專利名稱：鉭濺射環(huán)組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及濺射靶材，特別是涉及一種鉭濺射環(huán)組件。
背景技術(shù)：
濺射是一種物理氣相沉積(PVD)的鍍膜方式，其是用帶電粒子轟擊靶材，使靶材 發(fā)生表面原子碰撞并發(fā)生能量和動量的轉(zhuǎn)移，耙材原子從表面逸出并沉積在襯底材料上的 過程。利用濺射工藝可使襯底材料表面獲得金屬、合金或電介質(zhì)薄膜。 鉭濺射環(huán)組件是一種常用的金屬耙材，圖1是一種鉭濺射環(huán)組件的正視圖，所述 鉭濺射環(huán)組件包括具有開口 10的環(huán)形本體11，環(huán)形本體11在開口 IO位置具有弧形角(R 角)12，如圖2的環(huán)形結(jié)構(gòu)的鉭濺射環(huán)組件的側(cè)視圖所示，所述鉭濺射環(huán)組件的環(huán)形本體11 包括4個弧形角12。 然而，上述鉭濺射環(huán)組件在使用過程中，經(jīng)常會在弧形角區(qū)域出現(xiàn)鉭材料剝落 (peeling)的現(xiàn)象，剝落的鉭材料一旦落在襯底材料上，就會影響薄膜的沉積，從而造成產(chǎn) 品報廢。

實用新型內(nèi)容本實用新型解決的問題是現(xiàn)有的鉭濺射環(huán)組件在弧形角區(qū)域容易出現(xiàn)剝落現(xiàn)象 而影響薄膜沉積工藝的問題。 為解決上述問題，本實用新型提供一種鉭濺射環(huán)組件，包括具有開口的環(huán)形本體，
所述環(huán)形本體在開口位置具有弧形角，所述弧形角的弧形半徑大于6. 35mm。 可選的，所述弧形角的弧形半徑為10 20mm。 可選的，所述開口的寬度為6. 35±0. 25mm。 可選的，所述鉭濺射環(huán)組件的直徑為285±0. 5mm?？蛇x的，所述鉭濺射環(huán)組件的寬度為50. 8±0. 25mm?？蛇x的，所述鉭濺射環(huán)組件的厚度為3. 18±0. 25mm。 上述技術(shù)方案通過增大鉭濺射環(huán)組件的弧形角的弧形半徑來減小鉭濺射環(huán)組件 的弧形角區(qū)域的應(yīng)力集中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中鉭濺射環(huán)組件在弧形角區(qū)域容易出現(xiàn)剝 落現(xiàn)象而影響薄膜沉積工藝的問題。因此，上述技術(shù)方案可以提高濺射工藝獲得的產(chǎn)品的 合格率。

圖1是一種鉭濺射環(huán)組件的正視圖； 圖2是現(xiàn)有的鉭濺射環(huán)組件的側(cè)視圖； 圖3是本實用新型的鉭濺射環(huán)組件的側(cè)視圖； 圖4是本實用新型和現(xiàn)有鉭濺射環(huán)組件的環(huán)形本體在開口位置的放大結(jié)構(gòu)的對 比示意圖。
具體實施方式
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在濺射工藝中，由于圖2所示的鉭濺射環(huán)組件的環(huán)形本體11在開口 IO位置的弧形角12的半徑R1較小，使得所述弧形角12區(qū)域的應(yīng)力集中，即在弧形角12的 局部范圍內(nèi)應(yīng)力顯著增大，當應(yīng)力達到局部強度極限就會造成所述區(qū)域鉭材料的剝落。 鑒于上述原因，本實用新型通過增大鉭濺射環(huán)組件的弧形角的弧形半徑，以此減 小鉭濺射環(huán)組件的弧形角區(qū)域的應(yīng)力集中，從而防止所述區(qū)域發(fā)生材料剝落現(xiàn)象。 圖3是本實用新型鉭濺射環(huán)組件的側(cè)視圖，結(jié)合圖1和圖3，本實用新型實施方式 的鉭濺射環(huán)組件包括具有開口 10的環(huán)形本體11，所述環(huán)形本體11在開口 IO位置具有弧 形角22?，F(xiàn)有鉭濺射環(huán)組件的環(huán)形本體11在開口 10位置的弧形角12的弧形半徑Rl為 6. 35mm，本實用新型鉭濺射環(huán)組件的環(huán)形本體11在開口 IO位置的弧形角22的弧形半徑R2 大于6. 35mm。
以下結(jié)合附圖和較佳實施例對本實用新型具體實施方式
做詳細的說明。 如圖1和圖3所示，本實施例的鉭濺射環(huán)組件包括環(huán)形本體11和設(shè)置在環(huán)形本 體11上的固定部13。所述環(huán)形本體11由高純度鉭或鉭合金經(jīng)擠壓成型、熱處理和機械加 工等工藝制成。所述固定部13設(shè)有螺紋孔(圖中未標示)，用于在濺射工藝中將所述鉭濺 射環(huán)組件固定在濺射裝置內(nèi)。所述鉭濺射環(huán)組件的直徑D為285 ± 0. 5mm。 所述鉭濺射環(huán)組件的寬度W為50. 8±0. 25mm。 所述鉭濺射環(huán)組件的厚度T為3. 18±0. 25mm。 所述環(huán)形本體ll不是全封閉的環(huán)形，其具有開口 IO，所述開口 10的寬度W1為 6. 35±0. 25mm。所述環(huán)形本體ll在開口 10位置包括4個弧形角22。 請繼續(xù)參考圖4，其是本實用新型和現(xiàn)有的鉭濺射環(huán)組件的環(huán)形本體在開口位置
的放大結(jié)構(gòu)的對比示意圖。應(yīng)力定義為"單位面積上所承受的附加內(nèi)力"，如圖4所示，由于
現(xiàn)有的環(huán)形本體11在開口位置的弧形角12的弧形半徑R1太小，使得弧形角12區(qū)域的表
面積較小，導(dǎo)致鉭濺射環(huán)組件在使用時弧形角12區(qū)域的應(yīng)力顯著增大，因而弧形角12區(qū)域
的鉭材料容易剝落。而本實用新型的環(huán)形本體11在開口位置的弧形角22的弧形半徑R2
大于現(xiàn)有的環(huán)形本體11在開口位置的弧形角12的弧形半徑R1，使得弧形角22區(qū)域的表面
積大于弧形角12區(qū)域的表面積，因此相對地可以減小弧形角表面的應(yīng)力集中。 在實際應(yīng)用中，弧形角22的弧形半徑R2的大小應(yīng)適中，如果弧形半徑R2小則不
能有效地解決弧形角表面應(yīng)力集中的問題，如果弧形半徑R2太大又會增加鉭濺射環(huán)組件
的加工難度。本實施例中，所述弧形角22的弧形半徑R2為10 20mm。 濺射靶材通?？梢酝ㄟ^對靶材坯料進行擠壓成型、熱處理、粗加工和精加工等工
藝制成。其中，粗加工去除坯料大部分的余量，切削出靶材的大致形狀，以獲得較規(guī)則的半
成品；精加工去除坯料小部分的余量，以獲得尺寸合格的濺射用靶材產(chǎn)品。上述環(huán)形結(jié)構(gòu)的
鉭濺射環(huán)組件的弧形角可以在粗加工和精加工工藝中形成，通過增大弧形角的半徑可以增
大弧形角區(qū)域的表面積。 綜上所述，上述技術(shù)方案增大了鉭濺射環(huán)組件的弧形角的弧形半徑，以此減小鉭 濺射環(huán)組件的弧形角區(qū)域的應(yīng)力集中，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中鉭濺射環(huán)組件在弧形角區(qū)域 容易出現(xiàn)剝落現(xiàn)象而影響薄膜沉積工藝的問題。因此，上述技術(shù)方案可以提高濺射工藝獲得的產(chǎn)品的合格率。 本實用新型雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本實用新型，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因 此本實用新型的保護范圍應(yīng)當以本實用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求一種鉭濺射環(huán)組件，包括具有開口的環(huán)形本體，所述環(huán)形本體在開口位置具有弧形角，其特征在于，所述弧形角的弧形半徑大于6.35mm。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭濺射環(huán)組件，其特征在于，所述弧形角的弧形半徑為10 20mm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭濺射環(huán)組件，其特征在于，所述開口的寬度為 6. 35±0. 25mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭濺射環(huán)組件，其特征在于，所述鉭濺射環(huán)組件的直徑為 285±0. 5mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭濺射環(huán)組件，其特征在于，所述鉭濺射環(huán)組件的寬度為 50. 8±0. 25mm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鉭濺射環(huán)組件，其特征在于，所述鉭濺射環(huán)組件的厚度為 3. 18±0. 25mm。
專利摘要一種鉭濺射環(huán)組件，包括具有開口的環(huán)形本體，所述環(huán)形本體在開口位置具有弧形角，所述弧形角的弧形半徑大于6.35mm。所述鉭濺射環(huán)組件可以解決現(xiàn)有的鉭濺射環(huán)組件在弧形角區(qū)域容易出現(xiàn)剝落現(xiàn)象而影響薄膜沉積工藝的問題。
文檔編號C23C14/34GK201538814SQ200920266358
公開日2010年8月4日 申請日期2009年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者劉慶, 周友平, 姚力軍, 潘杰, 王學澤 申請人:寧波江豐電子材料有限公司