專利名稱：蝕刻氣體的控制系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體蝕刻裝置中的蝕刻氣體的控制系統(tǒng)。本發(fā)明尤其涉及一 種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)，它不僅可以提高晶片表面的蝕刻率和蝕刻均勻性，還可以建立一 個調節(jié)氣體控制系統(tǒng)(如一個外加氣體控制(SGC)系統(tǒng))，由于該系統(tǒng)可以獨立控制并選擇 性地提供外加氣體和調節(jié)氣體，這些氣體能控制等離子體的均勻性或者輸配給頂部氣體注 射器和側部氣體注射器，因此該控制系統(tǒng)可以在晶片的中心和邊緣部位之間控制一個臨界 尺寸(⑶)的差異。
背景技術：
半導體集成電路(IC)器件通常能選擇性的去除某部分晶片或晶片上的薄膜，因 此能在表層形成預定形狀的超微結構，從而形成一個復雜結構的電路。同時，可以用各種制 造方法，如如漂洗工藝、深積工藝、光刻工藝、電鍍工藝、蝕刻工藝等來完成薄膜的制造。在各種方法中，蝕刻方法能夠通過氣體注射器向晶片上安裝的內室中注入一種蝕 刻氣體(如四氟化碳(CF4)，氯氣(Cl2),溴化氫(HBr)等)，然后在晶片表面發(fā)生等離子體 反應，從而去除預定的材料。該蝕刻方法是一個使用一種光刻膠作為一種掩蓋劑以光刻膠 模式，在基板上形成瞬間電路來選擇性地去除部分，而不是完全覆蓋。因此最重要的是使整個底板表面保持相同的蝕刻率，同時垂直地形成一個蝕刻剖 面形狀，從而以光刻膠中形成的光刻膠模式相同的模式來形成一種薄膜。但是化學和物理反應會使蝕刻方法中有不同的蝕刻速度，因此無法在晶片表面形 成均勻的蝕刻率或CD。為了解決這個問題，現(xiàn)有技術是在蝕刻設備的內室頂部安裝一個氣體注射器，對 蝕刻方法中的蝕刻氣體補充實現(xiàn)控制，其中蝕刻氣體是通過一個流率控制器構件來補充到 氣體注射器中，該流率控制器構件可以控制那些輸入到內室中的蝕刻氣體數(shù)量和輸配。此外，這些氣體注射器是分別安裝在內室的頂部和側部，它們選擇性地控制蝕刻 氣體的注入數(shù)量和流動，從而控制蝕刻氣體的離子密度和蝕刻氣體的密度，實現(xiàn)對晶片蝕 刻均勻性的控制。但是，傳統(tǒng)的蝕刻設備具有下述問題。首先，蝕刻設備無法在新開發(fā)的12英寸(300mm)大尺寸晶片上產(chǎn)生均勻的蝕刻率。其次，蝕刻設備不能單獨地控制一種外加氣體(如氬氣(Ar)、氦氣(He)和氙氣 (Xe)等)，這種外加氣體通常是一種能控制蝕刻氣體稀釋或殘留時間的惰性氣體。再次，由于沒有一種獨立調節(jié)氣體補充方式來瞬時地控制蝕刻氣體的離子密度或 分布，因此所述的蝕刻設備既不能完全保證蝕刻的均勻性，也不能校正晶片中心部分和邊 緣部分之間的CD差異，也不能人為地形成一種CD差異。發(fā)明概述本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方面是解決至少一個上述問題和/或缺點，提供至少一種 下述優(yōu)點。因此，本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方面是提供一種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)，它可以向一 個頂部氣體注射器和側部氣體注射品中獨立地控制并選擇性地提供一種外加氣體和調節(jié) 氣體，由于這些氣體能夠控制內室中的等離子體均勻性，因此所述的控制系統(tǒng)能控制晶片 表面的蝕刻率和蝕刻均勻性。本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方面是提供一種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)，它可以選擇性地 有差別地控制外加氣體和調節(jié)氣體注入量和輸入途徑，由于這些氣體可以控制內室中等離 子體的離子密度和輸配，因此該控制系統(tǒng)可以調節(jié)晶片表面的中心部分和邊緣部分之間產(chǎn) 生的臨界尺寸(CD)差異，也可以人為地形成的CD差異。如本發(fā)明一方面所述地公開了一種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)。所述的系統(tǒng)包括一個質 量流量控制單元、一個流率控制單元和一個調節(jié)氣體控制單元。所述的質量流量控制單元 用于控制輸入到內室中的蝕刻氣體的質量流量。所述的流率控制單元將蝕刻氣體均勻地送 給均安裝在內室中、并與質量流量控制單元相連的一個頂部氣體注射器和一個側部氣體注 射器。所述的調節(jié)氣體控制單元分別向質量流量控制單元和流率控制單元均勻地輸送并補 充一種外加氣體和調節(jié)氣體，而這些氣體用于控制內室中等離子體的離子密度和輸配。所述的流率控制單元包括一個流率控制器和一個氣體輸配管。所述的氣體輸配管 包括若干個輸出管、從輸出管一側分支出來并分別與頂部氣體注射器的中部噴嘴和側部噴 嘴相連的第一和第二補充管、從輸出管的另一側分支出來并分別與側部噴嘴和側部氣體注 射器相連的第二和第四補充管。第二和第三補充管一起與一個第五補充管連成一體后與側部噴嘴相連。質量流量控制單元中的多個輸出管和第一、第二、第三和第四補充管均安裝了開/ 關閥門。所述的調節(jié)氣體控制單元包括一個向質量流量控制單元補充一種外加氣體的外 加氣體補充器和一個向流率控制器補充一種調節(jié)氣體的調節(jié)氣體補充器。所述的調節(jié)氣體控制單元包括若干個分別補充一個或多個不同調節(jié)氣體的調節(jié) 氣體流量控制器。所述的調節(jié)氣體補充器包括一種補充等離子體活性氣體的第一調節(jié)氣體流量控 制器和一種補充某補充蝕刻氣體的第二調節(jié)氣體流量控制器。所述的外加氣體補充器通過第六補充管與質量流量控制器的輸出管相連，所述的 第一調節(jié)氣體流量控制器和第二調節(jié)氣體流量控制器通過第七補充管與氣體輸配管相連。所述的流率控制單元包括一個流率控制器和一個氣體輸配管。所述的氣體輸配管 包括若干個輸出管，多個從輸出管一側分支出并分別與頂部氣體注射器的中部噴嘴和側部 噴嘴相連的第一和第二補充管，多個從輸出管另一側分支出并分別與側部噴嘴和側部氣體 注射器相連的第二和第三補充管。所述的第二和第三補充管與第五補充管連成一體后與側 部噴嘴連接。所述的第七補充管安裝了一個分支點(D)，該分支點安裝了多根分別與第一、 第四和第五補充管相連的分支管。第一調節(jié)氣體流量控制器和第二調節(jié)氣體流量控制器的輸出管及分支管均安裝了開/關閥門。所述的第六補充管安裝了一個分支點(C)，該分支點上有一根與分支點(C)和第 七補充管均相連的連接管。分別從分支點(C)和連接管上分支出的第六補充管安裝了開/關閥門。所述的活性氣體可以是O2或N2氣體。


下面將結合附圖進一步詳細說明本發(fā)明的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點，其 中圖1設有頂部氣體注射器和側部氣體注射器的等離子體蝕刻裝置的剖視圖；圖2是本發(fā)明所述一種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)的結構示意圖；圖3是不同情況下晶片的蝕刻率表，其中包括通入氧氣(O2)、一種活性氣體或未通 入氣體，以及從另一種不同的途徑通入O2 ；圖4是不同情況下晶片的蝕刻率表，其中包括通入四氟化碳(CF4)、一種補充蝕刻 氣體或未通入氣體，以及從另一種不同的途徑通入cf4。在這些附圖中，同樣的附圖標記代表同樣的元素、特征和結構。
發(fā)明的詳細說明下面將結合附圖具體說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。為了使下述說明更簡潔，將會在 說明中省略其中公知的結構和構造。對本發(fā)明的具體描述將結合附圖完成。圖1設有頂部氣體注射器和側部氣體注射器的等離子體蝕刻裝置的剖視圖。圖2 是本發(fā)明所述一種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)的結構示意圖。如圖1所示，等離子體蝕刻裝置包括一個其中設有等離子體反應間隔的內室200， 一個安裝在內室200頂部中間的頂部氣體注射器210和一個安裝在內室200側部的側部氣 體注射器220。一個晶片300置于一個平臺230的上表面，該平臺安裝在內室200的中間。所述的頂部氣體注射器210和側部氣體注射器220向內室200中注入一種蝕刻氣體。所述的頂部氣體注射器210包括一個向下噴入蝕刻氣體的中部噴嘴和一個側向 噴入蝕刻氣體的側部噴嘴。因此，所述的頂部氣體注射器210同時向內室200的中部和側 向方向上噴入蝕刻氣體。所述的側部氣體注射器220是沿晶體300側向地注入蝕刻氣體。因此，由于同時向晶片300的上面和側向上噴入蝕刻氣體，因此等離子體狀態(tài)的 離子密度或分布就比僅安裝上部氣體注射器210的情況更均勻。如圖2所示，本發(fā)明所述的蝕刻氣體的控制系統(tǒng)包括一個質量流量控制單元10， 一個流率控制單元40和一個調節(jié)氣體控制單元70。所述的質量流量控制單元10控制向內室200補充的蝕刻氣體的質量流量，它包括 一個質量流量控制器(MFC) 11和一個輸出管12。所述的質量流量控制器11通過一根氣體輸入管15與蝕刻氣體的氣體補充裝置(圖中未顯示)相連，同時還通過輸出管12與流率控制單元40中的流率控制器(FRC) 20相 連。所以，氣體補充裝置向所述的質量流量控制器11內通入蝕刻氣體，而質量流量控制器 向流率控制器20輸入一個適宜的質量流量。所述的蝕刻氣體通?？梢允且环N如溴化氫(HBr)、氯氣(Cl2)、四氟化碳(CF4)、八 氟化四碳(C4F8)、六氟-1，3-丁二烯(C4F6)、三氟甲烷(CHF3)、二氟甲烷(CH2F2)和六氟化硫 (SF6)等等。多個質量流量控制器11可以并聯(lián)地安裝在質量流量控制單元10，它們選擇性地 提供各種不同的主蝕刻氣體。分別與質量流量控制器11相連的氣體輸入管15和輸出管12 均安裝了開/關閥門180和110，從而可以控制蝕刻氣體的補充與否。因此，所述的量流動控制單元10可以使用相應的質量流量控制器11和開/關閥 門110實現(xiàn)選擇性地向流率控制器40補充一種不同的蝕刻氣體。所述的流率控制器40包括流率控制器20和氣體輸配管30。所述的流率控制器20向安裝在內室200中的頂部氣體注射器210和側部氣體注 射器220內輸配補充一種主蝕刻氣體，并且流率控制器20還與質量流量控制單元10的輸 出管12相連。因此，所述的質量流量控制器11可以通過輸出管12向流率控制器40內通往一種 蝕刻氣體，而流率控制器40可以通過氣體輸配管30向頂部氣體注射器210和側部氣體注 射器220補充其所通入的蝕刻氣體。這時，所述的流率控制單元40差異性地控制那些分別 輸配補充到頂部氣體注射器210和側部氣體注射器220中的蝕刻氣體量。所述的氣體輸配管30包括兩根輸出管32，其中每一根都安裝在流率控制器20中， 此外所述的氣體輸配管30還包括第一、第二、第三、第四和第五補充管33、3435、36和37。所述的兩根輸出管32分別形成分支點㈧和⑶，因此它們分支出第一、第二、第 三和第四補充管33,3435和36。所述的第一補充管33與頂部氣體注射器210的中部噴嘴相連。所述的第二和第 三補充管34和35與頂部氣體注射器210的側部噴嘴相連。第四補充管36與側部氣體注 射器220相連。因此，一種蝕刻氣體流過第一補充管33，然后通過頂部氣體注射器210的中部噴 嘴向下注入到內室200的中部。頂部氣體注射器210的側部噴嘴將流過第二和第三補充管 34和35的蝕刻氣體側向地注入到內室200中。側部氣體注射器220將流過第四補充管36 的蝕刻氣體從內室200的側部注入到晶片300的中部。所述的第二和第三補充管34和35與第五補充管37連成一體后與頂部氣體注射 器210的側部噴嘴相連。第一、第二、第三和第四補充管33、3435和36中分別安裝了開/關閥門120、121、 122 和 123。因此，所述的流率控制單元40可以向頂部氣體注射器210和側部氣體注射器220 輸配并補充一種合適量的蝕刻氣體，并可以選擇性地打開開/關閥門120、121、122和123 來完成對流過第一、第二、第三和第四補充管33、3435和36的蝕刻氣體輸入途徑實現(xiàn)多種 控制。此外，所述的流率控制單元40使用流率控制器20來選擇性地控制那些補充給第一、第二、第三和第四補充管33、3435和36的蝕刻氣體量，于是就可以對那些從頂部氣體注 射器210和側部氣體注射器220的中部噴嘴和側部噴嘴中注入的蝕刻氣體量實現(xiàn)多種控 制。所述的調節(jié)氣體控制單元70與質量流量控制單元10和流率控制單元40相連，并 向質量流量控制單元10和流率控制單元40中補充一種外加氣體和調節(jié)氣體。所述的調節(jié) 氣體控制單元70包括一種外加氣體補充器(如一種外加氣體控制器(SGC)) 50和一種調節(jié) 氣體補充器60。所述的外加氣體補充器50補充一種外加氣體，該外加氣體可以控制蝕刻氣體的 稀釋或存留時間。在此，所述的外加氣體可以是一種惰性氣體，如氬氣(Ar)、氦氣(He)、氙 氣(Xe)等。所述的外加氣體補充器50可以安裝一種質量流量控制器10來控制適宜量外加氣 體的補充與否。所述的外加氣體補充器50通過第六補充管56與質量流量控制器10的輸出管12 相連。此外，第六補充管56中安裝了一個開/關閥門130來控制外加氣體的補充與否。因此，所述的外加氣體補充器50可以通過第六補充管56將一種外加氣體與一種 蝕刻氣體混合在一起，并將這種混合氣體補充給流率控制器20。所述的蝕刻氣體和外加氣 體混合后可以分別通過流率控制器20和氣體輸配管30輸配補充到頂部氣體注射器210和 側部氣體注射器220中。所述的調節(jié)氣體補充器60與氣體輸配管30相連來補充一種等離子活性氣體或補 充蝕刻氣體。所述的調節(jié)氣體補充器60包括一個第一調節(jié)氣體流量控制器(如一個SGC) 61 和一個第二調節(jié)氣體流量控制器65。但是，所述的調節(jié)氣體補充器60不僅限于所述的第一調節(jié)氣體流量控制器61和 第二調節(jié)氣體流量控制器65，它還可以包括若干個調節(jié)氣體流量控制器，這些控制器可以 分別提供不同的活性氣體或補充蝕刻氣體。所述的第一調節(jié)氣體流量控制器61通過一根輸出管62與一個第七補充管67相 連，通過第七補充管67向氣體輸配管30提供一種活性氣體(O2或N2)。此時，所述的活性氣體在氣體輸配管30中與蝕刻氣體發(fā)生混合，并補充給頂部氣 體注射器210和側部氣體注射器220中，因此將內室200中的蝕刻氣體補充激活為等離子 體，同時還控制了這些等離子體的離子密度或分布，從而提高了蝕刻率。在此，所述的第一調節(jié)氣體流量控制器61中的輸出管62安裝了一個開/關閥門 160，來控制活性氣體的補充與否。所述的第二調節(jié)氣體流量控制器65額外地補充了一種補充蝕刻氣體來提高蝕刻 率。所述的第二調節(jié)氣體流量控制器65通過一根輸出管66與第七補充管67相連，從而通 過第七補充管67與氣體輸配管30補充所述的補充蝕刻氣體。輸出管66中可以安裝一個開/關閥門170。所述的第七補充管67與流率控制單元40的氣體輸配管30相連，從而將一種活性 氣體或一種補充蝕刻氣體補充給頂部氣體注射器210或側部氣體注射器220。所述的第七 補充管67安裝了一個分支點(D)，形成了若干個分支管68。此外，分支管68還分別與所述 的氣體輸配管30的第一、第四和第五補充管33、36和37相連。
此外，多根分支管68中還分別安裝了開/關閥門140。因此，所述的第七補充管67通過分支管68，以及第一、第四和第五補充管33、36和 37向頂部氣體注射器210和側部氣體注射器220選擇性地補充一種活性氣體或補充蝕刻氣 體來作為一種調節(jié)氣體。所述的第六補充管56是設置在外加氣體補充器50中，它通過一根連接管80與第 七補充管67相連，其中所述的連接管80中安裝了開/關閥門150。因此，所述的外加氣體補充管50關閉了連接管80的開/關閥門150后，一種外加 氣體與一種蝕刻氣體進行混合并通過流率控制器20被補充?；蛘呤?，所述的外加氣體補充 器50關閉了第六補充管56開/關閥門130，打開連接管80的開/關閥門150，一種外加 氣體就與一種活性氣體或補充蝕刻氣體進行混合并通過第七補充管67補充給氣體輸配管 30。因此，本發(fā)明即可以將一種外加氣體與一種主蝕刻氣體混合，并通過流率控制器 20和氣體輸配管30將這種混合氣體補充給頂部氣體注射器210和側部氣體注射器220 ；又 可以將一種外加氣體與一種活性氣體或補充蝕刻氣體混合，并通過第七補充管67和氣體 輸配管30補充該混合氣體。此外，本發(fā)明還可以選擇性地打開或關閉分支管68的開/關 閥門140來獨立控制外加氣體和調節(jié)氣體，從而可以選擇性地向每個頂部氣體注射器210 和側部氣體注射器220補充所述的外加氣體和調節(jié)氣體。下面將結合附圖3和4說明本發(fā)明一個優(yōu)選實施例的實驗結果。圖3是不同情況下晶片的蝕刻率表(E/R)，其中包括通入氧氣(O2)、一種活性氣體 或未通入氣體，以及選擇性地從另一種不同的途徑通入O2。圖4是不同情況下的蝕刻率表， 其中包括未通入四氟化碳(CF4)以及選擇性地從另一種不同的途徑通入CF4。圖3和圖4中，縱軸代表與晶片300邊緣部分‘_147’和‘+147’之間的中點‘0’相 比，偏左或偏右的位置，而橫軸代表在晶片上處于對應于縱軸所示位置處的蝕刻率(E/R)。如圖3所示， ’代表未補充活性氣體(O2)，晶片300中部和邊緣部分的蝕刻率沒 有太大差別。與之不同的是，‘F’代表活性氣體(O2)流過第七補充管67和分支管68，然后 通過第一補充管33補充給頂部氣體注射器210的中部噴嘴，此時晶片300中部部分的蝕刻 率高于晶片300的邊緣部分。此外，如圖所示，‘G’代表第五補充管37將活性氣體(O2)補充給頂部氣體注射器 210的側部噴嘴，而‘H’代表第四補充管36將活性氣體(O2)補充給側部氣體注射器220， 此時晶片300邊緣部分的蝕刻率高于晶片300的中部部分。如圖4所示，當通入一種補充蝕刻氣體(CF4)，而不是以如圖3所示實施例一樣的 相同途徑通入活性氣體(O2)時，也會在晶片300中部部分和邊緣部分之間產(chǎn)生與如圖3中 圖表所示趨勢一樣的蝕刻率差別。即活性氣體(O2)激活了那些在內室200中處于噴嘴位置處的等離子體后，就會提 高蝕刻率。所述的補充蝕刻氣體(CF4)增加了噴嘴位置處的等離子體的離子密度，于是就 相應提高了蝕刻率。因此，本發(fā)明使用一個調節(jié)氣體控制單元來選擇性地控制補充氣體、活性氣體和 外加蝕刻氣體的補充與否，從而可以對有差異地控制調節(jié)氣體的噴入量和流動，并控制預 定位置處的等離子體的離子密度或分布，控制晶片300中部部分和邊緣部分的蝕刻率。這樣本發(fā)明就可以控制晶片300表面的蝕刻率和蝕刻均勻度，此外本發(fā)明還可以調整中部部 分和邊緣部分之間產(chǎn)生的⑶差異，或人為地控制⑶差異。如上所述，本發(fā)明的第一效果是通過對外加氣體或調節(jié)氣體的噴入量和輸入途徑 進行差異化控制，來控制內室中等離子體的離子密度或分布，達到形成最佳蝕刻條件的目 的，從而可以提高晶片表面的蝕刻率和蝕刻均勻度，減小晶片的錯誤率。本發(fā)明的第二效果 是可以在晶片尺寸很大的情況下，也能確保晶片中部和邊緣部分的蝕刻均勻度，同時還能 調整CD差異或人為地形成CD差異，從而提高整個方法的效率。雖然本發(fā)明已經(jīng)公開描述了某些優(yōu)選的實施例，但應理解為只要不違背和超出權 利要求所規(guī)定的本發(fā)明的原理和范圍，本領域的技術人員就可以對其進行各種變化。
權利要求
1.一種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)，其特征在于包括一個質量流量控制單元，它控制那些輸入到內室中的蝕刻氣體的質量流量；一個流率控制單元，它將蝕刻氣體輸配給一個頂部氣體注射器和一個側部氣體注射 器，其中這兩個注射器分別與質量流量控制單元相連，并均安裝在內室中；和一個調節(jié)氣體控制單元，它將一種外加氣體和調節(jié)氣體分別輸配補充給質量流量控制 單元和流率控制單元，其中所述的外加氣體和調節(jié)氣體會控制內室中等離子體的離子密度 和分布。
2.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的流率控制單元包括一個流率控制器和 一個氣體輸配管，其中所述的氣體輸配管包括若干個輸出管；從輸出管一側分支出來、并分別與頂部氣體注射器的中部噴嘴和側部噴嘴相連的第一 和第二補充管；和從輸出管另一側分支出來、并分別與頂部氣體注射器和側部氣體注射器的側部噴嘴相 連的第三和第四補充管。
3.如權利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的第二和第三補充管與一個第五補充管 連成一體后與頂部氣體注射器的側部噴嘴相連。
4.如權利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于第一、第二、第三和第四補充管以及質量流量 控制單元中設置的輸出管均安裝了開關閥門。
5.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的調節(jié)氣體控制單元包括一個向質量流量控制單元補充外加氣體的外加氣體補充器；和一個向流率控制器補充調節(jié)氣體的調節(jié)氣體補充器。
6.如權利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的調節(jié)氣體控制單元包括若干個調節(jié)氣 體流動控制器，它們會分別補充一種或多種不同的調節(jié)氣體。
7.如權利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的調節(jié)氣體補充器包括一個補充等離子體活性氣體的第一調節(jié)氣體流量控制器；和一個補充外加蝕刻氣體的第二調節(jié)氣體流量控制器。
8.如權利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的外加氣體補充器通過一根第六補充管 與質量流量控制單元的輸出管相連，所述的第一調節(jié)氣體流量控制器和第二調節(jié)氣體流量 控制器通過一根第七補充管與氣體輸配管相連。
9.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的流率控制單元包括一個流率控制器和 一個氣體輸配管，其中所述的氣體輸配管包括若干根輸出管；從輸出管一側分支出來、并分別與頂部氣體注射器的中部噴嘴和側部噴嘴相連的第一 和第二補充管；和從輸出管另一側分支出來、并分別與側部噴嘴和側部氣體注射器相連的第三和第四補充管，其中所述的第二和第三補充管與第五補充管連成一體后與側部噴嘴相連，并且其中所述的第七補充管安裝了一個分支點(D)，該分支點(D)安裝了多根分別與第一、 第四和第五補充管相連的分支管。
10.如權利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于分別在第一調節(jié)氣體流量控制器、第二調節(jié) 氣體流量控制器和分支管中設置的輸出管均安裝了開關閥門。
11.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的第六補充管安裝了一個分支點(C)， 此外該第六補充管還設有一根連接管，該連接管連接了分支點(C)和第七補充管。
12.如權利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于分別從分支點(C)和連接管中分支出來的 第六補充管安裝了開關閥門。
13.如權利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于所述的活性氣體是氧氣(O2)或氮氣(N2)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種蝕刻氣體的控制系統(tǒng)。所述的控制系統(tǒng)包括一個質量流動控制單元，一個流率控制單元和一個調節(jié)氣體控制單元。所述的質量流動控制單元控制輸入到內室中的蝕刻氣體的質量流動。所述的流率控制單元將蝕刻氣體輸配給與質量流動控制單元相連、并安裝在內室中的一個頂部氣體注射器和一個側部氣體注射器。所述的調節(jié)氣體控制單元向質量流動控制單元和流率控制單元輸配并補充一種外加氣體和調節(jié)氣體，這些氣體能調節(jié)內室中等離子體的離子密度和分布。
文檔編號C23F1/12GK102004500SQ20101024728
公開日2011年4月6日 申請日期2010年7月30日 優(yōu)先權日2009年8月28日
發(fā)明者文熙錫, 李元默, 李洸旼, 李炳日, 金珉植, 金起鉉, 高誠庸 申請人:顯示器生產(chǎn)服務株式會社