專利名稱：監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種鍍膜靶面監(jiān)控裝置，尤其涉及一種對磁控濺射鍍 膜靶面進(jìn)行監(jiān)控的裝置。
背景技術(shù)：
鍍膜玻璃如今已廣泛應(yīng)用于觸摸屏領(lǐng)域和液晶顯示領(lǐng)域，玻璃鍍膜技 術(shù)也日新月異。磁控濺射鍍膜廣泛應(yīng)用于玻璃鍍膜，特別是在大面積玻璃 鍍膜工業(yè)上，是主要鍍膜方式。但是，磁控濺射鍍膜技術(shù)中，要控制反應(yīng) 濺射，就要控制反應(yīng)氣體的流量。常用的控制方式有"中毒模式"、電壓控 制等。而大面積玻璃鍍膜對膜層的均勻性要求很高，尤其是高端產(chǎn)品像觸
摸屏用高透ITO玻璃，對方阻、透過率、色差等都要求大面積的均勻。"中 毒模式"下反應(yīng)濺射速率很低，不適于多層膜的量產(chǎn)。而電壓控制也只是 配合二進(jìn)制設(shè)計得布?xì)夥绞絾吸c控制靶面狀態(tài)，對于大尺寸鍍膜玻璃來說， 明顯不能實現(xiàn)整體均勻性。

實用新型內(nèi)容
本實用新型解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有磁控濺射鍍膜技術(shù)中，不能 精確控制反應(yīng)氣體的流量從而導(dǎo)致鍍膜玻璃的鍍膜不均勻，特別是大尺寸 鍍膜玻璃鍍膜不均勻的技術(shù)問題。本實用新型提供的解決技術(shù)問題的技術(shù)方案是構(gòu)建一種監(jiān)控靶面狀 態(tài)的裝置，包括檢測等離子體表面光強(qiáng)的光纖系統(tǒng)、光電倍增器、磁控濺
射陰極，還包括監(jiān)控鍍膜靶面狀態(tài)的等離子光譜監(jiān)控(Plasma Emission Monitor,簡稱PEM)系統(tǒng)以及控制反應(yīng)氣體的氣體控制系統(tǒng)，所述等離 子光譜監(jiān)控系統(tǒng)根據(jù)光纖系統(tǒng)傳輸?shù)谋O(jiān)控信號向氣體控制系統(tǒng)發(fā)出指令控 制壓電閥的開度，從而控制反應(yīng)氣體流量。
本實用新型解決技術(shù)問題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述等離子光譜監(jiān)控 系統(tǒng)包括信息接收模塊和信息處理模塊，所述信息接收模塊接收光電倍增 器傳輸來的光纖系統(tǒng)檢測的等離子體表面光強(qiáng)的信息，所述信息處理模塊 對所述信息接收模塊接收的信息進(jìn)行分析處理。
本實用新型解決技術(shù)問題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述氣體控制系統(tǒng)的 氣管為二進(jìn)制分布，所述二進(jìn)制分布的氣管在磁控濺射陰極末端和中間部 分分別控制。
本實用新型解決技術(shù)問題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述控制磁控濺射陰 極末端和中間部分氣管的裝置為壓電閥門。
本實用新型解決技術(shù)問題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述磁控濺射陰極中 間部分的氣管分布為多層。
本實用新型解決技術(shù)問題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述多層氣管分布為 二進(jìn)制分布，即第一層分隔成21個獨立空間，由2'個進(jìn)氣管分別供氣，第 二層分隔成22個獨立空間，由22個進(jìn)氣管分別供氣，依次類推，至符合氣體控制系統(tǒng)需要為止。
本實用新型技術(shù)方案的技術(shù)效果是通過構(gòu)建一種監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝 置，通過設(shè)置等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)的信息接收模擬接收光電倍增器傳輸來 的光纖系統(tǒng)檢測的信息，由等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)的信息處理模塊進(jìn)行分析 處理，發(fā)出指令給氣體控制系統(tǒng)進(jìn)行氣體控制，從而達(dá)到精確控制氣體流 量，使鍍膜工藝更加穩(wěn)定。


圖1為本實用新型連接結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實用新型等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)模塊結(jié)構(gòu)示意圖
圖3為本實用新型氣管分布結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例對本實用新型技術(shù)方案進(jìn)行進(jìn)一步說明 如圖1所示，本實用新型構(gòu)建一種監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，包括檢測等 離子體表面光強(qiáng)的光纖系統(tǒng)2、光電倍增器3、磁控濺射陰極l，還包括監(jiān) 控鍍膜耙面狀態(tài)的等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)4以及控制反應(yīng)氣體的氣體控制系 統(tǒng)5，所述等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)4根據(jù)光纖系統(tǒng)2傳輸?shù)谋O(jiān)控信號向氣體 控制系統(tǒng)5發(fā)出指令控制反應(yīng)氣體流量。
如圖1和圖2所示，光纖系統(tǒng)2將監(jiān)控到的磁控濺射陰極1靶面的狀 態(tài)信息經(jīng)光電倍增器3放大后傳輸給等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)4,光譜監(jiān)控系統(tǒng)4中的信息接收模塊41接收光電倍增器3傳輸?shù)男畔ⅲ缓髠鬏斀o信息 處理模塊42，由信息處理模塊42進(jìn)行分析處理，信息處理模塊42根據(jù)分 析結(jié)果與預(yù)設(shè)值進(jìn)行比較，通過比較結(jié)果向氣體控制系統(tǒng)5發(fā)出控制指令， 控制氣體的流量。
如圖3所示，所述氣體控制系統(tǒng)5的氣管為二元分布，所述二元分布 的氣管在磁控濺射陰極l的末端部分和中間部分進(jìn)行分別控制。所述控制 磁控濺射陰極末端和中間部分氣管的裝置為壓電閥門。在磁控濺射陰極1 的末端部分分別設(shè)置一個壓電閥門，即第一壓電閥門51和第三壓電閥門 53，第一壓電閥門51控制磁控濺射陰極1末端的一個進(jìn)氣管54，第三壓 電閥門控制磁控濺射陰極1末端的另一個進(jìn)氣管54，磁控濺射陰極1中間 部分也設(shè)置一個壓電閥門為第二壓電閥門52，所述第二壓電閥門控制磁控 濺射陰極1中間部分的進(jìn)氣管54。所述磁控濺射陰極1中間部分的氣管分 布為多層。
如圖3所示，所述多層氣管分布為二進(jìn)制分布，即第一層分隔成2'個 獨立空間，由2i個進(jìn)氣管分別供氣，第二層分隔成22個獨立空間，由22 個進(jìn)氣管分別供氣，依次類推，至符合氣體控制系統(tǒng)需要為止。
由于本實用新型釆用了等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)4進(jìn)行磁控濺射陰極1靶 面的狀態(tài)監(jiān)控，可以更加精確地控制反應(yīng)氣體的流量，同時，在氣管分布 上，采用壓電閥門分別控制磁控濺射陰極1末端部分和中間部分的氣體流 量，這樣能更好地控制反應(yīng)氣體，使鍍膜工藝更加穩(wěn)定、均勻。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì) 說明，不能認(rèn)定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新 型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下， 還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1. 一種監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，包括檢測等離子體表面光強(qiáng)的光纖系統(tǒng)、光電倍增器、磁控濺射陰極，其特征在于還包括監(jiān)控鍍膜靶面狀態(tài)的等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)以及控制反應(yīng)氣體的氣體控制系統(tǒng)，所述等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)根據(jù)光纖系統(tǒng)傳輸?shù)谋O(jiān)控信號向氣體控制系統(tǒng)發(fā)出指令控制壓電閥的開度，從而控制反應(yīng)氣體流量。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，其特征在于，所述等離子 光譜監(jiān)控系統(tǒng)包括信息接收模塊和信息處理模塊，所述信息接收模塊接收 光電倍增器傳輸來的光纖系統(tǒng)檢測的等離子體表面光強(qiáng)的信息，所述信息 處理模塊對所述信息接收模塊接收的信息進(jìn)行分析處理。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，其特征在于，所述氣體控 制系統(tǒng)的氣管為二進(jìn)制分布，所述二進(jìn)制分布的氣管在磁控濺射陰極末端 和中間部分分別控制。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，其特征在于，所述控制磁 控濺射陰極末端和中間部分氣管的裝置為壓電閥門。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，其特征在于，所述磁控濺 射陰極中間部分的氣管分布為多層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，其特征在于，所述多層氣 管分布為二進(jìn)制分布，即第一層分隔成2'個獨立空間，由2'個進(jìn)氣管分別 供氣，第二層分隔成22個獨立空間，由22個進(jìn)氣管分別供氣，依次類推， 至符合氣體控制系統(tǒng)需要為止。
專利摘要本實用新型涉及一種磁控濺射陰極靶面狀態(tài)監(jiān)控裝置。本實用新型構(gòu)建了一種監(jiān)控靶面狀態(tài)的裝置，包括檢測等離子體表面光強(qiáng)的光纖系統(tǒng)、光電倍增器、磁控濺射陰極，還包括監(jiān)控陰極靶面狀態(tài)的等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)以及控制反應(yīng)氣體的氣體控制系統(tǒng)，所述等離子光譜監(jiān)控系統(tǒng)根據(jù)光纖系統(tǒng)傳輸?shù)谋O(jiān)控信號向氣體控制系統(tǒng)發(fā)出指令控制反應(yīng)氣體流量。本實用新型能更精確更及時地控制氣體流量，使鍍膜過程更加穩(wěn)定。
文檔編號C23C14/54GK201305626SQ20092013519
公開日2009年9月9日 申請日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月11日
發(fā)明者徐日宏 申請人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司