專利名稱：圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于通訊系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、制導(dǎo)系統(tǒng)中的高穩(wěn)晶體振 蕩器的圓缺形石英晶片，具體地說，涉及了一種精密石英晶體諧振器用圓 缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
隨著小型化及SMD晶體器件的不斷發(fā)展，常規(guī)49U圓片市場不斷縮小， 而在高端產(chǎn)品市場，隨著科技發(fā)展的需要，高精密倒缺口圓形石英晶片在 振蕩器中的應(yīng)用越來越廣泛，且市場需求越來越大。
現(xiàn)有的傳統(tǒng)加工工藝一般使用外圓磨床進(jìn)行單件晶砣逐個加工的方 式，其工藝如下如圖1所示，將長寬為11*9 mm的石英晶片通過松香和 石蠟配置的粘接劑粘接成晶砣2，晶砣2兩側(cè)各加護(hù)邊玻璃一塊，晶砣2 長40mm;
磨圓如圖2所示，將晶砣2夾持在外圓磨床的兩個平面頂針3之間， 啟動設(shè)備后，調(diào)整好外圓磨床的砂輪l的磨削位置，縱向進(jìn)給砂輪l，磨 削開始，同時，砂輪1.和晶砣2同時互相高速旋轉(zhuǎn)，晶砣2做橫向緩慢移 動，晶砣2被金剛石砂輪1磨削為所要求尺寸的圓形，測量尺寸合格后， 準(zhǔn)備磨圓缺；
磨圓缺如圖3所示，晶砣2磨圓完成后，關(guān)閉平面頂針3的旋轉(zhuǎn)開 關(guān)，同時，調(diào)整好晶砣2需磨缺口方位， 一般為x方向磨缺口，根據(jù)圓缺 高度，調(diào)整好砂輪1的縱向進(jìn)給量， 一般為0.2mm，縱向進(jìn)給砂輪l，磨削 開始，晶砣2在平面頂針3夾持下僅做橫向緩慢移動，至缺口磨削完畢后， 砂輪l退回；如圖3所示，砂輪1與晶砣2交叉黑色部分為晶砣2磨除部 分；如圖4所示，圓缺型晶片4加工完成。在實際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)加工工藝存在著生產(chǎn)效率低下、平臺定位控 制精度要求高的缺點，并由此帶來技術(shù)水平要求高、設(shè)備占用時間長、加 工人員數(shù)量多和設(shè)備需求多的問題。
為了適應(yīng)市場的需求，在提高生產(chǎn)效率的同時，又要實現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量的 可控和易控，作為生產(chǎn)企業(yè)急需開發(fā)一種新的圓片缺口的精確大批量高效 加工工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，從而提供一種工藝簡單、易于 操作、加工精度高、質(zhì)量穩(wěn)定、產(chǎn)品一致性好、適合大規(guī)模生產(chǎn)的圓缺形 石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn) 工藝，該生產(chǎn)工藝包括以下步驟
步驟l、將石英晶片粘接成砣體，在所述砣體兩端側(cè)面各粘接一塊護(hù)邊玻 璃，得到晶砣；
步驟2、將所述晶砣磨削成圓柱形晶砣，得到圓砣；
步驟3、將不少于兩組的所述圓砣并列粘接在浮法玻璃上，得到圓砣磨削 載體；
步驟4、將不少于兩組的所述圓砣磨削載體置入平面研磨設(shè)備內(nèi)，然后， 啟動所述平面研磨設(shè)備，對所述圓砣磨削載體的圓砣上端部進(jìn)行統(tǒng)一磨削， 直至達(dá)到磨削要求，得到單缺口圓砣磨削載體；
步驟5、將所述單缺口圓砣磨削載體取出，化解開，得到單缺口圓缺形石 英晶片。
基于上述，在步驟1中，其中一塊所述護(hù)邊玻璃具有一條定位夾縫；在 步驟3中，使所有圓砣的定位夾縫在同一垂直面內(nèi)保持同一個方向。
基于上述，在步驟3中，所述浮法玻璃的平行度和平面度均在0. Olmm內(nèi)。 基于上述，在步驟3中，通過厭氧膠將所述圓砣并列粘接在浮法玻璃上，并通過厭氧膠將相鄰圓砣粘接在一起。
本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進(jìn)步，具體的說， 該生產(chǎn)工藝具有以下有益效果
1、 利用平面研磨設(shè)備進(jìn)行倒平臺圓片的精密磨削，大小及壓力適中、 精度較高，完全滿足新的工藝要求，具有精度高、尺寸一致性好、具備大 批量生產(chǎn)的優(yōu)點；
2、 本發(fā)明采用的狹縫法平臺方向定位工藝和機(jī)械化外型加工工藝，即有 效保證了方向準(zhǔn)確，又達(dá)到了大規(guī)模、高精度加工的目的；
3、 采用傳統(tǒng)工藝，單件產(chǎn)品是一個一個加工缺口的，工作效率低，勞動強(qiáng) 度大，而且缺口形狀是一個弧形，而采用本發(fā)明的大批量加工工藝后，質(zhì)量和 工作效率大幅提高，同時，缺口形狀是一個理想的平面狀態(tài)，產(chǎn)品質(zhì)量一致性
達(dá)到最佳；
4、 采用該生產(chǎn)工藝使得生產(chǎn)效率大大提高，同時，產(chǎn)品質(zhì)量大幅提高， 產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，生產(chǎn)成本大幅降低，勞動強(qiáng)度降低，工作環(huán)境得到改善。


圖1為本發(fā)明背景技術(shù)所述晶砣的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明背景技術(shù)中晶砣被磨圓的狀態(tài)示意圖； 圖3為本發(fā)明背景技術(shù)中晶砣被磨圓缺的狀態(tài)示意圖； 圖4為本發(fā)明背景技術(shù)所述圓缺型晶片的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5為本發(fā)明所述圓砣磨削載體的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明所述單缺口圓砣磨削載體的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為本發(fā)明采用平面研磨設(shè)備進(jìn)行研磨的狀態(tài)示意圖。
具體實施例方式
下面通過具體實施方式
，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
如圖5、圖6和圖7所示， 一種圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝，
該生產(chǎn)工藝包括以下步驟步驟l、將石英晶片粘接成砣體，在所述砣體兩端側(cè)面各粘接一塊護(hù)邊玻
璃7，其中一塊所述護(hù)邊玻璃7具有一條定位夾縫8，得到晶砣；其中，在加
工缺口時，所述定位夾縫用于圓砣的精確定位，利于提高缺口加工精度和缺
口加工一致性；
步驟2、將所述晶砣磨削成圓柱形晶砣，得到圓砣；
步驟3、如圖5所示，將不少于兩組的所述圓砣6通過厭氧膠并列精密粘 接在一塊浮法玻璃5上，并通過厭氧膠將相鄰圓砣精密粘接在一起，并使所 有圓砣護(hù)邊玻璃7的定位夾縫8在同一垂直面內(nèi)保持同一個方向，最后，得 到圓砣磨削載體；所述浮法玻璃的平行度和平面度均在0. Olmm內(nèi)；
步驟4、如圖6所示，將不少于兩組的所述圓砣6磨削載體置入平面研磨 設(shè)備內(nèi)，然后，啟動所述平面研磨設(shè)備，對所述圓砣磨削載體的圓砣上端部 進(jìn)行統(tǒng)一磨削，直至達(dá)到磨削要求，使所述圓砣磨削載體的圓砣上端部形成 一平臺面9，最后，得到單缺口圓砣磨削載體；即在磨削中，圓砣上端部位和 所述浮法玻璃底面參與磨削，而圓砣的其它部位不會參與磨削；
如圖7所示，通常，所述平面研磨設(shè)備包括有上研磨盤10、下研磨盤 11、外齒圈13、中心輪14和游星輪12;采用所述平面研磨設(shè)備進(jìn)行磨削 時，首先，升起平面研磨設(shè)備的上研磨盤10、將規(guī)格合適的游星輪12均 勻放入平面研磨設(shè)備的下研磨盤11上，將所述圓砣磨削載體放入游星輪 12的方孔內(nèi)，應(yīng)將所述圓砣磨削載體貼住下研磨盤11的表面，使得所述 圓砣6朝向上研磨盤10;擺放完畢后，緩慢落下上研磨盤IO，啟動研磨液 沙泵，開機(jī)磨削缺口，直至磨削至規(guī)定深度后，提起上研磨盤IO，將得到 的單缺口圓砣磨削載體依次從游星輪12中取出，圓缺加工完畢。
步驟5、將所述單缺口圓砣磨削載體取出，化解開，得到單缺口圓缺形石 英晶片。
以上是單缺口圓缺形石英晶片的生產(chǎn)工藝，而雙平臺圓缺形石英晶片的
生產(chǎn)工藝在于在磨削完第一個平臺后，即在上述步驟4中，去除所述單缺口圓砣磨削載體的浮法玻璃，并在所述平臺面上粘接與前述浮法玻璃相同類 型的另一塊浮法玻璃，得到二次磨削載體，然后，將不少于兩組的所述二次 磨削載體置入平面研磨設(shè)備內(nèi)，然后，啟動所述平面研磨設(shè)備，對所述二次 磨削載體的圓砣另一端部進(jìn)行統(tǒng)一磨削，直至達(dá)到磨削要求，并使所述二次磨削載體的圓砣另一端部形成另一平臺面，最后，得到雙平臺圓砣磨削載體; 將所述雙平臺圓砣磨削載體取出，化解開，得到雙平臺圓缺形石英晶片。 采用本發(fā)明工藝加工出的產(chǎn)品主要應(yīng)用于振蕩器軍品生產(chǎn)、出口高端產(chǎn)品領(lǐng)域。最后應(yīng)當(dāng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對 其限制；盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，所屬領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解依然可以對本發(fā)明的具體實施方式
進(jìn)行修改或者對 部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神，其均應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明請求保護(hù)的技術(shù)方案范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝，其特征在于，該生產(chǎn)工藝包括以下步驟步驟1、將石英晶片粘接成砣體，在所述砣體兩端側(cè)面各粘接一塊護(hù)邊玻璃，得到晶砣；步驟2、將所述晶砣磨削成圓柱形晶砣，得到圓砣；步驟3、將不少于兩組的所述圓砣并列粘接在浮法玻璃上，得到圓砣磨削載體；步驟4、將不少于兩組的所述圓砣磨削載體置入平面研磨設(shè)備內(nèi)，然后，啟動所述平面研磨設(shè)備，對所述圓砣磨削載體的圓砣上端部進(jìn)行統(tǒng)一磨削，直至達(dá)到磨削要求，得到單缺口圓砣磨削載體；步驟5、將所述單缺口圓砣磨削載體取出，化解開，得到單缺口圓缺形石英晶片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝，其特 征在于在步驟1中，.其中一塊所述護(hù)邊玻璃具有一條定位夾縫；在步驟3 中，使所有圓砣的定位夾縫在同一垂直面內(nèi)保持同一個方向。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝，其特 征在于在步驟3中，所述浮法玻璃的平行度和平面度均在0.01mm內(nèi)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝，其特 征在于在步驟3中，通過厭氧膠將所述圓砣并列粘接在浮法玻璃上，并通 過厭氧膠將相鄰圓砣粘接在一起。
全文摘要
本發(fā)明提供一種圓缺形石英晶片的大規(guī)模精確生產(chǎn)工藝，該生產(chǎn)工藝包括以下步驟將石英晶片粘接成砣體，在所述砣體兩端側(cè)面各粘接一塊護(hù)邊玻璃，得到晶砣；將所述晶砣磨削成圓柱形晶砣，得到圓砣；將不少于兩組的所述圓砣并列粘接在浮法玻璃上，得到圓砣磨削載體；將不少于兩組的所述圓砣磨削載體置入平面研磨設(shè)備內(nèi)，然后，啟動所述平面研磨設(shè)備，對所述圓砣磨削載體的圓砣上端部進(jìn)行統(tǒng)一磨削，直至達(dá)到磨削要求，得到單缺口圓砣磨削載體；將所述單缺口圓砣磨削載體取出，化解開，得到單缺口圓缺形石英晶片。采用該生產(chǎn)工藝使得生產(chǎn)效率大大提高，產(chǎn)品質(zhì)量大幅提高，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，生產(chǎn)成本大幅降低，勞動強(qiáng)度降低，工作環(huán)境得到改善。
文檔編號B24B5/01GK101518882SQ200910064239
公開日2009年9月2日 申請日期2009年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月19日
發(fā)明者李廣輝 申請人:北京石晶光電科技股份有限公司濟(jì)源分公司