區(qū)16處涂層被沉積在基材20上。 一旦基材20已被涂覆，它們接著被傳輸?shù)剿统鲦i定件18，基材20在所述鎖定件18從涂覆系統(tǒng)10中釋放。
本發(fā)明可以使用各種涂覆方法和步驟，如圖所示，基材涂覆區(qū)16包括一個(gè)或多個(gè)等離子陣列28，如膨脹熱等離子(ETP)源陣列。等離子陣列28可在涂覆區(qū)16內(nèi)彼此相對(duì)地成對(duì)布置。每個(gè)等離子源38，如圖3所示，可安裝在其自身的出口上，或者等離子陣列28可安裝到歧管30，歧管30位于基材涂覆區(qū)16的側(cè)壁上。
每個(gè)陣列28優(yōu)選地被供給惰性氣體，該惰性氣體被加熱的、部分電離的然后從陣列28射出成為一連串的等離子射流32。這在圖1中基本上顯示為來(lái)自相對(duì)的陣列28、進(jìn)入基材涂覆區(qū)16的復(fù)合等離子射流?？膳c涂覆系統(tǒng)10應(yīng)用的惰性氣體的示例包括但不局限于氬、氦、氖等。
第一涂覆劑和第二涂覆劑(它們之一可以是氧化氣體)，分別從試劑注射歧管段34、 36注射。以汽化形式在控制的速度下注射的涂覆劑分散到等離子射流32中，該射流32在基材涂覆區(qū)16中膨脹并且其被導(dǎo)向輸送穿過(guò)其間的基材20。涂覆劑的示例包括但不局限于有機(jī)硅，比如十甲基環(huán)五硅氧烷(D5)、乙烯基三甲基硅烷(VTMS)、 二甲基二甲氧基硅烷(DMDMS)、八曱基環(huán)四硅氧烷(D4)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、四甲基四乙烯基環(huán)丁硅氧烷(V-D4)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)及類(lèi)似物。氧化氣體的示例包括但不局限于氧氣和一氧化二氮，或任何它們的組合物。現(xiàn)在參考圖2和圖3，系統(tǒng)10的各種構(gòu)造都涉及當(dāng)基材20前進(jìn)穿過(guò)涂覆區(qū)16時(shí)在其一個(gè)或兩個(gè)側(cè)面上沉積多種活化試劑或者在某些實(shí)施方式中沉積單一試劑?；?0被加熱單元26加熱以確保基材20在進(jìn)入涂覆區(qū)16之前處于適合的溫度。如果需要，在涂覆區(qū)16自身內(nèi)可以使用附加的加熱器以彌補(bǔ)從加熱器14輸送到涂覆區(qū)16過(guò)程中的任何熱損失。
涂覆區(qū)16為真空腔室并且包括一個(gè)或多個(gè)等離子源38 (作為非限定性示例示出了6個(gè))，其位于涂覆區(qū)16的一個(gè)或兩個(gè)側(cè)面上。歧管段34、 36可進(jìn)一步描述成上游歧管段134、 136或下游歧管段234、236并且每個(gè)上游段134、 136與下游段234、 236配對(duì)。在此所用的術(shù)語(yǔ)上游和下游是參考歧管段相對(duì)于等離子源38的位置并且在基材20的移動(dòng)方向上(由箭頭40所指，見(jiàn)圖3)。每個(gè)歧管段34、 36與等離子源38中的一個(gè)或多個(gè)相關(guān)。這樣，圖3所示的涂覆區(qū)16的一個(gè)或兩個(gè)側(cè)面上設(shè)有上游歧管段134、 136與下游歧管段234、 236。在所示實(shí)施方式中，涂覆區(qū)的每個(gè)側(cè)面包括六個(gè)上游和六個(gè)下游歧管段，然而每個(gè)側(cè)面可包括更多或更少數(shù)目的歧管段。將歧管分段能夠根據(jù)所期望的方案實(shí)現(xiàn)單獨(dú)的流動(dòng)轉(zhuǎn)換。通過(guò)涂覆區(qū)16的各個(gè)歧管段34、36彼此獨(dú)立地注射涂覆劑。
如圖3所示，前進(jìn)的基材20的前緣42首先通過(guò)上游歧管段134、136，然后是等離子陣列28及其各自的等離子源38，最后是下游歧管段234、 236。因此，后緣44是基材20通過(guò)下游歧管段234、 236的最后部分。
當(dāng)連續(xù)的基材20之間存在間隙或空間時(shí)，系統(tǒng)IO會(huì)包括使得在涂覆區(qū)16的真空腔室壁上沉積的外來(lái)涂覆材料最小化的結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施方式中，如圖4所示，該結(jié)構(gòu)可以是空間填充板46，其通過(guò)一組突片48連接到承載件24和/或傳送器25,與基材20間距很小，從而其成為基材20邊緣的實(shí)際延伸。這樣的空間填充板46在圖4中大致示出。
在另外的實(shí)施方式中，如圖5A和6A所示，不是使用歧管段來(lái)涂覆基材20，而是一個(gè)或多個(gè)上游試劑噴射器144、 146和一個(gè)或多個(gè)下游試劑噴射器244、 246可與每個(gè)等離子源38相連，從而將涂層沉積在基材20上。對(duì)于各種不同的歧管，汽化的試劑流向各種噴射器的控制是采用與上述相同的方式完成的。
上面的實(shí)施方式在下文中描述為被用于在單個(gè)涂覆區(qū)16中的基材上創(chuàng)建混合涂層或分級(jí)涂層。雖然任何所述實(shí)施方式都可用于制造這些涂層，本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)將僅描述與圖5A和6A相關(guān)的過(guò)程，可以理解，可以替換地使用在以前的附圖中所見(jiàn)的歧管段134、 136。
為方便起見(jiàn)，使用兩個(gè)時(shí)間特征來(lái)描述與等離子射流32有關(guān)的涂覆過(guò)程a)橫向混合時(shí)間/,和b)傳遞時(shí)間/,。沖黃向混合時(shí)間/,是試劑需要完全穿透等離子射流32所需時(shí)間長(zhǎng)度的特征。傳遞時(shí)間,,是等離子射流(帶有試劑(或多種試劑))從噴射器平面(由噴射器49限定的平面)橫向穿越到達(dá)基材20，沿等離子射流32的路徑測(cè)量的距離所需時(shí)間長(zhǎng)度的特征。
如果希望將兩種功能性涂覆材料(例如， 一種用于UV阻擋而一種用于抗磨損)混合，那么各自材料的試劑被分別各自獨(dú)立地供給到上游和下游噴射器144、 244。選擇噴射器144、 244的參數(shù)(如位置、數(shù)量、分布、取向及尺寸)以及其它的工藝參數(shù)以便相對(duì)于帶有試劑的射流32到達(dá)基材的傳遞時(shí)間增強(qiáng)試劑朝向各等離子源38的等離子射流32的軸線(xiàn)50的快速穿透。也就是說(shuō)，選擇噴射器144、 244的參數(shù)以及其它的工藝參數(shù)以使隨著上游試劑和下游試劑被供給到各個(gè)噴射器144、 244，試劑在等離子射流32內(nèi)混合，從而生成混合涂層52，該涂層52具有反映上游和下游所提供的試劑結(jié)合涂覆作用的基本均勻的層。根據(jù)所用的特定試劑，當(dāng)混合時(shí)單獨(dú)的涂覆材料的功能可能或者可能不被保持。這樣的涂層可以通過(guò)如圖5A中所示噴射器144、 244的布置來(lái)制備，其中噴射器144、 244的尖端插入等離子射流32中或者在其附近。
另一方面，如果需要從一種功能的涂層材料向另外一種功能的涂層材料轉(zhuǎn)變，那么可將各材料的試劑再次分別獨(dú)立地供給到上游和下游歧管之一。然而，噴射器144、 244的參數(shù)以及其它的工藝參數(shù)的選
子射流32的慢速穿透。也就是說(shuō)，通過(guò)射流32的上游和下游兩半部進(jìn)行沉積的涂層子層將趨于反映經(jīng)由上游和下游噴射器144、244供給的各自試劑。在掃描或移動(dòng)通過(guò)射流32的基材上所形成的復(fù)合涂層54將反映從上游試劑形成的涂層子層到下游試劑形成的涂層子層的轉(zhuǎn)變。這種多層涂層54可以通過(guò)如圖6A所示的噴射器144、244的布置來(lái)制備，其中噴射器的尖端離開(kāi)，而不是插入等離子射流32。也就是說(shuō)，選擇上游和下游噴射器144、 244的參數(shù)以及其它的工藝參數(shù)以增加等離子射流32內(nèi)上游試劑與下游試劑的不完全混合與分離。多層涂層54 (圖6B)具有兩個(gè)子層56、 58和介于其間的過(guò)渡區(qū)60。子層56最靠近而子層58最遠(yuǎn)離基材20，這分別反映出上游試劑與下游試劑的單個(gè)涂覆作用的主導(dǎo)地位。
圖6A所示的布置能夠用于制造各種類(lèi)型的多層涂層54。在某些實(shí)施方式中，上游和下游噴射器144、 244可分享同一試劑源，但是上游和下游噴射器的流量可以不同。例如， 一組噴射器可以一個(gè)流量供給D4而另外一組噴射器可以另一流量供給D4。在其它實(shí)施方式中，可從不同的試劑源62、64將不同的試劑供給到上游和下游噴射器144、244。
在特殊的實(shí)施方式中，抗磨涂層的第一和第二子層56、 58之間的轉(zhuǎn)變可以是子層具有顯著不平衡厚度的結(jié)果。例如，第一子層56的厚度可減小而第二子層58的厚度增加，這樣可以提高抗磨性而不損害水浸潤(rùn)性能，并且不降低通過(guò)系統(tǒng)10的生產(chǎn)能力。
在另一實(shí)施方式中，上游噴射器144被用來(lái)沉積作為第一子層56的界面層IL以確保后續(xù)的抗磨層(第二子層58)對(duì)某些基材20 (例如，聚碳酸酯基材)的粘接。在一種情況中，所述界面層IL由相同的作為抗磨層的有機(jī)硅試劑形成，但是與其相結(jié)合的氧化劑流卻相當(dāng)慢或沒(méi)有。
在另一實(shí)施方式中，上游噴射器144被用來(lái)沉積IL第一子層56，
ii但是試劑與用于第二子層58的抗磨層不同。在這種情況下，分開(kāi)的試 劑源62、 64被用于上游和下游噴射器144、 244。
在另外的實(shí)施方式中，噴射器144、 244中的一個(gè)被用于沉積UV 阻擋子層(例如TiOj。特別是，上游和下游噴射器144、 244分別沉 積IL和UV層。然后，可以使用附加的涂覆區(qū)16來(lái)沉積抗磨層，作 為一個(gè)層或兩個(gè)子層?？商鎿Q地，在第一涂覆區(qū)16內(nèi)的上游和下游噴 射器144、 244沉積UV層作為第一子層56并將抗磨層作為第二子層 58，然后使用第二涂覆區(qū)16來(lái)完成形成穿過(guò)更多子層的抗磨層的沉 積。
在又一實(shí)施方式中，上游噴射器144沉積抗磨層的子層，而下游 噴射器244沉積該子層的改進(jìn)形式，其適于提供想要的表面性質(zhì)，如 疏水性或自清潔性能，而同時(shí)保持抗磨性。
在任何一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)使用圖5A中所示噴射器144、 244 的布置，涂層可被制備成混合型的而不是分級(jí)的子層。另外，可以將 多于一種的試劑供給到每個(gè)噴射器144、 244。另一組一個(gè)或多個(gè)噴射 器可與每個(gè)等離子源38相連。這些另外的噴射器可接收不同于供給到 噴射器144、 244的試劑的另一試劑?？商鎿Q地，附加的噴射器可接收 與供給到一個(gè)或兩個(gè)噴射器144、 244相同的試劑。
如圖5A和6A中所見(jiàn)，系統(tǒng)10進(jìn)一步包括控制器66,其引導(dǎo)上 游和下游噴射器144、 244，從而噴射器可以彼此獨(dú)立地操作。試劑源 62、 64以汽化形式供給涂覆劑，這樣可應(yīng)用加壓涂覆劑貯存器和質(zhì)量 流量控制器?？刂破?6通過(guò)質(zhì)量流量控制器調(diào)節(jié)涂覆劑向各個(gè)噴射器 的液流。
本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)很容易理解，上述描述是作為本發(fā)明原理的實(shí) 施方式的舉例說(shuō)明。該說(shuō)明不是限制本發(fā)明的范圍或應(yīng)用，因?yàn)樵诓?br> 改、變化和改變。
權(quán)利要求
1.一種用于涂覆基材的裝置，所述基材沿著行進(jìn)路徑移動(dòng)穿過(guò)所述裝置，所述裝置包括至少一個(gè)等離子源，其構(gòu)造用于在所述基材沿所述路徑移動(dòng)時(shí)向所述基材射出等離子射流；第一試劑源；至少一個(gè)上游排出嘴口，其相對(duì)于所述基材的所述行進(jìn)路徑位于所述等離子源的上游，所述第一試劑源與所述上游排出嘴口聯(lián)接，所述上游排出嘴口被定位成從所述第一試劑源將所述第一試劑噴射到從所述等離子源射出的等離子射流中；第二試劑源；至少一個(gè)下游排出嘴口，其相對(duì)于所述基材的所述行進(jìn)路徑位于所述等離子源的下游，所述第二試劑源與所述下游排出嘴口聯(lián)接，所述下游排出嘴口被定位成從所述第二試劑源將所述第二試劑噴射到從所述等離子源射出的等離子射流中；和控制器，其構(gòu)造用于根據(jù)第一組參數(shù)調(diào)節(jié)所述第一試劑向所述上游排出嘴口的流動(dòng)，所述控制器被構(gòu)造用于根據(jù)第二組參數(shù)調(diào)節(jié)所述第二試劑向下游排出嘴口的流動(dòng)，從而所述第一試劑和所述第二試劑被涂施在所述基材上以在所述基材上形成涂層的至少一個(gè)層。
2. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述第一試劑源和所 述第二試劑源是相同的，所述第一組參數(shù)和所述第二組參數(shù)是不同的。
3. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述第一試劑源和所 述第二試劑源彼此不同。
4. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述第一試劑源和所 述第二試劑源在所述等離子射流中混合以在所述基材上形成混合涂 層。
5. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述第一試劑和所迷 第二試劑被涂施在所述基材上以形成所述涂層的至少兩個(gè)子層，每個(gè)所述子層與所述上游試劑源和所述下游試劑源之一的作用相關(guān)聯(lián)。
6. 如權(quán)利要求l所述裝置，其特征在于，所述上游排出嘴口和所 述下游排出嘴口分別與上游歧管和下游歧管相聯(lián)。
7. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述上游歧管和所述 下游歧管分別包括多個(gè)上游嘴口和下游嘴口 。
8. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述上游排出嘴口和 所述下游排出嘴口分別與上游噴射器和下游噴射器相聯(lián)。
9. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述等離子源是等離子陣列的多個(gè)等離子源中的一個(gè)，所述上游排出嘴口和所述下游排出 嘴口與所述等離子陣列的每個(gè)所述等離子源相聯(lián)。
10. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述上游排出嘴口 和所述下游排出嘴口中的至少 一個(gè)位于包括所述等離子射流的區(qū)域 內(nèi)。
11. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述上游排出嘴口 和所述下游排出嘴口中的至少一個(gè)位于包括所述等離子射流的區(qū)域之 外。
12. —種涂覆基材的方法，所述方法包括以下步驟 沿穿過(guò)涂覆區(qū)的路徑移動(dòng)基材； 形成朝向所述基材的一個(gè)側(cè)面引導(dǎo)的等離子射流；從所述等離子射流的上游位置將第 一試劑噴射到所述等離子射流中；從所述等離子射流的下游位置將第二試劑噴射到所述等離子射流 中；和根據(jù)第 一組參數(shù)調(diào)節(jié)所述第 一試劑的流動(dòng)；根據(jù)第二組參數(shù)調(diào)節(jié)所述第二試劑的流動(dòng)，從而所述第一試劑和所述第二試劑被涂施在所述基材上以在所述基材上形成涂層的至少一 個(gè)層。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述噴射步驟噴射 相同的試劑，所述第二組參數(shù)與所述第一組參數(shù)不同。
14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述噴射步驟噴射 不同的試劑作為第 一試劑和第二試劑。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述調(diào)節(jié)步驟包括 控制與所述上游排出嘴口和所述下游排出嘴口聯(lián)接的至少一個(gè)試劑源 的操作。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括將所述第一試劑與所 述第二試劑在所述等離子射流中基本上混合以在所述基材上沉積混合涂層。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括基本上使所述第一試 劑與所述第二試劑在所述等離子射流中不混合，從而在所述基材上沉 積主要由所述第一試劑形成的涂層的第一子層并且在所述基材上沉積 主要由所述第二試劑形成的涂層的第二子層。
18. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一試劑從所 述等離子射流的上游部分內(nèi)的位置噴射。
19. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二試劑從所 述等離子射流的下游部分內(nèi)的位置噴射。
20. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，噴射的所述第一試 劑和所述第二試劑中的每一個(gè)在涂施在所述基材上之前僅部分地穿透 到所述等離子射流中。
21. 如權(quán)利要求12所述方法，其特征在于，噴射的所述第一試劑 和所述第二試劑中的每一個(gè)在涂施在所述基材上之前完全地穿透到所 述等離子射流中。
全文摘要
一種裝置和方法，其用于涂覆沿行進(jìn)路徑穿過(guò)該裝置移動(dòng)的基材(20)。等離子源(30)射出等離子射流(32)，第一試劑從位于該射流上游位置的排出嘴口(144、146)注射到所述等離子射流(32)內(nèi)。第二試劑從位于所述射流下游位置的排出嘴口(244、246)注射到所述射流內(nèi)?？刂破?166)被構(gòu)造用于根據(jù)第一組參數(shù)調(diào)節(jié)第一試劑的流動(dòng)并且根據(jù)第二組參數(shù)調(diào)節(jié)第二試劑的流動(dòng)。結(jié)果，第一試劑和第二試劑被涂施在基材上，從而在基材上形成涂層的至少一個(gè)層。
文檔編號(hào)C23C16/50GK101688306SQ200880022694
公開(kāi)日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2008年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月17日
發(fā)明者S·M·蓋斯沃斯 申請(qǐng)人:?？税⑻┛擞邢挢?zé)任公司