專利名稱：水冷裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種水冷裝置，特別涉及一種改良組接方式的水冷裝置。
背景技術(shù)：
隨著諸多電子產(chǎn)品效能的提升，其內(nèi)部含有的電子元件數(shù)量也急劇增加，以致于 通過電子產(chǎn)品運作，所產(chǎn)生的單位面積溫度增加，而提升電子產(chǎn)品發(fā)生過熱死機或損壞的 可能性，因此，散熱降低溫度對于電子產(chǎn)品而言，就變成十分重要的課題。以計算機主機內(nèi)的中央處理單元(Central Processing Unit, CPU)來說，通常安 裝一風(fēng)扇輔助中央處理單元散熱，但是這樣的散熱效果是有限的，而目前已提出一種水冷 散熱裝置9供安裝于CPU上，用以輔助CPU散熱，參閱圖1，水冷散熱裝置9包括一基座91、 一蓋板92、一輸入水管93、一輸出水管94、多個螺鎖件95及一環(huán)形墊96，基座91具有一底 壁911、一圍繞底壁911形成的圍繞壁912、多個形成于圍繞壁912上且供蓋板92固定的螺 孔部913及多個形成于底壁911上且僅有一端連接圍繞壁912的隔板914，而隔板914形成 多個相連通且供水流動的流道915，蓋板92具有多個與基座91的螺孔部913相配合的螺 洞921，輸入水管93與輸出水管94連接于基座91且分別與基座91的流道915相連通，螺 鎖件95能穿伸于蓋板92的螺洞921而螺鎖于基座91的螺孔部913，使蓋板92固定于基座 91上，環(huán)形墊96設(shè)置于圍繞壁912上而用以防止漏水。于是，通過裝入水溶液的水冷散熱裝置9連接一泵且貼合于CPU，CPU通過與水冷 散熱裝置9的基座91的底壁911面接觸將廢熱傳導(dǎo)至基座91內(nèi)的水溶液，通過泵產(chǎn)生的 水循環(huán)，使得基座91的所吸收的廢熱能導(dǎo)出，如此的動作方式能降低CPU的溫度達(dá)成散熱 的功效。然而，水冷散熱裝置9通過螺鎖件95接合基座91與蓋板92，以致于在開模制造 基座91時，為了增設(shè)螺孔部913，而增加了開模工程的成本，及在使用水冷散熱裝置時，必 須花費人力與時間先螺鎖接合蓋板92與基座91，此外，水冷散熱裝置9也會因為環(huán)形墊96 的老化變形，在使用上發(fā)生漏水的情形，導(dǎo)致安裝水冷散熱裝置9的電子產(chǎn)品受損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于提供一種不必通過鎖栓件組接的水冷裝置及其制造方法。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種能完全密封不漏水的水冷裝置及其制造方法。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種供設(shè)置電路及電子元件的水冷裝置及其制造方法。于是，本發(fā)明水冷裝置包括一底壁、一頂壁、一中空座體、一輸入口及一輸出口，底 壁具有一面向發(fā)熱元件的底面，頂壁間隔地位于底壁上方，中空座體包括一連接于頂壁與 底壁之間的圍繞壁，頂壁、底壁及圍繞壁界定出一流道空間，且頂壁及底壁至少其中之一與 圍繞壁燒結(jié)連接，輸入口設(shè)置于頂壁與圍繞壁其中之一并連通該流道空間而能供冷卻液體 經(jīng)輸入口流入流道空間，輸出口設(shè)置于頂壁與圍繞壁其中之一并連通該流道空間而能供流道空間內(nèi)的冷卻液體經(jīng)輸出口流出。本發(fā)明所述的水冷裝置，中空座體與底壁為一體成型且其材質(zhì)為銅，頂壁為雙面 覆銅金屬的陶瓷板而具有二金屬層以及一介于該二金屬層之間的陶瓷層且通過燒結(jié)連接 中空座體。本發(fā)明所述的水冷裝置，該頂壁、該底壁及該中空座體的材質(zhì)為銅。本發(fā)明所述的水冷裝置，頂壁與底壁分別為雙面覆銅金屬的陶瓷板而具有二金屬 層以及一介于該二金屬層之間的陶瓷層且通過燒結(jié)連接材質(zhì)為銅的中空座體。本發(fā)明所述的水冷裝置，該中空座體還包括多個連接該圍繞壁并且位于該流道空 間內(nèi)的肋片，所述肋片于該流道空間內(nèi)界定出一流道。本發(fā)明所述的水冷裝置，還包括多個容置于該流道內(nèi)的導(dǎo)熱體，所述導(dǎo)熱體用以 增加冷卻液體與該中空座體內(nèi)部的接觸面積。本發(fā)明所述的水冷裝置，所述導(dǎo)熱體為銅球。本發(fā)明水冷裝置的制造方法，包括下列步驟步驟A 提供一中空座體，該中空座體包括一圍繞界定出一流道空間的圍繞壁及 一設(shè)置于該圍繞壁的輸入口及輸出口；步驟B 提供二導(dǎo)熱板體，每一導(dǎo)熱板體的一側(cè)板面形成有一氧化層；以及步驟C 分別將該二導(dǎo)熱板體以形成有該氧化層的該側(cè)板面面向該圍繞壁地上下 燒結(jié)于該圍繞壁而封閉該流道空間。其中，二導(dǎo)熱板體供形成水冷裝置的底壁與頂壁。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟B中，所述導(dǎo)熱板體為銅金屬板。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟B中，所述導(dǎo)熱板體為雙面覆銅金屬的 陶瓷板，每一導(dǎo)熱板體具有二金屬層以及一介于該二金屬層之間的陶瓷層。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟B中，利用一熱氧化處理或一濕式氧化 方式將所述導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化而形成該氧化層。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，該濕式氧化方式將所述導(dǎo)熱板體的一側(cè)面浸置 于一含有氧化劑的氧化用溶液中，使所述導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化形成氧化層。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，該熱氧化處理的溫度介于400°C至900°C之間。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟C中，燒結(jié)溫度介于1065°C至1080°C之 間。本發(fā)明水冷裝置的另一制造方法，包括下列步驟步驟A’提供一散熱座，該散熱座包括一底壁、一圍繞壁及一設(shè)置于該圍繞壁的輸 入口及輸出口，該底壁與該圍繞壁界定出一流道空間；步驟B’ 提供一導(dǎo)熱板體，該導(dǎo)熱板體的一側(cè)板面形成有一氧化層；以及步驟C’ 將該導(dǎo)熱板體以形成有該氧化層的該側(cè)板面面向該圍繞壁并且間隔于該 底壁上方地?zé)Y(jié)于該圍繞壁而封閉該流道空間。其中，導(dǎo)熱板體供形成水冷裝置的頂壁。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟B’中，該導(dǎo)熱板體為銅金屬板。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟B’中，該導(dǎo)熱板體為雙面覆銅金屬的陶 瓷板，該導(dǎo)熱板體具有二金屬層以及一介于該二金屬層之間的陶瓷層。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟B’中，利用一熱氧化處理或一濕式氧化 方式將該導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化而形成氧化層。
本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，該濕式氧化方式將導(dǎo)熱板體的一側(cè)面浸置于一 含有氧化劑的氧化用溶液中，使導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化形成氧化金屬層。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，該熱氧化處理的溫度介于400°C至900°C之間。本發(fā)明所述的水冷裝置制造方法，于步驟C，中，燒結(jié)溫度介于1065°C至1080°C之 間。本發(fā)明的有益效果在于不必通過任何鎖栓件而形成具有完全密封空間的水冷裝 置，使于水冷裝置內(nèi)的冷卻液體不會外漏，此外，更佳的是于水冷裝置的底壁或頂壁為雙面 覆銅陶瓷板，用以于底壁底面或頂壁頂面設(shè)置電路及電子元件，使得電子元件能直接導(dǎo)出 廢熱而獲得更佳的散熱效果。


圖1是一立體分解圖，說明以往的水冷裝置的組裝結(jié)構(gòu)；圖2是一立體示意圖，說明本發(fā)明水冷裝置的第一較佳實施例；圖3是一立體分解圖，說明該水冷裝置各構(gòu)件的連結(jié)關(guān)系；圖4是一流程圖，說明該水冷裝置的制造方法；圖5是一制作流程示意圖，說明該水冷裝置的一實施態(tài)樣的制作過程；圖6是一制作流程示意圖，說明該水冷裝置的另一實施態(tài)樣的制作過程；圖7是一立體示意圖，說明本發(fā)明水冷裝置的第二較佳實施例；圖8是一立體分解圖，說明該水冷裝置各構(gòu)件的連結(jié)關(guān)系；圖9是一流程圖，說明該水冷裝置的制造方法；圖10是一制作流程示意圖，說明該水冷裝置的一實施態(tài)樣的制作過程；圖11是一制作流程示意圖，說明該水冷裝置的另一實施態(tài)樣的制作過程。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及二個實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。在本發(fā)明被詳細(xì)描述之前，要注意的是，在以下的說明內(nèi)容中，類似的元件以相同 的編號來表示。參閱圖2與圖3，本發(fā)明水冷裝置的第一較佳實施例適用于降低一發(fā)熱元件的溫 度，本實施例所指的發(fā)熱元件為一計算機主機內(nèi)的中央處理單元(圖未示)，但并不以此為 限。該水冷裝置101包括一底壁21、一中空座體22、一頂壁23、一輸入口 24及一輸出口 25， 底壁21、中空座體22與頂壁23由下而上相互連接。底壁21的材質(zhì)為銅，包括一第一頂面211及一第一底面212，第一底面212供貼合 于發(fā)熱元件，第一頂面211連接于中空座體22。中空座體22的材質(zhì)為銅，包括一圍繞壁221及多個一端連接圍繞壁221內(nèi)側(cè)壁面 的肋片224，圍繞壁221具有一上端面222及一用以通過燒結(jié)而連接底壁21的第一頂面211 的下端面223，也就是說，底壁21與中空座體22的結(jié)合是利用金屬燒結(jié)的方式相結(jié)合。頂壁23的材質(zhì)也為銅，包括一第二頂面231及一通過燒結(jié)而連接圍繞壁221的上 端面222的第二底面232，也就是說，頂壁23與中空座體22的結(jié)合也是利用金屬燒結(jié)的方 式。
圍繞壁221燒結(jié)連接于頂壁23及底壁21之間而界定出一流道空間，搭配著上述 設(shè)置于中空座體22內(nèi)的肋片224，流道空間即形成供冷卻液體流通的流道225。輸入口 24及輸出口 25設(shè)置于中空座體22的圍繞壁221，輸入口 24連通流道空間 而能供冷卻液體經(jīng)輸入口 24流入流道225，輸出口 25連通流道空間而能供流道225內(nèi)的 冷卻液體經(jīng)輸出口 25流出，在本實施例中，輸入口 24與輸出口 25會分別接上一用以連接 泵的導(dǎo)管27，而導(dǎo)管27是與設(shè)有輸入口 24與輸出口 25的中空座體22的圍繞壁221通過 壓鑄一體成型的，或者導(dǎo)管27另外加工連接。然而，輸入口 24與輸出口 25的設(shè)置只要能 與流道225相連通即可，其設(shè)置位置并不限于圍繞壁221，也能設(shè)置于頂壁23，但要注意的 是，輸入口 24與輸出口 25設(shè)置的位置要能讓水冷裝置101內(nèi)的冷卻液體取得較長的流動 距離，以增加冷卻液體在水冷裝置101內(nèi)的接觸面積。特別值得一提的是，底壁21、中空座體22與頂壁23利用燒結(jié)方式結(jié)合成一體的優(yōu) 點在于相同的金屬會因燒結(jié)而相互熔為一體，經(jīng)冷卻后彼此間將不會存有任何縫隙，如此 一來，水冷裝置101就不必通過任何鎖栓件之類的物件相互連結(jié)，且也不必為了擔(dān)心連結(jié) 后會產(chǎn)生漏水的情況而于連結(jié)處設(shè)置一防水墊圈，更不必?fù)?dān)心防水墊圈會有老化變形的問題。此外，水冷裝置101還包括多個設(shè)置于流道225的導(dǎo)熱體26，在本實施例中，導(dǎo)熱 體26為銅球，通過導(dǎo)熱體26的設(shè)置，使得通過流道225內(nèi)的冷卻液體流動，能增加冷卻液 體與水冷裝置101內(nèi)部的接觸面積，進(jìn)而提升熱能交換的效率。配合參閱圖4、圖5，本發(fā)明水冷裝置第一較佳實施例的制造方法的較佳實施例包 括下列步驟步驟80，提供一中空座體22。在本實施例中，是利用前述的銅金屬材質(zhì)的中空座 體22。步驟82，提供二導(dǎo)熱板體，每一導(dǎo)熱板體的一側(cè)板面形成有一氧化層。兩導(dǎo)熱板體 供形成上述的底壁21與頂壁23，因此其材質(zhì)為銅金屬，在本實施例中，能利用一熱氧化處 理使導(dǎo)熱板體的一側(cè)板面形成有一氧化層203，該熱氧化處理在一氧氣含量200ppm以下的 氣氛爐中，以400°C至900°C的溫度，持續(xù)5至60分鐘，使導(dǎo)熱板體的一側(cè)形成如圖5所示 的氧化層203。另外，也可以利用濕式氧化的方式，將導(dǎo)熱板體浸置于一含有氧化劑的氧化 用溶液中來使銅氧化層形成，該氧化劑選自于過硫酸鉀、磷酸三鈉、亞氯酸鈉、氫氧化鈉及 上述的組合，有關(guān)氧化處理的詳細(xì)內(nèi)容能參見申請人已申請的中國臺灣第096148108號專 利申請中的內(nèi)容。步驟84，分別將導(dǎo)熱板體以形成有氧化層203的側(cè)板面面向圍繞壁221地上下燒 結(jié)于圍繞壁221而封閉流道空間。在本實施例中，燒結(jié)處理在氧氣含量200ppm以下(較佳 為20ppm以下)，以1065°C至1080°C的溫度，持續(xù)10至60分鐘，以形成如圖5所示的水冷 裝置101。進(jìn)一步詳細(xì)解釋形成水冷裝置101的細(xì)節(jié)如下，由于上述燒結(jié)處理在1065°C至 IOSO0C內(nèi)進(jìn)行，因此兩導(dǎo)熱板體的氧化層203與材質(zhì)為銅的中空座體22的圍繞壁221上下 端面貼合處會熔化(銅與氧化銅共晶溫度1065°C )形成一熔化液狀層，此熔化液狀層能潤 濕導(dǎo)熱板體與中空座體22，使其相互接合，通過導(dǎo)熱板體與中空座體22冷卻至室溫，便能 借此形成水冷裝置101。更佳的是，導(dǎo)熱板體在貼合于圍繞壁221時，也能同時貼合于肋片224的端面，這樣的話，中空座體22與導(dǎo)熱板體的接觸面積增加，更能使導(dǎo)熱板體與中空座 體22燒結(jié)連接更加密合穩(wěn)固，也使得冷卻液體不會因肋片224與導(dǎo)熱板體間的縫隙而影響 該有的流動方向，以至于影響散熱效果。參閱圖6，在前述實施例中，頂壁23與底壁21 (也即兩導(dǎo)熱板體)的材質(zhì)均為銅， 但在另一種實施態(tài)樣中，參閱圖6，底壁21與頂壁23也可以均為雙面覆銅金屬的陶瓷板，也 就是底壁21具有二銅金屬層201以及一介于該二銅金屬層201之間的陶瓷層202，頂壁23 具有二銅金屬層201以及一介于該二銅金屬層201之間的陶瓷層202。特別值得一提的是，由于陶瓷與銅皆具有良好的導(dǎo)熱性，能供導(dǎo)熱及散熱使用，而 且陶瓷更是良好的絕緣材質(zhì)，如此一來，覆于陶瓷層202上的銅金屬層201能與印刷電路板 一般用以蝕刻出電路及設(shè)置電子元件，通過底壁21底面或頂壁23頂面的銅金屬層201設(shè) 置電路及電子元件，由于電子元件的廢熱能夠直接通過底壁21或頂壁23導(dǎo)熱至流道225 內(nèi)的冷卻液體，產(chǎn)生熱交換降低電子元件的溫度，這樣的結(jié)構(gòu)將使得水冷裝置101與電子 元件間不會像以往還存在一電路板層，而是可以利用底壁21底面或頂壁23頂面當(dāng)作電路 板，以更直接的接觸達(dá)到良好的散熱效果。關(guān)于圖6頂壁23與底壁21為雙面覆銅陶瓷板的水冷裝置101，其制造方法與前述 大致相同，只是，在前述步驟82中的氧化層203形成在其中一銅金屬層201上。參閱圖7與圖8，本發(fā)明水冷裝置102的第二較佳實施例包括一散熱座28、一頂壁 23、一輸入口 24及一輸出口 25，散熱座28包括一底壁21及一中空座體22，在第二較佳實 施例中，底壁21與中空座體22 —體成型而成為水冷裝置102的散熱座28，因此，水冷裝置 102的底壁21與中空座體22本來就相連不必通過燒結(jié)過程，只有頂壁23與散熱座28之間 需要通過燒結(jié)結(jié)合，散熱座28可以是銅或銅合金材質(zhì)；對于其他構(gòu)造及功能與第一較佳實 施例的水冷裝置101相同，在此即不再重述。而且，水冷裝置102也具有另一實施態(tài)樣，將 頂壁23置換為雙面覆銅金屬的陶瓷板；其余構(gòu)造與功能與第一較佳實施例的另一實施態(tài) 樣相同，在此即不再重述。參閱圖9、圖10與圖11，本發(fā)明水冷裝置第二較佳實施例的制造方法的較佳實施 例包括下列步驟步驟81，提供一散熱座28。在本實施例中，是利用前述的銅金屬材質(zhì)的散熱座28。步驟83，提供一導(dǎo)熱板體，該導(dǎo)熱板體的一側(cè)板面形成有一氧化層203。在本實施 例中，導(dǎo)熱板體即是用以形成前述的頂壁23，其材質(zhì)可以是銅板或雙面覆銅陶瓷板；其氧 化過程與第一較佳實施例的步驟82相同。步驟85，將導(dǎo)熱板體以形成有氧化層203的側(cè)板面貼合于圍繞壁地?zé)Y(jié)于圍繞壁 而封閉流道空間。其燒結(jié)過程與第一較佳實施例的步驟84相同，便能形成如圖10及圖11 所示的水冷裝置102。在第二較佳實施例中，由于只需要散熱座28與一個導(dǎo)熱板體進(jìn)行燒結(jié)，因此，在 燒結(jié)作業(yè)上，更具有不需花費太多時間加工的優(yōu)點。綜上所述，本發(fā)明水冷裝置不必通過任何鎖栓件即能組裝完成，且形成完全密封 的流道空間，使于水冷裝置內(nèi)的冷卻液體不會外漏，此外，還可以將水冷裝置的底壁21或 頂壁23由銅板材質(zhì)改為陶瓷覆銅板材質(zhì)，用以于底壁21底面或頂壁23頂面設(shè)置電路及電 子元件，使得電子元件能直接導(dǎo)出廢熱而獲得更佳的散熱效果，所以確實能達(dá)成本發(fā)明的目的。 以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本 項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種水冷裝置，適于對一發(fā)熱元件進(jìn)行散熱，該水冷裝置包括一底壁，具有一面向該發(fā)熱元件的底面；一頂壁，間隔地位于該底壁上方；一中空座體，包括一連接于該頂壁與該底壁之間的圍繞壁，該頂壁、該底壁及該圍繞壁界定出一流道空間；一輸入口，設(shè)置于該頂壁與該圍繞壁其中之一并連通該流道空間而能供冷卻液體經(jīng)該輸入口流入該流道空間；及一輸出口，設(shè)置于該頂壁與該圍繞壁其中之一并連通該流道空間而能供該流道空間內(nèi)的冷卻液體經(jīng)該輸出口流出；其特征在于，該頂壁及該底壁至少其中之一與該圍繞壁燒結(jié)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水冷裝置，其特征在于，該頂壁與該圍繞壁為燒結(jié)連接，該中 空座體與該底壁為一體成型地連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水冷裝置，其特征在于，該頂壁、該底壁及該中空座體的材質(zhì) 為銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水冷裝置，其特征在于，該中空座體與該底壁的材質(zhì)為銅，該 頂壁為雙面覆銅金屬的陶瓷板而具有二金屬層以及一介于該二金屬層之間的陶瓷層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水冷裝置，其特征在于，該底壁與該圍繞壁為燒結(jié)連接，該頂 壁與該圍繞壁為燒結(jié)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的水冷裝置，其特征在于，該頂壁、該底壁與該中空座體的材質(zhì) 為銅。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的水冷裝置，其特征在于，該頂壁與該底壁分別為雙面覆銅金 屬的陶瓷板而具有二金屬層以及一介于該二金屬層之間的陶瓷層，該中空座體的材質(zhì)為 銅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的水冷裝置，其特征在于，該中空座體還包括多個 連接該圍繞壁并且位于該流道空間內(nèi)的肋片，所述肋片于該流道空間內(nèi)界定出一流道。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的水冷裝置，其特征在于，還包括多個容置于該流道內(nèi)的導(dǎo)熱 體，所述導(dǎo)熱體用以增加冷卻液體與該中空座體內(nèi)部的接觸面積。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的水冷裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱體為銅球。
11.一種水冷裝置制造方法，其特征在于，該水冷裝置制造方法包括步驟A 提供一中空座體，該中空座體包括一圍繞界定出一流道空間的圍繞壁及一設(shè) 置于該圍繞壁的輸入口及輸出口；步驟B 提供二導(dǎo)熱板體，每一導(dǎo)熱板體的一側(cè)板面形成有一氧化層；以及步驟C 分別將該二導(dǎo)熱板體以形成有該氧化層的該側(cè)板面面向該圍繞壁地上下燒結(jié) 于該圍繞壁而封閉該流道空間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟B中，所述導(dǎo)熱 板體為銅金屬板。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟B中，所述導(dǎo)熱 板體為雙面覆銅金屬的陶瓷板，每一導(dǎo)熱板體具有二金屬層以及一介于該二金屬層之間的 陶瓷層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟B中，利用 一熱氧化處理或一濕式氧化方式將所述導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化而形成該氧化層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，該濕式氧化方式將所述 導(dǎo)熱板體的一側(cè)面浸置于一含有氧化劑的氧化用溶液中，使所述導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化形成氧化層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，該熱氧化處理的溫度介 于400°C至900°C之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟C中，燒結(jié)溫度 介于1065 °C至1080°C之間。
18.—種水冷裝置制造方法，其特征在于，該水冷裝置制造方法包括步驟A’提供一散熱座，該散熱座包括一底壁、一圍繞壁及一設(shè)置于該圍繞壁的輸入口 及輸出口，該底壁與該圍繞壁界定出一流道空間；步驟B’ 提供一導(dǎo)熱板體，該導(dǎo)熱板體的一側(cè)板面形成有一氧化層；以及 步驟C’ 將該導(dǎo)熱板體以形成有該氧化層的該側(cè)板面面向該圍繞壁并且間隔于該底壁 上方地?zé)Y(jié)于該圍繞壁而封閉該流道空間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟B’中，該導(dǎo)熱板 體為銅金屬板。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟B’中，該導(dǎo)熱板 體為雙面覆銅金屬的陶瓷板，該導(dǎo)熱板體具有二金屬層以及一介于該二金屬層之間的陶瓷層。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟B’中，利 用一熱氧化處理或一濕式氧化方式將該導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化而形成氧化層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，該濕式氧化方式將該導(dǎo) 熱板體的一側(cè)面浸置于一含有氧化劑的氧化用溶液中，使該導(dǎo)熱板體的一側(cè)面氧化形成氧化層。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，該熱氧化處理的溫度介 于400°C至900°C之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的水冷裝置制造方法，其特征在于，于該步驟C’中，燒結(jié)溫度 介于1065 °C至1080°C之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種水冷裝置及其制造方法，該水冷裝置包括一底壁、一頂壁、一中空座體、一輸入口及一輸出口，底壁具有一面向發(fā)熱元件的底面，頂壁間隔于底壁上方，中空座體包括一連接于頂壁與底壁之間的圍繞壁，頂壁、底壁及圍繞壁界定出一流道空間，且頂壁及底壁至少其中之一與圍繞壁燒結(jié)連接，輸入口設(shè)置于頂壁與圍繞壁其中之一并連通該流道空間而能供冷卻液體經(jīng)輸入口流入流道空間，輸出口設(shè)置于頂壁與圍繞壁其中之一并連通該流道空間而能供流道空間內(nèi)的冷卻液體經(jīng)輸出口流出。本發(fā)明不必通過任何鎖栓件而形成具有完全密封空間的水冷裝置，使于水冷裝置內(nèi)的冷卻液體不會外漏，也使電子元件能直接導(dǎo)出廢熱而獲得更佳的散熱效果。
文檔編號C23C22/05GK101932219SQ200910142239
公開日2010年12月29日 申請日期2009年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月26日
發(fā)明者江文忠 申請人:赫克斯科技股份有限公司