專利名稱：非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制作過程中，通常在晶圓上制作若干個(gè)有源器件，通過淀積工藝在有源 器件上逐層制作介質(zhì)層和金屬層，通過介質(zhì)層、開設(shè)于介質(zhì)層的通孔、通過通孔連接的不同 金屬層將晶圓上制作的有源器件連接起來，這就是晶圓多層金屬化的過程。制作于金屬層 上的互連線通過在絕緣層上制作的通孔連接，以將晶圓上的有源器件相關(guān)連接起來。圖1為現(xiàn)有的晶圓上多層金屬化的結(jié)構(gòu)示意圖?，F(xiàn)結(jié)合圖1，對(duì)化學(xué)氣相沉積的方 法進(jìn)行說明，具體如下在晶圓的硅襯底101上制作淺溝槽隔離區(qū)102，根據(jù)需要在硅襯底101上制作有源 器件，對(duì)制作了有源器件的晶圓進(jìn)行多層金屬化，也就是在晶圓的有源器件上制作相互間 隔的多層金屬層及多層介質(zhì)層。在晶圓上制作介質(zhì)層時(shí)，首先，將晶圓置于化學(xué)氣相沉積反 應(yīng)腔中，利用化學(xué)氣相沉積在硅襯底101的有源器件上制作第一介質(zhì)層103 ；其次，對(duì)晶圓 上的第一介質(zhì)層103進(jìn)行刻蝕形成通孔104，將晶圓置于物理氣相沉積反應(yīng)腔中，利用物理 氣相沉積填充通孔104 ；再次，利用物理氣相沉積在介質(zhì)層和通孔開口處形成第一金屬層 105 ；最后，對(duì)第一金屬層105進(jìn)行刻蝕形成互連線。晶圓每制作一層介質(zhì)層，都要將晶圓置 于化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔中，利用化學(xué)氣相沉積淀積一層介質(zhì)層。通常的介質(zhì)層為二氧化硅 層?；瘜W(xué)氣相沉積通常包括常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、亞常壓化學(xué)氣相沉積 (SACVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積及氣相外延(VPE)和金 屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積。其中，等離子體輔助化學(xué)氣相沉積利用等離子體濺射的方法制作 膜，包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)； 氣相外延(VPE)和金屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積采用離子化金屬等離子體(IMP)制作膜。由于 常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、亞常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)和低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)在 形成膜的過程中無需等離子體輔助，因此，將常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、亞常壓化學(xué)氣相 沉積(SACVD)和低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)稱為非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積。采用等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積制作介質(zhì)層，不僅造價(jià)昂貴，而且容易受到反 應(yīng)過程中產(chǎn)生的化學(xué)物質(zhì)和顆粒的污染，不適于大范圍使用。采用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積制作介質(zhì)層，介質(zhì)層的厚度與非等離子體輔 助的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔中的溫度密切相關(guān)。采用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在晶圓 上制作介質(zhì)層，反應(yīng)腔中的溫度隨著置入反應(yīng)腔中的晶圓數(shù)量的增加而變得不穩(wěn)定，而非 等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積速率與溫度成反比。對(duì)于亞常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)來 說，頻繁將晶圓置于反應(yīng)腔中進(jìn)行亞常壓化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，反應(yīng)腔中的溫度可能逐漸升 高，沉積于反應(yīng)腔內(nèi)壁的介質(zhì)減少，沉積于晶圓的介質(zhì)層厚度增加，這就造成介質(zhì)層的厚度隨著置于反應(yīng)腔中的先后順序不同而不同，且置于反應(yīng)腔中的晶圓沉積的介質(zhì)層厚度隨著 置入順序的增加而增加。對(duì)于其它的非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積來說，反應(yīng)腔內(nèi)的溫 度與置于反應(yīng)腔中的晶圓的數(shù)量及利用非等離子體化學(xué)氣相沉積制作介質(zhì)層的頻繁程度 相關(guān)，同樣會(huì)存在反應(yīng)腔內(nèi)溫度不穩(wěn)定，制作而成的介質(zhì)層的厚度的變化范圍較大的問題?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了保證制作于晶圓上的芯片質(zhì)量，通常對(duì)制作于晶圓上的芯片的 接觸電阻進(jìn)行測(cè)試，具體通過檢測(cè)制作于介質(zhì)層上的通孔的電阻來判斷接觸電阻是否符合 要求。由于非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔晶圓上制作的介質(zhì)層厚度不同，而通孔 的電阻與介質(zhì)層的厚度成正比，這就使得在晶圓上制作的芯片的接觸電阻的誤差范圍較 大，影響芯片的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積方法，該方法能夠 減小介質(zhì)層的變化范圍。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的一種非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，該方法包括在將晶圓置于反應(yīng)腔之前，清 洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物，在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物，根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓調(diào) 節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間；將晶圓置于反應(yīng)腔后，利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在 晶圓上制作介質(zhì)層。較佳地，所述清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物之前進(jìn)一步包括利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，采用與制作介質(zhì)層相同的溫度及反應(yīng)物， 在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第一沉積物；所述第一沉積物的厚度為800埃至10000埃。上述方法中，所述清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物包括向反應(yīng)腔通入能與沉積物反應(yīng)的氣體，去除沉積于反應(yīng)腔內(nèi)壁的沉積物。上述方法中，所述與沉積物反應(yīng)的氣體為氟化氮；所述反應(yīng)腔內(nèi)壁的沉積物為第一沉積物和反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物，或者為反應(yīng) 腔內(nèi)壁殘留的沉積物。上述方法中，所述在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物包括利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，在無殘留物的反應(yīng)腔內(nèi)壁上沉積一層第二 沉積物；所述第二沉積物的厚度為5千埃至15千埃。上述方法中，所述根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間為向反應(yīng)腔內(nèi)通入保護(hù)性氣體并監(jiān)控反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓，待反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓趨于穩(wěn)定 后持續(xù)通入保護(hù)性氣體；所述通入保護(hù)性氣體的時(shí)間為5秒至20秒；所述反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓趨于穩(wěn)定后持續(xù)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間為4秒至10秒。上述方法中，所述第一沉積物和第二沉積物為二氧化硅；所述非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積為亞常壓化學(xué)氣相沉積、常壓化學(xué)氣相沉積 或低壓化學(xué)氣相沉積。由上述的技術(shù)方案可見，本發(fā)明提供了一種非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積的方法，該方法在將晶圓置于反應(yīng)腔之前，清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物，在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一 層第二沉積物，根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間；將晶圓置于反應(yīng)腔之后， 利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在晶圓上制作介質(zhì)層。采用本發(fā)明公開的方法，在將 晶圓置于反應(yīng)腔之前，會(huì)對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物進(jìn)行清洗，去除殘留在反應(yīng)腔內(nèi)壁的 沉積物，之后在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物，以使后續(xù)將晶圓置于反應(yīng)腔后反應(yīng)腔內(nèi) 的環(huán)境一致；通過對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)壁的清洗和調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間，可降低反應(yīng)腔內(nèi)溫 度的變化范圍，避免反應(yīng)腔內(nèi)溫度的劇烈變化影響后續(xù)制作的介質(zhì)層厚度，減小了介質(zhì)層 厚度的變化范圍。


圖1為現(xiàn)有的晶圓上多層金屬化的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例， 對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明提出了一種非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，在將晶圓置于反應(yīng)腔之前， 清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物，并在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物，根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣 壓調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間；將晶圓置于反應(yīng)腔后，利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉 積在晶圓上制作介質(zhì)層。圖2為本發(fā)明非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積的方法流程圖?，F(xiàn)結(jié)合圖2，對(duì)本發(fā) 明非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積的方法進(jìn)行說明，具體如下步驟201 在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第一沉積物；采用與制作介質(zhì)層相同的溫度條件及與制作介質(zhì)層相同的氣體，利用非等離子 體輔助的化學(xué)氣相沉積，在反應(yīng)腔的內(nèi)壁沉積一層第一沉積物。第一沉積物為二氧化硅 (SiO2)，第一沉積物的厚度為800埃至10000埃。若采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)，可在反 應(yīng)腔中通入氧氣(O2)和硅烷(SiH4),在450°C至500°C溫度下，用氧氣(O2)氧化硅烷(SiH4) 來沉積二氧化硅(SiO2)；或者在反應(yīng)腔中通入臭氧(O3)和正硅酸乙酯(TE0S)，在400°C的 低溫環(huán)境下，用臭氧(O3)氧化正硅酸乙酯(TE0Q來沉積二氧化硅(SiO2)。若采用低壓化 學(xué)氣相沉積(LPCVD)，可在650°C至750°C溫度下，可在化作用下熱分解TEOS來沉積SW2 ； 或者在900°C的高溫環(huán)境下，利用一氧化二氮(N2O)和二氯二氫硅(SiCl2H2)來沉積Si02。 若采用亞常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)，可在在450°C至500°C溫度下，用O3氧化TEOS來沉積 SiO20在該步驟沉積一層第一沉積物，主要是模仿在晶圓上制作介質(zhì)層時(shí)，在非等離子 體輔助的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物，以使內(nèi)壁沉積了一層第一沉積物的反應(yīng) 腔內(nèi)的環(huán)境與制作介質(zhì)層時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)的環(huán)境相同。進(jìn)一步地，由于反應(yīng)腔內(nèi)壁可能殘留有 厚度不均的沉積物，該步驟在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第一沉積物，以使反應(yīng)腔內(nèi)壁都覆蓋有 沉積物，以保護(hù)反應(yīng)腔內(nèi)壁在后續(xù)的清洗過程中不被腐蝕。當(dāng)反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物的厚度在800埃至10000埃時(shí)，反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物使反應(yīng)腔內(nèi)的環(huán)境與在晶圓上制作介質(zhì)層時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)的環(huán)境相同，此時(shí)可省略步驟 201，直接執(zhí)行步驟202，對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物進(jìn)行清洗。步驟202 清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物；向非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔內(nèi)通入能與反應(yīng)腔內(nèi)壁上沉積的沉積 物反應(yīng)的氣體，對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物進(jìn)行清洗，去除沉積于反應(yīng)腔內(nèi)壁的沉積物。若采用步驟201在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第一沉積物，則反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物 包括第一沉積物和之前制作介質(zhì)層時(shí)在反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物；若省略步驟201，則反 應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物為之前制作介質(zhì)層時(shí)在反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物。第一沉積物的和之前制作介質(zhì)層時(shí)在反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物相同，都為二氧化 硅(SiO2)。與上述沉積物反應(yīng)的氣體可以是氟化氮(NF3)氣體，還可以是其它能夠與上述沉 積物反應(yīng)的氣體；在向反應(yīng)腔內(nèi)通入氟化氮(NF3)氣體或其它能夠與上述沉積物反應(yīng)的氣 體的同時(shí)，通入可作為載氣的氬氣(Ar)或氦氣(He)，對(duì)氟化氮(NF3)氣體或其它能夠與上 述沉積物反應(yīng)的氣體進(jìn)行稀釋。以SACVD為例，可通入氟化氮(NF3)氣體和氦氣(He)去除 沉積于反應(yīng)腔內(nèi)壁的Si02。在本步驟通入可去除沉積于內(nèi)壁的沉積物的氣體，可去除步驟201產(chǎn)生的第一沉 積物和在步驟201之前在反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物，以使反應(yīng)腔內(nèi)壁無殘留的沉積物。通 入的去除沉積于內(nèi)壁的沉積物的氣體的流量為1000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘至10000標(biāo)準(zhǔn)立 方厘米/分鐘，主要通過控制通入氣體的時(shí)間來去除沉積物。為了去除厚度在800埃至 10000埃的沉積物，可通入氟化氮(NF3)氣體，通入的氣體流量為1000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘 至10000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，通入的時(shí)間約為25秒至30秒。步驟203 在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物；利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，在無沉積物殘留的反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第 二沉積物。第二沉積物為二氧化硅(SiO2)，其厚度約為5千埃至15千埃。若采用常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)，可在反應(yīng)腔中通入氧氣(O2)和硅烷(SiH4)，在 450°C至500°C溫度下，用氧氣(O2)氧化硅烷(SiH4)來沉積二氧化硅(SiO2)；或者在反應(yīng)腔 中通入臭氧(O3)和正硅酸乙酯(TE0S)，在400°C的低溫環(huán)境下，用臭氧(O3)氧化正硅酸乙 酯(TE0Q來沉積二氧化硅(SiO2)。若采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，可在650°C至750°C 溫度下，可在A作用下熱分解TEOS來沉積SW2 ；或者在900°C的高溫環(huán)境下，利用一氧化二 氮(N2O)和二氯二氫硅(SiCl2H2)來沉積Si02。若采用亞常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)，可在 在450°C至500°C溫度下，用O3氧化TEOS來沉積Si02。該步驟在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物，主要是保證后續(xù)制作介質(zhì)層時(shí)反應(yīng)腔 內(nèi)環(huán)境的一致性。步驟204 根據(jù)反應(yīng)腔中的氣壓調(diào)整通入保護(hù)性氣體的時(shí)間；在反應(yīng)腔中通入保護(hù)性氣體，并根據(jù)反應(yīng)腔中的氣壓調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí) 間；具體地，在反應(yīng)腔中通入保護(hù)性氣體并實(shí)時(shí)監(jiān)控反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓，在反應(yīng)腔中的氣壓穩(wěn) 定后再持續(xù)通入保護(hù)性氣體4秒至10秒，以降低反應(yīng)腔內(nèi)的溫度。本實(shí)施例中保護(hù)性氣體 可采用現(xiàn)有的保護(hù)性氣體，比如氮?dú)?N2)、氦氣(He)等，通入保護(hù)性氣體的時(shí)間約為5秒至 20秒。
根據(jù)理想氣體狀態(tài)方程式，密閉反應(yīng)腔內(nèi)的溫度和氣壓成正比，也就是可根據(jù)監(jiān) 控反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓間接得知反應(yīng)腔內(nèi)溫度的變化。根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓調(diào)整通入保護(hù)性氣 體的時(shí)間，且在反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓穩(wěn)定后再持續(xù)通入保護(hù)性氣體4秒至10秒，以至于反應(yīng)腔 內(nèi)的溫度不會(huì)過高或過低；進(jìn)一步地，通入保護(hù)性氣體可將步驟201至步驟203產(chǎn)生的雜質(zhì) 氣體排除反應(yīng)腔，以避免后續(xù)制作介質(zhì)層時(shí)雜質(zhì)氣體與介質(zhì)層發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生其它附加產(chǎn) 物。步驟205 利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在晶圓上制作介質(zhì)層，之后執(zhí)行 步驟202。將晶圓置于反應(yīng)腔的加熱臺(tái)上，通入反應(yīng)氣體和反應(yīng)物，利用非等離子體輔助的 化學(xué)氣相沉積在晶圓上制作介質(zhì)層，同時(shí)，反應(yīng)腔內(nèi)壁也會(huì)因非等離子體輔助的化學(xué)氣相 沉積而相應(yīng)的沉積有沉積物；之后執(zhí)行步驟202。本步驟利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在晶圓上制作的介質(zhì)層的厚度為800 埃至10000埃。當(dāng)需要在大量的晶圓上制作介質(zhì)層時(shí)，需要將大量的晶圓分批置入反應(yīng)腔內(nèi)，在 執(zhí)行了步驟204后，將某一批晶圓置于反應(yīng)腔后，利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在 該批的晶圓上制作介質(zhì)層，在將下一批晶圓置于反應(yīng)腔之前，執(zhí)行步驟202至步驟204，使 在該批晶圓上制作介質(zhì)層時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)的溫度和反應(yīng)環(huán)境與在上一批晶圓上制作介質(zhì)層時(shí) 反應(yīng)腔內(nèi)的溫度和反應(yīng)環(huán)境基本一致，這樣循環(huán)在不同批的晶圓上制作而成的介質(zhì)層厚度 的變化范圍較小，進(jìn)而減小了器件接觸電阻的變化范圍。本發(fā)明的上述實(shí)施例中，在頻繁利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在大量晶圓 上制作介質(zhì)層的步驟之間，加入了對(duì)非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔的清洗過程 (步驟202至步驟204)；通過清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的積物和在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的第二沉積 物，使后續(xù)在晶圓上制作介質(zhì)層時(shí)的腔內(nèi)環(huán)境具有一致性；根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓的變化可 間接得知反應(yīng)腔內(nèi)溫度的變化，通過監(jiān)控反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓變化調(diào)整輸入腔內(nèi)的保護(hù)性氣體 的時(shí)間，使反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓趨于穩(wěn)定，降低了反應(yīng)腔內(nèi)溫度的變化范圍，保證了后續(xù)在晶圓 上制作介質(zhì)層時(shí)腔內(nèi)溫度的一致性。在不同批的晶圓上制作介質(zhì)層的流程之間加入了上述 步驟，使得在不同批的晶圓上制作介質(zhì)層時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)的溫度和環(huán)境保持一致，減小了在晶 圓上制作的介質(zhì)層厚度的變化范圍，使晶圓上制作的介質(zhì)層的厚度與晶圓置入反應(yīng)腔內(nèi)的 先后次序無關(guān)。綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的 保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，該方法包括在將晶圓置于反應(yīng)腔之前，清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物，在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第 二沉積物，根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間；將晶圓置于反應(yīng)腔后，利用非 等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在晶圓上制作介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物之前 進(jìn)一步包括利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，采用與制作介質(zhì)層相同的溫度及反應(yīng)物，在反 應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第一沉積物；所述第一沉積物的厚度為800埃至10000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物包括向反應(yīng)腔通入能與沉積物反應(yīng)的氣體，去除沉積于反應(yīng)腔內(nèi)壁的沉積物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于， 所述與沉積物反應(yīng)的氣體為氟化氮；所述反應(yīng)腔內(nèi)壁的沉積物為第一沉積物和反應(yīng)腔內(nèi)壁殘留的沉積物，或者為反應(yīng)腔內(nèi) 壁殘留的沉積物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積 物包括利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，在無殘留物的反應(yīng)腔內(nèi)壁上沉積一層第二沉積物；所述第二沉積物的厚度為5千埃至15千埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓調(diào)節(jié)通入保 護(hù)性氣體的時(shí)間為向反應(yīng)腔內(nèi)通入保護(hù)性氣體并監(jiān)控反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓，待反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓趨于穩(wěn)定后持 續(xù)通入保護(hù)性氣體；所述通入保護(hù)性氣體的時(shí)間為5秒至20秒；所述反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓趨于穩(wěn)定后持續(xù)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間為4秒至10秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述第一沉積物和第二沉積物為二氧化硅；所述非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積為亞常壓化學(xué)氣相沉積、常壓化學(xué)氣相沉積或低 壓化學(xué)氣相沉積。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積，該方法包括在將晶圓置于反應(yīng)腔之前，清洗反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物，在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物，根據(jù)反應(yīng)腔內(nèi)的氣壓調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間；將晶圓置于反應(yīng)腔后，利用非等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積在晶圓上制作介質(zhì)層。采用本發(fā)明公開的方法，在晶圓置于反應(yīng)腔之前，會(huì)對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積的沉積物進(jìn)行清洗，去除殘留在反應(yīng)腔內(nèi)壁的沉積物，之后在反應(yīng)腔內(nèi)壁沉積一層第二沉積物，以使晶圓置于反應(yīng)腔制作介質(zhì)層時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)的環(huán)境一致；通過對(duì)反應(yīng)腔的清洗和調(diào)節(jié)通入保護(hù)性氣體的時(shí)間，避免反應(yīng)腔內(nèi)溫度的劇烈變化影響后續(xù)制作的介質(zhì)層厚度，減小了介質(zhì)層厚度的變化范圍。
文檔編號(hào)C23C16/52GK102080217SQ200910199648
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2009年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月26日
發(fā)明者徐強(qiáng) 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司