專利名稱：格柵和制造用于選擇性透射電磁輻射特別是x-射線輻射的格柵的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于選擇性透射電磁輻射的格柵、制造該格柵的方法以及包括該格柵 的醫(yī)學(xué)成像設(shè)備，所述電磁輻射特別是X-射線輻射。
背景技術(shù)：
用于選擇性透射電磁輻射的格柵可以用于例如醫(yī)學(xué)成像設(shè)備中，諸如計算機斷 層攝影掃描儀(CT)；如C-臂、乳房X線照相術(shù)等的標準X-射線掃描儀、單光子發(fā)射計算機 斷層攝影設(shè)備(SPECT)或正電子發(fā)射斷層攝影掃描儀(PET)。其它設(shè)備，諸如無損χ-射線 測試設(shè)備，可以使用該格柵。柵格可以安置于諸如χ-射線輻射的電磁輻射源和輻射敏感檢 測設(shè)備之間。例如，在CT掃描儀中，電磁輻射源可以是X-射線管，而在SPECT/PET中，注入 患者中的放射性同位素可以形成電磁輻射源。輻射敏感檢測設(shè)備可以是任何任意的輻射檢 測器，諸如CCD設(shè)備、基于閃爍體的檢測器、直接轉(zhuǎn)換器等。格柵可以用于選擇性地減小不 準入射到輻射敏感檢測設(shè)備上的那種輻射的含量。輻射減小通常借助于輻射吸收來實現(xiàn)。 在CT掃描儀中，格柵可以用于減小在照明對象中生成的散射輻射的量，因為該散射輻射可 以惡化醫(yī)學(xué)圖像質(zhì)量。隨著今天的CT掃描儀經(jīng)常應(yīng)用錐束幾何結(jié)構(gòu)，因此照明對象的大的 體積，散射輻射的量經(jīng)常超過承載醫(yī)學(xué)信息的非散射主輻射的量。例如，散射輻射能夠容易 地達到總的輻射強度的90%或更多，取決于對象。因此，存在對有效地減小散射輻射的格柵的大的需求。滿足此需求的格柵可以是 在二維上具有輻射吸收結(jié)構(gòu)的格柵，此格柵稱作二維抗散射格柵OD ASG)。因為該二維抗 散射格柵可能需要具有透射通道，其中該通道聚焦至發(fā)射將被容許透射通過格柵的主輻射 的輻射源的焦點，所以該格柵的制造是耗時和昂貴的。由與本申請的申請人相同的申請人提交的W02008/007309A1描述了用于選擇性 透射電磁輻射的格柵，該格柵具有通過選擇性激光燒結(jié)構(gòu)建的結(jié)構(gòu)元件。其中，用于制造格 柵的方法包括通過選擇性激光燒結(jié)從粉末材料生長至少一個結(jié)構(gòu)元件的步驟，粉末材料特 別是基本輻射不透明材料的粉末。選擇性激光燒結(jié)容許大的設(shè)計自由度。具有通過選擇性 激光燒結(jié)構(gòu)建的結(jié)構(gòu)元件，格柵能夠是高度復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)，其是通過常規(guī)模制或銑磨技 術(shù)不易實現(xiàn)的。然而，必需進一步改善常規(guī)燒結(jié)格柵的機械穩(wěn)定性和輻射吸收性質(zhì)。此外，必需進 一步簡化該燒結(jié)格柵的制造。

發(fā)明內(nèi)容
因此，存在對用于選擇性透射電磁輻射的格柵和對用于制造該格柵的方法以及對 使用該格柵的醫(yī)學(xué)成像設(shè)備的需求，其中，該格柵的機械穩(wěn)定性和/或輻射吸收性質(zhì)得到 了進一步改善。此外，存在對容許簡化制造工藝的制造格柵的方法的需求。通過根據(jù)獨立權(quán)利要求之一的主題可以滿足這些需求。從屬權(quán)利要求中描述了本發(fā)明的有利實施例。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出了一種制造用于選擇性透射電磁輻射的格柵的方 法。所述方法包括提供結(jié)構(gòu)元件，所述結(jié)構(gòu)元件包括包括第一輻射吸收材料的多個顆粒， 其中，所述顆粒燒結(jié)在一起并且相鄰顆粒之間存在孔隙；將液態(tài)第二材料引入所述孔隙中； 以及固化所述第二材料。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出了一種用于選擇性透射電磁輻射的格柵。所述格柵 包括結(jié)構(gòu)元件，所述結(jié)構(gòu)元件包括第一輻射吸收材料的多個顆粒，其中，所述顆粒燒結(jié)在一 起，使得在相鄰顆粒之間存在孔隙，并且其中，所述孔隙至少部分填充有第二固態(tài)材料。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提出了一種醫(yī)學(xué)成像設(shè)備，所述設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明的 以上第二方面的格柵，所述設(shè)備諸如是CT掃描儀、X-射線C臂系統(tǒng)、χ-射線乳房照相系統(tǒng)、 SPECT掃描儀或PET掃描儀。本發(fā)明的要旨基于以下概念用于選擇性透射電磁輻射的格柵的核心可以提供為結(jié)構(gòu)元件，通過將顆粒彼此燒 結(jié)到一起而制備該結(jié)構(gòu)元件，其中所述顆粒包括輻射吸收材料。為此目的，可以使用公知的 選擇性激光燒結(jié)(SLS)工藝，有時也稱作直接金屬激光燒結(jié)(DMLS)。由此，可以實現(xiàn)復(fù)雜的 二維或三維結(jié)構(gòu)用于結(jié)構(gòu)元件。然而，在燒結(jié)工藝后，在燒結(jié)顆粒之間保持有未填充空間的孔隙。本發(fā)明的發(fā)明人 發(fā)現(xiàn)，該孔隙可以惡化結(jié)構(gòu)元件的機械穩(wěn)定性和完整性(integrity)，并且還發(fā)現(xiàn)，這些孔 隙可以減小格柵的輻射吸收性質(zhì)。發(fā)明人因此提出以第二材料填充該孔隙。通過引入液態(tài) 形式的第二材料以使得該第二材料可以流到孔隙中可以實現(xiàn)該填充。其后，可以固化引入 的液態(tài)材料，使得其可以增強整個格柵的機械穩(wěn)定性。使用輻射吸收材料作為第二材料，使得填充到孔隙中的第二材料還增加整個格柵 的輻射吸收性質(zhì)，可以是特別有利的。在結(jié)構(gòu)元件的表面，引入的第二材料還有助于平滑由 燒結(jié)的第一材料的顆粒提供的粗糙表面，由此給結(jié)構(gòu)元件提供平滑壁表面，這于是可以增 強整個格柵的輻射吸收性質(zhì)。此外，所提出的方法容許以從具有大的顆粒大小的顆粒制備的相當(dāng)粗糙的結(jié)構(gòu)元 件開始。一方面，使用該大的顆粒可以簡化激光燒結(jié)工藝。另一方面，由于顆粒的大的大小， 顆粒之間的孔隙也可以具有大的大小并且結(jié)構(gòu)元件的表面可以非常不平或粗糙。然而，因 為孔隙隨后填充有優(yōu)選地輻射吸收的第二材料，所以沒有空的大孔隙可以惡化格柵的機械 穩(wěn)定性和/或輻射吸收性質(zhì)。因此，歸因于大的可能顆粒大小，可以簡化整個制造工藝，同 時維持或甚至提高了機械和輻射吸收性質(zhì)。換句話說，提出的概念可以視為用于精確和成本效益的產(chǎn)品的改善方法，該產(chǎn)品 例如用于針對X-射線的二維抗散射格柵和計算機斷層攝影檢測器，但是也可以用于其它 應(yīng)用。該方法組合預(yù)制造的抗散射格柵的使用，抗散射格柵例如是通過激光燒結(jié)技術(shù)制造 的。第二制造步驟可以是將預(yù)制造的結(jié)構(gòu)浸入液態(tài)輻射吸收金屬中。該方法提供最大的設(shè) 計自由度和對X-射線吸收和機械穩(wěn)定性以及生產(chǎn)速度和成本的優(yōu)化。該方法也能夠用于 制造許多其它小的但是高精度的設(shè)備，浸入液態(tài)介質(zhì)的預(yù)制造的激光燒結(jié)壁的組合提供更 大的密度和/或機械硬度。以下，提到本發(fā)明的實施例的另外可能的特征、細節(jié)和優(yōu)點。
4
作為格柵的開始核心提供的結(jié)構(gòu)元件可以提供為適于選擇性透射電磁輻射的任 何二維或三維幾何結(jié)構(gòu)。例如，結(jié)構(gòu)元件可以具有稍微傾斜的豎直壁，以便指向電磁輻射的 源的焦點。結(jié)構(gòu)元件的表面可以是彎曲的，例如球形的。特別是，具有聚焦通道的二維格柵 可以具有空間上相當(dāng)復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。通道可以具有矩形或六邊形內(nèi)部形狀，這要求通道壁具 有不同角度。通過燒結(jié)來形成結(jié)構(gòu)元件的顆粒包括第一輻射吸收材料，優(yōu)選地X-射線吸收材 料。其中，其取決于應(yīng)用和/或結(jié)構(gòu)大小，例如輻射吸收通道壁的厚度，由顆粒形成的粉末 材料能夠視為輻射透明還是輻射吸收還是輻射不透明。這里，術(shù)語輻射透明規(guī)定為對于特 定應(yīng)用，在入射輻射經(jīng)過格柵時，吸收不顯著部分的入射輻射，例如小于10%。術(shù)語輻射吸 收規(guī)定為吸收顯著部分，例如大于10%，而術(shù)語輻射不透明規(guī)定為在入射輻射經(jīng)過格柵時 吸收基本所有的入射輻射，例如大于90%。在乳房X線照相術(shù)應(yīng)用中，可以使用約20keV 的X射線能量。對于這些能量，銅(Cu)能夠視為基本輻射不透明的，這意指滿足如壁厚度 (例如20 μ m)、通道高度(例如2mm)等的某些幾何參數(shù)的要求的格柵壁導(dǎo)致待被選擇性吸 收的那種輻射的吸收，使得發(fā)生了輻射檢測的質(zhì)量參數(shù)的顯著改善。質(zhì)量參數(shù)可以是散射 輻射與主輻射的比率(SPR)，信號與噪聲的比率(SNR)等。對于例如120keV的范圍中的CT 應(yīng)用，鉬(Mo)或其它折射材料(例如鎢)能夠視為基本輻射不透明的，而對于如銅或鈦的 其它材料，如果結(jié)構(gòu)制作為合適的厚度，同樣基本是輻射不透明的。因此，如果得到的格柵 滿足選擇性輻射透射性質(zhì)，則材料顆?；蚍勰┛梢砸暈檩椛洳煌该鞯摹＠?，雖然純塑料材 料通常視為對醫(yī)學(xué)相關(guān)的X-射線能量的所有范圍是輻射透明的，但是只要金屬粉末含量 足夠高，金屬粉末填充的塑料可以視為輻射不透明的。因為燒結(jié)結(jié)構(gòu)元件直接由輻射吸收 或輻射不透明材料制作，所以所需的格柵的輻射吸收性質(zhì)是燒結(jié)結(jié)構(gòu)元件所固有的。為將輻射吸收顆粒燒結(jié)到一起，可以使用公知的選擇性激光燒結(jié)(SLS)工藝。在 SLS中，使用合適能量的精細激光束將粉末材料燒結(jié)在一起。逐層燒結(jié)待制作的對象，然后 將得到的對象浸入粉末材料，使得下一層粉末材料能夠燒結(jié)在已燒結(jié)結(jié)構(gòu)的頂部。以此方 式，能夠形成相當(dāng)復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)，例如具有腔、凸起和凹入結(jié)構(gòu)元件的組合等。選擇性激 光燒結(jié)容許通過以高強度激光束選擇性照明頂部粉末層而從例如鉬粉末生成精細結(jié)構(gòu)?？?以根據(jù)所需的結(jié)構(gòu)大小和表面粗糙度來選擇金屬粉末的顆粒大小。例如CT格柵的典型結(jié) 構(gòu)大小(通道壁厚度)為約50 μ m至300 μ m,使得約1 μ m-10 μ m的顆粒大小是滿足需要 的。對于PET/SPECT設(shè)備，典型的結(jié)構(gòu)大小(通道壁厚度)可以是約100至1000 μ m,使得 約5至50 μ m的顆粒大小可以滿足需要。對于常規(guī)X-射線應(yīng)用，典型結(jié)構(gòu)大小可以是約10 至50μπι，使得約0. 1至5μπι的顆粒大小可以滿足需要。這些數(shù)字僅是示例性的，而不應(yīng)視 為限制。作為待填充到燒結(jié)結(jié)構(gòu)元件的孔隙中的液態(tài)第二材料，能夠使用能夠合適地液化 以便能夠流入孔隙中的任何材料。優(yōu)選地，第二材料應(yīng)當(dāng)適于使得在固化第二材料后，其能 夠有助于增強結(jié)構(gòu)元件的機械穩(wěn)定性。為此目的，第二材料可以具有足夠的機械剛度，并且 還可以適于粘結(jié)到第一輻射吸收材料的顆粒。優(yōu)選地，第二材料包括或包含輻射吸收材料，優(yōu)選地X-射線吸收材料，諸如例 如金屬，諸如銀、鉛、或銅和它們的合金，例如錫銻鉛合金(tin-antimony-lead alloy, Lettermetal)。填充到結(jié)構(gòu)元件的孔隙中的該輻射吸收材料還可以增強結(jié)構(gòu)元件的輻射吸收性質(zhì)并由此還增強整個格柵對電磁輻射的選擇性透射。此外，液態(tài)第二材料不僅流到結(jié) 構(gòu)元件內(nèi)側(cè)深處的孔隙中，而且至少部分填充結(jié)構(gòu)元件表面的開口孔隙，由此減小了結(jié)構(gòu) 元件的表面粗糙度。結(jié)構(gòu)元件的這樣平滑的表面還可以增強整個格柵的透射性質(zhì)。通過將結(jié)構(gòu)元件浸入或投入液化材料的浴液中，可以將液態(tài)第二材料引入到孔隙 中。由此，液態(tài)材料可以流到燒結(jié)結(jié)構(gòu)元件的孔隙或腔中并幾乎100%填充這些孔隙。通過熔融可以液化液態(tài)材料。例如，能夠?qū)⒕哂械腿埸c的金屬加熱到其熔點以上， 由此產(chǎn)生液態(tài)熔融物，結(jié)構(gòu)元件然后可以浸入其中。如果第二材料的熔融溫度低于形成結(jié) 構(gòu)元件的顆粒的第一輻射吸收材料的熔融溫度，則是有利的。于是能夠容易地將結(jié)構(gòu)元件 浸入熔融的第二材料中，并且結(jié)構(gòu)元件可以保持在其中，直到所有孔隙或腔基本填充有熔 融的第二材料。于是在從熔融物取出后冷卻時，第二材料將固化。替代地，第二材料可以是包括小的輻射吸收顆粒的液體或樹脂，例如納米或微米 級的。液體或樹脂可以填充到孔隙中并可以隨后被固化。根據(jù)本發(fā)明的另外的實施例，結(jié)構(gòu)元件具有最小結(jié)構(gòu)尺寸且第一輻射吸收材料的 顆粒具有的最大顆粒大小大于所述最小結(jié)構(gòu)尺寸的10%，優(yōu)選地大于20%，并且甚至更優(yōu) 選地大于25%。換句話說，形成格柵的核心的結(jié)構(gòu)元件可以具有在不同延伸方向具有不同 尺寸的局部結(jié)構(gòu)。例如，其可以具有具有壁厚度的豎直縱向壁，其中所述壁厚度比所述壁的 縱向延伸小得多并且因此形成最小結(jié)構(gòu)尺寸。例如，壁厚度能夠在10和IOOOym之間。因 此，用于形成該局部結(jié)構(gòu)的顆粒必需具有基本小于最小結(jié)構(gòu)尺寸的顆粒大小。在通過選擇 性激光燒結(jié)形成的常規(guī)格柵中，非常小的顆粒通常用于形成局部結(jié)構(gòu)，以避免局部結(jié)構(gòu)內(nèi) 的大的孔隙或空隙。常規(guī)使用小于最小結(jié)構(gòu)尺寸的5%的顆粒大小。利用于此提出的制造 方法，相鄰顆粒之間的孔隙的大小比現(xiàn)有技術(shù)中的不重要得多，因為空隙可以隨后填充有 第二材料。因此，可以使用較大顆粒燒結(jié)結(jié)構(gòu)元件，該顆粒具有的大小為例如壁厚度的10% 或更優(yōu)選地高達25 %，這基本可以簡化燒結(jié)工藝。應(yīng)當(dāng)注意，“最大顆粒大小”稱作包含在粉末中的最大顆粒具有的大小。通常，粉 末具有不同大小的顆粒。在常規(guī)格柵構(gòu)建技術(shù)中，優(yōu)選地使用主要具有小顆粒的粉末以減 小孔隙的數(shù)量和大小。然而，小部分較大顆?？梢圆伙@著惡化總的結(jié)果，而許多大顆?？梢?導(dǎo)致非常多孔的格柵結(jié)構(gòu)。利用于此提出的方法，可以使用具有許多大顆粒的粉末，而不 會對得到的格柵有顯著有害的影響，其中例如所有顆粒的90%大于格柵的最小結(jié)構(gòu)尺寸的 10%。最終，以另外的措辭重復(fù)了本發(fā)明的一些特征和優(yōu)點?？梢栽跓Y(jié)幾何結(jié)構(gòu)的后 處理中看到提出的制造方法的本質(zhì)特征?！按植诘摹睙Y(jié)特征可以浸入例如液態(tài)銀的浴液 中，以填充靜態(tài)孔隙壁結(jié)構(gòu)。液態(tài)材料將進入到腔中，所以表面將平滑得多。銀也是吸收 X-射線的材料，所以壁結(jié)構(gòu)的效率將更高。穩(wěn)定性可以提高，并且也可以改善燒結(jié)工藝的生 產(chǎn)效率。這可能是因為顆粒大小更大，且激光功率將得到更有效的使用且激光焦點將更大。 所以，可以利用更粗糙的顆粒構(gòu)建壁，并且拋光步驟可以再次補償這個。應(yīng)當(dāng)注意，參照不同主題描述了本發(fā)明的方面和實施例。特別是，參照方法類型的 權(quán)利要求描述了一些實施例，并參照裝置類型的權(quán)利要求描述了另一些實施例。然而，本領(lǐng) 域技術(shù)人員從以上和以下描述將了解，除非另外告知，除屬于一種類型的主題的任何組合 或特征外，涉及不同主題的特征之間的任何組合，特別是裝置類型的權(quán)利要求的特征和方法類型的權(quán)利要求的特征之間的任何組合，視為以此申請公開。


將關(guān)于如附圖中所示的具體實施例進一步描述本發(fā)明的特征和優(yōu)點，但是本發(fā)明 不限于這些實施例。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括通道的格柵結(jié)構(gòu)的高架(elevated)透視 圖；圖2示意性地描繪用于根據(jù)本發(fā)明的實施例的格柵結(jié)構(gòu)的制造方法；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的替代實施例的梳狀格柵結(jié)構(gòu)的高架透視圖；圖如和仙示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的格柵結(jié)構(gòu)內(nèi)的壁的截面視圖；圖5示出了具有根據(jù)本發(fā)明的實施例的格柵的醫(yī)學(xué)成像設(shè)備的范例的透視圖。附圖中的圖樣僅是示意性的而不是成比例的。以類似參考符號引用附圖中的類似 元件。
具體實施例方式將參照圖1、2和4描述制造根據(jù)本發(fā)明的用于選擇性透射電磁輻射的格柵的方法 的范例實施例。格柵1包括三維結(jié)構(gòu)元件2，結(jié)構(gòu)元件2包括相互垂直布置的豎直壁3。如在圖 1的放大部分中能夠清楚看到的，壁3形成縱向通道5，電磁輻射能夠容易地通過該縱向通 道。然而，以不平行于通道5的角度輻照的輻射將在壁3內(nèi)被吸收，因為壁3包括輻射吸收 材料。如圖2中示意性地示出的，能夠使用選擇性激光燒結(jié)技術(shù)構(gòu)建結(jié)構(gòu)元件2。其中， 輻射吸收材料的顆粒放置在基底7上。基底7安置在能夠在y方向上移動的臺9上。使用 單個激光，并且可選地偏轉(zhuǎn)激光束的裝置，或替代地使用激光陣列11，顆?？梢钥杀幌嗷?結(jié)在一個或多個激光束的焦點的位置。可以控制激光陣列11，使得一個或多個激光束的焦 點的位置根據(jù)存儲在控制單元31上的三維模型13在基底的整個表面上在χ方向和ζ方向 上掃描，所述控制單元連接至激光陣列11和臺9。在對燒結(jié)顆粒的第一層15進行劃線后， 臺9能夠向下移動，能夠再次將顆粒均勻分布在已存在燒結(jié)結(jié)構(gòu)的表面上，并且能夠使用 激光陣列11生成燒結(jié)顆粒的第二層17。因此，存儲在控制單元31中的三維模型13可以通 過逐層燒結(jié)顆粒而再現(xiàn)。在制備結(jié)構(gòu)元件2后，通過將結(jié)構(gòu)元件2浸入熔融金屬的浴液中，可以填充相鄰顆 粒之間的孔隙。在圖如和4b中，示出了包括在結(jié)構(gòu)元件2中的壁3、3’的放大的截面圖。 壁可以具有如圖如中所示的矩形橫截面或如圖4b中所示的楔形橫截面。諸如鉬或鎢的輻 射吸收材料的顆粒19燒結(jié)在一起。在壁5、5’的側(cè)面以及在其表面的孔隙21填充有諸如 銀或鉛的固化輻射吸收材料。此外，將參照圖3描述制造根據(jù)本發(fā)明的用于選擇性透射電磁輻射的格柵1’的方 法的替代范例實施例。在第一步驟中，由例如鉬或鎢制成的金屬片104安置于選擇性激光燒結(jié)設(shè)備的工 作室中。通過預(yù)先的系統(tǒng)校準可以實現(xiàn)相對于SLS設(shè)備的激光束的位置的精確定位。金屬片可以可逆地(reversibly)地粘結(jié)到工作室中以進行固定。在金屬片上布置一層金屬粉 末后，使用選擇性激光燒結(jié)來燒結(jié)待制造的第一層燒結(jié)結(jié)構(gòu)。在完成第一層后，將下一層金 屬粉末布置在金屬片和先前燒結(jié)的結(jié)構(gòu)的頂部。這能夠與工作室的輕微傾斜相結(jié)合，使得 燒結(jié)的下一層相對于金屬片具有預(yù)定角度。圖3在左手側(cè)示出了在燒結(jié)數(shù)層金屬粉末后得到的梳狀格柵結(jié)構(gòu)102。在圖3的 右手側(cè)，示出了由圖3的左手側(cè)上的圓表示的梳狀結(jié)構(gòu)的部分的放大圖Ml。梳狀結(jié)構(gòu)具有 由金屬片104形成的底部。燒結(jié)的縱向壁結(jié)構(gòu)103示為在金屬片104的長度上延伸。在壁 103的頂部，描繪了對準結(jié)構(gòu)106。應(yīng)當(dāng)注意，使用金屬片4作為底部基底不是強制性的。替代地，整個格柵可以由完 全通過燒結(jié)制備的結(jié)構(gòu)元件構(gòu)成。在圖5中，示出了醫(yī)學(xué)成像設(shè)備200的范例。圖5示出了 CT掃描儀的主要特征， 即X-射線源220、輻射檢測器210、和患者床230。CT掃描儀可以繞待觀察的對象旋轉(zhuǎn)并使 用檢測器210借助于輻射檢測獲取投影圖像。如上所述的根據(jù)本發(fā)明的格柵能夠用于檢測 器210中以減小在待觀察的對象中生成的散射輻射。最終，應(yīng)當(dāng)注意，術(shù)語“包括”、“包含”等不排除其它的元件或步驟，且術(shù)語“一”或 “一個”不排除多個元件。還有，與不同實施例關(guān)聯(lián)描述的元件可以進行組合。還應(yīng)當(dāng)注意， 權(quán)利要求中的參考符號不應(yīng)視為限制權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造用于選擇性透射電磁輻射的格柵(1)的方法，所述方法包括提供結(jié)構(gòu)元件O、102)，所述結(jié)構(gòu)元件包括包括第一輻射吸收材料的多個顆粒(19)， 其中，所述顆粒(19)燒結(jié)在一起并且相鄰顆粒(9)之間存在孔隙；將液態(tài)第二材料引入所述孔隙中；以及固化所述第二材料。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述液態(tài)第二材料包括輻射吸收材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述第一輻射吸收材料的所述顆粒通過選擇性 激光燒結(jié)燒結(jié)在一起。
4.如權(quán)利要求1至3中的一項所述的方法，通過將所述結(jié)構(gòu)元件浸入液化材料的浴液 中將所述液態(tài)第二材料引入所述孔隙中。
5.如權(quán)利要求1至4中的一項所述的方法，其中，通過熔融來液化所述液態(tài)第二材料。
6.一種用于選擇性透射電磁輻射的格柵(1)，所述格柵包括結(jié)構(gòu)元件0、102)，所述結(jié) 構(gòu)元件包括包括第一輻射吸收材料的多個顆粒(19)，其中，所述顆粒(19)燒結(jié)在一起，使 得在相鄰顆粒(19)之間存在孔隙(21)，并且其中，所述孔隙至少部分填充有第二固態(tài) 材料。
7.如權(quán)利要求6所述的格柵，其中，所述第二材料是輻射吸收材料。
8.如權(quán)利要求6或7所述的格柵，其中，所述第二材料的熔融溫度低于所述第一輻射吸 收材料的熔融溫度。
9.如權(quán)利要求6至8中的一項所述的格柵，其中，所述第二材料是金屬。
10.如權(quán)利要求6至9中的一項所述的格柵，其中，所述第二材料選自包括銀、鉛、銅和 其合金的組。
11.如權(quán)利要求6至10中的一項所述的格柵，其中，所述第一輻射吸收材料選自包括鉬 和鎢的組。
12.如權(quán)利要求6至11中的一項所述的格柵，其中，所述結(jié)構(gòu)元件具有最小結(jié)構(gòu)尺寸， 并且其中，所述第一輻射吸收材料的所述顆粒具有大于所述最小結(jié)構(gòu)尺寸的10%的最大顆 粒大小。
13.—種醫(yī)學(xué)成像設(shè)備O00)，包括如權(quán)利要求6至12中的一項所述的格柵。
全文摘要
提出了一種用于選擇性透射電磁輻射的格柵(1)和制造該格柵的方法。其中，所述格柵(1)包括具有壁(3)的結(jié)構(gòu)元件，所述結(jié)構(gòu)元件包括輻射吸收材料的多個顆粒(19)，其中，所述顆粒(19)燒結(jié)在一起，使得在相鄰顆粒(19)之間存在孔隙(21)。所述孔隙(21)至少部分填充有第二固態(tài)材料?？紫?21)的填充能夠通過將第二材料引入孔隙中中實現(xiàn)，第二材料為液態(tài)的，優(yōu)選地為熔融形式。第二材料本身也能夠是輻射吸收的，且可以有助于提高格柵的機械穩(wěn)定性并增強輻射吸收性質(zhì)。
文檔編號B22F3/26GK102113060SQ200980130034
公開日2011年6月29日 申請日期2009年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月8日
發(fā)明者G·福格特米爾, R·多沙伊德 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司