專利名稱：用于cmp后清洗的配方和方法
用于CMP后清洗的配方和方法相關(guān)專利申請的交叉引用本專利申請要求于2009年7月7日提交的美國臨時專利申請序號61/223，526的 優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)：
在涉及制備半導(dǎo)體裝置的步驟中，在多個步驟中需要清洗以去除有機(jī)/無機(jī)殘 渣。半導(dǎo)體制造工藝中所需的提高殘渣去除的清洗包括CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)后清洗、光 致抗蝕劑灰分殘渣去除、光致抗蝕劑去除、后段封裝(例如探測前(pre-probe)晶片清洗、 切割、研磨等)中的多種應(yīng)用。用于改善清洗的特別需要存在于銅互聯(lián)的CMP后清洗中。半導(dǎo)體晶片包含銅互 聯(lián)，它將晶片上的有源裝置相互連接形成功能芯片。所述銅互聯(lián)由在電介質(zhì)中首先形成溝 槽形成。薄的金屬阻擋層通常沉積在電介質(zhì)層上以阻止銅擴(kuò)散到電介質(zhì)中。接著是銅沉積 到溝槽中。在銅沉積之后，使用一種稱作化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的方法對該晶片進(jìn)行拋光。該 方法導(dǎo)致過量的銅沉積物去除并將用于隨后光刻法步驟的表面平面化。在CMP步驟之后， 所述晶片表面包含大量缺陷，如果不從表面將其清洗掉，將導(dǎo)致有缺陷的芯片最終產(chǎn)品。 CMP方法之后的典型缺陷是由于所述晶片表面與CMP漿液相互作用以及表面上不需要的金 屬的含量升高導(dǎo)致的表面上的無機(jī)顆粒、有機(jī)殘渣、化學(xué)殘渣、反應(yīng)產(chǎn)物。在拋光步驟之后， 將該晶片進(jìn)行清洗，最常使用刷子刷洗法。在該方法中，在晶片上施予清洗化學(xué)品以清洗該 晶片。在進(jìn)行干燥處理之前，該晶片之后還用去離子(DI)水進(jìn)行沖洗。本申請的領(lǐng)域中的專利通常包括JP 11-181494、US6, 440，856、US7497966 B2、US7427362 B2、US7163644 B2、 PCT/US2007/061588、US 7396806、US 6730644、US7084097、US 2003/0129078 和 US 2005/0067164。現(xiàn)有技術(shù)均沒有能夠預(yù)料使用本發(fā)明的特定聚合物和堿在本發(fā)明中顯示的殘渣 去除能力方面的改善。發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的配方對于去除上述CMP拋光方法留下的殘渣非常有 效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種清洗去除半導(dǎo)體制備工藝中的殘渣的方法，包括將待清 洗的表面與水性配方接觸，該水性配方含有選自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸鹽 (acrylamido-methyl-propane sulfonate)的共聚物、丙烯酸_2_丙烯酰胺基-2-甲基丙烷 磺酸共聚物及其混合物的聚合物，表面活性劑以及選自具有超過4個碳原子的氫氧化烷基 季銨和當(dāng)該表面活性劑為非炔屬(non-acetylenic)表面活性劑時的氫氧化膽堿的氫氧化 季銨。本發(fā)明也涉及一種水性配方，其包括(a)聚合物，其選自丙烯酰胺基_甲基-丙烷磺酸鹽的共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰
5胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；(b)氫氧化季銨，其選自具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨和沒有炔屬表面 活性劑時的氫氧化膽堿，能夠清洗在選自CMP后清洗、光致抗蝕劑灰分殘渣去除、光致抗蝕劑去除、后段封 裝、探測前晶片清洗、切割和研磨及光電基片清洗步驟之后的半導(dǎo)體基片。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種CMP后清洗配方，其包括(a)草酸；(b)仲烷磺酸表面活性劑；(c)基于炔屬的表面活性劑；(d)具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨，以提供1. 5 4的pH ；(e)丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物或其混合物；以及，(f)水。在替代的實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種CMP后清洗配方，其包括(a)乙二胺四乙酸(EDTA)；(b)仲烷磺酸表面活性劑；(c)仲醇乙氧基化物表面活性劑；(d)具有超過4個碳原子的氫氧化季銨，以提供7 12的pH ；(e)丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物或其混合物；以及，(f)水。在進(jìn)一步替代的實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種CMP后清洗配方，其包括(a)乙二胺四乙酸；(b)仲烷磺酸表面活性劑；(c)基于非炔屬的表面活性劑；(d)氫氧化膽堿；(e)聚合物，其選自丙烯酰胺基_甲基-丙烷磺酸鹽的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰 胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；以及(f) /K。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及在清洗配方中包含含有磺酸基和丙烯酸基的共聚物的聚合物與最小 分子大小的堿組合使用的用途。更具體地，這些共聚物通過作為一種單體的2-丙烯酰胺 基-2-甲基丙烷磺酸單體與作為另一單體的丙烯酸的聚合形成。這些類型的聚合物經(jīng)常稱 作AA-AMPS聚合物(丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物)。丙烯酸也可以用 包括甲基丙烯酸、馬來酸、苯乙烯、衣康酸、丙烯腈、乙酸乙烯基酯、N-乙烯基吡咯酮等的其 它單體替換。所述聚合物向具有適當(dāng)堿的CMP后配方中的添加導(dǎo)致清洗性能極大改善。清 洗改善的機(jī)制仍在研究中。一種可能的機(jī)制可能是表面上的物理吸附，這將阻止去除的顆 粒和其它殘渣的再沉積。另一種可能的機(jī)制是對于殘渣(有機(jī)物)強(qiáng)的親和力，由此增加 清洗過程中去除(lift-off)的驅(qū)動力。優(yōu)選的聚合物為2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸_丙烯酸共聚物。此共聚物
6可以以 Thermphos USA Corp.，Anniston, Alabama* (AA-AMPS*)提供的商品名 Dequest P9030 (CAS =40623-75-4)購得，且已發(fā)現(xiàn)對于改善清洗性能特別有效。盡管這些聚合物通 常以鹽(Na或K)獲得，用于如在電子工業(yè)中的關(guān)鍵性應(yīng)用，但它們可以經(jīng)使用適合的技術(shù) (例如離子交換)進(jìn)行純化，以去除金屬離子并用非金屬離子(例如H+)置換它們。這些類型的聚合物或其混合物可以以0. 01重量％ 10重量％的濃度添加到所述 清洗配方中。優(yōu)選的濃度范圍為0.1重量％ 5重量％。所述配方可以在使用時通過添加 溶劑(例如水)以1 10000的倍數(shù)進(jìn)行稀釋?；蛘撸雠浞娇梢砸韵♂尩男问教峁┯?于直接使用，而無需在使用時稀釋。含有這些聚合物的化學(xué)品可以用于多種需要從表面去除殘渣的清洗應(yīng)用中。這些 殘渣的性質(zhì)可以是無機(jī)的或有機(jī)的。在其中含有這些聚合物的配方可能有效的方法的例子 包括CMP后清洗，光致抗蝕劑灰分殘渣去除，光致抗蝕劑去除以及后段封裝(例如探測前 晶片清洗、切割、研磨等)中的多種應(yīng)用以及用于光電應(yīng)用的基片的清洗。堿提高PH:所述 清洗溶液的PH可以為0. 25 13。本發(fā)明的重要方面是上述聚合物與特定分子大小的堿的組合以及與該配方的其 它組分的相容性。所述堿調(diào)節(jié)PH到所需水平。當(dāng)具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨 與上述的聚合物組合使用時，本發(fā)明顯示出意料不到的改善效果。具有超過4個碳原子的 季銨堿的例子包括氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化三甲基乙基銨和氫 氧化二甲基二乙基銨。對于本發(fā)明的目的，術(shù)語氫氧化烷基季銨指所有鍵合到氫氧化銨的 基團(tuán)為烷基或氫。這排除醇類和其它非烷基或氫的基團(tuán)。優(yōu)選地，所述堿以足量添加以調(diào) 節(jié)pH在0. 25 13。也可以以氫氧化膽堿的形式使用堿，只要使用非炔屬醇表面活性劑。發(fā)現(xiàn)氫氧化 膽堿在本發(fā)明的配方中與炔屬二醇表面活性劑不相容。此不相容性在下面的實(shí)施例6中進(jìn) 行評價。當(dāng)沒有炔屬二醇表面活性劑而使用氫氧化膽堿時，該氫氧化膽堿是可以接受的。對于CMP后清洗配方，可以存在提升清洗性能的輔助組分。通常類型的添加劑包 括以下。有機(jī)酸或其混合物有機(jī)酸可以從寬范圍的酸中選擇，包括但不限于草酸、檸檬 酸、馬來酸、蘋果酸、丙二酸、葡萄糖酸、戊二酸、抗壞血酸、甲酸、乙酸、乙二胺四乙酸、二亞 乙基三胺五乙酸、甘氨酸、丙氨酸、胱氨酸等。也可以使用這些酸的鹽。同樣可以使用酸/ 鹽的混合物。有機(jī)酸起到改善痕量金屬去除、去除有機(jī)殘渣、PH調(diào)節(jié)或降低金屬腐蝕的作 用。酸性PH中優(yōu)選的有機(jī)酸為草酸。堿性pH中優(yōu)選的有機(jī)酸為乙二胺四乙酸。所述清洗 化學(xué)品可以包含Ippm 30重量％的酸/鹽。優(yōu)選酸的濃度為IOppm 5重量％的范圍。表面活性劑在清洗化學(xué)品中使用表面活性劑以改善待清洗的表面的潤濕并幫助 從該表面去除殘渣，而不會在表面上再沉積。表面活性劑也可以減少表面上的水印，其是干 燥過程中形成的缺陷并接著需要清除?？梢允褂萌魏晤愋偷谋砻婊钚詣庪x子型的/陽 離子型的/非離子型的/兩性離子型的或其組合。此表面活性劑的選擇可以取決于多種標(biāo) 準(zhǔn)，包括潤濕性、起泡性、去垢性、可清洗能力等。也可以使用表面活性劑的組合，其中一種 表面活性劑用于增溶較低溶解性的疏水性表面活性劑分子。在這些實(shí)施方式中，表面活性劑的濃度可以是Ippb IOOOOppm或者優(yōu)選為 Ippm 5000ppm。表面活性劑的例子包括硅酮表面活性劑、聚(環(huán)氧烷)表面活性劑和含
7氟化合物表面活性劑。用于工藝組合物中的適合的非離子型表面活性劑包括但不限于辛 基和壬基酚乙氧基化物，例如TRITON X-114、X-102、X-45、X-15，以及醇乙氧基化物， 例如BRIJ 56 (C16H33 (OCH2CH2) 10OH) (ICI)、BRIJ 58 (C16H33 (OCH2CH2) 20OH) (ICI)。陰離子 型表面活性劑可以包括直鏈烷基苯磺酸鹽(LAS)、仲烷基苯磺酸鹽、脂肪醇硫酸鹽(FAS)、 仲烷磺酸鹽(SAS)，以及某些情況下也包括脂肪醇醚硫酸鹽(FAES)。更進(jìn)一步示例性的表 面活性劑包括炔二醇型表面活性劑、醇(伯醇或仲醇)乙氧基化物、胺乙氧基化物、葡萄 糖苷、葡萄糖酰胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)，或者參考文獻(xiàn)Manufacturers Confectioners Publishing Co. ofGlen Rock,N. J出版的McCutcheon's Emulsifiers and Detergents, NorthAmerican Edition for the Year 2000 中提到的其它表面活性劑。所 述表面活性劑可以Ippm 10重量％的濃度使用。任選的螯合劑由于螯合劑相對于另一種金屬離子可以更好地選擇一種金屬離 子，因此多種螯合劑或其鹽可用于本文描述的組合物中。據(jù)信這些螯合劑可以結(jié)合基片表 面上的金屬離子污染物并將它們?nèi)芙獾皆摻M合物中。進(jìn)一步地，在某些實(shí)施方式中，所述 螯合劑應(yīng)當(dāng)能夠?qū)⑦@些金屬離子保留在組合物中并阻止該離子再次沉積在基片的表面上。 適合的可以使用的螯合劑的例子包括但不限于乙二胺四乙酸(EDTA)、N-羥乙基乙二胺三 乙酸(NHEDTA)、次氮基三乙酸(NTA)、二亞乙基三胺五乙酸(DPTA)、乙醇二氨基乙酸酯、檸 檬酸、葡萄糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二膦酸、氨基三亞甲基膦酸、亞乙基二膦酸、1-羥 基亞乙基-1，1- 二膦酸、1-羥基亞丙基-1，1- 二膦酸、乙基氨基二亞甲基膦酸、十二烷基 氨基二亞甲基膦酸、次氮基三亞甲基膦酸、亞乙基二胺二亞甲基膦酸、亞乙基二胺四亞甲基 膦酸、己二胺四亞甲基膦酸、二亞乙基三胺五亞甲基膦酸和1，2_丙烷二胺四亞甲基膦酸或 銨鹽、有機(jī)胺鹽、丙二酸、琥珀酸、二巰基琥珀酸、戊二酸、馬來酸、苯二甲酸、富馬酸、聚羧酸 (例如丙三羧酸(tricarbaryl acid)、丙-1，1，2，3-四羧酸、丁 _1，2，3，4-四羧酸、1，2，4， 5_苯四酸)、羥基羧酸(例如羥基乙酸、β-羥基丙酸、檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、丙酮酸、二 甘醇酸、水楊酸、沒食子酸)、多酚類(例如兒茶酚、連苯三酚)、磷酸類(例如焦磷酸、聚磷 酸)、雜環(huán)化合物(例如8-羥基喹啉)以及二酮類(例如α -聯(lián)吡啶乙酰丙酮)。任選的分散劑和聚合物。任選的有機(jī)溶劑。任選的消泡化合物。實(shí)施例1制備下面的配方表 權(quán)利要求
一種清洗去除半導(dǎo)體制備工藝中的殘渣的方法，包括將待清洗的表面與水性配方接觸，所述水性配方含有選自丙烯酰胺基 甲基 丙烷磺酸鹽的聚合物、丙烯酸 2 丙烯酰胺基 2 甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物的聚合物，以及選自具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨和當(dāng)表面活性劑為非炔屬表面活性劑時的氫氧化膽堿的氫氧化季銨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體制備工藝選自CMP后清洗、光致抗蝕 劑灰分殘渣去除、光致抗蝕劑去除、后段封裝、探測前晶片清洗、切割和 研磨及光電基片清 洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面包括電介質(zhì)基片上的銅圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述聚合物以Ippb 10重量％、優(yōu)選0.Ippm 5重量％的濃度存在。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括有機(jī)酸，優(yōu)選選自草酸、檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、 丙二酸、葡萄糖酸、戊二酸、抗壞血酸、甲酸、乙酸、乙二胺四乙 酸、二亞乙基三胺五乙酸、甘 氨酸、丙氨酸、胱氨酸、這些酸的鹽及其混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨具有少 于16個碳原子，優(yōu)選選自氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化二甲基二乙 基銨、氫氧化三甲基乙基銨及其混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括表面活性劑，其中，所述表面活性劑選自炔屬二醇 表面活性劑、硅酮表面活性劑、聚(環(huán)氧烷)表面活性劑、含氟化合物表面活性劑、辛基和壬 基酚乙氧基化物、醇乙氧基化物、(C16H33(OCH2CH2)10OH) (ICI)、(C16H33(OCH2CH2)20OH)、醇、乙氧 基化物、胺乙氧基化物、葡萄糖苷、葡萄糖酰胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)、直鏈 烷基苯磺酸鹽(LAS)、仲烷基苯磺酸鹽、脂肪醇硫酸鹽(FAS)、仲烷磺酸鹽(SAS)以及某些情 況下的脂肪醇醚硫酸鹽(FAES)及其混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括螯合劑，優(yōu)選選自乙二胺四乙酸(EDTA)、N-羥乙 基乙二胺三乙酸(NHEDTA)、次氮基三乙酸(NTA)、二亞乙基三胺五乙酸(DPTA)、乙醇二氨基 乙酸酯、檸檬酸、葡萄糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二膦酸、氨基三亞甲基膦酸、亞乙基二 膦酸、1-羥基亞乙基-1，1- 二膦酸、1-羥基亞丙基-1，1- 二膦酸、乙基氨基二亞甲基膦酸、 十二烷基氨基二亞甲基膦酸、次氮基三亞甲基膦酸、亞乙基二胺二亞甲基膦酸、亞乙基二胺 四亞甲基膦酸、己二胺四亞甲基膦酸、二亞乙基三胺五亞甲基膦酸和1，2_丙烷二胺四亞甲 基膦酸、丙二酸、琥珀酸、二巰基琥珀酸、戊二酸、馬來酸、苯二甲酸、富馬酸、聚羧酸、丙三 羧酸、丙-1，1，2，3-四羧酸、丁-1，2，3，4-四羧酸、1，2，4，5_苯四酸、羥基羧酸、羥基乙酸、 β -羥基丙酸、檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、丙酮酸、二甘醇酸、水楊酸、沒食子酸、多酚類、兒茶 酚、連苯三酚、磷酸類、焦磷酸、聚磷酸、雜環(huán)化合物、8-羥基喹啉、二酮類、α-聯(lián)吡啶乙酰 丙酮、它們的鹽及其混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括選自分散劑、有機(jī)溶劑、消泡劑及其混合物的試劑。
10.一種水性配方，包括(a)聚合物，其選自丙烯酰胺基_甲基-丙烷磺酸鹽的共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺 基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；(b)氫氧化季銨，其選自具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨和在非炔屬表面活性劑存在時的氫氧化膽堿，其中，所述水性配方能夠清洗在選自CMP后清洗、光致抗蝕劑灰分殘渣去除、光致抗蝕 劑去除、后段封裝、探測前晶片清洗、切割和研磨及光電基片清洗應(yīng)用的步驟之后的半導(dǎo)體基片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的配方，其中，所述聚合物以Ippb 10重量％、優(yōu)選 0. Ippm IOOOppm的濃度存在。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的配方，包括有機(jī)酸，優(yōu)選選自草酸、檸檬酸、馬來酸、蘋果 酸、丙二酸、葡萄糖酸、戊二酸、抗壞血酸、甲酸、乙酸、乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、 甘氨酸、丙氨酸、胱氨酸、這些酸的鹽及其混合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的配方，其中，在它們的分子結(jié)構(gòu)中具有超過4個碳原子的氫 氧化季銨在它們的分子結(jié)構(gòu)中具有少于16個碳原子，優(yōu)選選自氫氧化四乙銨、氫氧化四丙 銨、氫氧化四丁銨、氫氧化二甲基二乙基銨、氫氧化三甲基乙基銨及其混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的配方，包括表面活性劑，其中，所述表面活性劑選自炔屬二 醇表面活性劑、硅酮表面活性劑、聚(環(huán)氧烷)表面活性劑、含氟化合物表面活性劑、辛基和 壬基酚乙氧基化物、醇乙氧基化物、(C16H33(OCH2CH2)10OH) (ICI)、(C16H33(OCH2CH2)20OH)、醇、乙 氧基化物、胺乙氧基化物、葡萄糖苷、葡萄糖酰胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)、直 鏈烷基苯磺酸鹽(LAS)、仲烷基苯磺酸鹽、脂肪醇硫酸鹽(FAS)、仲烷磺酸鹽(SAS)、脂肪醇 醚硫酸鹽(FAES)及其混合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的配方，包括螯合劑，優(yōu)選選自乙二胺四乙酸(EDTA)、N-羥 乙基乙二胺三乙酸(NHEDTA)、次氮基三乙酸(NTA)、二亞乙基三胺五乙酸(DPTA)、乙醇二氨 基乙酸酯、檸檬酸、葡萄糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二膦酸、氨基三亞甲基膦酸、亞乙基 二膦酸、I"羥基亞乙基-1，1- 二膦酸、1-羥基亞丙基-1，1- 二膦酸、乙基氨基二亞甲基膦 酸、十二烷基氨基二亞甲基膦酸、次氮基三亞甲基膦酸、亞乙基二胺二亞甲基膦酸、亞乙基 二胺四亞甲基膦酸、己二胺四亞甲基膦酸、二亞乙基三胺五亞甲基膦酸和1，2_丙烷二胺四 亞甲基膦酸、丙二酸、琥珀酸、二巰基琥珀酸、戊二酸、馬來酸、苯二甲酸、富馬酸、聚羧酸、丙 三羧酸、丙-1，1，2，3-四羧酸、丁-1，2，3，4-四羧酸、1，2，4，5_苯四酸、羥基羧酸、羥基乙酸、 β-羥基丙酸、檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、丙酮酸、二甘醇酸、水楊酸、沒食子酸、多酚類、兒茶 酚、連苯三酚、磷酸類、焦磷酸、聚磷酸、雜環(huán)化合物、8-羥基喹啉、二酮類、α-聯(lián)吡啶乙酰 丙酮、它們的鹽及其混合物。
16.一種CMP后清洗配方，包括(a)草酸；(b)仲烷磺酸；(c)基于炔屬的表面活性劑；(d)具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨；(e)聚合物，其選自丙烯酰胺基_甲基-丙烷磺酸鹽的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺 基-2-甲基丙烷磺酸共聚物或其混合物；以及，(f)水。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的配方，包括1重量重量％草酸、0.1重量重量％ 仲烷磺酸鹽、0. 05重量％ -1. 5重量％基于炔屬的表面活性劑、0. 1重量％ -3重量％丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物、調(diào)節(jié)pH為1-7的具有超過4個碳原子的氫氧 化烷基季銨、余量的水。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的配方，在使用時，用水在1 O 1 10000的范圍進(jìn)行稀釋。
19.一種CMP后清洗配方，包括(a)乙二胺四乙酸；(b)仲烷磺酸表面活性劑；(c)基于非炔屬的表面活性劑；(d)氫氧化膽堿；(e)聚合物，其選自丙烯酰胺基_甲基-丙烷磺酸鹽聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺 基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物；以及(f)水。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于CMP后清洗的配方和方法。本發(fā)明涉及一種清洗去除半導(dǎo)體制備工藝中的殘渣的方法，包括將待清洗的表面與水性配方接觸，該水性配方含有選自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸鹽的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物的聚合物，以及具有超過4個碳原子的氫氧化烷基季銨或與非炔屬表面活性劑一起的氫氧化膽堿。本發(fā)明也涉及一種含有上述方法中描述的組分的CMP后清洗配方。
文檔編號C23G5/036GK101942667SQ201010224869
公開日2011年1月12日 申請日期2010年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月7日
發(fā)明者D·C·坦姆伯利, G·巴尼爾杰, K·R·法布里加斯, M·B·拉奧 申請人:氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司