專利名稱：硅薄膜的沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜太陽(yáng)能電池中硅薄膜的沉積 方法。
背景技術(shù)：
薄膜太陽(yáng)能電池是在玻璃、金屬或塑料等基板上沉積很薄(幾微米至幾十微米) 的光電材料形成的一種太陽(yáng)能電池。薄膜太陽(yáng)能電池在弱光條件下仍可發(fā)電，其生產(chǎn)過(guò)程 能耗低，具備大幅度降低原料和制造成本的潛力，因此，市場(chǎng)對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池的需求正逐 漸增長(zhǎng)，而薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)更成為近年來(lái)的研究熱點(diǎn)。
在公開(kāi)號(hào)為CN101775591A的中國(guó)專利申請(qǐng)中公開(kāi)了一種薄膜太陽(yáng)能電池，參考 圖1，示出了所述專利申請(qǐng)中薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。所述薄膜太陽(yáng)能電池依次包 括基板10、透明電極11、P型摻雜硅薄膜12、i層13 (非摻雜或本征的硅薄膜)、η型摻雜 硅薄膜14、以及背電極15和保護(hù)板16，其中ρ型摻雜硅薄膜12、i層13、η型摻雜硅薄膜 14組成一個(gè)光電單元，現(xiàn)有技術(shù)中薄膜太陽(yáng)能電池通常包括多個(gè)疊加的光電單元。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, PECVD)是最常用的制造光電單元中各層硅薄膜的方法。參考圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)PECVD裝 置的示意圖。所述PECVD裝置主要包括反應(yīng)腔室103、上電極101、電源104、下電極102和 真空泵(圖未示意)，其中上電極101和下電極102位于反應(yīng)腔室103內(nèi)，所述上電極101 與電源104相連，所述下電極102接地，反應(yīng)氣體通過(guò)反應(yīng)腔室103的進(jìn)氣口進(jìn)入反應(yīng)腔室 103內(nèi)，真空泵用于抽取反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體，以維持反應(yīng)腔室的氣壓。
在PECVD沉積非晶硅薄膜或微晶硅薄膜的過(guò)程中，將基板置于下電極102上，向應(yīng) 腔室103中通入硅烷及氫氣，電源104向上電極101通入射頻信號(hào)以產(chǎn)生輝光放電并產(chǎn)生 等離子體，從而在上電極101和下電極102之間形成等離子體區(qū)105，等離子體區(qū)105中的 電子與硅烷反應(yīng)產(chǎn)生活性基，所述活性基擴(kuò)散至基板，吸附于所述基板上，形成非晶硅或微 晶硅薄膜。
在公開(kāi)號(hào)為CN101775591A的中國(guó)專利申請(qǐng)中，通過(guò)向上電極加載脈沖射頻信號(hào) 的方式，從而以較低的時(shí)間平均功率實(shí)現(xiàn)均勻、穩(wěn)定的輝光放電。然而，所述中國(guó)專利申請(qǐng) 的沉積硅薄膜的方法效率較低。
為了提高薄膜太陽(yáng)能電池的制造效率本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)上述硅薄膜沉積方案進(jìn) 行了改進(jìn)，具體地說(shuō)，向上電極加載脈沖式、高功率密度的射頻信號(hào)，但是，高功率密度的射 頻信號(hào)會(huì)造成起輝瞬間粉塵的產(chǎn)生，從而嚴(yán)重影響硅薄膜的質(zhì)量。
針對(duì)起輝瞬間易產(chǎn)生粉塵的問(wèn)題，本領(lǐng)域技術(shù)人員發(fā)展了另一改進(jìn)方案，通過(guò)對(duì) PECVD的設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)以抑制粉塵的產(chǎn)生，但是這會(huì)增加設(shè)備的成本，同時(shí)還會(huì)降低設(shè)備的 稼動(dòng)時(shí)間，增加了設(shè)備的維護(hù)成本。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種硅薄膜的沉積方法，用于改善起輝瞬間易產(chǎn)生粉塵 的問(wèn)題。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種硅薄膜的沉積方法，包括將基板放置于反應(yīng)腔 室的下電極上；向反應(yīng)腔室輸入包括硅烷和氫氣的反應(yīng)氣體，使反應(yīng)腔室的氣壓為第一氣 壓，所述第一氣壓大于或等于0. 3mbar且小于或等于1. 9mbar ；向上電極加載第一功率的射 頻信號(hào)，產(chǎn)生輝光放電，在所述基板上形成硅薄膜。
較佳地，還包括，在產(chǎn)生輝光放電后向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，所述第二 功率大于第一功率。
較佳地，向上電極加載第一功率的射頻信號(hào)持續(xù)0. 1 2秒之后向上電極加載第 二功率的射頻信號(hào)。
較佳地，所述第一功率的射頻信號(hào)的功率密度為20 80毫瓦/平方厘米。
較佳地，所述第二功率的射頻信號(hào)的功率密度為150 300毫瓦/平方厘米。
較佳地，所述第二功率的射頻信號(hào)的功率密度為160 240毫瓦/平方厘米。
較佳地，還包括，在產(chǎn)生輝光放電后向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，所述第二 功率等于第一功率；
較佳地，所述第二功率的射頻信號(hào)的功率密度和第一功率的射頻信號(hào)的功率密度 均為20 80毫瓦/平方厘米；
較佳地，所述第二功率的射頻信號(hào)的功率密度和第一功率的射頻信號(hào)的功率密度 均為150 300毫瓦/平方厘米。
較佳地，所述第二功率的射頻信號(hào)的功率密度和第一功率的射頻信號(hào)的功率密度 均為160 240毫瓦/平方厘米。
較佳地，在起輝之后，升高反應(yīng)腔室的氣壓至第二氣壓。
較佳地，在起輝之后0. 1 2秒內(nèi)，升高反應(yīng)腔室的氣壓至第二氣壓。
較佳地，第二氣壓大于或等于2mbar且小于或等于6mbar。
較佳地，升高反應(yīng)腔室的氣壓至第二氣壓后，向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)， 所述第二功率大于第一功率。
較佳地，升高反應(yīng)腔室的氣壓至第二氣壓的同時(shí)，向上電極加載第二功率的射頻 信號(hào)，所述第二功率大于第一功率。
較佳地，所述第一氣壓為0. 5 1. 9mbar。
較佳地，向反應(yīng)腔室內(nèi)通入硅烷和氫氣的總流量為2 10標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘。
較佳地，向反應(yīng)腔室輸入硅烷和氫氣的流量比小于或等于1 49。
較佳地，所述硅薄膜為非晶硅薄膜或微晶硅薄膜。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
1.在起輝瞬間，反應(yīng)腔室的氣壓大于或等于0. 3mbar且小于或等于1. 9mbar，可以 減少反應(yīng)腔室內(nèi)硅烷的含量，從而降低射頻信號(hào)使硅烷二次電離的幾率，從而避免產(chǎn)生長(zhǎng) 鏈狀、易聚合成大分子顆粒的的硅烷二次電離產(chǎn)生物，進(jìn)而減少了粉塵的產(chǎn)生；
2.起輝之后，升高反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓至第二氣壓，增大了硅烷的濃度的含量，從而 可以增加硅層的沉積速率，縮短硅薄膜的沉積時(shí)間；
3.起輝之后，向上電極加載具有較大功率的第二功率的射頻信號(hào)，增強(qiáng)了等離子 體的強(qiáng)度，因此，進(jìn)而增加硅層的沉積速率；
4.向反應(yīng)腔室輸入硅烷和氫氣的流量比小于或等于1 49，可以增大氫氣的含 量，氫氣可抑制硅烷的二次電離，進(jìn)而避免粉塵的發(fā)生；
5.第一功率的射頻信號(hào)的功率密度為20 80毫瓦/平方厘米，在低功率密度的 條件起輝下，硅烷不會(huì)被二次電離，從而可以進(jìn)一步避免發(fā)塵現(xiàn)象。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖2是現(xiàn)有技術(shù)PECVD裝置的示意圖3是本發(fā)明硅薄膜的沉積方法一實(shí)施方式的流程示意圖4是本發(fā)明硅薄膜的沉積方法一實(shí)施例的電源射頻信號(hào)輸出功率曲線示意圖5是本發(fā)明硅薄膜的沉積方法一實(shí)施例的反應(yīng)腔室內(nèi)氣壓的曲線示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
在下面的描述中闡述了很多細(xì)節(jié)技術(shù)手段以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還 可以采用其他等效的技術(shù)手段來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)PECVD沉積硅薄膜，特別是沉積非晶硅 或微晶硅時(shí)，等離子起輝瞬間容易產(chǎn)生粉塵。
針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種硅薄膜的沉積方法，參考圖3，示出了本發(fā)明硅薄 膜的沉積方法一實(shí)施方式的流程示意圖。所述沉積方法包括
Si，將基板放置于反應(yīng)腔室的下電極上；
S2，向反應(yīng)腔室輸入包括硅烷和氫氣的反應(yīng)氣體，使反應(yīng)腔室氣壓為第一氣壓，所 述第一氣壓大于或等于0. 3mbar且小于或等于1. 9mbar ；
S3，向上電極加載第一功率的射頻信號(hào)，產(chǎn)生輝光放電，形成等離子體，開(kāi)始在基 板上形成硅薄膜。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，在上述硅薄膜的沉積方法中，在起輝瞬間，反應(yīng)腔室的氣壓大 于或等于0. 3mbar且小于或等于1. 9mbar，可以減少反應(yīng)腔室內(nèi)硅烷的含量，從而降低射頻 信號(hào)使硅烷二次電離的幾率，從而避免產(chǎn)生長(zhǎng)鏈狀、易聚合成大分子顆粒的的硅烷二次電 離產(chǎn)生物，進(jìn)而減少了粉塵的產(chǎn)生。同時(shí)，在反應(yīng)腔的氣壓為大于或等于0.3mbar且小于或 等于1. 9mbar的條件下，由于氣壓較低，上下電極之間更容易產(chǎn)生輝光放電，從而降低反應(yīng) 腔起輝失敗的概率。
下面進(jìn)一步詳細(xì)描述上述各步驟。
對(duì)于步驟Si，將基板放置于下電極上；所述下電極接地，接地的下電極有利于吸 引活性基向基板方向擴(kuò)散，從而有利于活性基沉積于所述基板上形成硅薄膜。
對(duì)于步驟S2，所述包括硅烷和氫氣的反應(yīng)氣體，可以是只包含硅烷和氫氣的反應(yīng) 氣體，還可以是除硅烷和氫氣還包含氮?dú)夂推渌麣怏w的反應(yīng)氣體。反應(yīng)腔室內(nèi)的第一氣壓為大于或等于0. 3mbar且小于或等于1. 9mbar的低氣壓，這樣可以減少反應(yīng)腔室內(nèi)單位體 積的硅烷密度，即使上電極上加載的射頻信號(hào)功率較高，也會(huì)降低射頻信號(hào)使硅烷二次電 離的幾率，從而減少產(chǎn)生長(zhǎng)鏈狀、易聚合成大分子顆粒的的硅烷二次電離產(chǎn)生物，進(jìn)而減少 了粉塵的產(chǎn)生。
為了避免反應(yīng)腔室內(nèi)氣壓過(guò)低，影響到硅薄膜的沉積速率，較佳地，反應(yīng)室內(nèi)的第 一氣壓為0. 5 1. 9mbar0
由于反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓與向反應(yīng)腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體的流量有關(guān)，具體地，向反 應(yīng)腔室內(nèi)通入氣體的總流量為2 10標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘，同時(shí)配合真空泵的抽氣速率，使反應(yīng) 腔室內(nèi)的第一氣壓為大于或等于0. 3mbar且小于或等于1. 9mbar的低氣壓。
較佳地，減小硅烷在反應(yīng)氣體中的比例，可以增大反應(yīng)腔內(nèi)單位體積內(nèi)的氫氣密 度，氫氣可抑制硅烷的二次電離，進(jìn)而避免粉塵的發(fā)生，具體地，向反應(yīng)腔室內(nèi)通入硅烷和 氫氣流量的比例小于或等于1 49，這樣可以進(jìn)一步降低硅烷二次電離的幾率，進(jìn)而避免 了粉塵的產(chǎn)生。
對(duì)于步驟S3，向上電極施加第一功率的射頻信號(hào)，射頻信號(hào)使得上電極和下電極 之間產(chǎn)生輝光放電，并形成等離子體。反應(yīng)氣體在等離子體的作用下反應(yīng)并在基板上開(kāi)始 沉積硅薄膜，較佳地，為了避免在起輝瞬間產(chǎn)生較多粉塵，還可以向上電極加載第一功率較 低的射頻信號(hào)，每次加載射頻信號(hào)的上電極的面積不變，第一功率的射頻信號(hào)對(duì)應(yīng)的第一 功率密度為20 80毫瓦/平方厘米，在較低功率密度的工藝條件下，硅烷不會(huì)被二次電 離，從而可以避免發(fā)塵現(xiàn)象。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒖磮D1，為提高起輝后的硅薄膜的沉積速率，所述沉積方法進(jìn)一步包括 S4，升高反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓至第二氣壓，所述第二氣壓大于或等于2mbar且小于或等于 6mbar0
對(duì)于步驟S4，起輝時(shí)采用較低的氣壓條件，而起輝之后為了提高薄膜沉積速率，需 升高反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓，具體地，起輝之后，升高反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓至大于或等于2mbar且 小于或等于6mbar的第二氣壓，以增大反應(yīng)腔室內(nèi)單位體積的反應(yīng)氣體密度，進(jìn)而增加氣 體沉積的速率，較佳地，在起輝后0. 1 2秒內(nèi)，升高反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力至第二氣壓，所述第 二氣壓大于或等于2mbar且小于或等于6mbar。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒖磮D1，為進(jìn)一步提高起輝后的硅薄膜的沉積速率，所述沉積方法還進(jìn)一 步包括
S5，向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)。
對(duì)于步驟S5，由于在低功率下沉積硅薄膜時(shí)，會(huì)使硅薄膜的沉積速率較低，較佳 地，使第二功率大于第一功率，由于每次加載射頻信號(hào)的上電極的面積不變，相應(yīng)地，第二 功率的射頻信號(hào)的功率密度大于第一功率的射頻信號(hào)的功率密度，例如第二功率的射頻信 號(hào)的功率密度為150 300毫瓦/平方厘米，第一功率的射頻信號(hào)的功率密度為20 80 毫瓦/平方厘米，這樣在低功率密度下起輝可以避免起輝瞬間的發(fā)塵現(xiàn)象，同時(shí)采用較高 的功率密度沉積硅薄膜，又可以保證硅薄膜的沉積速率，從而同時(shí)提高了硅薄膜制作的質(zhì) 量和產(chǎn)量。優(yōu)選地，所述第二功率的射頻信號(hào)的功率密度為160 240毫瓦/平方厘米。
此外，由于粉塵主要在起輝瞬間產(chǎn)生，在向上電極加載第一功率的射頻信號(hào)后，上 電極和下電極之間就能起輝，并形成輝光放電，之后即可向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，以進(jìn)行硅薄膜沉積。因此，通常，在向上電極加載第一功率的射頻信號(hào)的時(shí)間為0. 1 2秒，之后向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)。具體地，通過(guò)在電源中設(shè)定射頻信號(hào)的輸出 功率方式來(lái)實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)方案。
需要說(shuō)明的是，如果對(duì)薄膜沉積速率要求不高，所述第二功率可以等于第一功率， 即第二功率和第一功率均為低功率，例如第二功率的射頻信號(hào)的第二功率密度等于第一功 率的射頻信號(hào)的第一功率密度，均為20 80毫瓦/平方厘米。這樣可以減少起輝瞬間產(chǎn)生 的粉塵；第二功率的射頻信號(hào)的第二功率密度等于第一功率的射頻信號(hào)的第一功率密度， 還可以均為150 300毫瓦/平方厘米范圍內(nèi)的高功率密度，優(yōu)選地，為160 240毫瓦/ 平方厘米。因?yàn)槠疠x時(shí)采用低氣壓即可減少粉塵的發(fā)生，采用高功率密度可保證較高的薄 膜沉積速率。而第二功率的射頻信號(hào)的第二功率密度等于第一功率的射頻信號(hào)的第一功率 密度的實(shí)施方式中，電源在起輝階段和薄膜沉積階段輸出相同功率密度的射頻信號(hào)即可， 電源的功率輸出方式也更為簡(jiǎn)單。
下面結(jié)合一具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。
本發(fā)明硅薄膜的沉積方法一實(shí)施例包括以下步驟
在反應(yīng)腔室內(nèi)的下電極上放置一大面積的玻璃基板；
通過(guò)反應(yīng)腔室的進(jìn)氣口，向反應(yīng)腔室內(nèi)通入硅烷和氫氣，所述硅烷和氫氣流量比 例為1 49，所述硅烷和氫氣的混合氣體的流量為10標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘，通過(guò)真空泵維持反應(yīng) 腔室內(nèi)的氣壓為1.9mbar ；
通過(guò)電源向上電極加載射頻信號(hào)，參考圖4，示出了本發(fā)明硅薄膜的沉積方法一實(shí) 施例的電源射頻信號(hào)輸出功率曲線示意圖，電源先向上電極加載64毫瓦/平方厘米的射頻 信號(hào)，使反應(yīng)腔內(nèi)產(chǎn)生起輝現(xiàn)象，在反應(yīng)腔室內(nèi)形成位于上、下電極之間的等離子，反應(yīng)氣 體在等離子體的作用下開(kāi)始在玻璃基板上形成硅薄膜；
在加載功率密度為64毫瓦/平方厘米的射頻信號(hào)持續(xù)1秒鐘之后，電源向上 電極加載功率密度為160毫瓦/平方厘米的射頻信號(hào)，同時(shí)，升高反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓至 3mbar (如圖5所示)，以沉積硅薄膜。
綜上，本發(fā)明提供一種硅薄膜的沉積方法，在PECVD沉積硅薄膜時(shí)，采用低氣壓的 工藝條件進(jìn)行起輝，避免了起輝時(shí)易產(chǎn)生粉塵的問(wèn)題；
此外，還降低了起輝時(shí)反應(yīng)氣體中硅烷的比例，通過(guò)氫氣的抑制作用可以進(jìn)一步 減少發(fā)塵現(xiàn)象；
更進(jìn)一步的，向反應(yīng)腔室先提供較低功率密度的射頻信號(hào)進(jìn)行起輝，然后再提供 較高功率密度的射頻信號(hào)進(jìn)行薄膜沉積，可以避免起輝瞬間的發(fā)塵現(xiàn)象的同時(shí)保證硅薄膜 的沉積速率；
本發(fā)明硅薄膜的沉積方法，無(wú)需對(duì)硅薄膜沉積的裝置進(jìn)行改進(jìn)就可以避免起輝時(shí) 易產(chǎn)生粉塵的問(wèn)題，從而不會(huì)增加設(shè)備的成本，也不會(huì)降低設(shè)備的稼動(dòng)時(shí)間。
本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，如在上述實(shí)施方式中，所述步驟S5和步驟S4的 順序也可以互換，則，在步驟S3，向上電極加載第一功率的射頻信號(hào)，產(chǎn)生輝光放電，形成等 離子體，開(kāi)始在基板上形成硅薄膜。之后，可以先向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，再升 高反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓至大于或等于2mbar且小于或等于6mbar的第二氣壓。也可以使步驟 S4和步驟S5同時(shí)進(jìn)行，則，在步驟S3之后，提高反應(yīng)腔室內(nèi)的氣壓至大于或等于2mbar且小于或等于6mbar的第二氣壓，同時(shí)，向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種硅薄膜的沉積方法，包括將基板放置于反應(yīng)腔室的下電極上；向反應(yīng)腔室輸入包括硅烷和氫氣的反應(yīng)氣體，使反應(yīng)腔室的氣壓為第一氣壓，所述第 一氣壓大于或等于0. 3mbar且小于或等于1. 9mbar ；向上電極加載第一功率的射頻信號(hào)，產(chǎn)生輝光放電，在所述基板上形成硅薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，還包括，在產(chǎn)生輝光放電后向 上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，所述第二功率大于第一功率。
3.如權(quán)利要求2所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，向上電極加載第一功率的射 頻信號(hào)持續(xù)0. 1 2秒之后向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)。
4.如權(quán)利要求2所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述第一功率的射頻信號(hào)的 功率密度為20 80毫瓦/平方厘米。
5.如權(quán)利要求2所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述第二功率的射頻信號(hào)的 功率密度為150 300毫瓦/平方厘米。
6.如權(quán)利要求2所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述第二功率的射頻信號(hào)的 功率密度為160 240毫瓦/平方厘米。
7.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，還包括，在產(chǎn)生輝光放電后向 上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，所述第二功率等于第一功率。
8.如權(quán)利要求7所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述第二功率的射頻信號(hào)的 功率密度和第一功率的射頻信號(hào)的功率密度均為20 80毫瓦/平方厘米。
9.如權(quán)利要求7所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述第二功率的射頻信號(hào)的 功率密度和第一功率的射頻信號(hào)的功率密度均為150 300毫瓦/平方厘米。
10.如權(quán)利要求7所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述第二功率的射頻信號(hào)的 功率密度和第一功率的射頻信號(hào)的功率密度均為160 240毫瓦/平方厘米。
11.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，在產(chǎn)生輝光放電之后，升高 反應(yīng)腔室的氣壓至第二氣壓。
12.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，在產(chǎn)生輝光放電之后0.1 2秒內(nèi)，升高反應(yīng)腔室的氣壓至第二氣壓。
13.如權(quán)利要求11或12中任一項(xiàng)所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，第二氣壓大 于或等于2mbar且小于或等于6mbar。
14.如權(quán)利要求11或12中任一項(xiàng)所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，升高反應(yīng)腔 室的氣壓至第二氣壓后，向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，所述第二功率大于第一功率。
15.權(quán)利要求11或12中任一項(xiàng)所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，升高反應(yīng)腔室 的氣壓至第二氣壓的同時(shí)，向上電極加載第二功率的射頻信號(hào)，所述第二功率大于第一功 率。
16.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述第一氣壓為0.5 1. 9mbar0
17.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，向反應(yīng)腔室內(nèi)通入硅烷和氫 氣的總流量為2 10標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘。
18.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，向反應(yīng)腔室輸入硅烷和氫氣的流量比小于或等于1 49。
19.如權(quán)利要求1所述的硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述硅薄膜為非晶硅薄膜或 微晶硅薄膜。
全文摘要
一種硅薄膜的沉積方法，包括將基板放置于反應(yīng)腔室的下電極上；向反應(yīng)腔室輸入包括硅烷和氫氣的反應(yīng)氣體，使反應(yīng)腔室的氣壓為第一氣壓，所述第一氣壓大于或等于0.3mbar且小于或等于1.9mbar；向上電極加載第一功率的射頻信號(hào)，產(chǎn)生輝光放電，在所述基板上形成硅薄膜。本發(fā)明可以減少起輝時(shí)粉塵的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)C23C16/505GK102031503SQ201010503660
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者董家偉, 陳金元, 馬哲國(guó) 申請(qǐng)人:理想能源設(shè)備(上海)有限公司