專利名稱：氣體輸入裝置和半導體加工設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體加工技術領域，特別涉及一種氣體輸入裝置和半導體加工設備。
背景技術：
集成電路、太陽能電池的制造過程中，通常需要使用半導體加工設備對單晶硅等 半導體晶片進行薄膜沉積、刻蝕等加工工藝。而在半導體加工設備中，氣體輸入裝置通常是 為半導體晶片的加工提供所需的工藝氣體，也可以在特定情況下或設備維護時提供所需輔 助氣體。加工半導體晶片時，氣體輸入裝置向半導體加工設備的反應腔中輸入工藝氣體， 工藝氣體在射頻功率的激發(fā)下，產生電離而形成等離子體。所述等離子體是由帶電的電子 和離子組成，反應腔中的工藝氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量并形 成大量的活性基團，通過射頻電源的電磁場能量耦合，將工藝氣體激發(fā)成等離子態(tài)，從而對 反應腔內的半導體晶片表面進行相應的材料刻蝕或沉積，而刻蝕或沉積反應的生成物及殘 余氣體脫離半導體晶片表面，并被真空系統(tǒng)抽出反應腔。對于半導體晶片加工來說，整個半導體晶片表面處理的均勻性是加工工藝的一個 極其重要的指標，而與該指標密切相關的是工藝氣體進入反應腔后在半導體晶片表面形成 的氣流場，該氣流場均勻性對加工工藝的結果相當重要。影響半導體晶片表面氣流場的均 勻性的因素有很多，氣體注入裝置就是其中一個直接因素，氣流注入裝置的結構、位置和輸 氣方式對氣流場會產生很大的影響。如圖1所示為一種常用的半導體加工設備的結構，其特點為在反應腔1頂部的中 心安裝有一多區(qū)噴嘴2，該多區(qū)噴嘴2具有多個輸入氣路，工藝氣體可以分多路進入到反應 腔，對各個輸入氣路之間的氣流比例進行調節(jié)，從而使所處理的半導體晶片3表面氣流更 加均勻，如圖中虛線所示為反應腔內氣流的分布情況。上述半導體加工設備采取反應腔1頂部中心進氣的方式，通過位于半導體晶片四 周的環(huán)形區(qū)域的排氣通道4將殘余氣體及反應生成物抽離反應腔，由于從半導體晶片3中 心到邊緣的氣流路徑長度的差異，會導致晶片表面上的氣流場從中心到邊緣形成梯度分 布，使得工藝氣體在中心濃度較高，在邊緣濃度較低，整個半導體晶片3上方氣流分布不均 勻，影響對半導體晶片3的加工質量。雖然可以通過改變多區(qū)噴嘴2不同輸入氣路之間的進氣比例來改善上述氣流分 布不均勻的現(xiàn)象，但也僅能在一定程度內減小梯度分布，而且隨著技術的發(fā)展，半導體晶片 的尺寸逐步增加，其中心與邊緣的氣流分布的差異將進一步增大。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種氣體輸入裝置和半導體加工設備，能夠改善所處理 的半導體晶片整個表面上方氣流分布的均勻性。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種氣體輸入裝置，用于向半導體晶片表面輸入工 藝氣體，包括主進氣部，基本朝向所述半導體晶片的中心；補償環(huán)，所述主進氣部基本位于所述補償環(huán)的軸線位置；密封環(huán)，與所述補償環(huán)密封連接，從而在所述密封環(huán)和補償環(huán)之間形成有氣流分 配腔；所述密封環(huán)具有至少兩個進氣口，所述補償環(huán)具有出氣口，所述出氣口朝向所述 補償環(huán)的軸線方向。所述至少兩個進氣口在所述密封環(huán)上對稱布置。所述出氣口為一系列通孔，所述一系列通孔環(huán)繞補償環(huán)的軸線均勻布置。所述通孔的軸線與半導體晶片表面平行或相交。所述一系列通孔中，越靠近半導體晶片的通孔其孔徑越大。所述補償環(huán)的內壁為朝向半導體晶片的喇叭口形。所述補償環(huán)為圓環(huán)形，所述密封環(huán)位于補償環(huán)的外圓，則所述氣流分配腔也為圓 環(huán)形。所述補償環(huán)和密封環(huán)為金屬材質，則該補償環(huán)和密封環(huán)的接觸面設有導電件和/ 或密封件。所述氣體輸入裝置還包括控制氣路，所述控制氣路包括主要氣路和補償氣路，其 中，所述主要氣路與所述主進氣部連通，用于給主進氣部供氣；所述補償氣路與所述密封環(huán)的至少兩個進氣口連通，用于給所述補償環(huán)供氣。所述補償氣路包括至少兩條支路，每條支路上設有開關裝置和限流裝置。本發(fā)明還提供一種半導體加工設備，包括反應腔，位于反應腔一側的、用于固定 半導體晶片的晶片支撐裝置，位于反應腔的另一側的、與所述晶片支撐裝置相對的氣體輸 入裝置，所述氣體輸入裝置包括主進氣部，基本朝向所述半導體晶片的中心；補償環(huán)，所述主進氣部基本位于所述補償環(huán)的軸線位置；密封環(huán)，與所述補償環(huán)密封連接，從而在所述密封環(huán)和補償環(huán)之間形成有氣流分 配腔；所述密封環(huán)具有至少兩個進氣口，所述補償環(huán)具有出氣口，所述出氣口朝向所述 補償環(huán)的軸線方向。所述半導體加工設備還包括排氣通道，位于所述晶片支撐裝置周圍。上述技術方案具有以下優(yōu)點所述氣體輸入裝置用于向反應腔內的半導體晶片表面輸入工藝氣體，一方面，通 過基本朝向半導體晶片的中心主進氣部，工藝氣體以中央進氣的方式輸入到晶片表面上的 工藝區(qū)域，而另一方面，工藝氣體由所述密封環(huán)的至少兩個進氣口進入所述密封環(huán)和補償 環(huán)之間的氣流分配腔，再通過與所述氣流分配腔連通的補償環(huán)上的出氣口輸入至晶片表面 上的工藝區(qū)域，由于主進氣部基本位于所述補償環(huán)的軸線位置，而所述出氣口朝向所述補 償環(huán)的軸線方向，也就是說，由補償環(huán)輸入的氣流位于進氣部輸入氣流的周圍，這樣一來，從補償環(huán)輸入的工藝氣體補償了晶片表面邊緣區(qū)域的氣流，可以減小晶片表面上邊緣與中 心之間氣流場的分布梯度，從而能夠改善所處理的半導體晶片整個表面上方氣流分布的均 勻性。所述半導體加工設備，由于采用上述氣體輸入裝置向反應腔輸送工藝氣體，因此， 能夠減小晶片表面上邊緣與中心之間氣流場的分布梯度，進而能夠改善所處理的半導體晶 片整個表面上方氣流分布的均勻性。而且，所述氣體輸入裝置僅在傳統(tǒng)的中央主進氣部周圍增加補償環(huán)和密封環(huán)，因 此結構相對簡單，制造成本較低。此外，通過控制氣路分配主進氣部和補償環(huán)輸入氣流的配 比，有利于進一步提高氣流的均勻性。


通過附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中 相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示 出本發(fā)明的主旨。圖1為一種常用的半導體加工設備的結構示意圖；圖2為實施例一中半導體加工設備的立體結構示意圖；圖3為圖2中沿A-A方向的剖視圖；圖4為圖3中的補償環(huán)的剖視圖；圖5為圖4中的補償環(huán)的局部放大圖；圖6為實施例一中另一補償環(huán)的局部放大圖；圖7為圖2中半導體加工設備的俯視圖；圖8為實施例二中氣體輸入裝置的控制氣路的原理示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明 的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以 采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限 制。其次，本發(fā)明結合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表 示裝置結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應 限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。為突出本發(fā)明的特點，附圖中沒有給出與本發(fā)明的發(fā)明點必然直接相關的部分， 例如，射頻電源、功率匹配裝置、靜電卡盤的具體結構。隨著集成電路、太陽能電池等半導體行業(yè)的發(fā)展，作為襯底的半導體晶片的尺寸 逐步增加，關鍵尺寸不斷減小，這些導致半導體加工設備的反應腔的體積也相應的增大，對 晶片表面的氣流均勻性要求也越來越高，需要在一個更大的空間內，在一個更大的表面上， 獲得更加均勻的氣流分布。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的半導體加工設備，雖然改變多區(qū)噴嘴不同輸入氣路之間的進氣比例來改善半導體晶片表面氣流分布不均勻的現(xiàn)象，但也僅能在一定程度內減小梯 度分布，本質原因在于，反應腔的進氣位置單一，而且氣流是經(jīng)過所處理的半導體晶片四周 的環(huán)形區(qū)域被抽離反應腔，因此導致半導體晶片中心附近的氣體相對于邊緣附近來說總是 更加難以抽離，從而造成所處理半導體晶片中心與邊緣氣流分布的差異?；诖耍景l(fā)明提出一種用于半導體加工設備的氣體輸入裝置，在傳統(tǒng)的中心進 氣的基礎上增加邊緣進氣以對邊緣氣流進行補償，從而減小半導體晶片表面中心到邊緣的 氣流分布梯度，而且該氣體輸入裝置結構簡單，控制靈活。下面結合附圖詳細說明所述的氣體輸入裝置及具有該氣體輸入裝置的半導體加 工設備的具體實施例。實施例一圖2為本實施例中半導體加工設備的立體結構示意圖，圖3為圖2中沿A-A方向 的剖視圖。如圖所示，半導體加工設備包括反應腔10，位于反應腔10內部的晶片支撐裝置 11，以及，位于反應腔10 —側的、與所述晶片支撐裝置11相對的氣體輸入裝置12。其中，晶片支撐裝置11和氣體輸入裝置12之間的反應腔內部空間構成工藝區(qū)域 B。所述晶片支撐裝置11例如為靜電卡盤，用來固定半導體晶片3。反應腔10內部還具有 腔室內襯13，反應腔10的上部為介質窗101，該介質窗101通常由陶瓷或者石英材料構成。 介質窗101的上方安裝有連接射頻電源的線圈(圖中未示出)，其將能量通過介質窗耦合至 所述工藝區(qū)域B，將其中的工藝氣體激發(fā)成等離子體，從而對晶片支撐裝置11上的半導體 晶片3進行處理，處理后的殘余氣體或反應生成物通過排氣通道102抽離反應腔10。所述 排氣通道102位于晶片支撐裝置11的周圍。所述氣體輸入裝置12用于向半導體晶片3表面上的工作區(qū)域B輸入工藝氣體，包 括主進氣部121，基本朝向所述半導體晶片3的中心；補償環(huán)122，所述主進氣部121基本位于所述補償環(huán)122的軸線C-C位置；密封環(huán)123，與所述補償環(huán)122密封連接，從而在所述密封環(huán)123和補償環(huán)122之 間形成氣流分配腔124。其中，該主進氣部121優(yōu)選安裝在所述介質窗101的中心，例如為氣體分配板、多 區(qū)噴嘴等，工藝氣體從該主進氣部121以中央進氣的方式噴射到工藝區(qū)域B中。密封環(huán)123具有至少兩個進氣口 125，所述至少兩個進氣口在所述密封環(huán)123上對 稱布置，如圖2所示，密封環(huán)123的外形基本為正方形，四個進氣口 125分別位于正方形的 四個角處，用于向氣流分配腔124輸入工藝氣體。本發(fā)明的其他實施例中，進氣口的數(shù)量不 限為四個，也不限為均勻布置，也可以根據(jù)實際的反應腔和補償環(huán)的結構非均勻布置，以便 進入氣流分配腔的工藝氣體沿補償環(huán)的方向盡量均勻，從而達到進入氣流分配腔的工藝氣 體均勻分布的目的。所述補償環(huán)122具有出氣口 126，所述出氣口 126朝向所述補償環(huán)122的軸線的方 向，用于將流過氣流分配腔124的工藝氣體以邊緣進氣的方式噴射到工藝區(qū)域B中。所述氣體輸入裝置用于向反應腔內的半導體晶片3表面輸入工藝氣體，一方面， 通過基本朝向半導體晶片3的中心主進氣部121，工藝氣體D以中央進氣的方式輸入到晶片表面中心附近的工藝區(qū)域，而另一方面，工藝氣體E由所述密封環(huán)123的至少兩個進氣口 125進入所述密封環(huán)123和補償環(huán)122之間的氣流分配腔124，再通過與所述氣流分配腔 124連通的補償環(huán)122上的出氣口 126輸入至晶片表面邊緣附近的工藝區(qū)域，由于主進氣 部121基本位于所述補償環(huán)122的軸線位置，而所述出氣口 126朝向所述補償環(huán)122的軸 線方向，也就是說，由補償環(huán)122輸入的氣流E位于主進氣部121輸入氣流D的周圍，這樣 一來，從補償環(huán)122輸入的工藝氣體E補償了晶片表面邊緣區(qū)域的氣流，可以減小晶片表面 上邊緣與中心之間氣流場的分布梯度，參見圖中虛線所示反應腔內氣流的分布情況，從而 能夠改善所處理的半導體晶片整個表面上方氣流分布的均勻性。圖4為圖3中的補償環(huán)122的剖視圖，如圖所示，優(yōu)選的，所述補償環(huán)122的內壁 122a為朝向半導體晶片的喇叭口形，所述出氣口 126為一系列通孔126，所述一系列通孔 126環(huán)繞補償環(huán)122的軸線C-C均勻布置。該補償環(huán)122的內壁122a為喇叭口，該喇叭口 靠近介質窗101 —側的半徑小于靠近半導體晶片3 —側的半徑(見圖3)，所述一系列通孔 126由內壁122a延伸至外壁122b而貫穿補償環(huán)122，這樣一來，一系列通孔126沿內壁122a 發(fā)散式分布，可以在平行于半導體晶片3的水平面內的一定圓環(huán)寬度范圍內多層次輸出氣 體，從而對半導體晶片3邊緣附近的區(qū)域補償工藝氣體，獲得更好的氣流均勻性。圖5為圖4中的補償環(huán)122的局部放大圖，優(yōu)選的，通孔126的軸線與所述半導體 晶片表面平行，越靠近半導體晶片的通孔126其孔徑越大，以使半導體晶片邊緣區(qū)域由內 到外的工藝氣體補償量逐漸增加，從而使得越靠近邊緣區(qū)域補償?shù)臍饬髟酱螅M一步提高 補償效果，改善半導體晶片表面氣流場分布梯度。除此之外，如圖6所示，所述一系列通孔 126的軸線也可以與半導體晶片表面相交成一定的角度，例如0° -90°，通孔126的孔徑也 可以都相等，或者，越靠近半導體晶片的通孔126其孔徑越小。圖7為圖2中半導體加工設備的俯視圖(其中點劃線表示透視的結構)，所述補償 環(huán)優(yōu)選為圓環(huán)形，其半徑大于介質窗101，所述密封環(huán)123位于補償環(huán)的外圓周，補償環(huán)的 外壁122b和密封環(huán)123的內壁123a之間構成所述氣流分配腔，則所述氣流分配腔也為圓 環(huán)形，而密封環(huán)123的外壁123b基本為正方形。本實施例中所述的“環(huán)”并不限于圓環(huán)，還 可以是矩形環(huán)、三角形環(huán)、橢圓形環(huán)等，形狀與所處理的半導體晶片的形狀匹配即可，例如， 在太陽能電池制造工藝中所處理的半導體晶片為方形，則所述補償環(huán)、氣流分配腔、密封環(huán) (內壁)均為方形環(huán)。在本發(fā)明的其他實施例中，所述補償環(huán)的內壁也可以為圓柱形，也就是說，從靠近 介質窗一側的半徑到靠近半導體晶片一側的半徑均相等，則一系列通孔的末端到補償環(huán)軸 線的距離均相等，這種結構相對于喇叭口的結構更容易制造。本實施例中，如圖3所示，反應腔10、腔室內襯13、補償環(huán)122、密封環(huán)123優(yōu)選均 為金屬材質。反應腔10與腔室內襯13之間、腔室內襯13與補償環(huán)122之間、以及補償環(huán) 122與密封環(huán)123之間的接觸面分別具有密封件127來實現(xiàn)密封，同時還具有導電件128來 實現(xiàn)彼此之間的電導通，當然也可以根據(jù)需要選擇其他非導電材料，那樣它們之間不需要 電導通。本發(fā)明所述的氣體輸入裝置還可以包括控制氣路，以下實施例中結合附圖詳細說 明。實施例二
圖8為本實施例中氣體輸入裝置的控制氣路的原理示意圖，氣體輸入裝置和半導 體加工設備與實施例一類似，在此不再贅述。如圖所示，所述控制氣路20包括主要氣路21和補償氣路22，其中，所述主要氣路21與所述主進氣部121連通，用于給主進氣部121供氣；所述補償氣路22與所述密封環(huán)123的至少兩個進氣口連通，用于給所述補償環(huán) 122供氣。所述補償氣路22包括至少兩條支路221，其中每條支路221上沿氣流方向依次 設有開關裝置222和限流裝置223。所述開關裝置例如為氣動截止閥，用于控制所在支路的氣流通斷，所述限流裝置 例如為限流器，用于限制支路中氣流的流量大小。每條支路限流器的規(guī)格不同，支路的數(shù)量可以根據(jù)功能需要自行設定，經(jīng)過限流 器后補償氣路合并為一條氣路經(jīng)補償環(huán)進入反應腔。半導體加工設備正常工作時，可以根據(jù)實際工藝過程所需的工藝氣體流量設置補 償氣路流量，一般情況下工藝氣體整體流量大時，補償氣路流過的氣體流量也大，但不僅限 于這種情況。該補償氣路的支路可以單條獨立工作，也可以多條組合工作。如圖7所示，在有 三條支路221A、221B、221C的情況下，補償氣路可以實現(xiàn)7種情況的限流。比如三條支路 221A、221B、221C的氣流比例分別為1 2 5，若將補償氣路總流通能力設置為8 (單位例 如為SCCM)的話，則分別單開221A、221B、221C三路的時候通過的氣體分別為補償氣路總流 通能力的1/8，1/4，5/8 ；如果打開兩條支路，即221A與221B, 221B與221C，221A與221C，則 流通氣體為補償氣路總流通能力3/8，7/8，3/4 ；如果全打開則達到了補償氣路的總流通能 力。此外，該補償氣路配合主要氣路一起工作，也可以在特定情況下單獨工作，在一些特定 場合，可以將主要氣路關閉，補償氣路單獨工作。例如在設備空閑狀態(tài)時，可以通過某條支 路將特定的氣體以相對較小的流量通入，從而使設備維持在一個穩(wěn)定的狀態(tài)。采用上述的控制氣路可以靈活的控制由進入氣體輸入裝置的工藝氣體流量，便于 分配主進氣部和補償環(huán)輸入氣流的配比，有利于提高氣流的均勻性。所述氣體輸入裝置可以用于各種基于氣相反應的半導體加工設備中，向反應腔內 輸送氣體，所述半導體加工設備例如為等離子體刻蝕設備、化學氣相沉積設備等。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。雖 然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領域的技術人 員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明 技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離 本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同 變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。
權利要求
一種氣體輸入裝置，用于向半導體晶片表面輸入工藝氣體，其特征在于，包括主進氣部，基本朝向所述半導體晶片的中心；補償環(huán)，所述主進氣部基本位于所述補償環(huán)的軸線位置；密封環(huán)，與所述補償環(huán)密封連接，從而在所述密封環(huán)和補償環(huán)之間形成有氣流分配腔；所述密封環(huán)具有至少兩個進氣口，所述補償環(huán)具有出氣口，所述出氣口朝向所述補償環(huán)的軸線方向。
2.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述至少兩個進氣口在所述密 封環(huán)上對稱布置。
3.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述出氣口為一系列通孔，所述 一系列通孔環(huán)繞補償環(huán)的軸線均勻布置。
4.根據(jù)權利要求3所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述通孔的軸線與半導體晶片 表面平行或相交。
5.根據(jù)權利要求3所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述一系列通孔中，越靠近半導 體晶片的通孔其孔徑越大。
6.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補償環(huán)的內壁為朝向半導 體晶片的喇叭口形。
7.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補償環(huán)為圓環(huán)形，所述密封 環(huán)位于補償環(huán)的外圓，則所述氣流分配腔也為圓環(huán)形。
8.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補償環(huán)和密封環(huán)為金屬材 質，則該補償環(huán)和密封環(huán)的接觸面設有導電件和/或密封件。
9.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述氣體輸入裝置還包括控制 氣路，所述控制氣路包括主要氣路和補償氣路，其中，所述主要氣路與所述主進氣部連通，用于給主進氣部供氣；所述補償氣路與所述密封環(huán)的至少兩個進氣口連通，用于給所述補償環(huán)供氣。
10.根據(jù)權利要求9所述的氣體輸入裝置，其特征在于，所述補償氣路包括至少兩條支 路，每條支路上設有開關裝置和限流裝置。
11.一種半導體加工設備，包括反應腔，位于反應腔一側的、用于固定半導體晶片的 晶片支撐裝置，位于反應腔的另一側的、與所述晶片支撐裝置相對的氣體輸入裝置，其特征 在于，所述氣體輸入裝置包括主進氣部，基本朝向所述半導體晶片的中心； 補償環(huán)，所述主進氣部基本位于所述補償環(huán)的軸線位置；密封環(huán)，與所述補償環(huán)密封連接，從而在所述密封環(huán)和補償環(huán)之間形成有氣流分配腔；所述密封環(huán)具有至少兩個進氣口，所述補償環(huán)具有出氣口，所述出氣口朝向所述補償 環(huán)的軸線方向。
12.根據(jù)權利要求11所述的半導體加工設備，其特征在于，還包括排氣通道，位于所述 晶片支撐裝置周圍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種氣體輸入裝置，用于向半導體晶片表面輸入工藝氣體，包括主進氣部，基本朝向所述半導體晶片的中心；補償環(huán)，所述主進氣部基本位于所述補償環(huán)的軸線位置；密封環(huán)，與所述補償環(huán)密封連接，從而在所述密封環(huán)和補償環(huán)之間形成有氣流分配腔；所述密封環(huán)具有至少兩個進氣口，所述補償環(huán)具有出氣口，所述出氣口朝向所述補償環(huán)的軸線方向。所述氣體輸入裝置和半導體加工設備，能夠改善所處理的半導體晶片整個表面上方氣流分布的均勻性。
文檔編號C23C14/00GK101924015SQ20091008660
公開日2010年12月22日 申請日期2009年6月12日 優(yōu)先權日2009年6月12日
發(fā)明者張風港 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司