專利名稱：改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法
改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表
面形貌的方法。背景技術(shù)：
在平板液晶顯示用的濾色器(color filter, CF)產(chǎn)品制作過(guò)程中，氧化銦錫(In203:Sn， IT0)膜常作為導(dǎo)電層在最上面刻蝕成圖案后作導(dǎo)電極用，IT0膜在最上層會(huì)直接與液晶接觸，因此其表面形貌會(huì)影響與液晶的浸潤(rùn)性。如圖1、圖2所示，傳統(tǒng)的大多數(shù)ITO膜表面由于有大顆晶粒的存在導(dǎo)致晶向混亂，與液晶的浸潤(rùn)性差，因此在顯示屏空盒灌液過(guò)程中需要等待較長(zhǎng)的時(shí)間才能使液晶充分浸潤(rùn)ITO膜表面，生產(chǎn)效率受影響。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種液晶顯示器空盒灌液時(shí)間短的提高生產(chǎn)效率的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法。 —種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，即在氧化銦錫濺射成膜的過(guò)程中充入氧氣和氬氣混合氣體。 優(yōu)選的，所述混合氣體的流量為0. 8-5. Osccm。
優(yōu)選的，所述混合氣體的流量為1. 2sccm。
優(yōu)選的，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為3 : iooo-20 : iooo。 優(yōu)選的，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為5 : 1000。 通過(guò)在氧化銦錫濺射成膜過(guò)程中充入氧氣，使制得的氧化銦錫膜表面形貌晶向較
為統(tǒng)一，大顆晶粒明顯減少，增大了液晶材料與氧化銦錫膜的表面浸潤(rùn)性，從而灌液時(shí)間縮短，生產(chǎn)效率提高。


圖1、圖2為具有大顆晶粒、晶向混亂的IT0表面掃描電子顯微鏡檢測(cè)圖。
圖3、圖4為晶向較統(tǒng)一的IT0表面掃描電子顯微鏡檢測(cè)圖。
具體實(shí)施方式

傳統(tǒng)的平板顯示用的濾色器產(chǎn)品制作過(guò)程中形成的IT0膜表面常會(huì)出現(xiàn)較多的大顆晶粒、晶向較為混亂，如圖1和圖2所示，這樣的ITO膜與液晶材料的浸潤(rùn)性差，在液晶顯示器灌液過(guò)程中需要等待較長(zhǎng)的時(shí)間，一般為8個(gè)小時(shí)，才能使液晶材料與IT0膜充分浸潤(rùn)，生產(chǎn)效率低下。 與傳統(tǒng)所用技術(shù)不同，為改善液晶顯示產(chǎn)品空盒灌液時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，使ITO膜表面形貌較為統(tǒng)一，在鍍ITO膜時(shí)選擇充入氧氣，具體為氧氣和氬氣的混合氣體。由于IT0濺射成膜的過(guò)程為結(jié)晶生長(zhǎng)過(guò)程，加入氧氣會(huì)直接影響IT0膜中In0x與Sn0x的結(jié)合生長(zhǎng)，即充入氧氣鍍膜時(shí)可讓ito膜里氧空位更少，因此結(jié)晶更好，得到的ito膜晶向也較為統(tǒng)一，
如圖3和圖4所示。試驗(yàn)證明充入氧氣濺射it0后液晶材料與it0膜的浸潤(rùn)性明顯增強(qiáng)，
可以將液晶顯示產(chǎn)品灌液時(shí)間控制在2小時(shí)以內(nèi)，生產(chǎn)效率大大提高。 根據(jù)不同的鍍膜設(shè)備，在鍍ito膜時(shí)可以選擇不同的氣體流量， 一般為
0. 8-5. Osccm，優(yōu)選1. 2sccm，得到的it0膜表面大顆晶粒較少，晶向較為統(tǒng)一，如圖3和圖4所示。 此外，在確保ito膜層的透過(guò)率、面電阻等各項(xiàng)特性正常的前提下，針對(duì)鍍膜設(shè)備的不同，還可以選擇不同配比的氧氬混合氣體，一般氧氣與氬氣的比例為
3 : iooo-20 : iooo，優(yōu)選的氧氬比例為5 : iooo，可以得到晶向更為統(tǒng)一的ito表面形貌。 通過(guò)在氧化銦錫濺射成膜過(guò)程中充入氧氣，使制得的氧化銦錫膜表面形貌晶向較
為統(tǒng)一，大顆晶粒明顯減少，增大了液晶材料與氧化銦錫膜的表面浸潤(rùn)性，從而灌液時(shí)間縮短，生產(chǎn)效率提高。 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并
不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，在氧化銦錫濺射成膜的過(guò)程中充入氧氣和氬氣的混合氣體。
2. 如權(quán)利要求1所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體的流量為0. 8-5. 0sccm。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體流量為1. 2sccm。
4. 如權(quán)利要求1所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為3 : iooo-20 : iooo。
5. 如權(quán)利要求1或4所述的改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，其特征在于，所述混合氣體中氧氣與氬氣的比例為5 : iooo。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種改善液晶顯示產(chǎn)品氧化銦錫膜表面形貌的方法，通過(guò)在氧化銦錫濺射成膜過(guò)程中充入氧氣，使制得的氧化銦錫膜表面形貌晶向較為統(tǒng)一，大顆晶粒明顯減少，增大了液晶材料與氧化銦錫膜的表面浸潤(rùn)性，從而灌液時(shí)間縮短，生產(chǎn)效率提高。
文檔編號(hào)C23C14/08GK101787517SQ20101012334
公開(kāi)日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2010年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月12日
發(fā)明者敦士軍, 方剛, 毛利良, 王春平, 黃受林, 黃裕坤 申請(qǐng)人:中國(guó)南玻集團(tuán)股份有限公司