專利名稱：一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開一種太陽能電池技術(shù)，確切的說一種由甚高頻電源(27. 12MHz 100MHz)驅(qū)動(dòng)的硅基薄膜太陽能電池的沉積盒。
背景技術(shù)：
目前，硅基薄膜太陽能電池，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)獲取 單結(jié)或多結(jié)的光電轉(zhuǎn)換P-I-N膜層，在薄膜太陽能電池制造行業(yè)通用這種射頻電容耦合平 行電極板反應(yīng)室。由電極板組件構(gòu)成電極板陣列在反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行等離子體化學(xué)氣相沉積。 射頻電容耦合平行板電極反應(yīng)室廣泛應(yīng)用于非晶硅、非晶硅鍺、碳化硅、氮化硅、氧化硅等 材料薄膜的大面積沉積。行業(yè)內(nèi)通常把具有支撐框架的電極稱為“夾具”，將該裝置安裝在 腔室內(nèi)進(jìn)行等離子體化學(xué)氣相沉積的裝置又稱為“沉積盒”。硅基薄膜太陽能電池是太陽能 行業(yè)的一個(gè)重要分支，所采用的平行電極板容性放電模式是太陽能電池行業(yè)的核心技術(shù)之 一。13. 56MHz射頻廣泛應(yīng)用于非晶硅基薄膜材料的高速制備，生產(chǎn)效率高、工藝成本低。隨 著太陽能市場對(duì)硅基薄膜技術(shù)要求不斷提高，微晶、納米晶硅基薄膜材料受到行業(yè)高度關(guān) 注。但是在微晶工藝環(huán)境下，13. 56MHz射頻波衍生的等離子體濃度小，沉積速率低，沉積足 夠厚度薄膜所需時(shí)間長，背景污染大，從而制備出的薄膜雜質(zhì)含量高，光電學(xué)性能差，嚴(yán)重 影響產(chǎn)品品質(zhì)性能。如何高速沉積成為晶化硅基薄膜技術(shù)能夠成功服務(wù)于產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵。甚高頻指頻率為13. 56MHz的兩倍或者更高倍的合法射頻。在行業(yè)內(nèi)，應(yīng)用較多的 甚高頻一般為27. 12 200MHz的范圍。然而，在容性放電模式中，甚高頻引發(fā)的駐波效應(yīng) 和趨膚效應(yīng)非常明顯，而且隨著驅(qū)動(dòng)頻率的增加而增強(qiáng)。美國加州大學(xué)Berkeley分校的M. A. Lieberman教授對(duì)這兩種效應(yīng)做了深入研 究。研究結(jié)果表明，甚高頻PECVD沉積均勻薄膜的臨界條件在于激發(fā)頻率的自由空間波長 (A0)遠(yuǎn)大于容性放電電極板腔室尺寸因子(X)，趨膚深度(δ)遠(yuǎn)大于容厚因子(II。)以 放電面積Im2為例，60MHz的激發(fā)頻率下，δ ^ η。因此在此激發(fā)頻率下，趨膚和 駐波效應(yīng)非常明顯，導(dǎo)致Im2電極板上放電極不均勻。所以如何實(shí)現(xiàn)甚高頻驅(qū)動(dòng)的均勻大 面積放電是晶化硅基薄膜技術(shù)亟待解決的技術(shù)難題之一，這引起了行業(yè)的極大興趣。2003 年，美國專利2003/0150562Α1公開了平板電容耦合放電中利用磁鏡改善甚高頻造成的電 場不均勻性。中國專利 200710150227. 4,200710150228. 9,200710150229. 3，公開了甚高頻 電極的三種設(shè)計(jì)，通過甚高頻信號(hào)的不同饋入形式，獲得均勻電場。但現(xiàn)存在的問題是1) VHF-PECVD反應(yīng)室電極設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)復(fù)雜；2)仍需要繼續(xù)改進(jìn)的理由是生產(chǎn)中經(jīng)常對(duì)反應(yīng)室及 電極不斷的清洗、裝卸都會(huì)造成異形電極變形；3)現(xiàn)有專利中的多點(diǎn)饋入結(jié)構(gòu)接觸面積較 小，要求各個(gè)饋入點(diǎn)路徑對(duì)稱，饋入點(diǎn)之間的連接導(dǎo)體與陰極板之間不能有接觸，準(zhǔn)確的說 連接導(dǎo)體需要與陰極板之間隔離屏蔽才能實(shí)現(xiàn)有效放電。這些結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際要求比較苛 刻，決定放電均勻程度的因素太多，而且不能滿足生產(chǎn)中拆洗等實(shí)際需求。因此在行業(yè)設(shè)備 中，單點(diǎn)饋入為主流結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，但是由于駐波和趨膚效應(yīng)，單點(diǎn)饋入結(jié)構(gòu)不能滿足饋入高頻 頻率提升的要求。為此，需要對(duì)現(xiàn)有沉積夾具和電極朝實(shí)用性方面作進(jìn)一步開發(fā)和改進(jìn)，面
4對(duì)當(dāng)前市場需求，使質(zhì)量提高，成本降低。同時(shí)，對(duì)于處理或沉積多片玻璃的CVD沉積盒體 系，也是一個(gè)發(fā)展趨勢。因此，對(duì)于能滿足大批量生產(chǎn)，采用有效甚高頻饋入模式的工業(yè)化 產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計(jì)，對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要的實(shí)際意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的旨在解決甚高頻電源驅(qū)動(dòng)的放電不均勻性問題，而提供一種可獲得均 勻電場的大面積VHF-PECVD沉積室使用一種全新概念設(shè)計(jì)的電極板組件構(gòu)成的電極陣列， 以適用于產(chǎn)業(yè)化的大面積VHF-PECVD電極板多片陣列。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)以上任務(wù)提出沉積盒的技術(shù)解決方案包括電極板組件、信號(hào)饋入 組件和腔室，其特征在于還包括陰極板屏蔽罩，所說的腔室是一個(gè)帶滾輪的活動(dòng)式腔室，該 腔室內(nèi)安裝由電極板構(gòu)成的電極陣列，饋入口位于電極板的陰極板背面中心區(qū)域內(nèi)的下凹 的圓形或半圓形面內(nèi)，在其圓形或半圓形的饋入口內(nèi)面接觸連接信號(hào)饋入組件接射頻/甚 高頻功率電源信號(hào)的負(fù)極，以面接觸連接饋入信號(hào)組件的半圓形或圓形端面，陰極板的屏 蔽罩上開有通孔，陰極板與屏蔽罩之間絕緣，所說的電極陣列至少一組陰極板和一塊陽極 板；解決方案所述沉積盒所說的一組陰極板和一塊陽極板，是指由陽極板的兩個(gè)面分 別朝向?qū)ΨQ放置的陰極板的有效放電工作面。陰極板是單面放電，陰極板的屏蔽罩包括陶 瓷絕緣層、屏蔽層，屏蔽罩覆蓋整個(gè)陰極板背面和側(cè)面。所說的電極由多套帶屏蔽罩的陰極板與多套接地的陽極板，構(gòu)成一定間距放電的 電極陣列。屏蔽罩，還包括射頻/甚高頻功率電源信號(hào)饋入至陰極板背面的中心位置及四周 側(cè)面的屏蔽。信號(hào)饋入組件包括銅質(zhì)饋入芯體和絕緣層和外表屏蔽層。所說信號(hào)饋入組件由腰部和頭部構(gòu)成，外形呈Z字形，腰部有耐高溫陶瓷絕緣層， 金屬饋入芯是射頻/甚高頻饋線構(gòu)成的導(dǎo)電體，其導(dǎo)電體的另一端接射頻/甚高頻功率電 源信號(hào)的陰極輸出口和功率電源匹配器。本發(fā)明的解決方案在于方法，一種由電極板組件、饋入組件和腔室構(gòu)成的信號(hào)饋 入模式，其特征在于活動(dòng)式滾輪腔室內(nèi)安裝由電極板構(gòu)成的電極陣列，電極陣列至少一組 陰極板和一塊陽極板，饋入口位于電極板的陰極板背面中心區(qū)域內(nèi)的下凹的圓形或半圓形 面內(nèi)，在其圓形或半圓形面內(nèi)面接觸連接饋入組件；電極板的信號(hào)以面饋入方式饋入，饋入 組件的一端半圓形面接觸連接陰極板的圓形或半圓形面饋入口，饋入射頻/甚高頻功率電 源信號(hào)。方案由多套饋入組件和電極板組件以面饋入方式將射頻/甚高頻功率電源信號(hào) 饋入到電極板饋入口，形成具有一定放電間距的電極陣列。所說的饋入組件是一個(gè)呈Z字形的金屬帶，腰部有耐高溫陶瓷絕緣層，金屬饋入 芯是射頻/甚高頻饋線構(gòu)成導(dǎo)電體。饋入組件的導(dǎo)電體另一端接射頻/甚高頻功率電源信號(hào)在內(nèi)的陰極輸出口和功 率電源匹配器。本發(fā)明沉積盒所產(chǎn)生的積極有益效果，區(qū)別于插槽式陰極板側(cè)面饋入方式，在沉 積盒內(nèi)能夠獲得更高均勻度和更大放電面積的穩(wěn)定放電，接入電容小，實(shí)際放電功率大，電極板陣列之間射頻干擾小。也區(qū)別于單室沉積系統(tǒng)的陰極板中心點(diǎn)式饋入，接入電容小、駐 波和趨膚效應(yīng)小，可集成陣列式多室沉積，極大提高生產(chǎn)效率。因此，通過優(yōu)化甚高頻電源 饋入形式、電極板的結(jié)構(gòu)，解決射頻/甚高頻大面積放電均勻性問題，也是晶化硅基薄膜高 速高效制備技術(shù)的前提。本發(fā)明適用于任何功率、27. 12MHz 200MHz區(qū)間任何法定頻率的 甚高頻電源的大面積均勻放電。這種結(jié)構(gòu)能夠適用于多片沉積系統(tǒng)，大大提高產(chǎn)率和降低 了電池成本。該發(fā)明突破常規(guī)電極設(shè)計(jì)技術(shù)的限制，有效的消除了甚高頻引發(fā)的駐波和趨 膚效應(yīng)，達(dá)到適用于均勻放電的工業(yè)化應(yīng)用水平。

圖1、是本發(fā)明沉積盒剖視圖。圖2、是本發(fā)明沉積盒腔室示意圖。圖3、圖1中信號(hào)饋入組件201結(jié)構(gòu)示意圖。圖4、是本發(fā)明圖1中陰極板203結(jié)構(gòu)示意圖。圖5、是圖1中陰極板屏蔽罩204結(jié)構(gòu)示意圖。圖6、是本發(fā)明實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖。圖7、是本發(fā)明實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖。圖8、是本發(fā)明實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示意圖。圖1-8中，沉積盒02由信號(hào)饋入組件201，絕緣屏蔽層202，陰極板203，陰極板 屏蔽罩204，基片206，絕緣條207，陽極板208，接地金屬導(dǎo)槽209，下后門板211，上后門板 212，氣體腔214，前門板215，側(cè)框架216，車輪218，氣體管道220，下底板221等構(gòu)成在真空 室01氣相沉積沉積。真空室01內(nèi)有氣體系統(tǒng)接入口 101，電源系統(tǒng)接入口 102，真空室活 動(dòng)門103，軌道104，真空系統(tǒng)接入口 105。本發(fā)明的沉積盒以面饋入方式實(shí)現(xiàn)了以上提出的發(fā)明任務(wù)?？朔爽F(xiàn)有多點(diǎn)饋入 對(duì)晶化硅基薄膜VHF-PECVD沉積技術(shù)難以克服的諸多問題，如反應(yīng)室電極結(jié)構(gòu)復(fù)雜；電極 易變形、接觸面積較??；各饋入點(diǎn)之間路徑距離要求完全對(duì)稱以及完全屏蔽等。而本發(fā)明的 面饋入沉積盒設(shè)計(jì)不存在這些問題，能獲取均勻電場大面積腔室放電等問題，尤其高效利 用陽極板雙工作面，同時(shí)，對(duì)于處理或沉積多片玻璃的CVD沉積盒體系，采用有效甚高頻面 饋入模式，取得了工業(yè)化生產(chǎn)可操作工藝，能夠滿足硅基薄膜太陽能電池大批量生產(chǎn)的需 要。本發(fā)明貢獻(xiàn)還在于基本解決了甚高頻電源驅(qū)動(dòng)的高速沉積膜層的均勻性和一致 性問題。沉積盒02放置在真空室01內(nèi)，沉積盒02包括電極板、信號(hào)饋入組件、腔室和陰極 板屏蔽罩204。平行電極板的陰極板203和陽極板208，饋入口 203-1是圓形，信號(hào)饋入組 件201呈階梯狀包括腰部和一端面201-1是半圓形與饋入口 203-1位于具有屏蔽罩204的 陰極板203中間區(qū)域下凹的圓面對(duì)應(yīng)，其腰部扁平便于安裝，信號(hào)饋入損耗少，另一個(gè)頭是 201-3連接射頻/甚高頻功率電源負(fù)極和功率電源匹配器(未畫出)，呈階梯狀，其一端面 呈半圓形與電極板面接觸連接的饋入口構(gòu)成電極板組件在接地裝置的沉積盒內(nèi)，均具有絕 緣屏蔽保護(hù)裝置(未畫出)。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 電極板為立式，陰極板饋入口為圓形，信號(hào)饋入組件腰部扁平，饋入面為半圓形。
結(jié)合圖1-6說明本實(shí)施例工作原理。沉積盒02中，兩個(gè)陰極板203共用一個(gè)陽 極板208。氣相沉積系統(tǒng)主要由氣相沉積室、氣體系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控 制系統(tǒng)等組成，氣體系統(tǒng)主要是提供氣相沉積的各種所需氣體和氣體管路，電源系統(tǒng)主要 是提供沉積時(shí)所需要的電離成等離子體狀態(tài)的高頻或甚高頻電源，真空系統(tǒng)主要是提供沉 積時(shí)抽取真空狀態(tài)用設(shè)備及管路，加熱系統(tǒng)主要是給氣相沉積室加熱，控制系統(tǒng)主要是對(duì) 沉積過程及參數(shù)進(jìn)行控制，而氣相沉積室是實(shí)現(xiàn)將氣體沉積在基片206上并完成鍍膜的裝 置。氣體沉積室主要由真空室01、帶滾動(dòng)輪218的沉積盒02接地。真空室01用來實(shí)現(xiàn)真 空狀態(tài)，沉積盒02用來實(shí)現(xiàn)等離子放電，將P-I-N膜層沉積在基片206上。沉積盒02包括 陰極板203、陰極板屏蔽罩204、絕緣條207、陽極板208、信號(hào)饋入組件201、屏蔽層202、下 底板221、氣體腔214、接地金屬導(dǎo)槽209、前門板215、上后門板212、下后門板211、側(cè)框架 216、車輪218、組成。側(cè)框架216由不銹鋼方通焊接成四邊形框架，在框架上固定有矩形掛 耳216-4，將氣體腔214與下底板221連接在側(cè)框架216上下兩邊成一整體，在氣體腔214 與下底板221相對(duì)面上相對(duì)應(yīng)位置上連接有接地金屬導(dǎo)槽209，用來固定陽極板208和陰極 板203、陰極板屏蔽罩204，陽極板208直接插入金屬導(dǎo)槽209內(nèi)并與槽接觸，使陰極板屏蔽 罩204與金屬導(dǎo)槽209接觸，陰極板203與陰極板屏蔽罩204之間加裝絕緣條207使其不 能接觸。陽極板208和陰極板屏蔽罩204通過與金屬導(dǎo)槽209接觸再與下底板221接觸實(shí) 現(xiàn)接地。在陰極板203背部中心區(qū)域有下凹的圓形饋入口 203-1，信號(hào)饋入組件201腰部 和頭部構(gòu)成外形呈Z字形狀，其頭部半圓形端面與陰極板背部中心區(qū)域下凹的圓形饋入口 203-1面接觸連接饋入射頻/甚高頻電源信號(hào)至陰極板。在陰極板屏蔽罩204中間相應(yīng)饋 入口 203-1位置開有孔204-1，使得電源饋入組件201從陰極板203引出時(shí)不與陰極板屏蔽 罩204接觸，電源饋入組件201另一端通過孔201-3與電源接頭205相連接，腰部有耐高溫 陶瓷絕緣層202，以防與陰極板屏蔽罩204接觸，信號(hào)饋入組件201為導(dǎo)電性良好的銅，前門 板215在將基片206裝入沉積盒02內(nèi)后，將其上邊的掛鉤215-2掛在側(cè)框架216上的掛耳 216-1上，下邊插入Z形插片216-2內(nèi)，使得沉積盒02內(nèi)部形成一個(gè)較為密閉的空間。將沉 積盒02沿軌道104推入真空室01內(nèi)，使沉積盒02上固定的氣體管道220上入口與真空室 01上的氣體系統(tǒng)接入口 101伸入真空室01內(nèi)部的管口對(duì)接，關(guān)好真空室01上的真空室活 動(dòng)門103，通過真空系統(tǒng)先抽真空到理想狀態(tài)，再進(jìn)行通氣沉積工藝，完成氣相沉積鍍膜。實(shí)施例2 電極板為立式，陰極板饋入口為圓形，信號(hào)饋入組件腰部扁平，饋入面為半圓形， 陰極板與屏蔽罩絕緣，陰極板屏蔽罩上開有通孔。圖7使用沉積盒同實(shí)施例1?？赏瑫r(shí)鍍膜8片基片206。2個(gè)陰極板203共用1個(gè) 陽極板208，由2個(gè)陽極板208與4個(gè)陰極板203組成4對(duì)電極，可同時(shí)鍍膜8片基片206。 具體步驟如下a)將8塊帶有600nm厚透明導(dǎo)電膜的玻璃基片206 (1640mmX 707mmX 3mm)放置于 沉積盒02中的基片位置，膜面朝外，玻璃面朝電極板。b)打開真空室活動(dòng)門103，將沉積盒02沿軌道104推入真空室01內(nèi)，關(guān)好真空室 01的真空室活動(dòng)門103。c)真空抽到5. OX ICT4Pa之后，通入氬氣，當(dāng)腔內(nèi)壓力達(dá)到60Pa時(shí)，打開40. 68MHz 甚高頻電源，以400W功率放電清洗腔室2分鐘，關(guān)閉電源。
d)之后抽高真空至5. OX 10_4Pa左右，用氬氣清洗兩次。e)按照5slpm通入混和氣(硅烷加氫氣)，當(dāng)腔內(nèi)氣壓達(dá)到60Pa，打開40. 68MHz 甚高頻電源，以400W功率放電，沉積微晶硅本征層40分鐘。f)關(guān)閉電源，抽高真空。g)充入氮?dú)庵链髿鈮?，打開真空室活動(dòng)門103，推出沉積盒02，在室溫中冷卻TCO 玻璃。采用這種饋入形式，可以實(shí)現(xiàn)40. 68MHz甚高頻電源的均勻電場，在 1640mmX 707mm(長X寬)的TCO玻璃上能夠沉積膜厚不均勻度為5%左右的微晶硅薄膜， 微晶度可調(diào)。實(shí)施例3:電極板為立式，陰極板饋入口為圓形，信號(hào)饋入組件腰部扁平，饋入面為半圓形， 陰極板與屏蔽罩絕緣，陰極板屏蔽罩上開有通孔。圖8使用沉積盒同實(shí)施例1。可同時(shí)鍍膜24片基片206。2個(gè)陰極板203共用1 個(gè)陽極板208，由6個(gè)陽極板208與12個(gè)陰極板203組成12對(duì)電極，可同時(shí)鍍膜24片基片 206。具體步驟如下a)將24塊帶有600nm厚透明導(dǎo)電膜的玻璃基片206 (1640mmX 707mmX 3mm)放置 于沉積盒02中的基片位置，膜面朝外，玻璃面朝電極板。b)打開真空室活動(dòng)門103，將沉積盒02沿軌道104推入真空室01內(nèi)，關(guān)好真空室 01的真空室活動(dòng)門103。c)真空抽到5. OX ICT4Pa之后，通入氬氣，當(dāng)腔內(nèi)壓力達(dá)到60Pa時(shí)，打開40. 68MHz 甚高頻電源，以400W功率放電清洗腔室2分鐘，關(guān)閉電源。d)之后抽高真空至5. OX 10_4Pa左右，用氬氣清洗兩次。e)按照5slpm通入混和氣(硅烷加氫氣)，當(dāng)腔內(nèi)氣壓達(dá)到60Pa，打開40. 68MHz 甚高頻電源，以400W功率放電，沉積微晶硅本征層40分鐘。f)關(guān)閉電源，抽高真空。g)充入氮?dú)庵链髿鈮?，打開真空室活動(dòng)門103，推出沉積盒02，在室溫中冷卻TCO 玻璃。采用這種饋入形式，可以實(shí)現(xiàn)40. 68MHz甚高頻電源的均勻電場，在 1640mmX707mm(長X寬)的TCO玻璃上能夠沉積膜厚不均勻度為4. 8%左右的微晶硅薄膜。以上結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作了詳細(xì)說明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施 例，尤其是饋入組件及陰極板的形狀，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以 在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作出各種變化。
權(quán)利要求
一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，包括電極板組件、信號(hào)饋入組件和腔室，其特征在于還包括陰極板屏蔽罩，所說的腔室是一個(gè)帶滾輪的活動(dòng)式腔室，該腔室內(nèi)安裝由電極板構(gòu)成的電極陣列，饋入口位于電極板組件的陰極板背面中心區(qū)域內(nèi)下凹的圓形或半圓形面內(nèi)，在其圓形或半圓形的饋入口內(nèi)面接觸連接的信號(hào)饋入組件接射頻/甚高頻功率電源信號(hào)的負(fù)極，所說的信號(hào)饋入組件其端面是半圓形或圓形；所說的陰極板的屏蔽罩上開有通孔，陰極板與屏蔽罩之間絕緣；所說的電極陣列至少一組陰極板和一塊陽極板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，其特征在于所說的一組 陰極板和一塊陽極板，由陽極板的兩個(gè)面分別朝向?qū)ΨQ放置的陰極板的有效放電工作面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，其特征在于所說的信號(hào) 饋入組件包括銅質(zhì)饋入芯體和絕緣層和外表屏蔽層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，其特征在于所說的陰極 板是單面放電，陰極板的屏蔽罩包括陶瓷絕緣層、屏蔽層，屏蔽罩覆蓋整個(gè)陰極板背面和側(cè)
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，其特征在 于所說的電極是由多套帶屏蔽罩的陰極板與多套接地的陽極板，構(gòu)成一定間距放電的電極 陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，其特征在于所說的陰極 板屏蔽罩，還包括射頻/甚高頻電源功率信號(hào)饋入至陰極板背面的中心位置及四周側(cè)面的 屏蔽。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，其特征在于所說的信號(hào) 饋入組件由腰部和頭部構(gòu)成外形呈Z字形狀，腰部有陶瓷絕緣層，金屬饋入芯是射頻/甚高 頻饋線構(gòu)成導(dǎo)電體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒，其特征在于所說的信號(hào) 饋入組件的另一端接射頻/甚高頻功率電源信號(hào)的陰極輸出口和功率電源匹配器。
9.一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒的信號(hào)饋入方法，由電極板組件、饋入組件在腔 室的信號(hào)饋入模式，其特征在于帶有活動(dòng)式滾輪的腔室內(nèi)安裝由電極板組件構(gòu)成的電極陣 列，電極陣列至少一組陰極板和一塊陽極板；饋入口位于電極板的陰極板背面中心區(qū)域內(nèi)的下凹的圓形或半圓形面內(nèi)，在其口內(nèi)面 接觸連接饋入組件；信號(hào)饋入模式是面饋入；饋入組件的一端半圓形或圓形面接觸連接陰極板的圓形或半圓形面饋入口；饋入射頻/甚高頻功率電源信號(hào)；電極板的陰極板屏蔽罩和陽極板接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒的信號(hào)饋入方法，其特 征在于所說電極由多套饋入組件和電極板組件以面饋入方式將射頻/甚高頻功率電源信 號(hào)饋入到電極板饋入口，形成具有一定放電間距的電極陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒的信號(hào)饋入方法，其特 征在于所說的Z字形饋入組件腰部有陶瓷絕緣層，金屬饋入芯是射頻/甚高頻饋線構(gòu)成導(dǎo) 電體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種硅基薄膜太陽能電池的沉積盒的信號(hào)饋入方法，其特 征在于所說的饋入組件的導(dǎo)電體另一端接射頻/甚高頻功率電源信號(hào)的陰極輸出口和功 率電源匹配器。
全文摘要
本發(fā)明公開一種活動(dòng)式硅基薄膜太陽能電池沉積盒，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。沉積盒主要技術(shù)特點(diǎn)電極陣列至少一組陰極板和一塊陽極板安裝在活動(dòng)腔室內(nèi)。由腰部呈扁平狀的信號(hào)饋入組件一圓形端面接觸信號(hào)饋入口，位于陰極板背平面中心區(qū)域內(nèi)下凹圓形面內(nèi)，饋入射頻/甚高頻功率電源信號(hào)，陽極板接地。陰極板屏蔽罩有通孔，陰極板與屏蔽罩之間絕緣。效果在于以電極板中心面饋入，克服了一點(diǎn)或多點(diǎn)饋入因饋線距離造成的損耗。以射頻/甚高頻功率電源驅(qū)動(dòng)可獲得均勻電場大面積穩(wěn)定放電，有效的消除駐波和趨膚效應(yīng)，使產(chǎn)率提高，成本降低。
文檔編號(hào)C23C16/509GK101880868SQ201010198688
公開日2010年11月10日 申請(qǐng)日期2010年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月11日
發(fā)明者李毅 申請(qǐng)人:深圳市創(chuàng)益科技發(fā)展有限公司