專利名稱：一種含氫類金剛石膜的制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及類金剛石膜，特別涉及一種含氫類金剛石膜的制備方法。
背景技術：
類金剛石膜(Diamond-Like Carbon，簡稱DLC)是一種非晶態(tài)的碳材料，碳原子以 SP2和SP3雜化鍵結合。SP3雜化鍵的存在使類金剛石膜具有與金剛石相近的優(yōu)良性質，如 高硬度、耐磨損、低摩擦系數(shù)、高電阻率、高導熱率和高化學穩(wěn)定性等。自從20世紀70年代 發(fā)現(xiàn)以來，由于其在機械、化學、光學、熱學、電學等方面表現(xiàn)出的獨特性質，類金剛石膜吸 引大量的研究工作，并且取得了很多實際的應用成果(1、鄧新綠，馬國佳，類金剛石膜的應 用及制備，《真空》，2002，05 :27-31)。作為一種新型的光電材料，類金剛石膜在太陽能電池， 光電探測器，壓電器件等光電學方面的應用受到廣泛關注。按照碳源和制備方法的不同，類金剛石膜分為兩大類無氫類金剛石膜(簡稱a_C films，非晶碳膜)和含氫類金剛石膜(簡稱a_C =H films，含氫非晶碳膜)。無氫類金剛石 膜由于具有較高的硬度和彈性模量以及低摩擦系數(shù)，因而廣泛運用于機械領域，如作為切 割刀具、閥門和軸承的保護膜。而含氫類金剛石膜具有1 4eV之間可調制的光學帶隙以 及良好的光學透過性，實現(xiàn)有效摻雜的含氫類金剛石膜可以在平面顯示器、光探測器和太 陽能電池等大面積光電器件領域得到應用。研究發(fā)現(xiàn)，平面板場發(fā)射顯示(FED)用Mo或Si尖來發(fā)射電子激發(fā)磷熒光，這需 要獲得高電場來發(fā)射電子，而含氫類金剛石膜已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)能增強金屬尖的發(fā)射電流，且其 氫化表面具有負電子親和力和化學惰性，因此含氫類金剛石膜有潛力作為FED的電子發(fā)射 器。同時含氫類金剛石膜具有較高的光電轉換效率，在光電探測領域的運用也具有非常大 的潛力。在太陽能電池領域，含氫類金剛石膜材料有可能發(fā)展成為具有高效、環(huán)保、廉價和 可大面積生產(chǎn)等特點的太陽能電池技術。含氫類金剛石膜的制備原料是甲烷或者石墨，成 本非常低，比較環(huán)保，不存在對環(huán)境污染的問題，是現(xiàn)有的太陽能技術所無法達到的。與Si 材料相比，含氫類金剛石膜和許多非晶材料一樣可以大面積生產(chǎn)，這是單晶Si和多晶Si材 料所無法實現(xiàn)的。與現(xiàn)有的非晶硅和銅銦硒(CIS)等可大面積沉積的太陽能技術相比，含 氫類金剛石膜具有結構更穩(wěn)定和原料資源更豐富等潛在優(yōu)勢。最關鍵的是，實現(xiàn)有效摻雜 的含氫類金剛石膜是一種非晶半導體材料，其主要特點是它的光學帶隙可以在1 4eV之 間調制，因而可以制成多層結構太陽能電池，更充分地吸收整個太陽光譜的能量，從而有可 能達到更高的光電轉換效率。由此可見，含氫類金剛石膜是一種在光電器件，特別是太陽能電池方面有很好應 用前景的半導體材料。而光學帶隙是衡量含氫類金剛石膜光學性能和電學性能的重要參 數(shù)。因此，實現(xiàn)對含氫類金剛石膜光學帶隙的調節(jié)顯得尤為重要。類金剛石膜的制備工藝已經(jīng)較為成熟，制備方法多種多樣，如真空電弧沉積、脈沖 激光沉積、等離子體沉積和噴射沉積等(2、張碧云，曲燕青，謝紅梅，聶朝胤，類金剛石膜的制備技術及應用領域概況.表面技術，2007，36 (3) :70-73)。其中，電容耦合式等離子體增 強型化學氣相沉積(Plasma-Enhance Chemical VaporD印osition，簡稱PECVD)方法由于其 具有成膜溫度低、工作壓強小、膜層附著力大、可在不同基體上制備，以及制備的含氫類金 剛石膜致密、摩擦系數(shù)小等優(yōu)點已經(jīng)得到了廣泛的運用。在等離子體增強型化學氣相沉積法制備含氫類金剛石膜過程中，襯底是指用于生 長類金剛石膜的支撐材料，可以是玻璃或石英等。襯底正面是指襯底用于生長類金剛石膜 的一側表面，襯底背面是指襯底不用于生長類金剛石膜的另一側表面。襯底反向平行放置 是指將用于生長含氫類金剛石膜的襯底正面正對著源電極，襯底同向平行放置是指將 襯底直接放置在源電極上，即將用于生長含氫類金剛石膜的襯底正面背對著源電極。電容耦合式等離子體增強型化學氣相沉積設備中有兩個平行的電容電極，其中一 個電極連接射頻電源，稱為源電極；另外一個電極接地，稱為接地電極。目前，在電容耦合 式等離子體增強型化學氣相沉積制備含氫類金剛石膜過程中，襯底是同向平行放置于源電 極上(參見圖1)，即襯底正面背對源電極，進行生長含氫類金剛石膜，然后再通過改變生 長參數(shù)，如工作壓強、功率等，或者摻入各種不同元素等方法實現(xiàn)對含氫類金剛石膜的光學 帶隙進行調制(3、E. Tomasella，C. Meunier, S. Mikhailov，a_C :H thin films deposited by radio-frequencyplasma influence of gas composition on structure, optical properties and stress levels, Surface andCoatings Technology,141(2001)286-296 ； 4λ Sk. F. Ahmed,D. Banerjee,K. K. Chattopadhyay,The influence of fluorine doping on the optical properties of diamond-like carbon thin films,Vacuum xxx(2009) 1-6)。但按照目前的方法，制備的含氫類金剛石膜光學帶隙多數(shù)在3eV以下。制備寬光 學帶隙(Eg>3eV)的含氫類金剛石膜需要在較高壓強，較低功率的生長條件下實現(xiàn)，但此 時含氫類金剛石膜的生長速率很低。生長速率低將會給其實際應用帶來較大困難。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種含氫類金剛石膜的制備方法。所述一種含氫類金剛石膜的制備方法包括以下步驟1)將經(jīng)過預處理的襯底放入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體內，襯底正面 正對源電極，襯底背面正對接地電極；2)用等離子體濺射清洗等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體以及襯底表面；3)將等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體抽真空，通入含氫氣體，調節(jié)工作壓 強和射頻功率，進行含氫類金剛石膜的生長；生長結束后，停止通入含氫氣體，抽凈尾氣，即 得含氫類金剛石膜。在步驟1)中，所述襯底背面可設有絕緣遮擋片；所述襯底與所述源電極之間的最 小距離為0. 5cm，最大距離為所述源電極和接地電極之間的距離；所述襯底與所述源電極 之間可設有絕緣樣品支架，所述襯底置于所述絕緣樣品支架上；所述絕緣樣品支架可為玻 璃支架或石英支架，所述絕緣遮擋片可為玻璃片或石英片，所述襯底可為玻璃或石英。在步驟2)中，所述等離子體可由氧氣或氬氣通入等離子體增強型化學氣相沉積 生長腔體并經(jīng)輝光放電后形成；所述氧氣或氬氣通入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔 體的流量可為20 lOOsccm ；所述清洗時通入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體的工作壓強可為5 lOOPa，射頻功率可為100 300W。在步驟3)中，所述等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體抽真空后的真空度 < 10_4Pa，所述含氫氣體可為CH4和H2組成的混合氣體，所述混合氣體中CH4和H2按氣體流 量比可為40 (0 40)；所述生長過程中等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體的工作 壓強可為1 200Pa，射頻功率可為20 450W ；所述生長的時間可為5 90min。與現(xiàn)有的采用等離子體增強型化學氣相沉積制備含氫類金剛石膜技術相比，本發(fā) 明的突出優(yōu)點在于本發(fā)明通過將襯底正面正對著源電極放入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔 體內，并在襯底背面蓋上絕緣遮擋片；并調整襯底與源電極的距離，改變工作壓強和射頻功 率的方法，制備出不同光學帶隙的含氫類金剛石膜，并顯著提高其生長速率。另外，本發(fā)明 解決了制備在較大范圍內可連續(xù)調制光學帶隙的含氫類金剛石膜的難題，尤其是制備了較 大光學帶隙(Eg>3eV)的含氫類金剛石膜。本發(fā)明提供一種更方便、更有效的等離子體增 強型化學氣相沉積制備方法，以便較大范圍地連續(xù)調制含氫類金剛石的光學帶隙，并顯著 提高其生長速率。


圖1為傳統(tǒng)方法中等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體內襯底與源電極的關 系示意圖。在圖1中，1為襯底，1(a)為襯底正面，1(b)為襯底背面，2為源電極，3為接地電 極，襯底與源電極同向平行放置。圖2為本發(fā)明中等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體內襯底與源電極的關系 示意圖。在圖2中，1為襯底，1(a)為襯底正面，1(b)為襯底背面，2為源電極，3為接地電 極，4為絕緣遮擋片，5為絕緣樣品支架，襯底與源電極反向平行放置。圖3為本發(fā)明實施例1中含氫類金剛石膜樣品用紫外-可見分光光度計測得的在 200 SOOnm波長范圍的透射譜。在圖3中，橫坐標為波長(nm)，縱坐標為透射率(％ )。圖4為實施例1中用納米壓痕儀測硬度得到載荷_壓痕深度示意圖。在圖4中橫 坐標為深度(nm)，縱坐標為載荷(μ N)。圖5為本發(fā)明中襯底正面與源電極的距離與含氫類金剛石膜光學帶隙的關系圖。 在圖5中，橫坐標為襯底正面與源電極的距離(cm)，縱坐標為光學帶隙(eV)。圖6為本發(fā)明中襯底正面和源電極距離為2. 5cm時的改變工作壓強所制備的含氫 類金剛石膜用紫外-可見分光光度計測得的200 SOOnm波長范圍的透射譜。在圖6中，橫 坐標為波長(nm)，縱坐標為透射率(％ )。曲線a為2. 2Pa,曲線b為30Pa，曲線c為60Pa， 曲線d為200Pa。圖7為本發(fā)明中襯底正面和源電極距離為2. 5cm時工作壓強與含氫類金剛石膜光 學帶隙的關系圖。在圖7中，橫坐標為工作壓強(Pa)，縱坐標為光學帶隙(eV)。圖8為本發(fā)明中襯底正面和源電極距離為2. 5cm時，工作壓強與含氫類金剛石膜 生長速率的關系圖。在圖8中，橫坐標為工作壓強(Pa)，縱坐標為生長速率(nm/min)。圖9為本發(fā)明實施例2中類金剛石膜樣品用紫外-可見分光光度計測得的在 200 SOOnm波長范圍的透射譜。在圖9中，橫坐標為波長(nm)，縱坐標為透射率(％ )。圖10為本發(fā)明實施例2中用納米壓痕儀測硬度得到載荷-壓痕深度示意圖。在圖10中，橫坐標為深度(nm)，縱坐標為載荷(μ N)。圖11為本發(fā)明實施例3中類金剛石膜樣品用紫外_可見分光光度計測得的在 200 SOOnm波長范圍的透射譜。在圖11中，橫坐標為波長(nm)，縱坐標為透射率(％ )。圖12為本發(fā)明實施例3中用納米壓痕儀測硬度得到載荷-壓痕深度示意圖。在 圖12中橫坐標為深度(nm)，縱坐標為載荷(μ N)。圖13為本發(fā)明實施例4中類金剛石膜樣品用紫外_可見分光光度計測得的在 200 SOOnm波長范圍的透射譜。在圖13中，橫坐標為波長(nm)，縱坐標為透射率(％ )。圖14為實施例4中用納米壓痕儀測硬度得到載荷-壓痕深度示意圖。在圖14中， 橫坐標為深度(nm)，縱坐標為載荷(μ N)。
具體實施例方式以下結合附圖具體說明本發(fā)明的技術方案。實施例11)襯底預處理將用于制備含氫類金剛石膜的石英片進行標準清洗，標準清洗流 程的具體步驟包括首先，將石英片依次分別浸泡于甲苯溶液、丙酮溶液和乙醇溶液中用數(shù) 控超聲波清洗器超聲清洗lOmin，接著依次用熱、冷去離子水分別沖洗石英片IOmin后，用 氮氣槍吹干石英片。然后，將吹干的石英片浸泡于鉻酸溶液中超過12h。從鉻酸中取出石英 片后，再依次用熱、冷去離子水分別沖洗15min，用氮氣槍吹干。最后將清洗潔凈的石英片襯 底置于120°C的真空干燥箱中烘烤30min，待用。2)襯底反向平行放置在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，放入高度為 1. Ocm的石英樣品支架，然后將清洗好的石英片襯底反向放置于玻璃樣品臺上，并在襯底背 面蓋上絕緣遮擋片，使得用于生長含氫類金剛石膜的襯底正面正對著源電極(參見圖2)。3)用等離子體濺射清洗生長腔體以及襯底表面將流量為20sCCm的氧氣通入等 離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，輝光放電后形成等離子體氣體，對等離子體增強 型化學氣相沉積生長室以及襯底表面進行濺射清洗。清洗過程中工作壓強控制在5Pa，工作 功率控制在300W。4)生長含氫類金剛石膜濺射清洗完成后，將等離子體增強型化學氣相沉積生長 腔體的真空度抽至低于10_4Pa后，然后通入流量比為40 30的CH4和H2的混合氣體作為源 氣體進行含氫類金剛石膜的生長。生長過程中工作壓強控制在2Pa，射頻功率控制在300W， 生長時間為45min。5)停止生長生長結束后，在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中停止通入 CH4和H2的混合氣體，并將尾氣抽干凈，打開生長腔體，取出含氫類金剛石膜。6)性能測試將鍍好的類金剛石膜分別用紫外_可見分光光度計測透光性(參加 圖3)、橢偏儀測膜厚度、納米壓痕儀測硬度(參見圖4)。研究發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明制備的含氫類金剛石膜與常規(guī)方法制備的含氫類金剛石膜相 比，可以在更大的范圍內實現(xiàn)對含氫類金剛石膜的光學禁帶寬度進行更精準的調整(參見 圖5 7)。圖5給出襯底正面與源電極距離對光學帶隙的調制實驗數(shù)據(jù)。圖6和圖7給出 工作壓強對光學帶隙的調制實驗數(shù)據(jù)。與現(xiàn)有的通過改變生長工藝參數(shù)或摻入雜質元素來 調制類金剛石膜的光學帶隙相比，本發(fā)明中的方法能更有效、和在更大范圍內的調制類金剛石膜的光學帶隙。本發(fā)明生長的含氫類金剛石膜透光性更好，光學帶隙更大。本發(fā)明同時能顯著提高其生長速率。尤其是在制備較大光學帶隙的類金剛石膜 時，本發(fā)明中的方法相對于只通過改變生長參數(shù)的方法，其生長速率提高將近1倍。例如， 同樣是生長光學帶隙為3. OeV的含氫類金剛石膜，在工作壓強為30Pa的條件下，將襯底 同向平行放置于源電極上的生長速率約為4. Snm/min，而將襯底反向放置且距離源電極 2. 5cm高度的樣品臺上的生長速率約為11. 2nm/min(參見圖8)。因此在采用等離子體增強型化學氣相沉積制備含氫類金剛石膜過程中，可以通過 將襯底相對于源電極板反向放置，并調整襯底與源電極板的距離的基礎上，然后改變生長 工藝參數(shù)(如工作壓強、射頻功率等)或摻入雜質元素，實現(xiàn)更大范圍的調制類金剛石膜的 光學帶隙，顯著提高含氫類金剛石膜的生長速率。實施例21)襯底預處理處理過程與實施例1相同；2)襯底反向放置在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，放入高度為
1.5cm的石英樣品支架，然后將清洗好的石英片襯底反向放置于玻璃樣品臺上，并在襯底背 面蓋上絕緣遮擋片，使得用于生長含氫類金剛石膜的襯底正面正對著源電極。3)用等離子體濺射清洗生長腔體以及襯底表面將流量為eOsccm的氧氣通入等 離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，輝光放電后形成等離子體氣體，對等離子體增強 型化學氣相沉積生長室以及襯底表面進行濺射清洗。清洗過程中工作壓強控制在25Pa，工 作功率控制在300W。4)生長含氫類金剛石膜濺射清洗完成后，將等離子體增強型化學氣相沉積生長 腔體的真空度抽至低于10_4Pa后，然后通入流量比為流量比為40 40(SCCm:SCCm)的CH4 和H2的混合氣體作為源氣體進行含氫類金剛石膜的生長。生長過程中工作壓強控制在5Pa， 射頻功率控制在400W。生長時間為30min。5)停止生長生長結束后，在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中停止通入 CH4和H2的混合氣體，并將尾氣抽干凈，打開生長腔體，取出含氫類金剛石膜。6)性能測試將鍍好的類金剛石膜分別用紫外_可見分光光度計測透光性(參加 圖9)、橢偏儀測膜厚度、納米壓痕儀測硬度(參加圖10)。實施例31)襯底預處理底預處理處理過程與實施例1相同。2)襯底反向放置在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，放入高度為
2.5cm的石英樣品支架，然后將清洗好的石英片襯底反向放置于玻璃樣品臺上，并在襯底背 面蓋上絕緣遮擋片，使得用于生長含氫類金剛石膜的襯底正面正對著源電極。3)用等離子體濺射清洗生長腔體以及襯底表面將流量為SOsccm的氧氣通入等 離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，輝光放電后形成等離子體氣體，對等離子體增強 型化學氣相沉積生長室以及襯底表面進行濺射清洗。清洗過程中工作壓強控制在50Pa，工 作功率控制在200W。4)生長含氫類金剛石膜濺射清洗完成后，將等離子體增強型化學氣相沉積生長 腔體的真空度抽至低于10_4Pa后，通入流量為40sCCm的CH4作為源氣體進行含氫類金剛石 膜的生長。生長過程中工作壓強控制在60Pa，射頻功率控制在50W。生長時間為60min。
5)停止生長生長結束后，在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中停止通入 CH4氣體，并將尾氣抽干凈，打開生長腔體，取出含氫類金剛石膜。6)性能測試將鍍好的類金剛石膜分別用紫外_可見分光光度計測透光性(參加 圖11)、橢偏儀測膜厚度、納米壓痕儀測硬度(參加圖12)。實施例41)襯底預處理底預處理處理過程與實施例1相同。2)襯底反向放置在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，放入高度為 3. 5cm的石英樣品支架，然后將清洗好的石英片襯底反向放置于玻璃樣品臺上，并在襯底背 面蓋上絕緣遮擋片，使得用于生長含氫類金剛石膜的襯底正面正對著源電極。3)用等離子體濺射清洗生長腔體以及襯底表面將流量為lOOsccm的氧氣通入等 離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中，輝光放電后形成等離子體氣體，對等離子體增強 型化學氣相沉積生長室以及襯底表面進行濺射清洗。清洗過程中工作壓強控制在lOOPa，工 作功率控制在100W。4)生長含氫類金剛石膜濺射清洗完成后，將等離子體增強型化學氣相沉積生長 腔體的真空度抽至低于10_4Pa后，通入流量比為40 20 (sccm :sccm)的CH4和H2的混合 氣體作為源氣體進行含氫類金剛石膜的生長。生長過程中工作壓強控制在120Pa，射頻功率 控制在100W。生長時間為30min。5)停止生長生長結束后，在等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體中停止通入 CH4和H2的混合氣體，并將尾氣抽干凈，打開生長腔體，取出含氫類金剛石膜。6)性能測試將鍍好的類金剛石膜分別用紫外_可見分光光度計測透光性(參加 圖13)、橢偏儀測膜厚度、納米壓痕儀測硬度(參加圖14)。
權利要求
1.一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟1)將經(jīng)過預處理的襯底放入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體內，襯底正面正對 源電極，襯底背面正對接地電極；2)用等離子體濺射清洗等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體以及襯底表面；3)將等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體抽真空，通入含氫氣體，調節(jié)工作壓強和 射頻功率，進行含氫類金剛石膜的生長；生長結束后，停止通入含氫氣體，抽凈尾氣，即得含 氫類金剛石膜。
2.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟1)中所述 襯底與所述源電極之間的最小距離為0. 5cm，最大距離為所述源電極和接地電極之間的距罔。
3.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟1)中所述 襯底背面設有絕緣遮擋片；所述襯底與所述源電極之間設有絕緣樣品支架，所述襯底置于 所述絕緣樣品支架上。
4.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟1)中所述 絕緣樣品支架為玻璃支架或石英支架，所述絕緣遮擋片為玻璃片或石英片，所述襯底為玻 璃或石英。
5.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟2)中所述 等離子體由氧氣或氬氣通入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體并經(jīng)輝光放電后形成， 所述氧氣或氬氣通入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體的流量為20 lOOsccm。
6.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟2)中所述 清洗時通入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體的工作壓強為5 lOOPa，射頻功率為 100 300W。
7.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所 述等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體抽真空后的真空度< 10_4Pa。
8.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟3)中所述 含氫氣體為CH4和H2組成的混合氣體，所述混合氣體中CH4和H2按氣體流量比為40 0 40。
9.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟3)中所述 生長過程中等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體的工作壓強為1 200Pa，射頻功率為 20 450w。
10.如權利要求1所述的一種含氫類金剛石膜的制備方法，其特征在于在步驟3)中所 述生長的時間為5 90min。
全文摘要
一種含氫類金剛石膜的制備方法。涉及類金剛石膜，提供一種含氫類金剛石膜的制備方法，包括以下步驟將襯底正面正對著源電極放入等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體內，用等離子體濺射清洗等離子體增強型化學氣相沉積生長腔體以及襯底表面；將腔體抽真空，通入含氫氣體，調節(jié)工作壓強和射頻功率，進行含氫類金剛石膜的生長；生長結束后，停止通入含氫氣體，抽凈尾氣，即得含氫類金剛石膜。通過在生長腔體中將襯底相對于源電極反向平行放置后，并調整襯底與源電極距離，改變工作壓強和射頻功率的等離子體增強型化學氣相沉積法可實現(xiàn)更大范圍的調制類金剛石膜的光學帶隙并能夠顯著提高其生長速率，滿足其未來的應用需求。
文檔編號C23C16/27GK102002683SQ20101058286
公開日2011年4月6日 申請日期2010年12月10日 優(yōu)先權日2010年12月10日
發(fā)明者崔萬國, 張玲, 王輔明, 黎瓊鈺 申請人:廈門大學