專利名稱：連續(xù)鑄造設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及連續(xù)鑄造設(shè)備，其包括模具、布置在模具之外并且布置成用于提供施加于模具中的熔化物的電磁場的電磁設(shè)備、以及電感傳感器，為所述電磁設(shè)備提供包括基頻和諧波的電流，并且由此生成基于基頻的第一電磁場和基于所述諧波的第二電磁場，為感測所述熔化物的彎月面(meniscus)的位置的目的而將所述電感傳感器布置在模具處， 并且所述電感傳感器在與所述諧波對應(yīng)的頻率下操作。通常，電磁設(shè)備形成布置成用于攪拌模具中的熔化物的所謂電磁攪拌器。通常，所述基頻在0. 5-lOHz的范圍內(nèi)，而同時所述諧波可能在幾百Hz的范圍內(nèi)，例如在700-900HZ 范圍內(nèi)。電感傳感器的典型操作頻率可以例如是800Hz。根據(jù)本發(fā)明的電磁設(shè)備通常包括至少一個鐵芯，在該鐵芯上設(shè)置有繞組，為該繞組提供呈現(xiàn)所述基頻和諧波的交流。諧波的提供通常是由于提供連接到電磁設(shè)備并且為該電磁設(shè)備提供電功率的變頻器。
背景技術(shù)：
為了攪拌連續(xù)鑄造設(shè)備中的模具中的熔化物的目的而使用所謂電磁攪拌器形成本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。優(yōu)選地，借助于這樣的電磁攪拌器來攪拌熔化物的部分， 包括其彎月面的區(qū)域。然而，在某些其中由于存在于彎月面處的攪拌而具有將雜質(zhì)帶入熔化物中的風險的情況中，現(xiàn)有技術(shù)建議使用對攪拌器的電磁場不可滲透的屏蔽，以抑制彎月面區(qū)域中的攪拌。為了控制鑄造過程，使用電感傳感器以便監(jiān)視熔化物的彎月面的水平是公知的。 通常，這樣的傳感器包括兩個線圈，一個用于在熔化物中感應(yīng)出渦流，并且另一個用于感測所述渦流。通?？梢詾閭鞲衅魈峁└哳l電流，例如800Hz的交流。同樣為了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的理由，已經(jīng)廣泛使用變頻器來向電磁攪拌器提供電磁攪拌器可以利用來進行操作的交流，通常為0. 5-10HZ。然而，變頻器將在變頻器為攪拌器提供的基頻之上導(dǎo)致諧波的提供(即高頻電流)。申請人已經(jīng)認識到由所述諧波生成的電磁場可能干擾被用來監(jiān)視彎月面高度的電感傳感器的操作。發(fā)明目的本發(fā)明要解決的問題是提供一種連續(xù)鑄造設(shè)備，該連續(xù)鑄造設(shè)備允許該設(shè)備的模具中的熔化物的有效攪拌，而同時在相同時間允許借助于布置在模具處的電感測量傳感器正確測量彎月面的高度。具體地，借助于電磁攪拌器，應(yīng)當允許該設(shè)備的模具中的熔化物的彎月面區(qū)域中的攪拌。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是借助于開頭限定的連續(xù)鑄造設(shè)備來實現(xiàn)的，該設(shè)備的特征在于 所述連續(xù)鑄造設(shè)備包括設(shè)置在電磁設(shè)備和傳感器之間的至少一個屏蔽，并且所述屏蔽被布置成用于阻止第二電磁場干擾傳感器的操作但是允許第一電磁場施加于彎月面區(qū)域中的熔化物上。通常，生成第二電磁場的所述諧波與所述基頻相比具有較高頻率。屏蔽定位在電磁設(shè)備和傳感器之間使得該屏蔽將削弱第二電磁場直接從電磁設(shè)備朝向傳感器延伸的效應(yīng)。優(yōu)選地，傳感器位于模具的上端區(qū)域中。通常，電磁設(shè)備的上端在定位傳感器的水平之下的水平處結(jié)束。因此，屏蔽可以在電磁設(shè)備之上在橫向方向上延伸以便將電磁設(shè)備從傳感器屏蔽開。屏蔽也可以從電磁設(shè)備的上端在豎直或者接近豎直的方向上向下延伸。優(yōu)選地，屏蔽由薄板形成，該薄板在豎直方向上延伸并且具有在電磁設(shè)備的上端之上水平地延伸的凸緣。應(yīng)當理解，電磁設(shè)備通常包括由繞組(通過繞組傳導(dǎo)電流)形成的多個電極。 可以存在其上布置所述電極的一個或者多個芯。根據(jù)一個實施方式，該芯是環(huán)形的并且連續(xù)地圍繞模具。根據(jù)另一實施方式，電磁設(shè)備包括設(shè)置在模具的相對側(cè)的芯。

為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述屏蔽具有在所述第一電磁場的磁滲透深度之下并且在所述第二電磁場的磁滲透深度的至少50%之上的厚度。由此可以獲得對第二電磁場的足夠削弱，以便不干擾傳感器的操作。然而根據(jù)優(yōu)選實施方式，該厚度在第二電磁場的磁滲透
深度之上，由此確保足夠的削弱。磁滲透深度S可以表達為5 = [2/(廠_)]1/2,其中μ
是屏蔽材料的磁滲透率，ω是角頻率，并且σ是屏蔽材料的電導(dǎo)率。因此，磁滲透深度與屏蔽材料的磁滲透率和其電導(dǎo)率兩者成比例，并且其隨著電磁場的頻率增加而減小。因此， 對于給定磁滲透率和電導(dǎo)率的材料，低頻電磁場的磁滲透深度比高頻電磁場的磁滲透深度大。因此，屏蔽的厚度t可以表達為51>t> δ2，其中S1是第一磁場的磁滲透深度，并且δ2是第二磁場的磁滲透深度，即由與所考慮的傳感器的操作頻率對應(yīng)的頻率的電流生成的磁場。換言之，厚度可以表達為[2/(μ l0)]1/2>t> [2/(μ ω2σ)]1/2，其中ω工是生成第一電磁場的電流的頻率，并且ω2是生成第二電磁場的電流的頻率。屏蔽的總厚度應(yīng)當足夠高，以便與由于從第二電磁場的源到傳感器或者模具壁的距離而導(dǎo)致的第二電磁場的強度下降結(jié)合，將第二電磁場的強度減小到確保傳感器的操作功能的這種程度。根據(jù)本發(fā)明，所述屏蔽的厚度為使得其將施加于傳感器的第二電磁場的強度減小至少90%。優(yōu)選地，屏蔽的厚度足夠用來完全阻止第二電磁場到達并且影響傳感器。優(yōu)選地，所述屏蔽的厚度為使得其將施加于彎月面區(qū)域中的熔化物的第一電磁場的強度減小不超過近似10%。優(yōu)選地，屏蔽的厚度足夠低，以使第一電磁場不受影響，從而允許第一電磁場以完全效果與熔化物相互作用。根據(jù)一個實施方式，傳感器被布置在電磁設(shè)備的上端之上的水平處，并且所述屏蔽包括在電磁設(shè)備的上端之上延伸的薄板。所述薄板可以主要在豎直方向上延伸，或者它可以在電磁設(shè)備之上在橫向或者水平方向上延伸。這個特征在以下情況中是優(yōu)選的，在該情況中傳感器被布置在電磁設(shè)備之上的水平處，并且要求將在電磁設(shè)備和傳感器之間在向上方向上延伸的第二電磁場從傳感器屏蔽開。根據(jù)一個實施方式，所述屏蔽包括在電磁設(shè)備和模具之間延伸的薄板。在電磁設(shè)備和模具之間延伸的薄板將阻止第二電磁場在模具中感應(yīng)出渦流。這樣的渦流，如果不抑制的話，將會在模具的末端區(qū)域中生成局部電磁場，其中傳感器位于該末端區(qū)域中。這樣的場將會相應(yīng)地具有與所述諧波對應(yīng)的頻率，并且負面地影響傳感器的功能。因此，通過在電磁設(shè)備和模具之間布置屏蔽，使得屏蔽抑制或者阻止第二電磁場延伸到模具中并且在模具中生成感應(yīng)的渦流，進一步避免了對傳感器功能的干擾。盡管如此，屏蔽被布置成允許第一電磁場到達并且同時延伸通過模具壁。優(yōu)選地，屏蔽將電磁設(shè)備的主要部分從模具屏蔽開。換言之，屏蔽應(yīng)當在第二電磁場從電磁設(shè)備朝向模具延伸的區(qū)域的至少一半之上延伸。優(yōu)選地，所述屏蔽在電磁設(shè)備和模具之間沿著電磁設(shè)備的高度的至少一半延伸， 并且優(yōu)選地，其在電磁設(shè)備的所有高度之上延伸，由此完全將模具從第二電磁場屏蔽。根據(jù)優(yōu)選實施方式，電磁設(shè)備圓周地圍繞模具延伸，其中屏蔽連續(xù)地圓周地在電磁設(shè)備和模具之間延伸。優(yōu)選地，屏蔽在電磁設(shè)備和模具之間在圓周方向上覆蓋電磁設(shè)備的整個寬度。根據(jù)一個實施方式，電磁設(shè)備包括設(shè)置在模具的相對側(cè)的線圈，并且所述屏蔽包括用于每個線圈的分離的屏蔽。優(yōu)選地，每個屏蔽具有的寬度等于或者大于與其關(guān)聯(lián)的線圈的寬度，并且每個屏蔽被定位成使得它將整個線圈從模具屏蔽開，或更精確地，使得不論實際線圈是否由屏蔽覆蓋，屏蔽將由所述線圈生成的磁場屏蔽開。換言之，屏蔽應(yīng)當足夠大，以在電磁設(shè)備和模具之間形成有效屏蔽，以阻止模具遭受所述第二電磁場的影響。根據(jù)優(yōu)選實施方式，本發(fā)明建議了至少沿著所述屏蔽的部分，所述屏蔽包括由空隙隔開的至少兩個相鄰的子屏蔽。每個子屏蔽包括薄板。相互重疊并且由空隙隔開的兩個子屏蔽與具有與所述兩個子屏蔽的厚度的總和對應(yīng)的厚度的單個屏蔽相比，將會更多地增強對第二電磁場的削弱效應(yīng)。因此，屏蔽以由空隙隔開的兩個或者更多個子屏蔽形式的細分將會要求更少的材料。兩個或者多個子屏蔽可以具有相同或者不同組成。優(yōu)選地，它們彼此電絕緣。在這個上下文中，還應(yīng)當提到，屏蔽從模具并且優(yōu)選地從電磁設(shè)備電絕緣是優(yōu)選的。如先前提到的，屏蔽的磁滲透深度依賴于屏蔽材料的磁滲透率和電導(dǎo)率。高磁滲透深度將要求厚度較薄并且較輕的屏蔽。因此，高磁滲透率可以由低電導(dǎo)率補償，并且反之亦然。根據(jù)一個優(yōu)選實施方式，所述屏蔽包括基于銅的合金薄板。根據(jù)另一優(yōu)選實施方式， 所述屏蔽包括基于鐵磁的合金薄板。在其中屏蔽被細分成至少兩個分離薄板的實施方式中，薄板中的一個可以包括基于銅的合金，而另一個可以包括基于鐵磁的合金。這可以是有利的，這是由于針對兩個或者更多個薄板的機械和物理負荷可以不同，其中使薄板中的一個相比另一個承擔較大機械或者物理負荷可以是優(yōu)選的。在以下詳細描述和所附的專利權(quán)利要求書中將呈現(xiàn)本發(fā)明的另一些特征和優(yōu)點。


現(xiàn)在將通過示例，參考所附的附圖來描述本發(fā)明，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的連續(xù)鑄造設(shè)備的部分的第一實施方式的截面?zhèn)纫晥D，圖2是示出根據(jù)圖1中的II-II的截面，圖3是示出圖1和圖2中示出的設(shè)備的屏蔽的透視圖，
圖4是與圖1對應(yīng)但是示出替代屏蔽設(shè)計的截面?zhèn)纫晥D，圖5是本發(fā)明的鑄造設(shè)備的另一實施方式的頂視圖，以及圖6是圖5中示出的設(shè)備的截面?zhèn)纫晥D。
具體實施例方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的連續(xù)鑄造設(shè)備的第一實施方式。僅示出了與本發(fā)明特別相關(guān)的、設(shè)備的部分，并且應(yīng)當理解，該設(shè)備可以包括本領(lǐng)域技術(shù)人員認為顯而易見并且對這種鑄造設(shè)備的功能是必須的多個其他特征。圖1中示出的鑄造設(shè)備包括模具1、設(shè)置在模具1周圍的電磁設(shè)備2、布置在模具1 的上端處的傳感器3。該設(shè)備還包括或者連接到變頻器4，借助于該變頻器可以將電功率提供到電磁設(shè)備2。在鑄造期間，熔融金屬的熔化物(在圖1中用參考標記5標識)通過噴嘴 (用20標識)加載到模具中。傳感器3是電感測量傳感器，借助于該傳感器在操作期間測量熔化物5的彎月面的水平。傳感器通常(雖然在圖中未示出)包括一對線圈，其中一個線圈用于在熔化物表面生成渦流并且另一個用來感測所述渦流并且由此標識彎月面水平。 為了這個目的，為傳感器3饋入預(yù)定頻率(例如800Hz)的電流。如圖2中可見，在這個特定實施方式中，電磁設(shè)備包括圓周地圍繞模具1延伸的鐵芯6。繞組7以本質(zhì)上已知的方式環(huán)繞該芯，并且為該繞組提供來自變頻器4的多相即三相電流。電流具有在0. 5-lOHz范圍內(nèi)的基頻，并且同時由于變頻器4的固有特性而呈現(xiàn)諧波 (即較高頻率)。在電磁設(shè)備操作期間，電磁設(shè)備2將會生成基于基頻的第一電磁場和基于所述諧波的第二電磁場。生成第二電磁場的電流的頻率與為傳感器3饋送的電流的頻率對應(yīng)。為了阻止第二電磁場直接或者間接經(jīng)由在模具1中感應(yīng)出的渦流干擾傳感器3的操作，屏蔽8被定位在電磁設(shè)備2和傳感器3之間，并且定位在電磁設(shè)備2和模具1之間。 屏蔽8包括管狀薄板，該薄板具有從管狀薄板的徑向方向上向外延伸的凸緣。此處，凸緣從屏蔽的管狀部分的一端延伸(見圖3)。優(yōu)選地，屏蔽由基于銅的合金或者基于鐵磁的合金構(gòu)成。屏蔽8 (即管狀部分以及凸緣)的壁厚在第一電磁場的磁滲透深度之下，并且在第二電磁場的磁滲透深度的至少50% (優(yōu)選地100%)之上。由此，允許第一電磁場完全地與熔化物相互作用，從而攪拌熔化物，而同時阻止第二電磁場影響和干擾傳感器3的操作。為了阻止第二電磁場在模具1中引起的、將會干擾傳感器3的操作的渦流的生成， 屏蔽8延伸使得它從模具1覆蓋整個電磁設(shè)備2(即電磁設(shè)備2的功能部分)。因此，屏蔽 8從電磁設(shè)備2的頂部延伸到其底部，從而將模具1完全從第二電磁場屏蔽。通過附接構(gòu)件(在圖1中用9標識)將屏蔽8附接到電磁設(shè)備。優(yōu)選地，附接構(gòu)件9將電磁設(shè)備與屏蔽電絕緣。圖4示出了圖1和圖3中的屏蔽的又一發(fā)展。此處，屏蔽被細分成對應(yīng)形狀的兩個平行子屏蔽或薄板10、11。子屏蔽10、11相互重疊并且它們中的每個將傳感器3和模具從電磁設(shè)備屏蔽。每個子屏蔽10、11由具有凸緣的管狀薄板(正如圖3中示出的)形成。 如隨后將可見，取決于電磁設(shè)備的設(shè)計和位置，其他形狀也是可能的。附接構(gòu)件12、13被提供來將子屏蔽10、11彼此附接，并且分別將它們附接到電磁設(shè)備2。附件構(gòu)件12、13被適配為將子屏蔽10、11從電磁設(shè)備2電絕緣，并且將它們相互電絕緣。因此，每個子屏蔽10、11 從電磁設(shè)備2、模具1以及從另一子屏蔽11、10電斷開。圖5示出了本發(fā)明的又一實施方式，其中電磁設(shè)備13包括布置在模具16的相對側(cè)的分離的鐵芯14、15。模具16具有矩形截面，用于支持厚板的鑄造，并且芯14、15沿著模具16的較長側(cè)定位。在模具上設(shè)置了電感測量傳感器3 (如先前關(guān)于圖1到圖4描述的傳感器)，用于測量模具16中彎月面的水平。以本質(zhì)上公知的方式，每個芯14、15被提供有線圈或者繞組(由圖1、圖4、圖5和圖6中的交叉示意性地標識)，向該線圈或者繞組(優(yōu)選地從變頻器(未示出))提供交流。提供的電流包括產(chǎn)生第一電磁場的基頻和產(chǎn)生第二電磁場的諧波，借助于第一電磁場攪拌模具16中的熔化物，第二電磁場由所述諧波引起并且具有與傳感器3生成的場的頻率對應(yīng)的頻率并且因此可以干擾傳感器的功能。在每個芯 14、15與模具之間設(shè)置屏蔽19。屏蔽19被細分成兩個薄板19a、19b，每個薄板覆蓋相應(yīng)的關(guān)聯(lián)芯14、15并且根據(jù)本發(fā)明的先前教示將傳感器3和模具從后者的第二電磁場屏蔽。屏蔽19的厚度在第一電磁場的磁滲透深度之下并且在第二電磁場的磁滲透深度之上。應(yīng)當理解，薄板19a、19b中的每個可以被細分成兩個或者多個重疊的薄板，這些薄板通過間隙被分開，并且優(yōu)選地，根據(jù)針對圖1到圖4中的實施方式所呈現(xiàn)的解決方案而被彼此電絕緣。 圖6 是示出圖5中示出的設(shè)備的側(cè)視圖。與先前的實施方式類似，屏蔽19從電磁設(shè)備13的上端延伸到其下端，并且呈現(xiàn)在電磁設(shè)備13的上端之上延伸的橫向凸緣，由此將傳感器3和模具16兩者從所述第二電磁場屏蔽。
權(quán)利要求
1.一種連續(xù)鑄造設(shè)備，包括-模具(1,16),-電磁設(shè)備(2，14，15)，布置在模具(1，16)之外并且布置成用于提供施加于模具(1， 16)中的熔化物(5)上的電磁場，為所述電磁設(shè)備(2，14，15)提供包括基頻和諧波的電流， 并且由此生成基于所述基頻的第一電磁場和基于所述諧波的第二電磁場，以及-電感傳感器(3)，為了感測所述熔化物(5)的彎月面的位置的目的而布置在模具(1， 16)處，并且在與所述諧波對應(yīng)的頻率下操作，其特征在于，-所述連續(xù)鑄造設(shè)備包括設(shè)置在所述電磁設(shè)備(2，14，15)與所述傳感器(3)之間的至少一個屏蔽(8，10，11，19a，19b)，并且所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)被布置成用于阻止所述第二電磁場干擾所述傳感器(3)的操作，但是允許將第一電磁場施加于彎月面區(qū)域中的所述熔化物(5)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a,19b)具有在所述第一電磁場的磁滲透深度之下，并且在所述第二電磁場的磁滲透深度的至少50% 之上的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a， 19b)具有在所述第一電磁場的磁滲透深度之下，并且在所述第二電磁場的磁滲透深度之上的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11， 19a, 19b)的厚度為使得其將施加于所述傳感器(3)上的所述第二電磁場的強度減小至少 90%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11， 19a, 19b)的厚度為使得其將施加于所述彎月面區(qū)域中的所述熔化物(5)上的第一電磁場的強度減小不超過近似10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述傳感器(3)被布置在電磁設(shè)備(2，14，15)的上端之上的水平處，并且所述屏蔽(8，10，11，19a，19b)包括在電磁設(shè)備(2，14，15)的上端之上延伸的薄板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11， 19a, 19b)包括在所述電磁設(shè)備(2，14，15)和所述模具(1,16)之間延伸的薄板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11，19a,19b)將電磁設(shè)備(2，14，15)的主要部分從模具(1，16)屏蔽開。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10，11， 19a, 19b)在所述電磁設(shè)備(2，14，15)和所述模具(1，16)之間沿著所述電磁設(shè)備(2，14， 15)的高度的至少一半延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述電磁設(shè)備(2) 圓周地圍繞模具(1)延伸，并且所述屏蔽(8，10，11)連續(xù)圓周地在電磁設(shè)備(2)和模具(1) 之間延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述電磁設(shè)備(14， 15)包括設(shè)置在模具(16)的相對側(cè)的線圈，并且所述屏蔽(19)包括用于每個線圈的分離的屏蔽(19a，19b)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，每個屏蔽(19a，19b)具有的寬度等于或者大于與其關(guān)聯(lián)的線圈的寬度，并且每個屏蔽被定位成使得其將整個線圈從模具 (16)屏蔽開。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，至少沿著所述屏蔽的部分，所述屏蔽(10，11)包括由空隙隔開的至少兩個相鄰的子屏蔽(10，11)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10， 11，19)包括基于銅的合金薄板。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述屏蔽(8，10， 11，19)包括基于鐵磁的合金薄板。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-15中任一項所述的連續(xù)鑄造設(shè)備，其特征在于，所述連續(xù)鑄造設(shè)備連接到變頻器并且由所述變頻器提供電流。
全文摘要
一種連續(xù)鑄造設(shè)備，包括模具(1)；電磁設(shè)備(2)，布置在模具(1)之外并且布置成用于提供施加于模具(1)中的熔化物(5)的電磁場，為該電磁設(shè)備(2)提供包括基頻和諧波的電流，并且由此提供基于基頻的第一電磁場和基于所述諧波的第二電磁場；以及電感傳感器(3)，為了感測所述熔化物(5)的彎月面的位置的目的而布置在模具(1)處，并且在與所述諧波對應(yīng)的頻率下操作。該連續(xù)鑄造設(shè)備包括設(shè)置在電磁設(shè)備(2)與傳感器(3)之間的至少一個屏蔽(8)，并且所述屏蔽(8)被布置用于阻止第二電磁場干擾傳感器(3)的操作，但是允許將第一電磁場施加于彎月面區(qū)域中的熔化物(5)上。
文檔編號B22D11/18GK102256725SQ200880132429
公開日2011年11月23日 申請日期2008年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月17日
發(fā)明者B·埃里克森, C·卡蘭, J-E·埃里克森 申請人:Abb公司