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      一種合金拼接靶的制作方法

      文檔序號(hào):3426005閱讀:262來源:國知局
      專利名稱:一種合金拼接靶的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種鍍膜技術(shù),特別是涉及一種可方便快捷的制備不同成分 合金膜的合金拼接靶。
      背景技術(shù)
      磁控濺射技術(shù)是利用磁場控制輝光放電產(chǎn)生的等離子體來轟擊出靶材 表面的粒子并使其沉淀到基片表面的一種技術(shù),是當(dāng)今主流鍍膜技術(shù)之一。 可用于高熔點(diǎn)金屬、合金和化合物材料成膜。
      在研究合金膜的成分和性能之間的關(guān)系時(shí),常常需要制備不同成分的合 金膜,進(jìn)行性能測試,以優(yōu)化出最佳的合金膜成分。通常是煉制一個(gè)成分的 合金靶,濺射后就獲得相應(yīng)成分的合金膜,要獲得幾個(gè)成分的合金膜就要煉 制幾個(gè)成分的合金靶,然后分別濺射。這樣煉制多個(gè)合金靶的成本比較高, 同時(shí)分別濺射的時(shí)間也比較長。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單的合金拼接靶,采用合金拼接靶可 方便快捷的制備不同成分合金膜,使之達(dá)到經(jīng)濟(jì)適用的使用目的。 本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
      一種合金拼接靶,基片對(duì)應(yīng)靶材的不同成分位置分層擺放,其合金拼接 靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起,構(gòu)成一個(gè)整體平面濺射靶兩個(gè) 半耙分別加工出臺(tái)階,然后搭接一起。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與效果是
      本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單, 一塊拼接合金耙、 一次濺射實(shí)驗(yàn)便可以在基片上方便、 快捷的制備不同成分的合金膜,且經(jīng)濟(jì)適用。


      本發(fā)明圖1為合金拼接靶主視本發(fā)明圖2為合金拼接靶左視本發(fā)明圖3為基片分層擺放示意圖。 具體實(shí)施方案
      根據(jù)要獲得的合金膜的成分確定合金靶的組元,兩個(gè)組元或三個(gè)組元。 一個(gè)組元作為合金基體,另一個(gè)或兩個(gè)組元作為合金元素,分別煉制含合金 元素低的合金靶半塊(A),含合金元素高的合金靶半塊(B),將A和B兩 個(gè)半靶加工成厚度相等,且一端有其一半厚度的臺(tái)階,然后將兩個(gè)半塊靶拼 接成一個(gè)整體合金靶如圖1、圖2。濺射時(shí),基片對(duì)應(yīng)合金靶從低合金靶區(qū) 到高合金耙區(qū)分層擺放,濺射后對(duì)應(yīng)低合金靶區(qū)的第一層基片上的膜含合金 元素低,對(duì)應(yīng)高合金靶區(qū)的第四層基片上的膜含合金元素高,位于中間區(qū)域 的第二層和第三層基片上膜的成分介于兩塊靶之間。具體每一層基片上膜的 成分通過電子探針等分析確定。
      根據(jù)要獲得的合金膜的成分確定合金靶的組元,兩個(gè)組元或三個(gè)組元。 一個(gè)組元作為合金基體,另一個(gè)或兩個(gè)組元作為合金元素,分別煉制含合金 元素低的合金靶半塊(A),含合金元素高的合金靶半塊(B),加工后將兩 個(gè)半塊靶拼接成一個(gè)整體合金靶。濺射時(shí),基片分層擺放。濺射后對(duì)應(yīng)低合 金靶區(qū)的基片上的膜含合金元素低,對(duì)應(yīng)高合金靶區(qū)的基片上的膜含合金元素高,位于中間區(qū)域的基片上膜的成分介于兩塊靶之間。具體每一層基片上 膜的成分通過電子探針等分析確定。
      由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起,構(gòu)成一個(gè)整體平面濺射靶;兩 個(gè)半靶分別加工出臺(tái)階,然后搭接以免水冷板在縫隙處參與濺射影響膜的成 分;濺射時(shí)基片對(duì)應(yīng)靶材的不同成分位置分層擺放的方法。濺射時(shí)采用如 圖3所示的矩形基片懸掛架,分層懸掛基片2。懸掛架l的尺寸與靶一致, 與靶正面相對(duì)安裝,基片從上到下依次分為第一層、第二層、第三層和第四 層。
      權(quán)利要求
      1. 一種合金拼接靶,基片對(duì)應(yīng)靶材的不同成分位置分層擺放,其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起,構(gòu)成一個(gè)整體平面濺射靶兩個(gè)半靶分別加工出臺(tái)階,然后搭接一起。
      全文摘要
      一種合金拼接靶,涉及一種鍍膜技術(shù),基片對(duì)應(yīng)靶材的不同成分位置分層擺放,其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起,構(gòu)成一個(gè)整體平面濺射靶兩個(gè)半靶分別加工出臺(tái)階,然后搭接一起。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,一塊拼接合金靶、一次濺射實(shí)驗(yàn)便可以在基片上方便、快捷的制備不同成分的合金膜,且經(jīng)濟(jì)適用。
      文檔編號(hào)C23C14/34GK101463467SQ20091001004
      公開日2009年6月24日 申請日期2009年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月9日
      發(fā)明者付廣艷, 群 劉 申請人:沈陽化工學(xué)院
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