專(zhuān)利名稱(chēng):金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一類(lèi)金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池及制備方 法,屬于有機(jī)聚合物異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
有機(jī)聚合物異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,因其制備簡(jiǎn)單、成本低廉、重量輕、 可制成柔性器件等突出優(yōu)點(diǎn)近年來(lái)受到廣泛重視,而柔性襯底聚合物太陽(yáng) 能電池有著其獨(dú)特而廣泛的應(yīng)用前景,如何提高聚合物太陽(yáng)能電池的光電 轉(zhuǎn)換效率,達(dá)到柔性化和實(shí)用化要求,是目前柔性襯底聚合物太陽(yáng)能電池 領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。
目前基于柔性襯底的銦錫氧化物薄膜(ITO)陽(yáng)極的方阻較高(一般 在50-100Q/口)且附著能力不高,不太適合作陽(yáng)極材料。Y. Zhou等報(bào) 道在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)上旋涂一種聚噻吩PH500代替ITO制備 了柔性器件,其光電轉(zhuǎn)換效率為2%左右,因其方阻高(230 Q/口),限制 了器件提升效率的空間,所以需開(kāi)發(fā)新型的陽(yáng)極材料來(lái)適應(yīng)柔性襯底聚合 物太陽(yáng)能電池的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池及制備方法,以提高柔性聚合物太陽(yáng)能電池效率。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的這種金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng) 能電池,包括柔性基片,陽(yáng)極層,空穴傳輸層,活性層,電子傳輸層和A]
電極陰極構(gòu)成,其特征包括所述的陽(yáng)極層包括Ag、 CU、 N1 —種或幾種 復(fù)合金屬線(xiàn)網(wǎng)格材料。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池,所述的復(fù)合金屬線(xiàn) 網(wǎng)格陽(yáng)極層Ag/Cu/N1的金屬重量比例是3 :1:1。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池,所述的復(fù)合金屬線(xiàn) 網(wǎng)格陽(yáng)極層Ag/Cu/N1的上面覆蓋一層L1F層。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池,所述的空穴傳輸層 是旋涂的聚噻吩衍生物摻雜聚苯乙烯磺酸PEDOT: PSS 。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池,所述的活性層是旋 涂的聚合物P3HT : PCBM薄膜。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池的制備方法,包括如 下步驟
A、 制備網(wǎng)格模板首先將超微粒干板或PCB膠片經(jīng)激光曝光和顯影 加工后制成網(wǎng)格圖案的網(wǎng)格模板,對(duì)網(wǎng)格的線(xiàn)寬、線(xiàn)間距、疏密程度加以 調(diào)整,得到不同的網(wǎng)格圖案;
B、 在柔性PET基片上制備金屬網(wǎng)格將帶有網(wǎng)格圖案的模板印制到 鹵化銀感光膠片上,或用激光將網(wǎng)格圖案掃描在鹵化銀感光膠片上;經(jīng)過(guò)
顯影、定影、固化,在柔性基片上得到金屬銀網(wǎng)格圖案;
C、 在陽(yáng)極層上沉積UF層用真空蒸鍍的方法在金屬網(wǎng)格上沉積1-10nm的UF層,真空度2xl0—4Pa,蒸鍍速度為O.Olnm/s ;
D、 旋涂空穴傳輸層用旋涂方法將聚噻吩衍生物摻雜聚苯乙烯磺酸 溶液PEDOT: PSS旋涂在L1F層上,進(jìn)行氧離子處理5分鐘,在80。C下加熱 2分鐘,待PEDOT:PSS完全干燥后取出待用;
E、 旋涂活性層聚合物薄膜選用聚噻吩共軛聚合物P3HT作為電子給 體,富勒烯衍生物PCBM為電子受體按重量1 : l的比例混合,采用旋涂的 方法成膜,轉(zhuǎn)速為2000 「/m1n,薄膜厚度控制在90-150 nm ;
F、 在活性層聚合物薄膜之上沉枳UF層采用真空蒸鍍的方法在活 性層上沉積1.8nm的UF層,真空度在5xl0—4Pa ;
G、 真空蒸鍍Al電極作為陰極使用掩模板真空蒸鍍Al電極層,厚 度為100nm,蒸鍍速度為0.03-0.06nm/s ;
蒸完A1電極后的器件轉(zhuǎn)移到手套箱中,在80。C熱處理2分鐘,冷卻至 室溫后封裝,得到柔性襯底聚合物薄膜太陽(yáng)能電池。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池的制備方法,包括 步驟A所述的網(wǎng)格的線(xiàn)寬為1-20微米、線(xiàn)間距為100-500微米。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池的制備方法,在步 驟B所述金屬銀網(wǎng)格圖案上化學(xué)鍍銅,是在25 。C條件下用PH值為12.5 的化學(xué)鍍液硫酸銅60mM/L,三乙酉享胺180mM/L,亞鐵氰化鉀0.002mM/L, 鍍銅5分鐘,得到銀銅金屬網(wǎng)格圖案。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池的制備方法,在化 學(xué)鍍銅的網(wǎng)格圖案上化學(xué)鍍鎳,是在25 。C條件下用PH值為12.5的化學(xué) 鍍液硫酸鎳60mM/L,三乙醇胺180 mM/L,亞鐵氰化鉀0.002 mM/L,鍍鎳5分鐘,得到銀、銅、鎳金屬網(wǎng)格圖案。
所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池的制備方法,包括步
驟C所述真空蒸鍍UF,通過(guò)調(diào)整UF層的厚度,使金屬網(wǎng)格/UF復(fù)合陽(yáng) 極的方阻在0.1-15Q/口之間調(diào)整。
本發(fā)明采用的銀銅鎳(Ag:Cu:N1)金屬網(wǎng)格/L1F復(fù)合電極作為陽(yáng)極、 P3HT/PCBM作為活性層制備的柔性太陽(yáng)能電池與采用普通柔性基板ITO電 極制備的電池相比,能夠表現(xiàn)出更好的性能,在Ag:Qj:N1金屬網(wǎng)格和聚 噻吩衍生物摻雜聚苯乙烯磺酸(PEDOT: PSS)層之間加上一層2nm厚的氟化 鋰(UF)層后,改善了PEDOT: PSS在陽(yáng)極表面的成膜性,并且有利于增 強(qiáng)空穴和電子傳輸之間的平衡,能量轉(zhuǎn)換效率和性能與普通柔性基板ITO 電極的電池相比有顯著提高。
圖1是本發(fā)明金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖
圖2是圖1金屬網(wǎng)格部分的A-A視圖
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池,包括柔性基片, 復(fù)合陽(yáng)極層,空穴傳輸層,活性層,電子傳輸層和Al電極陰極構(gòu)成,創(chuàng) 新點(diǎn)是陽(yáng)極層是Ag、 Cu、 N1 —種或幾種金屬?gòu)?fù)合材料制成,比如金屬重 量比例是3 : 1 : 1的Ag/Cu/N1復(fù)合金屬線(xiàn)網(wǎng)格材料,復(fù)合金屬線(xiàn)網(wǎng)格陽(yáng) 極層Ag/Cu/N1的上面還覆蓋一層L1F層作為復(fù)合金屬陽(yáng)極;空穴傳輸層 是旋涂的聚噻吩衍生物摻雜聚苯乙烯磺酸PEDOT: PSS ;活性層是旋涂的聚合物P3HT PCBM薄膜。
如圖1 、圖2所示陽(yáng)極層是一個(gè)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),金屬網(wǎng)格的線(xiàn)寬1-20微米、 線(xiàn)間距100-500微米,這樣的結(jié)構(gòu)在宏觀上看來(lái)就是一個(gè)個(gè)小點(diǎn)組成的膜, 但這并不影響它的透光率,其透光率經(jīng)驗(yàn)證在80 a乂上。通常所用的柔性 襯底ITO的面電阻在50-100 Q/口左右。通過(guò)與普通柔性基片ITO電極相 比,利用Ag:Cu:N1金屬網(wǎng)格作為陽(yáng)極的柔性太陽(yáng)能電池器件能夠表現(xiàn)出 更好的性能,尤其在Ag:Cu:N1金屬網(wǎng)格和PEDOT: PSS之間加上一層2nm 厚的L1F層后,電極方阻降至0.3 Q/口,并改善了PEDOT: PSS在陽(yáng)極表
面的成膜性,有利于增強(qiáng)空穴和電子傳輸之間的平衡,電池器件在100 隨/crrf強(qiáng)度光照下,開(kāi)路電壓(仏)為0.6V,短路電流密度(丄)為 8.05mA/cm2,能量轉(zhuǎn)換效率為2.8。/^與基于柔性基板ITO電極的電池器件 相比(0.51%),效率顯著提高,結(jié)果表明,新型陽(yáng)極材料的應(yīng)用明顯提高 了光伏電池器件的性能。
下面通過(guò)本發(fā)明金屬網(wǎng)格陽(yáng)極電池制備的具體實(shí)施例以及普通柔性 基片ITO陽(yáng)極電池制備的對(duì)比例,詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的制備方法和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
實(shí)施例1 :
A、 制備網(wǎng)格模板首先將超微粒干板或PCB膠片經(jīng)激光曝光和顯影 加工后制成網(wǎng)格圖案的網(wǎng)格模板,對(duì)網(wǎng)格的線(xiàn)寬、線(xiàn)間距、疏密程度加以 調(diào)整,得到不同的網(wǎng)格圖案;
B、 在柔性PET基片上制備金屬網(wǎng)格將帶有網(wǎng)格圖案的模板印制到 鹵化銀感光膠片上,或用激光將網(wǎng)格圖案掃描在鹵化銀感光膠片上;經(jīng)過(guò) 顯影、定影、固化,在柔性基片上得到金屬銀網(wǎng)格圖案;再經(jīng)化學(xué)鍍銅和化學(xué)鍍鎳,得到銀、銅和鎳網(wǎng)格導(dǎo)電膜陽(yáng)極層;
金屬銀網(wǎng)格圖案上化學(xué)鍍銅,是在25 °C條件下用PH值為12.5的 化學(xué)鍍液硫酸銅60mM/L,三乙醇胺180mM/L,亞鐵氰化鉀0.002 mM/L, 鍍銅5分鐘,得到銀銅金屬網(wǎng)格圖案。
金屬銀銅網(wǎng)格圖案上化學(xué)鍍鎳,是在25 。C條件下用PH值為12.5 的化學(xué)鍍液硫酸鎳60mM/L,三乙醇胺180涵/L,亞鐵氰化鉀0.002 mM/L, 鍍鎳5分鐘,得到銀、銅、鎳金屬網(wǎng)格圖案。
C、 在陽(yáng)極層上沉積UF層將刻蝕好的條狀金屬網(wǎng)格導(dǎo)電PET (步驟 B方法制備)超聲清洗并烘干,將條狀金屬網(wǎng)格導(dǎo)電PET片放入真空鍍膜 機(jī)中,在2xl0—dpa的真空度下蒸鍍L1F層,厚度2nm,復(fù)合陽(yáng)極的方阻 為0.3 Q/口。這一步驟可以通過(guò)調(diào)整L1F層的厚度,使金屬網(wǎng)格/UF 復(fù)合陽(yáng)極的方阻在0.1-15Q/口之間調(diào)整。
D、 旋涂空穴傳輸層再用旋涂的方法將聚噻吩衍生物揍雜聚苯乙烯 磺酸溶液PEDOT: PSS ( Aldrich. ltd))旋涂在其上,轉(zhuǎn)速為2000 r/m化, 厚度為30 nm,先用DHX-11A型氧離子)爭(zhēng)化處理器進(jìn)行氧離子處理5分鐘, 然后將它們拿到干燥箱中加熱,在80 。C的溫度下加熱2分鐘,待 PEDOT:PSS完全干燥后取出待用;
E、 旋涂活性層聚合物薄膜選用聚噻吩共軛聚合物P3HT作為電子給 體,富勒烯衍生物PCBM為電子受體按重量1 : 1的比例混合,(Fosul Material.LTD)采用旋涂的方法成膜,轉(zhuǎn)速為2000 r/m1n,薄膜厚度控制
在90-150 nm ;
F、 在活性層聚合物薄膜上沉積UF層活性層之上的UF層和鋁陰極層是用真空熱蒸發(fā)技術(shù)制備的。將上述待加工樣品放入真空鍍膜機(jī)中,
在5x 10—4 Pa的真空度下依次蒸鍍L1F厚度2nm和作為陰極電極的Al ,厚 度IOO nm,蒸鍍速度為0.03-0.06nm/s。制備鋁電極時(shí)使用了掩模板,器 件的有效面積是4x4mnf。
蒸完A1電極后的器件轉(zhuǎn)移到手套箱中,在80度下熱處理2分鐘,冷 卻至室溫后封裝起來(lái),得到柔性襯底聚合物薄膜太陽(yáng)能電池。 實(shí)施例2 :制備方法同實(shí)施例1,只是活性層薄膜厚度控制在120 nm。 實(shí)施例3 :制備方法同實(shí)施例1,只是活性層薄膜厚度控制在90 nm。 對(duì)比實(shí)施例4:
先將普通基片ITO-PET上的IT0光刻成4毫米寬、30毫米長(zhǎng)的電極, 將片基超聲清洗并烘干,在甩膠機(jī)上用旋涂的方法將聚噻吩衍生物揍雜聚 苯乙烯磺酸溶液(PEDOT: PSS, Aldr化h. LTD)旋涂在ITO上,轉(zhuǎn)速為2000 r/m1n,厚度約為30 nm,將樣品進(jìn)行氧離子處理5分鐘(DHX-11A型氧離 子)爭(zhēng)化處理器),然后將它們拿到干燥箱中加熱,在80。C的溫度下加熱2分 鐘,待PEDOT:PSS完全干燥后取出待用;
活性層聚合物薄膜(P3HT:PCBM, Fosul Material丄TD)是通過(guò)對(duì)按 重量1 : 1的比例混合成的P3HTPCBM混合物采用旋涂的方法成膜,轉(zhuǎn)速 為2000 「/m1n,活性層薄膜厚度控制在150 nm。
活性層之上的L1F層是用真空熱蒸發(fā)技術(shù)制備的。將上述樣片放入真 空鍍膜機(jī)中,在5x 10-4Pa的真空度下依次蒸鍍L1F厚度1.8 nm和作為負(fù) 電極的A,厚度100 nm,蒸鍍速度為0.03-0.06nm/s。制備鋁電極時(shí)使用 了掩模板,器件的有效面積是4x4畫(huà)2。
ii蒸完A1電極后的器件轉(zhuǎn)移到手套箱中,在80。C下熱處理2分鐘,冷卻 至室溫后封裝起來(lái),得到聚合物薄膜太陽(yáng)能電池。
效果對(duì)比表1 100 mW/crrf氙燈照射下電池的性能參數(shù)對(duì)比
制備方法開(kāi)路電壓短路電流轉(zhuǎn)換效率
(V)(mA/cm2)(%)
對(duì)比例40.572.860.513
實(shí)施例10.68.052.805
實(shí)施例20.66.252.楊
表1結(jié)果表明,本發(fā)明利用Ag:Cu:N1網(wǎng)狀復(fù)合電極作為復(fù)合陽(yáng)極的 組成部分,尤其在Ag:Cu:N1 (金屬網(wǎng)格和PEDOT: PSS之間加上一層2nm 厚的UF層后,改善了 PEDOT: PSS在陽(yáng)極表面的成膜性,這是因?yàn)榻饘?網(wǎng)格/UF復(fù)合陽(yáng)極的電阻率低(0.1-15Q/口可調(diào),而普通柔性襯底ITO 的電阻率為100Q/口左右),有利于電荷傳輸,電流密度大;又因?yàn)榻饘?網(wǎng)格有空隙,直接旋涂PEDOT: PSS膜會(huì)導(dǎo)致膜層不均勻,蒸鍍一層L1F 后再旋涂PEDOT: PSS膜,可改善PEDOT: PSS的成膜效果,并且有利于增 強(qiáng)空穴和電子傳輸之間的平衡,從而使得制備的電池器件與基于柔性基板 ITO電極的電池器件相比,光伏電池的性能、效率顯著提高。
本發(fā)明列舉的實(shí)施例旨在更進(jìn)一步地闡明這種金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔 性聚合物太陽(yáng)能電池及制備方法及應(yīng)用方向,而不對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍構(gòu) 成任何限制。
1權(quán)利要求
1、一種金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池,包括柔性基片,陽(yáng)極層,空穴傳輸層,活性層,電子傳輸層和Al電極陰極構(gòu)成,其特征包括所述的陽(yáng)極層包括Ag、Cu、Ni一種或幾種復(fù)合金屬線(xiàn)網(wǎng)格材料。
2、 根據(jù)杈利要求1所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電 池,其特征在于所述的復(fù)合金屬線(xiàn)網(wǎng)格陽(yáng)極層Ag/Cu/N1的金屬重量比 例是3:1:1。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電 池,其特征在于所述的復(fù)合金屬線(xiàn)網(wǎng)格陽(yáng)極層Ag/Cu/N1的上面覆蓋一 層L1F層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電 池,其特征在于所述的空穴傳輸層是旋涂的聚噻吩衍生物摻雜聚苯乙 烯磺酸PEDOT: PSS。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電 池,其特征在于所述的活性層是旋涂的聚合物P3HT : PCBM薄膜。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)杈利要求所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性 聚合物太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征包括如下步驟A、 制備網(wǎng)格模板首先將超微粒干板或PCB膠片經(jīng)激光曝光和顯影 加工后制成網(wǎng)格圖案的網(wǎng)格模板,對(duì)網(wǎng)格的線(xiàn)寬、線(xiàn)間距、疏密程度加 以調(diào)整,得到不同的網(wǎng)格圖案;B、 在柔性PET基片上制備金屬網(wǎng)格將帶有網(wǎng)格圖案的模板印制到鹵化銀感光膠片上,或用激光將網(wǎng)格圖案掃描在鹵化銀感光膠片上;經(jīng) 過(guò)顯影、定影、固化,在柔性基片上得到金屬銀網(wǎng)格圖案;C、 在陽(yáng)極層上沉積UF層用真空蒸鍍的方法在金屬網(wǎng)格上沉積1-10nm的UF層,真空度2xl0—4Pa,蒸鍍速度為0.01nm/s ;D、 旋涂空穴傳輸層用旋涂方法將聚噻吩衍生物摻雜聚苯乙烯磺酸 溶液PEDOT: PSS旋涂在L1F層上,進(jìn)行氧離子處理5分鐘,在80。C下加 熱2分鐘,待PEDOT:PSS完全干燥后取出待用;E、 旋涂活性層聚合物薄膜選用聚噻吩共軛聚合物P3HT作為電子 給體,富勒烯衍生物PCBM為電子受體按重量1 : 1的比例混合,采用旋 涂的方法成膜,轉(zhuǎn)速為2000 r/m1n,薄膜厚度控制在90-150 nm;F、 在活性層聚合物薄膜之上沉積L1F層采用真空蒸鍍的方法在活 性層上沉積1.8nm的UF層,真空度在5xl0—4Pa ;G、 真空蒸鍍A]電極作為陰極使用掩模板真空蒸鍍A]電極層,厚 度為100nm,蒸鍍速度為0.03-0,06nm/s ;蒸完Al電極后的器件轉(zhuǎn)移到手套箱中,在80。C熱處理2分鐘,冷卻 至室溫后封裝,得到柔性襯底聚合物薄膜太陽(yáng)能電池。
7、 根據(jù)杈利要求6所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征包括步驟A所述的網(wǎng)格的線(xiàn)寬為1-20微米、線(xiàn)間 距為100-500微米。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電 池的制備方法,其特征包括在步驟B所述金屬銀網(wǎng)格圖案上化學(xué)鍍銅, 是在25 °C條件下用PH值為12.5的化學(xué)鍍液硫酸銅60mM/L,三乙醇胺180mM/L,亞鐵氰化鉀0.002 mM/L,鍍銅5分鐘,得到銀銅金屬網(wǎng)格 圖案。
9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電 池的制備方法,其特征包括在化學(xué)鍍銅的網(wǎng)格圖案上化學(xué)鍍鎳,是在 25 。C條件下用PH值為12.5的化學(xué)鍍液硫酸鎳60mM/L,三乙醇胺180 mM/L,亞鐵氰化鉀0.002 mFI/L,'鍍鎳5分鐘,得到銀、銅、鎳金屬網(wǎng)格 圖案。
10、根據(jù)杈利要求6所述的金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電 池的制備方法,其特征包括步驟C所述真空蒸鍍L1F,通過(guò)調(diào)整L1F層 的厚度,使金屬網(wǎng)格/UF復(fù)合陽(yáng)極的方阻在0.1-15Q/口之間調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種金屬網(wǎng)格陽(yáng)極層的柔性聚合物太陽(yáng)能電池,包括柔性基片,陽(yáng)極層,空穴傳輸層,活性層,電子傳輸層和Al電極陰極構(gòu)成,其特征包括所述的陽(yáng)極層是Ag、Cu、Ni一種或幾種復(fù)合金屬線(xiàn)網(wǎng)格材料制成。本發(fā)明采用的銀銅鎳(Ag:Cu:Ni)金屬網(wǎng)格/LiF復(fù)合電極作為陽(yáng)極、P3HT/PCBM作為活性層制備的柔性太陽(yáng)能電池與采用普通柔性基板ITO電極制備的電池相比,能夠表現(xiàn)出更好的性能,在Ag:Cu:Ni金屬網(wǎng)格和聚噻吩衍生物摻雜聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)層之間加上一層2nm厚的氟化鋰(LiF)層后,改善了PEDOT:PSS在陽(yáng)極表面的成膜性,并且有利于增強(qiáng)空穴和電子傳輸之間的平衡,能量轉(zhuǎn)換效率與普通柔性基板ITO電極的電池相比有顯著提高。
文檔編號(hào)C23C18/40GK101540371SQ20091007414
公開(kāi)日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2009年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月15日
發(fā)明者傅廣生, 楊少鵬, 柴老大, 競(jìng) 鄒, 陳金忠 申請(qǐng)人:河北大學(xué)