專利名稱：：蝕刻液和使用了該蝕刻液的銅配線的形成方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及含有酸、銅離子源、四唑類和水的銅的蝕刻液，以及使用了該蝕刻液的銅配線的形成方法。
背景技術：
：在印刷電路板的制造中，釆用光蝕刻法形成銅配線圖案時，作為蝕刻液使用氯化鐵系蝕刻液、氯化銅系蝕刻液、堿性蝕刻液等。使用這些蝕刻液時，存在被稱為底切(undercut)的防蝕涂層下的銅從配線圖案的側面溶解的情況。即，產(chǎn)生如下現(xiàn)象通過被防蝕涂層覆蓋而原本希望不被蝕刻除去的部分(即配線部分)被側蝕刻除去，沿著從該配線的底部到頂部，寬幅變細的現(xiàn)象(底切)。特別是配線圖案為微細時，這樣的底切必須盡可能少。為了抑制此類底切，提出了例如下述專利文獻1~6中記載的蝕刻液、蝕刻方法。然而，專利文獻1~6中記載的蝕刻液、蝕刻方法由于底切抑制力不夠，因此市場上迫切希望底切抑制力高的蝕刻液、蝕刻方法。為了實現(xiàn)上述期望，作為底切抑制力高的蝕刻液，提出了下述專利文獻7和8所記載的配合有唑類的蝕刻液。專利文獻l:特開2005-209920號>^凈艮專利文獻2:特開2007-23338號7>才艮專利文獻3:特開平6-57453號公才艮專利文獻4:特開2003-306784號7>才艮專利文獻5:特開2006-274291號7>凈艮專利文獻6:特開2006-111933號公報專利文獻7:國際7〉開WO2005/86551專利文獻8:特開2005-330572號>才艮
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)上述專利文獻7和8的蝕刻液，可以對底切進行抑制。然而，如果釆用通常的方法使用這樣的蝕刻液，則有可能在銅配線的側面會產(chǎn)生凹洞、崎A區(qū)不平。如果在銅配線的側面產(chǎn)生凹洞，則有可能無法使電流、電信號穩(wěn)定地導通，而且無法正確地檢查配線寬。也就是說，配線寬的檢查通常通過自印刷電路板的上方光學檢測銅面與基材面的反射率差異，來求出銅配線的頂寬，然而在銅配線的側面產(chǎn)生凹洞時，配線寬的最細部分(中部)在自印刷電路板上方的檢查中隱藏于頂部，因此無法正確地檢查配線寬。此外，如果在銅配線的側面產(chǎn)生崎嶇不平，則銅配線的直線性降低，自印刷電路板的上方光學檢查配線寬時，有可能引起錯誤識別。特別是印刷電路板中的COF(ChipOnFilm)用基板，有時會形成細線部的間距為2030nm左右、配線寬為513nm左右的超微細配線，從而銅配線的直線性低的情況下的光學檢查的錯誤識別成為致命的問題。本發(fā)明克服了以往技術的缺點，提供一種能夠形成底切和凹洞少、而且直線性優(yōu)異的銅配線的蝕刻液，以及使用了該蝕刻液的銅配線的形成方法。本發(fā)明的蝕刻液是含有酸、銅離子源、四唑類和水的銅的蝕刻液，其特征在于，含有在構成單元中具有下述式(I)所示官能團的聚合物。應說明的是，上述本發(fā)明的蝕刻液是銅的蝕刻液，該"銅"不僅包括純銅，還包括銅合金。此外，在本說明書中，"銅"是指純銅或銅合金。此外，本發(fā)明的銅配線的形成方法是將銅層的未被防蝕涂層覆蓋的部分進行蝕刻的銅配線的形成方法，其特征在于，使用上述本發(fā)明的蝕刻液進4于蝕刻。根據(jù)本發(fā)明的蝕刻液，由于含有具有上述式(I)所示官能團的聚合物，因此可以形成底切和凹洞少、而且直線性優(yōu)異的銅配線。此外，才艮據(jù)本發(fā)明的銅配線的形成方法，由于使用上述本發(fā)明的蝕刻液，因此可以形成底切和凹洞少、而且直線性優(yōu)異的銅配線。圖1:是表示釆用本發(fā)明的蝕刻液進行蝕刻后的銅配線的一例的部分截面圖。圖2:是實施例1的保護皮膜表面的SEM照片。圖3:是實施例4的保護皮膜表面的SEM照片。圖4:是比較例1的保護皮膜表面的SEM照片。符號說明1銅配線2防蝕涂層3保護皮膜具體實施例方式本發(fā)明的蝕刻液是含有酸、銅離子源、四唑類和水的銅的蝕刻液，其特征在于，含有在構成單元中具有上述式(I)所示官能團的聚合物。圖l是表示采用本發(fā)明的蝕刻液進行蝕刻后的銅配線的一例的部分截面圖。在銅配線l上形成有防蝕涂層2。而且，在防蝕涂層2的端部的正下方的銅配線1的側面，形成有保護皮膜3。該保護皮膜3主要由與進行蝕刻的同時在蝕刻液中生成的亞銅離子及其鹽、四唑類以及上述聚合物形成。根據(jù)本發(fā)明的蝕刻液，由于含有上述聚合物，因此保護皮膜3所含的各成分的密度增大，保護皮膜3的致密性提高。因此，蝕刻時，由于可以防止蝕刻液浸入保護皮膜3，所以與以往的蝕刻液相比可以防止底切。此外，所形成的保護皮膜3即使薄也能夠充分抑制底切，因此可以可靠地防止凹洞，并且使銅配線1的直線性提高，進而可以抑制銅配線1之間的短路。在本發(fā)明中，進行蝕刻的同時形成保護皮膜3的機制如下所示。首先，未被防蝕涂層2覆蓋的部分的銅(沒有圖示)被銅離子和酸蝕刻。此時，在蝕刻液中銅離子和被蝕刻的金屬銅反應而生成亞銅離子。該亞銅離子在低濃度時溶解、擴散到蝕刻液中，但隨著蝕刻的進行，成為高濃度時，則與蝕刻液中所含的四唑類結合而生成結合體。以該結合體為主要成分的不溶物作為保護皮膜3附著在銅配線1的側面，抑制該部分的蝕刻。此外，使用了鹽酸時，如果亞銅離子成為高濃度，則與蝕刻液中的氯化物離子結合，析出不溶性的氯化亞銅結晶，與上述結合體一起附著在銅配線l的側面，形成牢固的保護皮膜3。因此，在亞銅離子濃度高的部分蝕刻受抑制，在亞銅離子濃度低的部分蝕刻進展。應說明的是,保護皮膜3在蝕刻處理后通過采用除去液的處理就可以簡單地除去。作為上述除去液，優(yōu)選鹽酸、過氧化氳和硫酸的混合液等酸性液，二丙二醇單甲醚等有機溶劑等。本發(fā)明的蝕刻液的酸成分可以從無機酸和有機酸中適當選擇。酸的濃度優(yōu)選為7~180g/L，更優(yōu)選18~110g/L。在7g/L以上時，蝕刻速度加快，因此可以快速地蝕刻銅。此外，通過設為180g/L以下，在維持銅的溶解穩(wěn)定性的同時可以防止銅表面的再氧化。作為上述無機酸，可以列舉硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸等。作為上述有機酸，可以列舉甲酸、乙酸、草酸、馬來酸、苯甲酸、乙醇酸等。在上述酸中，從蝕刻速度的穩(wěn)定性和銅的溶解穩(wěn)定性的觀點出發(fā)，優(yōu)選鹽酸。作為本發(fā)明的蝕刻液所含的銅離子源的具體例，可列舉氯化銅、硫酸銅、溴化銅、有機酸的銅鹽、氫氧化銅等。特別是使用氯化銅時，由于蝕刻速度加快而優(yōu)選。作為所述銅離子源的濃度，以銅離子濃度計優(yōu)選為4155g/L，更優(yōu)選6122g/L。在4g/L以上時，由于蝕刻速度加快，所以可以快速地蝕刻銅。此外，通過設為155g/L以下，可維持銅的溶解穩(wěn)定性。應說明的是，使用氯化銅時，氯化銅的濃度優(yōu)選8~330g/L、更優(yōu)選13~260g/L。使用本發(fā)明的蝕刻液，形成具有配線之間的間隔不同的多個圖案區(qū)域的銅配線圖案時，蝕刻液中的銅離子濃度優(yōu)選6~56g/L、更優(yōu)選24~40g/L。才艮據(jù)以往的蝕刻液，如果同時形成配線之間的間隔不同的多個圖案區(qū)域時，配線之間的間隔窄的圖案區(qū)域與配線之間的間隔寬的圖案區(qū)域相比，蝕刻時間變長。因此，在間隔窄的圖案區(qū)域的蝕刻結束的時刻，間隔寬的圖案區(qū)域的銅層成為被過度蝕刻的狀態(tài)，有時圖案底部會變細。如果圖案底部變細，則有可能會產(chǎn)生圖案與基材的密合力降低，品質評價時自圖案的上方無法確認圖案底部的不良情況，以及在作為后續(xù)工序的鍍敷工序中由于圖案上部被侵蝕，因此有可能會產(chǎn)生圖案欠缺等的問題。這種情況下，對于本發(fā)明的蝕刻液而言，通過將蝕刻液中的銅離子濃度設定在56g/L以下，就可以抑制間隔寬的圖案區(qū)域的過度蝕刻。由此，可以防止圖案底部變細。此外，通過將蝕刻液中的銅離子濃度設為6g/L以上，可以縮短蝕刻處理時間。應說明的是，上述"具有配線之間的間隔不同的多個圖案區(qū)域的銅配線圖案"，例如，可以例示至少包含第1圖案區(qū)域、和具有比該第1圖案區(qū)域的配線之間的間隔窄的間隔的第2圖案區(qū)域的銅配線圖案。作為本發(fā)明的蝕刻液中所含的四唑類，可以列舉四唑、其衍生物、它們的鹽等。可以列舉例如1H-四唑、5_氨基-1H-四唑、5-甲基一lH-四哇、5-苯基-lH-四哇、5—巰基一lH-四喳、l-苯基一5一巰基-lH-四哇、l一環(huán)己基-5-巰基一lH-四峻、5，5，-雙一lH一四唑.二銨鹽等。其中優(yōu)選lH-四唑、5_氨基-1H-四哇、5-苯基一1H—四哇、5,5，—雙—1H—四喳二銨鹽，更優(yōu)選1H—四哇、5-氨基-1H-四哇。作為上述四唑類的濃度，優(yōu)選0.150g/L，更優(yōu)選0.1~15g/L，進一步優(yōu)選0.2~10g/L。只要在該范圍內(nèi)，就可以在不降低蝕刻速度的程度下充分發(fā)揮抑制底切的功能。在本發(fā)明的蝕刻液中使用四唑類?？紤]四唑類在環(huán)內(nèi)具有4個氮原子，氮原子數(shù)比其他的唑多，因此與其他的唑相比容易與銅結合。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過四唑類與亞銅離子結合，可以形成牢固且均勻的保護皮膜。即，在本發(fā)明中，通過將上述四唑類和上述聚合物組合，可以形成頂寬大、底切小、無短路、直線性良好的銅配線圖案。作為在構成單元中具有上述式(I)所示官能團的聚合物，具體而言，可以列舉下述式(II)所示的聚(亞乙基雙胍)、下述式(III)所示的聚(亞乙基亞胺雙胍)、下述式(IV)所示的聚(六亞曱基雙胍)、下述=)酸=胺下(=斤縮=:迷式(w)所示的聚式(v加所示的^下/-1(亞l!i^^^。一甲搭縮聚物、下述<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中，優(yōu)選上述官能團為含有叔氮的聚合物、上述官能團為含有季氮的聚合物。這是因為所形成的保護皮膜的致密性進一步提高，因此可以形成底切和凹洞更少、且直線性優(yōu)異的銅配線的緣故。作為上述含有叔氮的聚合物，可以例示雙氰胺.二亞乙基三胺縮聚物、雙氰胺■甲醛縮聚物、雙氰胺三亞乙基四胺縮聚物等。此外，作為上述含有季氮的聚合物，可以例示雙氰胺甲醛縮聚物等。上述聚合物優(yōu)選濃度為0.001~10g/L,更優(yōu)選0.002~lg/L。只要在上述范圍內(nèi)，就可以在不降低蝕刻速度的程度下充分發(fā)揮使保護皮膜的致密性提高的功能。上述聚合物優(yōu)選重均分子量為700~10萬，更優(yōu)選800~7萬。只要在上述范圍內(nèi)，就可以不妨礙上述聚合物的溶解性地充分發(fā)揮使保護皮膜的致密性提高的功能。除了上述成分以外，在無損本發(fā)明效果的程度下，還可以在本發(fā)明的蝕刻液中添加其他成分。例如，可以添加成分穩(wěn)定劑、消泡劑等。上述蝕刻液可以通過將上述各成分溶解于水中來容易地制備。作為上述水，優(yōu)選除去了離子性物質、雜質的水，例如離子交換水、純水、超純水等。上述蝕刻液，可以將各成分配合成使用時規(guī)定的濃度，也可以事先制備濃縮液，在使用之前進行稀釋后使用。上述蝕刻液的使用方法沒有特別限定，但為了有效抑制底切，優(yōu)選如后所述使用噴霧器進行蝕刻。此外，使用時的蝕刻液溫度沒有特別限定，但為了維持生產(chǎn)率在高水平，而且有效地抑制底切、凹洞，優(yōu)選在2055XM吏用。接著，對本發(fā)明的銅配線的形成方法進行說明。本發(fā)明的銅配線的形成方法是將銅層的未被防蝕涂層覆蓋的部分進行蝕刻的銅配線的形成方法，其特征在于，使用上述的本發(fā)明的蝕刻液進行蝕刻。由此，如上所述，可以形成底切和凹洞少、且直線性優(yōu)異的銅配線。在本發(fā)明的銅配線的形成方法中，優(yōu)選采用噴霧器將上述蝕刻液噴霧到上述銅層的未被防蝕涂層覆蓋的部分。這是因為可以有效地抑制底切的緣故。特別是使用扇形噴嘴噴霧器時，由于可以以蝕刻液在一定方向流過被蝕刻件表面的方式進行噴霧，因此可以使銅配線側面附近的蝕刻液中的亞銅離子濃度高于銅配線中央附近的蝕刻液中的亞銅離子濃度。其結果是，在銅配線之間蝕刻以不形成保護皮膜地進行，而在銅配線側面附近，形成保護皮膜而蝕刻受抑制。由此，在防蝕涂層的正下方，蝕刻始終受抑制，可以可靠地防止底切。應說明的是，對于扇形噴嘴噴霧器，可以使用例如在特開2004-55711號公報、特開2004-l卯02號公才艮、特開2002-359452號乂>才艮、特開平7-273153號公才艮等中記載的噴霧器。采用噴霧器進行蝕刻時，蝕刻中的上述噴霧器的噴霧壓力優(yōu)選在0.04MPa以上，更優(yōu)選在0.08MPa以上。只要噴霧壓力在該范圍內(nèi)，就可以在銅配線的側面以適當?shù)暮穸?在后描述)形成保護皮膜。因此，可以有效地防止底切，還可以防止未蝕刻位置的殘留。應說明的是，從防止防蝕涂層破損的觀點出發(fā)，優(yōu)選上述噴霧壓力在0.30MPa以下。應說明的是，采用噴霧器進行蝕刻時，例如，如果邊將被蝕刻件輸送到蝕刻線(etchingline)上邊進行蝕刻，則最初在蝕刻處理裝置內(nèi)飛散的蝕刻液附著在被蝕刻件上，然后，將被蝕刻件輸送到噴霧器正下方，開始蝕刻。這種情況下，直至噴霧器正下方，附著于銅表面的蝕刻液不循環(huán)而是停留，因此在蝕刻開始前就形成保護皮膜，阻礙其后的蝕刻。其結果是，在銅配線之間殘留未蝕刻位置，有時會產(chǎn)生短路。為了改善這種情況，優(yōu)選采用附著于銅表面的蝕刻液不循環(huán)而是停留的時間成為短時間的蝕刻方法。具體而言，優(yōu)選在自上述蝕刻液最初附著在銅層表面上的時刻起14秒內(nèi)，用0.04MPa以上的噴霧壓力開始蝕刻。要想該:定在該范圍，調整例如被蝕刻件的輸送速度即可。在本發(fā)明的銅配線的形成方法中，優(yōu)選在銅配線的側面以適當?shù)拈L度、厚度形成保護皮膜。保護皮膜的適當長度是指，在圖1的保護皮膜3中沿著銅配線1的厚度方向的長度a為銅配線1的厚度b的20%以上的情況。只要是該范圍，就可以有效地防止底切、凹洞。為了更有效地抑制凹洞，優(yōu)選使上述長度a為上述厚度b的50%以上，更優(yōu)選為80%以上，最優(yōu)選為100%。此外，保護皮膜的適當厚度是指，在圖1的保護皮膜3中最大厚度c在0.4pm以上且小于5.0jnm的情況。只要是該范圍，就可以有效地抑制底切，而且銅配線1的直線性變得良好。此外，只要是該范圍，就可以防止保護皮膜3在銅配線l之間析出，防止發(fā)生因未蝕刻導致的短路。應說明的是，要想使保護皮膜為上述那樣的適當?shù)拈L度、厚度，可以通過例如在蝕刻液中以優(yōu)選的濃度范圍配合上述所列舉的四唑類，來實現(xiàn)。此外，上述長度、厚度的控制可以通過調整蝕刻條件(噴霧壓力、處理溫度、蝕刻時間等)來進行。本發(fā)明的銅配線的形成方法可以用于形成各種圖案，作為形成如下銅配線圖案的方法是有用的，即，含有第1圖案區(qū)域以及具有比該第1圖案區(qū)域的配線之間的間隔窄的間隔的第2圖案區(qū)域的銅配線圖案。其中，如上所述，為了控制第1圖案區(qū)域的銅層過度蝕刻，優(yōu)選所使用的上述蝕刻液的銅離子濃度為6~56g/L，更優(yōu)選2440g/L。特別是在如下銅配線圖案的形成方法中有用，即，將第1圖案區(qū)域的配線之間的間隔設為D1，第2圖案區(qū)域的配線之間的間隔設為D2時，從D1中減去D2而得到的值為7jim以上的銅配線圖案。實施例以下，說明本發(fā)明的蝕刻液的實施例和比較例。應說明的是，本發(fā)明的解釋并不限于以下的實施例。制備表l所示組成的各蝕刻液，在后述的條件下進行蝕刻，采用后述的評價方法對各項目進行評價。各蝕刻液如下制備，首先，使鹽酸溶解于離子交換水中，然后添加其余的各成分。應說明的是，表l所示的鹽酸的濃度是以氯化氫計的濃度。此外，表l所示的各蝕刻液所含的聚合物的括號內(nèi)的數(shù)值表示釆用Gonotec公司制的蒸汽壓式分子量測定裝置，在樣品濃度為5重量％(溶劑甲苯)的條件下測定的重均分子量。(使用的試驗基板)準備銅層厚度為8jim的銅/聚酰亞胺層疊基板(住友金屬礦山公司制，產(chǎn)品名Esperflex)，采用照相平版印刷法在該銅層上形成防蝕涂層圖案。此時，防蝕涂層圖案的厚度為化m，間距為20nm，線寬/空余(line/space)=13拜/7阿。(蝕刻條件)蝕刻使用扇形噴嘴噴霧器(池內(nèi)公司制，產(chǎn)品名VP9020)和充圓錐噴嘴噴霧器(池內(nèi)公司制，產(chǎn)品名JJXP020)這兩種噴嘴噴霧器，在噴霧壓力0.12MPa、處理溫度35C的條件下進行。對于處理時間，扇形噴嘴噴霧器的情況為45秒，充圓錐噴嘴噴霧器的情況為35秒。然后，進行水洗、干躁，進行如下所示的評價。應說明的是，調整各試驗基板的輸送速度，使得從蝕刻液的飛散液最初附著于各試驗基板上、到在0.12MPa的噴霧壓力下開始蝕刻的時間均為9秒。(采用掃描型電子顯微鏡(SEM)的圖像測量)將經(jīng)蝕刻處理的各基板的一部分切斷，并將其埋入冷埋樹脂中，進行研磨加工，使得能夠觀察配線的截面。接著，采用SEM圖像的圖像測量，測定保護皮膜的最大厚度、保護皮膜的沿著銅配線厚度方向的長度(保護皮膜長度)、銅配線的頂寬、銅配線的底寬以及銅配線中部的寬幅最窄的部分的寬幅(中寬)。算出保護皮膜長度/銅層厚度之比(％)，底切量和凹洞率。其中，底切量和凹洞率通過以下的計算式求出。底切量(nm)={防蝕涂層的線寬(13jim)-銅配線的頂寬(nm)}/2凹洞率(％)=(銅配線的頂寬-銅配線的中寬)/銅配線的頂寬xl00(采用SEM評價致密性)將經(jīng)蝕刻處理的各基板的20nm間距部的一部分切斷，露出在銅配線側面形成的保護皮膜表面。釆用SEM觀察該保護皮膜表面，如下評價致密性，將沒有欠缺或孔的光滑的狀態(tài)評價為O，將雖然不光滑但沒有欠缺或孔的狀態(tài)評價為O，將為結晶性且其大小各種各樣、具有欠缺或孔的狀態(tài)評價為x。應說明的是，作為致密性的評價例，將實施例1(O)、實施例4(◎)和比較例1(x)的保護皮膜表面的SEM照片(IOOOO倍)分別示于圖2、圖3和圖4。(釆用光學顯微鏡的圖像測量)將經(jīng)蝕刻處理的各基板在3%氫氧化鈉水溶液中浸漬60秒，除去防蝕涂層。然后，使用鹽酸(氯化氫濃度7重量％)，用扇形噴嘴(池內(nèi)乂>司制，產(chǎn)品名VP卯20)在噴霧壓力0.12MPa、處理溫度30t:、處理時間30秒的條件下除去保護皮膜。接著，從試驗基板上面用光學顯微鏡拍攝銅配線頂部的圖像，進行圖像測量。該圖像測量時，以5nm的間隔測定10處的配線寬，將其標準差作為頂直線性(nm)。此外，從試驗基板底部用光學顯微鏡拍攝透過聚酰亞胺層的銅配線底部的圖像，進行圖像測量。該圖像測量時，以5jim的間隔測定10處的配線寬，將其標準差作為底直線性(Hm)。進而，通過光學顯微鏡觀察確認有沒有未蝕刻位置。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>如表1所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例1~7，得到任意評價項目都良好的結果。另一方面，對于比較例1~3，得到在一部分評價項目中比實施例差的結果。由該結果可知，根據(jù)本發(fā)明，可以形成底切和凹洞少、而且直線性優(yōu)異的銅配線。接著，對形成了具有配線之間的間隔不同的兩個圖案區(qū)域的銅配線圖案的例子進行說明。制備表2所示組成的各蝕刻液，在后述的條件下進行蝕刻。各蝕刻液如下制備，首先，使鹽酸溶解于離子交換水中，然后添加其余的各成分。應說明的是，表2所示的鹽酸的濃度是以氯化氫計的濃度。此外，表2所示的各蝕刻液所含的聚合物的括號內(nèi)的數(shù)值表示釆用Gonotec公司制的蒸汽壓式分子量測定裝置，在樣品濃度為5重量％(溶劑甲苯)的條件下測定的重均分子量。(使用的試驗基板)準備銅層厚度為8jim的銅/聚酰亞胺層疊基板(住友金屬礦山公司制，產(chǎn)品名Esperflex)，采用照相平版印刷法在該銅層上形成防蝕涂層圖案。此時，防蝕涂層圖案形成混合存在厚度為4jim、線寬/空余=13pm/7nm的間距為20nm的圖案區(qū)域以及厚度為4jim、線寬/空余=32nm/18nm的間距為50nm的圖案區(qū)域的防蝕涂層圖案。(蝕刻條件)蝕刻使用扇形噴嘴噴霧器(池內(nèi)公司制，產(chǎn)品名VP卯20),在噴霧壓力0.12MPa、處理溫度35"C的條件下進行。此時的處理時間如表2所示。應說明的是，對于處理時間，設為間距為20nm的圖案區(qū)域的銅配線的底寬成為10~14jim的時間。此外，調整各試驗基板的輸送速度，使得從蝕刻液的飛散液最初附著于各試驗基板上、到在0.12MPa的噴霧壓力下開始蝕刻的時間均為9秒。然后，進行水洗、干躁，通過與上述同樣的評價方法對各項目進行評價。應說明的是，表2的"B-T"是由銅配線的底寬減去銅配線的頂寬而得到的值。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>權利要求1、一種蝕刻液，是含有酸、銅離子源、四唑類和水的銅的蝕刻液，其特征在于，含有在構成單元中具有下述式(I)所示官能團的聚合物，2、根據(jù)權利要求l所述的蝕刻液，其中，所述官能團含有叔氮。3、根據(jù)權利要求l所述的蝕刻液，其中，所述官能團含有季氮。4、根據(jù)權利要求l所述的蝕刻液，其中，所述聚合物的濃度為0.001~10g/L。5、根據(jù)權利要求l所述的蝕刻液，其中，所述聚合物的重均分子量為700-10萬。6、根據(jù)權利要求1所述的蝕刻液，其中，銅離子的濃度為6~56g/L。7、一種銅配線的形成方法，是將銅層的未被防蝕涂層覆蓋的部分進行蝕刻的銅配線的形成方法，其特征在于，使用權利要求16中任一項所述的蝕刻液進行蝕刻。8、根據(jù)權利要求7所述的銅配線的形成方法，其中，通過噴霧器將所述蝕刻液噴霧到所述銅層的未被防蝕涂層覆蓋的部分。9、根據(jù)權利要求8所述的銅配線的形成方法，其中，所述噴霧器是扇形噴嘴噴霧器。10、根據(jù)權利要求8所述的銅配線的形成方法，其中，蝕刻中的所述噴霧器的噴霧壓力在0.04MPa以上。11、根據(jù)權利要求10所述的銅配線的形成方法，其中，通過所述噴霧器進行噴霧時，自所述蝕刻液最初附著在所述銅層的表面時起14秒內(nèi)，以0.04MPa以上的噴霧壓力開始蝕刻。12、根據(jù)權利要求7所述的銅配線的形成方法，其中，所述蝕刻結束時在所述銅配線的側面附著的保護皮膜，沿著所述銅層厚度方向的長度是所述銅層厚度的20%以上。13、根據(jù)權利要求7所述的銅配線的形成方法，其中，所述蝕刻結束時在所述銅配線的側面附著的保護皮膜，最大厚度在0.4nm以上且小于5.0fim。14、根據(jù)權利要求7所述的銅配線的形成方法，其中，所述銅配線的圖案含有第1圖案區(qū)域以及具有比該第1圖案區(qū)域的配線之間的間隔窄的間隔的第2圖案區(qū)域。全文摘要本發(fā)明涉及蝕刻液和使用了該蝕刻液的銅配線的形成方法。本發(fā)明提供能夠形成底切和凹洞少、而且直線性優(yōu)異的銅配線的蝕刻液，以及使用了該蝕刻液的銅配線的形成方法。所述蝕刻液是含有酸、銅離子源、四唑類和水的銅的蝕刻液，含有在構成單元中具有下述式(I)所示官能團的聚合物。文檔編號C23F1/18GK101514456SQ20091000932公開日2009年8月26日申請日期2009年2月18日優(yōu)先權日2008年2月20日發(fā)明者出口政史,宋春紅,戶田健次,高久修司申請人:Mec股份有限公司