專利名稱：：濺射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種濺射裝置。更詳細(xì)地來(lái)講，本發(fā)明的濺射裝置涉及一種能夠適合形成透明導(dǎo)電膜的濺射裝置。
背景技術(shù)：
：作為被應(yīng)用在顯示裝置中的發(fā)光元件的一個(gè)例子，有以有機(jī)化合物為主體的薄膜層積結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件(以下，有時(shí)稱作"有機(jī)EL元件")。在非專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了一種有機(jī)層積型的高亮度發(fā)光元件，其原理是，從氧化銦錫(ITO)構(gòu)成的透明電極被注入空穴注入層中的空穴與從低功函數(shù)電極被注入電子注入層中的電子在發(fā)光層中發(fā)生復(fù)自上述高:度發(fā)光元件發(fā)表以來(lái)，對(duì)于有機(jī)EL元件的實(shí)用化進(jìn)行著各種各樣的研究。例如，最近兒年，在有機(jī)EL顯示器領(lǐng)域中，有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的有機(jī)EL元件的開(kāi)發(fā)正在如火如荼地進(jìn)行。在有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式中，在設(shè)置薄膜晶體管(TFT)作為開(kāi)關(guān)元件的基板上，形成若干個(gè)有機(jī)EL元件，將這些有機(jī)EL元件作為光源，從而構(gòu)成顯示器。在現(xiàn)有的有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的顯示器中，TFT以及有機(jī)EL元件的特性差異大，為了補(bǔ)正該差異，需要各種各樣的驅(qū)動(dòng)電路。此外，如果驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，那么，為了驅(qū)動(dòng)一個(gè)像素所需的TFT的數(shù)量就會(huì)很龐大。但是，一般情況下，被應(yīng)用在顯示器中的有機(jī)EL元件，多構(gòu)成為從玻璃基板表面提取光的底部發(fā)光方式的元件(以下，有時(shí)稱作"Bottom-Em元件")。圖5是Bottom-Em型元件的截面示意圖。該圖所示的Bo加m-Em型元件100在玻璃基板102上依次具備由氧化銦鋅(IZO)構(gòu)成的下部電極104、有機(jī)EL層106以及由LiF/Al構(gòu)成的上部電極108。在將這種Bottom-Em型元件100應(yīng)用在有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的顯示器中的情況下，隨著TFT的數(shù)量增加，下部電極102中的光L的提取面積變小。因此，設(shè)想應(yīng)用在有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的顯示器中，正在開(kāi)發(fā)一種從上部電極側(cè)提取光L的頂部發(fā)光方式的元件(以下，有時(shí)稱作"Top-Em型元件")，以取代圖5所示的Bottom-Em型元件，圖6是Tbp-Em型有機(jī)EL元件的截面示意圖。該圖所示的Top-Em型有機(jī)EL元件200在玻璃基板202上依次具備反射膜204、由IZO構(gòu)成的下部電極206、有機(jī)EL層208以及由IZO構(gòu)成的上部電極210。此處，在圖6所示的Top-Em型有機(jī)EL元件200中，上部電極210發(fā)揮充分的透光性，這一點(diǎn)非常重要。因此，作為上部電極210，一般使用由可視光的透過(guò)率高且導(dǎo)電性高的物質(zhì)構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。作為這種透明導(dǎo)電膜，可以列舉Au、Ag、Cu、Pt等金屬薄膜(例如，膜厚5nm以下)、以及Sn02、Ti02、CdO、ln203、以及ZnO等氧化物半導(dǎo)體薄膜、以及作為它們的復(fù)合材料的ITO以及IZO等氧化物半導(dǎo)體薄膜。由ITO、IZO等構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜通過(guò)濺射形成，作為電極被廣泛應(yīng)用在屯視、透明加熱器、以及液晶顯示元件等中。傳統(tǒng)的制膜用的濺射裝置是在靶材的背面配置磁鐵的普通平板磁控管式裝置。在這種裝置中，在電場(chǎng)與磁場(chǎng)正交的方向上，電子一邊描畫(huà)擺線一邊漂移運(yùn)動(dòng)。因此，與未附設(shè)磁鐵的方式相比，電子的射程長(zhǎng)。這樣，就能實(shí)現(xiàn)良好的電離碰撞概率、以及良好的濺射氣體的離子密度，能夠加快濺射速度。在該濺射裝置中，分別具有對(duì)置面的相對(duì)極分別使用被磁化的磁鐵。因此，根據(jù)磁鐵的形狀，耙材的離子化密度高的區(qū)域形成環(huán)狀。這樣，靶材的離子化密度高的區(qū)域很多地被用于濺射，因此，形成與其它的區(qū)域相比被高度侵蝕的區(qū)域，即侵蝕區(qū)域。另一方而，在形成這種侵蝕區(qū)域的濺射裝置中，電子的漂移運(yùn)動(dòng)被封閉在上述環(huán)狀區(qū)域中。因此，無(wú)法在該區(qū)域以外的區(qū)域中獲得良好的離子化密度。這樣，在該環(huán)狀區(qū)域以外的區(qū)域中，靶材不怎么用于濺射，形成侵蝕程度低的區(qū)域，即非侵蝕區(qū)域。從鄰近的環(huán)狀區(qū)域被濺射的粒子堆積在該非侵蝕區(qū)域中。該堆積的粒子非常容易剝離，所剝離的粒子有可能堆積在基板上。在該粒子堆積在基板上的情況下，有可能引起有機(jī)EL元件漏電或者短路等，無(wú)法實(shí)現(xiàn)該元件的良好的合格率。作為應(yīng)對(duì)在濺射裝置內(nèi)產(chǎn)生的這種粒子的方法，有以下的幾種技術(shù)。在專利文獻(xiàn)1屮公開(kāi)了一種濺射成膜方法，當(dāng)通過(guò)使用磁場(chǎng)的濺射，將靶材的成分在被處理體上成膜時(shí)，在規(guī)定枚數(shù)的上述被處理體上實(shí)施成膜后，與成膜時(shí)相比，使磁場(chǎng)沿著靶材表面方向擴(kuò)大，然后清洗上述靶材表面。在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了一種濺射裝置，使處理基板的成膜側(cè)的面與靶材板平行相對(duì)，采用磁控管濺射方式形成ITO膜，在靶材板的非處理基板面?zhèn)鹊谋趁媾渲靡粋€(gè)以上的磁鐵，搖動(dòng)該一個(gè)以上的磁鐵，將耙材板的整個(gè)上述處理基板側(cè)的面作為侵蝕區(qū)域，或者，將該靶材板的處理基板而側(cè)的垂直方向或者水平方向中的一個(gè)方向上的相對(duì)的周邊部作為非侵蝕區(qū)域留下，其余作為侵蝕區(qū)域，上述靶材板的處理基板面?zhèn)鹊闹苓叢颗c成為侵蝕區(qū)域的外周接近，在外側(cè)附設(shè)作為ITO的輔助部件，使處理基板面?zhèn)刃纬裳刂胁陌灞砻娴钠矫妫辽凫褵鲜鎏幚砘迕鎮(zhèn)鹊谋砻娌?。在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了一種磁控管用陰極電極，它具備通過(guò)在靶材的背后按照各個(gè)長(zhǎng)邊平行的方式配置若干平面形狀為長(zhǎng)方形的磁鐵單元而構(gòu)成的磁鐵裝置，上述磁鐵單元在上述靶材上形成隧道狀磁力線，上述磁鐵裝置往復(fù)運(yùn)動(dòng)，在上述若干磁鐵單元中，與兩端的各個(gè)磁鐵單元相鄰的磁鐵單元的T/M距離比其它的磁鐵單元的T/M距離大，并且，上述相鄰的磁鐵單元的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度比上述其它磁鐵單元的長(zhǎng)度長(zhǎng)。在專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)了一種清洗方法，在至少配備了一個(gè)電磁鐵的平面磁控管濺射電極中，不在靶材上產(chǎn)生磁場(chǎng)，進(jìn)行靶材的濺射清洗。在專利文獻(xiàn)5中公開(kāi)了一種靶材的濺射方法，使在濺射裝置的靶材(1)的背面設(shè)置的至少安裝了一個(gè)以上的磁場(chǎng)發(fā)生用磁鐵(2)的磁鐵旋轉(zhuǎn)板(3)的中心軸(4)面對(duì)該靶材(1)的中心(5)，一邊不停地在周圍搖動(dòng)或者轉(zhuǎn)動(dòng)，一邊使其旋轉(zhuǎn)，然后濺射該靶材(1)。專利文獻(xiàn)1fI本特開(kāi)2002-38264號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2本特開(kāi)2007-238978號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開(kāi)平9-125242號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開(kāi)平4-193949號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5R本特開(kāi)平7-226398號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1C.W.Tang，S.A.Vanslyke,Appl.Phys丄ett.，51913(1987),Vol.51，No.l2，P.913但是，在上述專利文獻(xiàn)15中，存在以下問(wèn)題。在專利文獻(xiàn)1中所公開(kāi)的技術(shù)中，在濺射過(guò)程中隨時(shí)產(chǎn)生粒子，因此，在規(guī)定枚數(shù)的被處理體上實(shí)施成膜后進(jìn)行清洗，無(wú)法足夠地降低非侵蝕區(qū)域的粒子級(jí)別。在專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的技術(shù)中，例如，即使將侵蝕區(qū)域擴(kuò)散至靶材板的上述處現(xiàn)基板面?zhèn)日w，附著力較弱的粒子一定會(huì)堆積在其外周部分。因此，在從預(yù)濺射至主濺射的過(guò)程中，如果不縮小侵蝕區(qū)域，那么，在主濺射時(shí)，從非侵蝕區(qū)域中剝離的粒子就有可能堆積在基板上。在專利文獻(xiàn)3所公開(kāi)的技術(shù)中，使磁鐵裝置往復(fù)運(yùn)動(dòng)，消除局部的非侵蝕區(qū)域，增加靶材的侵蝕面積，因此，與專利文獻(xiàn)2同樣，堆積在侵蝕區(qū)域外側(cè)的粒子有可能堆積在基板上。在專利文獻(xiàn)4中，在實(shí)施例2中公開(kāi)了一種濺射電極，以中央的環(huán)口2為中心，按照同心圓形狀巻繞兩個(gè)線圈5'、5"，在外周環(huán)口3"與中央環(huán)口2之間配置內(nèi)周環(huán)口3'。在該濺射電極中，在靶材的濺射清洗時(shí)，如果僅在外側(cè)的線圈5'中通電，那么，整個(gè)靶材表面就會(huì)產(chǎn)生等離子體。但是，雖然在靶材的外周部磁力較強(qiáng)的部分清洗效果明顯，由于靶材中央部磁力較弱，因此，在成膜時(shí)被濺射的區(qū)域的清洗可能不徹底。此外，在專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)了一種濺射電極，在靶材1的背面設(shè)置永磁15，該永磁可利用圓頭螺栓16與齒輪17改變它與靶材1的距離。在該濺射電極中，在靶材的濺射清洗時(shí)，使永磁15遠(yuǎn)離耙材，實(shí)施非磁控管方式的濺射。但是，由于無(wú)法捕捉作為該磁控管方式特征之一的增大屯離效果的靶材附近的電子，因此，效率大幅下降，有可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)實(shí)用的濺射。在專利文獻(xiàn)5所公開(kāi)的技術(shù)中，在實(shí)施例中，使數(shù)枚旋轉(zhuǎn)板前后左右移動(dòng)，并且，一邊不停地?fù)u動(dòng)一邊使其偏心旋轉(zhuǎn)、行星運(yùn)動(dòng)，獲得均一的侵蝕區(qū)域。但是，在此方法中，隨時(shí)都需要更換旋轉(zhuǎn)板，維護(hù)相當(dāng)花費(fèi)時(shí)間。而且，使用一枚旋轉(zhuǎn)板的時(shí)間越長(zhǎng)，在被濺射的侵蝕區(qū)域與未被濺射的非侵蝕區(qū)域間，耙材的削減程度變得越不均一，這樣就容易產(chǎn)生粒子。在以上所示的專利文獻(xiàn)15中所公開(kāi)的技術(shù)中，由于存在上述各種情況，因此，為了控制從非侵蝕區(qū)域中剝離的粒子的數(shù)量，制造優(yōu)質(zhì)的有機(jī)EL元件，有待進(jìn)一步改善這些技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于，鑒于上述各種問(wèn)題，提供一種能夠按照高標(biāo)準(zhǔn)控制從非侵蝕區(qū)域中剝離的粒子堆積在基板上，并且用于形成透明導(dǎo)電性膠的濺射裝置。本發(fā)明涉及種濺射裝置，它具備基板支承體、與上述基板支承體離開(kāi)地平行配賞的靶材支承體、以及在上述靶材支承體的與上述基板支承體相反側(cè)配究的若干磁性體，它包括以下兩個(gè)磁場(chǎng)變位手段1)2)巾的-.個(gè)。1)h述若千磁性體包括位于上述耙材支承體的中心部的第1磁性體、以及與上述第1磁性體相比位于上述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，上述第2磁性體在上述靶材支承體的與上述基板支承體相反側(cè)的面內(nèi)可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，上述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成股處理時(shí)的位置，上述第2位置與上述第1位置相比是上述靶材支承體的中心側(cè)，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。2)上述若千磁性體包括位于上述靶材支承體的中心部的第1磁性體、以及與上述第1磁性體相比位于上述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，上述第2磁性體包括第1磁性體群、以及與上述第1磁性體群相比位于上述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體群，上述第1以及第2磁性體群沿著上述靶材支承體的與上述基板支承體相反側(cè)的面的法線方向可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，上述第1磁性體群以及上述第2磁性體群兩者中的一個(gè)被配置在上述第1位置，上述第2磁性體群以及上述第1磁性體群兩者中的一個(gè)被配置在上述第2位置，上述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置，上述第2位置與上述第1位置相比是靠近上述靶材支承體的位置，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。本發(fā)明涉及一種濺射裝置，它具備基板支承體、與上述基板支承體離開(kāi)地垂直配置的一對(duì)靶材支承體、以及在上述各個(gè)靶材支承體中在與其它的靶材支承體相反側(cè)配置的若干磁性體，它包括以下兩個(gè)磁場(chǎng)變位手段3)4)中的一個(gè)。3)上述若干磁性體包括位于上述靶材支承體的中心部的第1磁性體、以及與上述第1磁性體相比位于上述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，上述第2磁性體在上述耙材支承體的與上述基板支承體相反側(cè)的面內(nèi)可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，上述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理吋的位置，上述第2位置與上述第1位置相比是上述耙材支承體的中心側(cè)，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。4)上述若千磁性體包括位于上述靶材支承體的中心部的第1磁性體、以及與上述第1磁性體相比位于上述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，上述第2磁性體包括第1磁性體群、以及與上述第1磁性體群相比位于上述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體群，上述第1以及第2磁性體群沿著上述靶材支承體的與上述基板支承體相反側(cè)的面的法線方向可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，上述第1磁性體群以及上述第2磁性體群兩者中的一個(gè)被配置在上述第1位置，上述第2磁性體群以及上述第1磁性體群兩者中的一個(gè)被配置在上述第2位置，上述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置，上述第2位置與上述第1位置相比是靠近上述靶材支承體的位置，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。在這些濺射裝置中，均使用上述規(guī)定的磁場(chǎng)變位手段l)4)，這樣，與預(yù)濺射吋相比就能縮小主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域。因此，根據(jù)本發(fā)明的濺射裝置，因在主濺射時(shí)縮小上述侵蝕區(qū)域，難以剝離在預(yù)濺射時(shí)堆積在非侵蝕區(qū)域中的靶材粒子，這樣就能抑制該粒子堆積在基板上。因此，在使用本發(fā)明的濺射裝置的情況下，不僅能夠在基板上形成透明導(dǎo)電性膜，而且能夠制造高品質(zhì)的有機(jī)EL元件。圖1是表示使用--枚墊板的本發(fā)明的濺射裝置(平板式)的一個(gè)例子的側(cè)面示意圖，(a)表示預(yù)濺射時(shí)，(b)表示主濺射時(shí)。圖2是表示作為圖1所示的磁性體16的構(gòu)成要素的中央磁鐵16a以及外周磁鐵16b的配置關(guān)系的底面示意圖，(a)表示預(yù)濺射時(shí)，(b)表示主濺射時(shí)。圖3是表示使用一枚墊板的本發(fā)明的濺射裝置(平板式)的一個(gè)例子的側(cè)面示意圖，(a)表示預(yù)濺射時(shí)，(b)表示主濺射時(shí)。圖4表示使用一對(duì)墊板的本發(fā)明的濺射裝置(相對(duì)式)的一個(gè)例子的側(cè)面示意圖，(a)表示預(yù)濺射時(shí)，(b)表示主濺射時(shí)。圖5是Bottom-Em式元件的剖面示意圖。圖6是幾p-Em式有機(jī)El元件的剖面示意圖。符號(hào)說(shuō)明10濺射裝置12基板支承體14墊板16磁性體16a中央石茲鐵16b外周磁鐵18接地屏蔽P高密度等離子體發(fā)生區(qū)域T耙材4>，4'磁通具體實(shí)施方式下面，根據(jù)附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的濺射裝置。一般情況下，在有機(jī)EL元件的形成中，濺射工序是在預(yù)濺射工序(未在基板上進(jìn)行成膜的情況)與主濺射工序(在基板上進(jìn)行成膜的情況)這兩個(gè)工序中進(jìn)行的。因此，在以下說(shuō)明中，圖中表示這兩個(gè)工序時(shí)的該裝置的狀態(tài)，依次說(shuō)明這些各個(gè)狀態(tài)。(實(shí)施方式l:使用一枚墊板的情況(平板式))(實(shí)施方式1-1:包括根據(jù)磁鐵在水平面內(nèi)的移動(dòng)的磁場(chǎng)變位手段的例子)圖1是表示本發(fā)明的濺射裝置(實(shí)施方式1-1)的側(cè)面示意圖，(a)表示預(yù)濺射吋，(b)表示主濺射時(shí)。如圖1(a)所示，濺射裝置10具備基板支承體12、作為與基板支承體12離開(kāi)地平行地被配置的靶材支承體的墊板14、在墊板14的與基板支承體12的相反側(cè)配置的磁性體16、以及按照在該圖中主要從左右覆蓋墊板14的方式配置的接地屏蔽18。在本例中，磁性體16由被配置成兩個(gè)同心圓形狀的圓柱體的內(nèi)側(cè)磁鐵16a與圓筒狀的外側(cè)磁鐵16b構(gòu)成?；鵬支承體12是在其下側(cè)支承作為被制膜體的基板(圖中未示)的夾具的構(gòu)成要素?；逯С畜w12可以使用不銹鋼以及銅等材料?；逯С畜w12可以采用通過(guò)螺紋固定等方法固定在濺射裝置的圖中未示的外殼上等方式形成。(墊板14)墊板14是在其-一個(gè)面支承圖1(a)的靶材T，在另一個(gè)面支承磁性體16的構(gòu)成要素。墊板14可以使用銅。(磁性體16)磁性體16是磁場(chǎng)變位手段的構(gòu)成要素，如上所述，它由圓柱狀的中央磁鐵16a與圓筒狀的外周磁鐵16b構(gòu)成。圖2(a)、(b)是圖1所示的磁性體16(磁鐵16a、16b)的底面示意圖，(a)表示預(yù)濺射時(shí)，(b)表示主濺射時(shí)。圖2(a)的虛線部分表示外周磁鐵16b的主濺射時(shí)的位置，圖2(b)的虛線部分表中央磁鐵16a可以使用由SmCo等構(gòu)成的硬磁鐵，在靶材的直徑尺寸為6英寸的情況下，其形狀可以是直徑30mm、高20mm的圓柱體。相對(duì)于此，外周磁鐵16b可以使用由SmCo等構(gòu)成的硬磁鐵，在靶材的直徑尺寸為6英寸的情況下，其形狀可以是將長(zhǎng)15mm、寬15mm、高20mm的四棱體q排列成同心圓狀，整體形成圓筒狀。(接地屏蔽18)接地屏蔽18是配置在外加高頻電力的部位的附近，并且將基板支承體12及墊板14、與接地電位的接地屏蔽18之間的各個(gè)距離設(shè)定成難以放電的距離，以此來(lái)控制放電的構(gòu)成要素。接地屏蔽18—般可以使用不銹鋼等。(使用構(gòu)成要素1218的濺射裝置10的形成)如圖1(a)所示，墊板14按照與基板支承體12保持例如400mm的規(guī)定距離的方式配置。下面，如該圖所示，在墊板14的與基板支承體12相反側(cè)配置磁性體16(中央磁鐵16a、外周磁鐵16b)。磁性體16的基本配置方式如上所述。在將磁性休16配置成圖2(a)所示的預(yù)濺射時(shí)的形狀的情況下，將中央磁鐵16a與外周磁鐵16b配置成同心圓形狀，并且，將中央磁鐵16a的外周端至外周磁鐵16b的內(nèi)周端的距離設(shè)定成如45mm。此外，如圖1所示，中央磁鐵16a與外周磁鐵16b的S極、N極方向相反。如該圖所示，按照與基板支承體12的垂直方向的距離為300mm，與墊板14的水平方向的距離為10mm的方式配置一對(duì)接地屏蔽18。(濺射裝置IO的動(dòng)作)以此形成的濺射裝置IO按照如下方式操作。以下的例子是靶材T的中心與中央磁鐵16a的中心一致的例子。圖1所示的濺射裝置利用根據(jù)在外周磁鐵16b的水平面內(nèi)的移動(dòng)(圖1)的磁場(chǎng)變位手段、具體來(lái)講，利用根據(jù)外周磁鐵16b的整體形狀的縮小、擴(kuò)大(圖2)的磁場(chǎng)變位手段，實(shí)現(xiàn)預(yù)濺射時(shí)與主濺射時(shí)的各個(gè)狀態(tài)。即，在預(yù)濺射時(shí)，如圖2(a)所示，兩個(gè)磁鐵16a、16b按照形成同心圓狀，并且中央磁鐵16a的外周端至外周磁鐵16b的內(nèi)周端的距離為45mm的方式配置。在此狀態(tài)下，如圖1(a)所示，由于磁通小存在于靶材T的較大范圍之內(nèi)，因此，靶材T的侵蝕區(qū)域(侵蝕區(qū)域)存在于較大的范圍。圖I(a)中的符號(hào)P是高密度等離子體的發(fā)生區(qū)域。對(duì)于使圖2(a)'l'的兩個(gè)磁鐵16a、16b的中央?yún)^(qū)域中的磁通4>與圖l(a)中靶材T的表面平行，根據(jù)弗來(lái)明左手法則，能夠使電流向與磁場(chǎng)方向正交的方向流過(guò)，這樣，在靶材T的表面容易產(chǎn)生等離子體，在這一點(diǎn)上這種方法尤為理想。從此狀態(tài)下，在本例中，使用圖中未示的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，使外側(cè)磁鐵16b的整休形狀縮小而實(shí)現(xiàn)主濺射時(shí)。例如，使用在形成了左右螺紋的轉(zhuǎn)軸上附設(shè)作為轉(zhuǎn)子的磁鐵的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，通過(guò)該轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)，能夠使外側(cè)磁鐵16b擴(kuò)大、縮小。因使用這種歩進(jìn)電動(dòng)機(jī)而引起的外周磁鐵16b的整體形狀的縮小，如圖2(b)所小，兩個(gè)磁鐵16a、16b形成同心圓狀，并且中央磁鐵16a的外周端至外周磁鐵16b的內(nèi)周端的距離變?yōu)?0mm。在此狀態(tài)下，如圖1(b)所示，由于磁通4)'存在于耙材T的較窄范圍，因此，靶材T的侵蝕區(qū)域(侵蝕區(qū)域)存在于較窄的范圍。圖l(b)中的符號(hào)P是高密度等離于體的發(fā)生區(qū)域。對(duì)于使圖2(b)中的兩個(gè)磁鐵16a、16b的中央?yún)^(qū)域屮的磁通cJ)'與圖1(b)中的靶材T'的表面平行的方法，根據(jù)弗萊明左手法則，能夠使電流向與磁通方向正交的方向流過(guò)，這樣，在靶材T的表面容易產(chǎn)生等離子體，在這一點(diǎn)上這種方法尤為理想。在圖1所示的濺射裝置中，根據(jù)相對(duì)于預(yù)濺射時(shí)的主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域的縮小，在主濺射時(shí)，難以剝離在預(yù)濺射時(shí)堆積在非侵蝕區(qū)域中的耙材粒子，能夠抑制該粒子堆積在基板上。在本例中，通過(guò)連續(xù)操作閣中未示的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，這樣就能交互式重復(fù)上述預(yù)濺射時(shí)(圖1(a)、圖2(a))與主濺射時(shí)(圖1(b)、圖2(b))，例如，能夠連續(xù)多次地實(shí)施有機(jī)EL元件的規(guī)定構(gòu)成要素的制膜。(實(shí)施方式1-2:包含根據(jù)磁鐵在垂直方向的移動(dòng)的磁場(chǎng)變位手段)圖3是表示木發(fā)明的預(yù)濺射裝置(實(shí)施方式l-2)的側(cè)面示意圖，(a)表示預(yù)濺射，(b)表示主濺射時(shí)。由于實(shí)施方式l-2是實(shí)施方式1-1的設(shè)計(jì)變更例子，因此，在以下說(shuō)明中，僅對(duì)與實(shí)施方式1-1的不同點(diǎn)進(jìn)行闡述。根據(jù)圖3(a)所示，濺射裝置20在墊板14與基板支承體12相反一側(cè)具備磁性體22。磁性體22由圓柱狀的中央磁鐵22a、位于中央磁鐵22a外周的圓筒狀的第1外周磁鐵22b、位于第1外周磁鐵22b更外周的圓筒狀的第2外周磁鐵22c構(gòu)成。中央磁鐵22a可以使用由SmCo等構(gòu)成的硬磁鐵，其形狀可以是直徑30mm、高20mm的圓柱狀。第1外周磁鐵22b可以使用由SmCo等構(gòu)成的硬磁鐵，其形狀可以是內(nèi)徑45mm、外徑60mm、高20mm的圓筒狀。第2外周磁鐵22c可以使用由SmCo等構(gòu)成的硬磁鐵，其形狀可以是內(nèi)徑60mm、外徑75mm、高20mm的圓筒狀。根據(jù)圖3(a)所示，磁性體22的構(gòu)成要素22a、22b、22c被配置成同心圓形狀。(濺射裝置20的動(dòng)作)濺射裝置20按照以下方式動(dòng)作。以下的例子是靶材T的中心按照與中央磁鐵22a的中心一致的方式被配置的例子。圖3所示的濺射裝置20利用根據(jù)第1外周磁鐵22b以及第2外周磁鐵22c的垂直方向的移動(dòng)的磁場(chǎng)變位手段，實(shí)現(xiàn)預(yù)濺射時(shí)與主濺射時(shí)的各個(gè)狀態(tài)。艮口，在預(yù)濺射吋，如圖3(a)所示，三個(gè)磁鐵22a、22b、22c形成同心圓狀，并且，與中央磁鐵22a與第2外周磁鐵22c相比，第l外周磁鐵22b位于下方。在此狀態(tài)下，如圖3(a)所示，由于磁通ct)存在于靶材T的較大范圍，因此，靶材T的侵蝕區(qū)域(侵蝕區(qū)域)存在于較大的范圍。圖3(a)中的符號(hào)P是高密度等離子體的發(fā)生區(qū)域。對(duì)于使在圖3(a)中有助于磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁鐵22a、22c間的中央?yún)^(qū)域中的磁通4與耙材T的表面平行的這種方法，根據(jù)弗來(lái)明左手法則，能夠使電流向與磁場(chǎng)方向正交的方向流去，這樣，在靶材T的表面容易產(chǎn)生等離子體，在這一點(diǎn)上，這種方法尤為理想。在此狀態(tài)下，在本例中，使用圖中未示的缸體，切換第1外側(cè)磁鐵22b與第2外周磁鐵22c的垂直方向位置，實(shí)現(xiàn)主濺射時(shí)。具體來(lái)講，在該缸體上連結(jié)磁鐵22b、22c，利用缸體的直線運(yùn)動(dòng)，使磁鐵22b、22c上下移動(dòng)。禾擁使用上述這種缸體而引起的第1外側(cè)磁鐵22b與第2外周磁鐵22c的垂直方向位置的切換，如圖3(b)所示，三個(gè)磁鐵22a、22b、22c形成同心圓狀，并且，與中央磁鐵22a和第1外周磁鐵22b相比，第2外周磁鐵22c位于下方。在此狀態(tài)下，如圖3(b)所示，由于磁通4>，存在于靶材T的較窄范圍之內(nèi)，因此，靶材T的侵蝕區(qū)域(侵蝕區(qū)域)存在于較窄范圍。圖3(b)中的符號(hào)P是高密度等離子體的發(fā)生區(qū)域。對(duì)于使在圖3(b)中有助于磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁鐵22a、22b間的中央?yún)^(qū)域中的磁通小'與靶材T的表面平行的這種方法，根據(jù)弗來(lái)明左手法則，能夠使電流向與磁場(chǎng)方向正交的方向流去，這樣，在靶材T的表面容易產(chǎn)生等離子體，在這一點(diǎn)上，這種方法尤為理想。在圖3所示的濺射裝置中，根據(jù)相對(duì)于預(yù)濺射時(shí)的主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域的縮小，在主濺射時(shí)難以剝離在預(yù)濺射時(shí)堆積在非侵蝕區(qū)域中的靶材粒子，能夠抑制該粒子堆積在基板上。在本例屮，通過(guò)連續(xù)操作圖中未示的缸體，這樣就能交互式重復(fù)上述預(yù)濺射吋(圖3(a))與主濺射時(shí)(圖3(b))，例如，能夠連續(xù)多次地實(shí)施有機(jī)EL元件的規(guī)定構(gòu)成要素的制膜。(實(shí)施方式2:使用兩枚墊板的情況(相對(duì)式))圖4是表示本發(fā)明的濺射裝置(實(shí)施方式2)的側(cè)面示意圖，(a)表示預(yù)濺射時(shí)，(b)表示主濺射時(shí)。實(shí)施方式2是實(shí)施方式1-1或者l-2的設(shè)計(jì)變更例子，因此，在以下說(shuō)明中，僅對(duì)與實(shí)施方式l的不同點(diǎn)進(jìn)行闡述。根據(jù)圖4(a)所示，濺射裝置40具備基板支承體12、作為與基板支承體12離開(kāi)地垂直配置的一對(duì)靶材支承體的墊板14、14'、在各個(gè)墊板14、14'中，在與另一個(gè)墊板14'、14相反一側(cè)配置的若干磁性體16、16'、以及按照主要從該圖的左右覆蓋墊板14、14'的方式配置的接地屏蔽18、18'。此處，在木例中，磁性體16、16'的結(jié)構(gòu)也可以采用圖1、圖3分別表示的實(shí)施方式1-1、l-2的任意一種方式。圖4(a)、(b)所示的例子是其屮使用與實(shí)施方式1-1相同方式的磁性體16(16a、16b)的例子。圖4(a)、(b)中的符號(hào)P、P'是高密度等離子體的發(fā)生區(qū)域。對(duì)于使圖4(a)、(b)中的兩個(gè)磁鐵16a(16a，)、16b(16b，)之間的中央?yún)^(qū)域中的磁通4)、小，與靶材T(T')的表面平行的方法，根據(jù)弗來(lái)明的左手法則，可以使電流向與磁通的方向正交的方向流去，這樣，在靶材T的表面容易產(chǎn)生等離子體，在這一點(diǎn)上，這種方法尤為理想。圖4所示的濺射裝置40與圖1、3所示的濺射裝置10、20(實(shí)施方式1-1、1-2)同樣，根據(jù)與預(yù)濺射時(shí)相比的主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域的縮小，在主濺射吋難以剝離在預(yù)濺射時(shí)堆積在非侵蝕區(qū)域中的靶材粒子，能夠抑制該粒子堆積在基板上。圖4所示的例子與濺射裝置10、20相比，特別是墊板、磁性體以及接地屏蔽的數(shù)量是其兩倍，而且，使各個(gè)靶材T、T，相對(duì)。因此，從相對(duì)的靶材T、T'中飛散的濺射粒子的大部分并非堆積在非侵蝕區(qū)域中，而是堆積在相反一側(cè)的靶材T、T'上。因此，本例與實(shí)施方式1-1、1-2中的任意一個(gè)實(shí)施方式相比，能夠在主濺射時(shí)抑制多余的粒子堆積在基板上。結(jié)果，與實(shí)施方式1-1、1-2中的任意一個(gè)實(shí)施方式相比，從預(yù)濺射時(shí)至主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域的縮小的效果增大，而且能夠用極高的等級(jí)抑制該粒子堆積在基板上。(實(shí)施例)下面，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，驗(yàn)證本發(fā)明的效果。(有機(jī)EL元件的形成)(實(shí)施例1)使用圖1所示的濺射裝置10，形成有機(jī)EL元件。首先，在玻璃基板上作為反射電極形成CB。反射電極通過(guò)在室溫條件下使用氬氣作為濺射氣體實(shí)施DC濺射而形成。具體來(lái)講，在300W的濺射功率下進(jìn)行30分鐘的預(yù)濺射，在300W的濺射功率下進(jìn)行5分鐘的主濺射。反射電極材料的CrB并不是反應(yīng)性高的化合物，而且也并非是透明導(dǎo)電膜這樣的氧化物。因此，主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域與預(yù)濺射吋的侵蝕區(qū)域相比并未縮小。最后，依次實(shí)施形成圖形、150。C下的干燥處理、以及室溫及15(TC下的UV處理，從而獲得由CrB構(gòu)成的膜厚100nm的反射電極。然后，將在玻璃基板上形成反射電極的層積體移動(dòng)至蒸鍍裝置中，真空槽內(nèi)的壓力為lX10—5Pa，形成有機(jī)EL層。作為有機(jī)EL層，依次形成電子注入層、電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層以及空穴注入層。在電子注入層上形成膜厚10nm的羥基喹啉鋁(Alq3)與50摩爾％鋰的混合物。在電子輸送層上形成膜厚10nm的羥基喹啉鋁(Alq3)。在發(fā)光層上形成膜厚35nm的4，4'-雙(2，2，-二苯基乙烯)聯(lián)苯(DPVBi)。在空穴輸送層上形成膜厚10nm的過(guò)氧化苯甲酸叔丁酯(TBPB)。在空穴注入層上形成膜厚75nm的酞菁銅(CuPc)。使用圖1所示的濺射裝置10、以及金屬掩膜，在有機(jī)EL層上形成由氧化銦鋅(IZO)構(gòu)成的上部電極。首先，如圖l(a)所示，在靶材T的外周附近設(shè)置外周磁鐵16b，作為濺射氣體使用氬氣，在DC200瓦的濺射功率下進(jìn)行30分鐘的濺射。然后，使用圖1中并未表示的主軸馬達(dá)，使外周磁鐵16b的位置向內(nèi)周一側(cè)移動(dòng)2厘米，同時(shí)，作為濺射氣體使用包含1%氧氣的氬氣，在DC200瓦的濺射功率下進(jìn)行IO分鐘的濺射，得到膜厚200nm的IZO。對(duì)采用以上方法獲得的有機(jī)EL元件實(shí)施UV密封。該UV密封通過(guò)以下方法進(jìn)行，不將有機(jī)EL元件暴露在大氣中，將其移動(dòng)至手套箱(氧濃度、水分濃度均為數(shù)pp以下)中，然后在密封內(nèi)部涂敷吸氣材料。雖然使用了圖1所示的濺射裝置10，但是在形成上部電極時(shí)，在預(yù)濺射時(shí)與主濺射吋，并不改變外周磁鐵16b的位置，即，并不縮小侵蝕區(qū)域地形成有機(jī)EL元件。對(duì)于其他的各個(gè)條件，按照與實(shí)施例l同樣的方式形成有機(jī)EL元件。(實(shí)施例2)使用圖3所示的濺射裝置20，形成有機(jī)EL元件。首先按照與實(shí)施例1同樣的方式在玻璃基板上形成反射電極以及有機(jī)EL層。接著，使用圖3所示的濺射裝置20以及金屬掩膜，在有機(jī)EL層上形成由IZO構(gòu)成的上部電極。首先，如圖3(a)所示，將三個(gè)磁鐵22a、22b、22c形成同心圓形狀，并且，使中央磁鐵22a和第2外周磁鐵22c與墊板14緊密接觸，將第1外周磁鐵22b配置在距離墊板14下方10厘米的位置(預(yù)濺射時(shí))。然后，使用缸體，如圖3(b)所示，使三個(gè)磁鐵22a、22b、22c形成同心圓狀，并且，中央磁鐵22a和第1外周磁鐵22b與墊板14緊密接觸，將第2外周磁鐵22c配置在距離墊板14下方10厘米的位置(主濺射吋)。此外，預(yù)濺射時(shí)以及主濺射時(shí)的其他各個(gè)條件與實(shí)施例1同樣。最后，按照與實(shí)施例1同樣的方式對(duì)所形成的有機(jī)EL元件實(shí)施UV密封。(實(shí)施例3)使用圖4所示的濺射裝置40，形成有機(jī)EL元件。首先，按照與實(shí)施例1同樣的方式，在玻璃基板上形成反射電極以及有機(jī)EL元件。接著，使用圖4所示的濺射裝置40以及金屬掩膜，在有機(jī)EL層上形成由IZO構(gòu)成的上部電極。首先，如圖4(a)所示，在一對(duì)墊板的各個(gè)中，在靶材T、T'的外周附近設(shè)置外周磁鐵16b、16b'，作為濺射氣體使用氬氣，在DC200瓦的濺射功率下實(shí)施30分鐘的預(yù)濺射。之后，使用圖4(b)中并未圖示的步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，在一對(duì)墊板的各個(gè)中，使外周磁鐵16b、16b'的位置向內(nèi)周一側(cè)移動(dòng)2厘米，同時(shí)，作為濺射氣體使用包含1%氧氣的氬氣，在DC200瓦的濺射功率下，實(shí)施20分鐘的主濺射，獲得膜厚200nm的由IZO構(gòu)成的上部電極。最后，按照與實(shí)施例1同樣的方式，對(duì)所形成的有機(jī)EL元件實(shí)施UV密封。(比較例2)雖然使用了圖4所示的濺射裝置40，但是在形成上部電極時(shí)，在預(yù)濺射時(shí)與主濺射吋，在一對(duì)墊板14、14'中，并不改變外周磁鐵16b、16b'的位置，即，并不縮小侵蝕區(qū)域地形成有機(jī)EL元件。對(duì)于其他的各個(gè)條件，按照與實(shí)施例3同樣的方式形成有機(jī)EL元件。(有機(jī)EL元件的評(píng)估)按照以下方式驅(qū)動(dòng)根據(jù)上述方法獲得的實(shí)施例13以及比較例1、2的有機(jī)EL元件，以此調(diào)査基于漏電短路的合格率。此處，有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)通過(guò)額定電流進(jìn)行。接著，使用高精度照相機(jī)分別拍攝未亮起的副像素以及因劣化變暗的副像素，算出這些副像素的總數(shù)(缺陷副像素?cái)?shù))。最后，作為在顯示器中應(yīng)用有機(jī)EL元件時(shí)相對(duì)于紅色、綠色以及藍(lán)色的各個(gè)副像素的總數(shù)(總副像素?cái)?shù))的、副像素總數(shù)與缺陷副像素?cái)?shù)之羌的比率，算出合格率。表l表示其結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>而內(nèi)自由移動(dòng)(對(duì)應(yīng)圖4)比較例2對(duì)型未使用磁場(chǎng)變位手段無(wú)變化55%由表1可知，在本發(fā)明范圍內(nèi)的實(shí)施例13中，與預(yù)濺射時(shí)相比，主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域縮小，因此，均能實(shí)現(xiàn)良好的合格率。特別是與平板型的實(shí)施例12相比，在相對(duì)型的實(shí)施例3中，從相對(duì)的靶材T、T'飛散的濺射粒子的大部分堆積在相反側(cè)的靶材T、T，上，因此，尤其能夠在主濺射吋抑制多余的粒子堆積在基板上。這樣，在實(shí)施例3中，改變預(yù)濺射時(shí)與主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域的效果增大，于是就得到極好的合格率。與此相反，在本發(fā)明范圍之外的比較例1、2中，與預(yù)濺射時(shí)相比，主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域沒(méi)有縮小，因此，無(wú)法實(shí)現(xiàn)良好的合格率。(工業(yè)實(shí)用性)本發(fā)明的濺射裝置具有規(guī)定的磁場(chǎng)變位手段，因此，與預(yù)濺射時(shí)相比，能夠縮小主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域。因此，根據(jù)該濺射裝置，主濺射時(shí)能夠難以剝離在預(yù)濺射時(shí)堆積在非侵蝕區(qū)域中的靶材粒子，這樣就能抑制該粒子堆積在基板上，而且能夠很好地在基板上形成透明導(dǎo)電性膜。因此，在別望今后制造更高品質(zhì)的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示器領(lǐng)域屮的應(yīng)用這一方面，本發(fā)明的應(yīng)用前景非常廣闊。權(quán)利要求1、一種濺射裝置，其具備基板支承體、與所述基板支承體離開(kāi)地平行配置的靶材支承體、以及在所述靶材支承體的與所述基板支承體相反側(cè)配置的多個(gè)磁性體，其特征在于所述多個(gè)磁性體包括位于所述靶材支承體的中心部的第1磁性體、和與所述第1磁性體相比位于所述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，所述第2磁性體在所述靶材支承體的與所述基板支承體相反側(cè)的面內(nèi)可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，所述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置，所述第2位置是與所述第1位置相比位于所述靶材支承體的中心側(cè)，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。2、一種濺射裝置，其具備基板支承體、與所述基板支承體離開(kāi)地平行配置的靶材支承體、以及在所述靶材支承體的與所述基板支承體相反側(cè)配置的多個(gè)磁性體，其特征在于所述多個(gè)磁性體包括位于所述靶材支承體的中心部的第1磁性體、和與所述第1磁性休相比位于所述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，所述第2磁性體包括第1磁性體群、和與所述第1磁性體群相比位于所述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體群，所述第1和第2磁性體群在所述靶材支承體的與所述基板支承體相反側(cè)的面的法線方向可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，所述第1磁性體群和所述第2磁性體群兩者中的任意---個(gè)被配置在所述第1位置，所述第2磁性體群和所述第1磁性體群兩者中的另一個(gè)被配置在所述第2位置，所述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置，所述第2位置與所述第1位置相比是靠近所述''吧材支承體的位置，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。3、一種濺射裝置，其具備基板支承體、與所述基板支承體離開(kāi)地垂直配置的--對(duì)靶材支承體、以及在所述各個(gè)靶材支承體中在與其它的靶材支承體相反側(cè)配置的多個(gè)磁性體，其特征在于所述多個(gè)磁性體包括位于所述靶材支承體的中心部的第1磁性體、和與所述第1磁性體相比位于所述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，所述第2磁性體在所述靶材支承體的與所述基板支承體相反側(cè)的面內(nèi)可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，所述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置，所述第2位置是與所述第1位置相比位于所述靶材支承體的中心側(cè)，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。4、一種濺射裝賈，其具備基板支承體、與所述基板支承體離開(kāi)地垂直配置的-對(duì)靶材支承體、以及在所述各個(gè)靶材支承體中在與其它的靶材支承體相反側(cè)配置的多個(gè)磁性體，其特征在于所述多個(gè)磁性體包括位于所述靶材支承體的中心部的第1磁性體、和與所述第1磁性體相比位于所述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，所述第2磁性體包括第1磁性體群、和與所述第1磁性體群相比位于所述靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體群，所述第1和第2磁性體群在所述靶材支承體的與所述基板支承體相反側(cè)的面的法線方向可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，所述第1磁性體群和所述第2磁性體群兩者中的任意一個(gè)被配置在所述第1位置，所述第2磁性體群和所述第1磁性體群兩者中的另一個(gè)被配置在所述第2位置，所述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置，所述第2位置與所述第1位置相比是靠近所述靶材支承體的位置，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。全文摘要本發(fā)明涉及一種濺射裝置，其若干磁性體包括位于靶材支承體的中心部的第1磁性體、以及與第1磁性體相比位于靶材支承體的外周側(cè)的第2磁性體，第2磁性體在靶材支承體的與基板支承體相反側(cè)的面內(nèi)可以在第1位置和第2位置之間自由移動(dòng)，上述第1位置是不對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置，上述第2位置與所述第1位置相比位于上述靶材支承體的中心側(cè)，是對(duì)基板實(shí)施成膜處理時(shí)的位置。根據(jù)本發(fā)明的濺射裝置，與預(yù)濺射時(shí)相比，能夠縮小主濺射時(shí)的侵蝕區(qū)域，并且在主濺射時(shí)難以剝離在預(yù)濺射時(shí)堆積在非侵蝕區(qū)域中的靶材粒子，這樣就能抑制該粒子堆積在基板上。文檔編號(hào)C23C14/35GK101638773SQ20091016096公開(kāi)日2010年2月3日申請(qǐng)日期2009年7月31日優(yōu)先權(quán)日2008年8月1日發(fā)明者仲俁祐子申請(qǐng)人:富士電機(jī)控股株式會(huì)社