專利名稱：一種非晶c型磁芯的拼接方法
技術領域：
本發(fā)明涉及非晶態(tài)材料的磁芯制作工藝，具體是涉及60mm以上寬度的非晶帶C型 磁芯的拼接方法。
背景技術：
現(xiàn)有技術的非晶C型磁芯的拼接，一般是用寬帶直接卷取，由于60mm以上寬度的非晶帶較難剪切，且?guī)捿^寬的磁芯成型后退火溫度一致均勻較難控制，脫模困難，浸漆亦 較難浸透。導致磁芯損耗高，噪聲高等危害。如中國專利申請?zhí)枮?9106983、申請日為1989 年9月3日、發(fā)明名稱為切割非晶態(tài)電感磁芯制法、授權公告日為1993年3月31日的發(fā)明 專利申請，該軟磁非晶態(tài)材料的磁芯制法，是使用真空冶煉的母材，用單輥法制成規(guī)定寬度 的非晶帶材，繞成環(huán)形或矩形磁芯，然后在氮氣或氬氣的保護下進行退火處理，之后采用環(huán) 氧樹脂包絡磁芯，經(jīng)固化處理成型，最后進行氣隙切割。上述方法同樣是用寬帶直接卷取， 對于較寬的如60mm以上寬度的非晶帶同樣也存在較難剪切的情況。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了解決現(xiàn)有技術之不足，而提供的一種能有效針對60mm以 上超寬度的非晶帶C型磁芯進行拼接的方法，該方法拼接的磁芯性能更為優(yōu)異。本發(fā)明是采用如下技術解決方案來實現(xiàn)上述目的的該拼接方法包括如下步驟
(1)、卷制窄帶磁芯按照所需寬度的非晶C型磁芯，選取兩個或以上寬度相加等于所 需寬度的非晶C型磁芯；
(2)采用現(xiàn)有技術進行成型退火，且每個磁芯單個退火；
(3)將兩個或以上窄帶磁芯浸漆固化定型；
(4)兩個或以上窄帶磁芯粘結疊合，粘合時兩個或以上磁芯對整齊；
(5)整體切割；
(6)烘干整理、成品檢測、包裝。本發(fā)明實施上述方案所能達到的有益效果是
1.將卷繞時寬帶分成兩個或以上寬度接近的窄帶單獨繞制，卷繞更為方便；且單個退 火、浸漆烘干。由于單個磁芯輕小，退火溫度更易達到均勻，磁芯性能更優(yōu)，且?guī)捳岣?易滲透浸漆更充分，噪音更低。2.將浸漆烘烤好的兩個或以上磁芯對整齊，兩個或以上磁芯層間用粘接力強，應 力低的環(huán)氧樹脂粘結劑粘合成整體。3.將粘合疊拼而成的磁芯整體一次切割成U型。本發(fā)明拼接工藝方法簡單，操作方便，有效地解決了超寬非晶帶C型磁芯難以進 行拼接的問題。
圖1是本發(fā)明的工藝流程示意圖。
具體實施例方式如圖1所示，如需拼接65mm寬度的非晶帶C型磁芯，首先將卷繞時寬帶分成兩個 寬度接近的窄帶單獨繞制，如65mm=35mm+30mm，分別卷一個35mm高與一個30mm高的C型 磁芯，且并單個退火、浸漆烘干。由于單個磁芯輕小，退火溫度更易達到均勻，磁芯性能更 優(yōu)，且?guī)捳岣诐B透浸漆更充分，噪音更低。然后，將浸漆烘烤好的兩個磁芯對整齊，兩個磁芯層間用粘接力強，應力低的環(huán)氧 樹脂粘結劑粘合成整體。最后，將粘合疊拼而成的磁芯整體一次切割成U型，并進行烘干整理、成品檢測、 包裝即可。上述方案僅為較佳實施例，本發(fā)明技術并不局限于上述實施例，任何本領域的技 術人員均可做多種修改和變化，在不脫離本發(fā)明的精神下，都在本發(fā)明所要求保護范圍。
權利要求
一種非晶C型磁芯的拼接方法，該拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工藝步驟，其特征在于，該拼接方法具體包括如下步驟(1)、卷制窄帶磁芯 按照所需寬度的非晶C型磁芯，選取兩個或以上寬度相加等于所需寬度的非晶C型磁芯；(2)成型退火，且每個磁芯單個退火；(3) 將兩個或以上窄帶磁芯浸漆固化定型；(4) 兩個或以上窄帶磁芯粘結疊合，粘合時兩個或以上磁芯對整齊；(5) 整體切割 ；(6) 烘干整理 、成品檢測 、包裝。
2.根據(jù)權利要求1所述的非晶C型磁芯的拼接方法，其特征在于所述步驟(1)中的兩 個或以上寬度的非晶C型磁芯的寬度尺寸接近。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種非晶C型磁芯的拼接方法，該拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工藝步驟，其特征在于，該拼接方法具體包括如下步驟(1)卷制窄帶磁芯按照所需寬度的非晶C型磁芯，選取兩個或以上寬度相加等于所需寬度的非晶C型磁芯；(2)成型退火，且每個磁芯單個退火；(3)將兩個或以上窄帶磁芯浸漆固化定型；(4)兩個或以上窄帶磁芯粘結疊合，粘合時兩個或以上磁芯對整齊；(5)整體切割；(6)烘干整理、成品檢測、包裝。本發(fā)明工藝方法具有簡單，操作方便，有效地解決了超寬非晶帶C型磁芯難以進行拼接的問題，磁芯性能更優(yōu)，且?guī)捳岣诐B透浸漆更充分，噪音更低。
文檔編號B22F3/00GK101866743SQ20101018636
公開日2010年10月20日 申請日期2010年5月31日 優(yōu)先權日2010年5月31日
發(fā)明者張志臻 申請人:佛山市中研非晶科技股份有限公司