專利名稱：一種坩堝真空氣體淀積涂層工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種化工產(chǎn)品生產(chǎn)工藝，特別是一種可以降低成本、達(dá)到工業(yè)生產(chǎn)目的的坩堝真空氣體淀積涂層工藝。
背景技術(shù)：
當(dāng)今坩蝸的頂尖產(chǎn)品，是高新技術(shù)產(chǎn)品-高純石英玻璃坩蝸。石英坩堝是拉制大直徑單晶硅的消耗性器皿，每生產(chǎn)一爐單晶硅就用掉一只坩堝。單晶硅是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的原材料，對(duì)坩堝的要求十分苛刻。高純度石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料。高純度石英坩堝是生產(chǎn)硅單晶體所必需的石英容器。在硅單晶拉制生產(chǎn)過程中，將使用石英坩堝作為熔融高純硅的載體，由拉制桿從石英坩堝內(nèi)熔融液體中，逐步拉制出硅的單晶體，稱之為硅錠，作為電子芯片的基礎(chǔ)材料。隨著國內(nèi)大規(guī)模集成電路和太陽能發(fā)電工業(yè)的飛速發(fā)展，對(duì)單晶硅的直徑要求越來越大，對(duì)產(chǎn)品的需求量也越來越大，所以對(duì)大尺寸石英坩堝的規(guī)格、品種、數(shù)量的需求都發(fā)生了巨大的變化。 對(duì)石英坩堝提出了高純度的更高要求。本發(fā)明采用低檔原料制成坩堝主體，在坩堝內(nèi)表面通過真空氣體淀積的方法涂以適當(dāng)厚度的高純?cè)?，以達(dá)到工業(yè)生產(chǎn)、降低成本的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是采用低檔原料制成坩堝主體，在坩蝸內(nèi)表面通過真空氣體淀積的方法涂以適當(dāng)厚度的高純?cè)?，以達(dá)到工業(yè)生產(chǎn)、降低成本的目的。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種坩堝真空氣體淀積涂層工藝，其特征在于采用低檔原料制成坩堝主體，在坩堝內(nèi)表面通過真空氣體淀積的方法涂以適當(dāng)厚度的高純?cè)?。由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果1、成膜溫度遠(yuǎn)低于材料的熔點(diǎn)，減輕襯底的熱形變，減少玷污，抑制缺陷生成，減輕雜質(zhì)再分布，適于淺結(jié)工藝，設(shè)備簡單，重復(fù)性好。2、膜的成分可精確控制，配比范圍較大。3、淀積速率快，產(chǎn)能強(qiáng)。4、膜結(jié)構(gòu)致密、完整，與襯底粘附性好，臺(tái)階覆蓋性能好。
具體實(shí)施例方式下面根據(jù)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。當(dāng)今坩堝的頂尖產(chǎn)品，是高新技術(shù)產(chǎn)品-高純石英玻璃坩堝。石英坩堝是拉制大直徑單晶硅的消耗性器皿，每生產(chǎn)一爐單晶硅就用掉一只坩堝。單晶硅是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的原材料，對(duì)坩堝的要求十分苛刻。高純度石英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發(fā)展大規(guī)模集成電路必不可少的基礎(chǔ)材料。高純度石英坩堝是生產(chǎn)硅單晶體所必需的石英容器。在硅單晶拉制生產(chǎn)過程中，將使用石英坩堝作為熔融高純硅的載體，由拉制桿從石英坩堝內(nèi)熔融液體中，逐步拉制出硅的單晶體，稱之為硅錠，作為電子芯片的基礎(chǔ)材料。隨著國內(nèi)大規(guī)模集成電路和太陽能發(fā)電工業(yè)的飛速發(fā)展，對(duì)單晶硅的直徑要求越來越大，對(duì)產(chǎn)品的需求量也越來越大，所以對(duì)大尺寸石英坩堝的規(guī)格、品種、數(shù)量的需求都發(fā)生了巨大的變化。對(duì)石英坩堝提出了高純度的更高要求。采用低檔原料制成坩堝主體，在坩堝內(nèi)表面通過真空氣體淀積的方法涂以適當(dāng)厚度的高純?cè)?，以達(dá)到工業(yè)生產(chǎn)、降低成本的目的。材料源以氣體形式進(jìn)入工藝腔體內(nèi)，在加功率的情況下，材料源(反應(yīng)氣體)從輝光放電中獲得激活能，激活并增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣象淀積。本發(fā)明成膜溫度遠(yuǎn)低于材料的熔點(diǎn)，減輕襯底的熱形變，減少玷污，抑制缺陷生成，減輕雜質(zhì)再分布，適于淺結(jié)工藝，設(shè)備簡單，重復(fù)性好。膜的成分可精確控制，配比范圍較大。淀積速率快，產(chǎn)能強(qiáng)。膜結(jié)構(gòu)致密、完整，與襯底粘附性好，臺(tái)階覆蓋性能好。顯然，本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其他不同形式的變化和變動(dòng)。這里無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引申出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之。
權(quán)利要求
1. 一種坩堝真空氣體淀積涂層工藝，其特征在于采用低檔原料制成坩堝主體，在坩堝內(nèi)表面通過真空氣體淀積的方法涂以適當(dāng)厚度的高純?cè)稀?br> 全文摘要
本發(fā)明公開了一種坩堝真空氣體淀積涂層工藝，采用低檔原料制成坩堝主體，在坩堝內(nèi)表面通過真空氣體淀積的方法涂以適當(dāng)厚度的高純?cè)?。本發(fā)明適于淺結(jié)工藝，設(shè)備簡單，重復(fù)性好，膜的成分可精確控制，配比范圍較大，淀積速率快，產(chǎn)能強(qiáng)，膜結(jié)構(gòu)致密、完整，與襯底粘附性好，臺(tái)階覆蓋性能好。
文檔編號(hào)C23C14/10GK102373501SQ20101026229
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月25日
發(fā)明者司繼成, 沈凱冰, 沈凱峰, 王金根 申請(qǐng)人:南通路博石英材料有限公司