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      薄膜沉積裝置及制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法

      文檔序號:3368332閱讀:236來源:國知局
      專利名稱:薄膜沉積裝置及制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本公開涉及去除基板與掩膜之間產(chǎn)生的靜電的薄膜沉積裝置以及使用該薄膜沉 積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
      背景技術(shù)
      有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有比其它顯示設(shè)備更大的視角、更好的對比度特性以及更快 的響應(yīng)速率,因此作為下一代顯示設(shè)備已引起關(guān)注。一般而言,有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有包括陽極、陰極以及插入陽極與陰極之間的發(fā) 射層的堆疊結(jié)構(gòu)。當(dāng)分別從陽極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合并發(fā)光時,有機(jī) 發(fā)光顯示設(shè)備顯示彩色圖像。然而,使用這種結(jié)構(gòu)很難實現(xiàn)高的發(fā)光效率。因此,另外在發(fā) 射層與各電極之間插入包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等等的中間層。電極和中間層可以通過使用各種方法來形成,其中一種方法是沉積方法。當(dāng)使用 沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時,與待形成的薄膜具有相同圖案的精細(xì)金屬掩膜(FMM) 被布置為緊密接觸基板,并且在FMM之上沉積薄膜材料,以便形成具有所期望的圖案的薄膜。

      發(fā)明內(nèi)容
      本公開提供一種去除基板與掩膜之間產(chǎn)生的靜電的薄膜沉積裝置,使得由于靜電 而導(dǎo)致的掩膜和基板無法分離的現(xiàn)象不會發(fā)生,并且提供一種通過利用該薄膜沉積裝置制 造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。根據(jù)本公開的一方面,提供一種薄膜沉積裝置,包括用于支撐基板的支撐體;被 布置為面對所述基板的表面的掩膜;以及去除所述基板與所述掩膜之間產(chǎn)生的靜電去除的 靜電去除器。根據(jù)某些方面,所述靜電去除器可以通過向所述掩膜供應(yīng)電流而去除所述基板與 所述掩膜之間產(chǎn)生的靜電。根據(jù)某些方面,所述靜電去除器可以以預(yù)定頻率向所述掩膜供應(yīng)電流。根據(jù)某些方面,所述靜電去除器可以包括用于向所述掩膜供應(yīng)電流的電源;用 于調(diào)整所述電流的量的電阻器;以及連接至所述電源、所述電阻器和所述掩膜以便構(gòu)成閉 合電路的電線。根據(jù)本公開的另一方面,提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,所述有機(jī)發(fā)光 顯示設(shè)備包括形成在基板上并且彼此面對的第一電極和第二電極以及布置在所述第一電 極與所述第二電極之間的有機(jī)層,所述方法包括將所述基板布置在腔室中;對掩膜進(jìn)行 定位以便面對所述基板的表面;通過所述掩膜在所述基板上沉積所述有機(jī)層;去除所述掩 膜與所述基板之間產(chǎn)生的靜電;并且將所述掩膜與所述基板彼此進(jìn)行分離。根據(jù)某些方面,去除靜電可以包括向所述掩膜供應(yīng)電流。
      根據(jù)某些方面,去除靜電可以包括以預(yù)定頻率向所述掩膜供應(yīng)電流。根據(jù)某些方面,去除靜電可以包括向所述掩膜供應(yīng)電流,其中所述掩膜、用于向所 述掩膜供應(yīng)電流的電源以及用于調(diào)整所述電流的量的電阻器構(gòu)成閉合電路。本公開的其它方法和/或優(yōu)點部分地記載在隨后的說明書中,部分地從說明書中 顯而易見,或者可以通過實踐本公開而獲知。


      從以下結(jié)合附圖對示例性實施例的描述中,本公開的這些和/或其它方面以及優(yōu) 點將變得明顯并且更加容易理解,附圖中圖1是根據(jù)本公開示例性實施例的薄膜沉積裝置的示意性截面圖;圖2是根據(jù)本公開示例性實施例的圖1的掩膜和靜電去除器的示意性透視圖;圖3至圖5是用于示出根據(jù)本公開示例性實施例的薄膜沉積裝置的功能的截面 圖;以及圖6是根據(jù)本公開示例性實施例的利用薄膜沉積裝置制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備 的截面圖。
      具體實施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參照本公開的示例性實施例,其示例示出在附圖中,其中相同的附圖 標(biāo)記始終表示相同的元件。下面參照附圖描述示例性實施例,以便說明本公開的各方面。圖1是根據(jù)本公開示例性實施例的薄膜沉積裝置100的示意性截面圖。圖2是圖 1的掩膜103和靜電去除器120的示意性透視圖。參見圖1和圖2,薄膜沉積裝置100可以包括腔室101、支撐體102、掩膜103、沉積 源104以及靜電去除器120。支撐體102、掩膜103、沉積源104以及靜電去除器120可以放 置在腔室101中,并且可以在腔室101中執(zhí)行薄膜沉積工藝。腔室101可以在薄膜沉積工 藝期間保持真空。在薄膜沉積工藝期間,支撐體102在腔室101中固定支撐基板110。如圖1中示 出的,支撐體102可以支撐基板110的邊緣部分,使得薄膜108(參見圖幻可以沉積在基板 110的中央部分。基板110可以是平板顯示裝置的基板,或者可替代地,可以是大尺寸基板, 例如其上可以形成有多個平板顯示裝置的母玻璃。沉積源104可以在腔室101中被布置為與基板110相對。沉積源104中可以容納 有沉積材料(未示出),并且可以對沉積材料進(jìn)行加熱。加熱使沉積材料蒸發(fā),而后沉積材 料在基板110上沉積為薄膜108。掩膜103包括多個開口(未示出),并且布置在基板110與沉積源104之間,以便 根據(jù)開口對薄膜108進(jìn)行圖案化。也就是說,由沉積源104蒸發(fā)的沉積材料穿過掩膜103 的開口,沉積在基板110的表面上形成薄膜108?;?10與掩膜103之間的距離越遠(yuǎn),越 會發(fā)生陰影現(xiàn)象。為了防止陰影現(xiàn)象,可以盡可能緊密地將基板110和掩膜103附在一起。 掩膜103的開口可以是多個縫隙或點(孔),但本公開并不限于此。靜電去除器120可以去除來自基板110與掩膜103之間的靜電。對掩膜103和基 板110進(jìn)行多次對準(zhǔn),以便將薄膜108沉積在期望的位置。另外,在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的情況下,由于發(fā)射紅、綠和藍(lán)光的有機(jī)層形成在基板上,因此針對各種顏色使用多種掩膜。無 論何時使用不同的掩膜,都要執(zhí)行對準(zhǔn)操作??梢酝ㄟ^調(diào)整掩膜103與基板110之間的排 列來對基板110和掩膜103進(jìn)行對準(zhǔn)。在這種情況下,可以重復(fù)使得掩膜103與基板110 彼此接觸和不接觸。因此,可能會在掩膜103與基板110之間產(chǎn)生靜電。基板110和掩膜 103會由于靜電而彼此粘合。因此,基板110的一部分可能會被粘合損壞?,F(xiàn)在將參照圖3和圖4描述以上所述的問題。如圖3所示,由于掩膜103與基板 110之間的對準(zhǔn)操作以及各種掩膜的替換,可能會在掩膜103、基板110和薄膜108之間產(chǎn) 生靜電。因此,掩膜103、基板110和薄膜108彼此接觸,并且基板110和掩膜103緊密地附 在一起。然后,如圖4所示,當(dāng)基板110在薄膜沉積工藝完成之后被抬起時,基板110的一 部分可能無法與掩膜103正確分離。因此,基板110會被損壞,或者沉積在基板110上的薄 膜108的一部分可能與基板110分離。如圖5所示,連接至掩膜103的靜電去除器120可以將基板110與掩膜103之間 產(chǎn)生的靜電去除,從而防止在基板110和掩膜103彼此分離時對基板110造成損壞。靜電 去除器120可以包括例如向掩膜103供應(yīng)電流的電源105、用于調(diào)整電流量的電阻器106以 及構(gòu)成閉合電路的將電源105、電阻器106和掩膜103相連的導(dǎo)線107??梢砸灶A(yù)定頻率向 掩膜103間歇地供應(yīng)電流。換句話說,雖然并不是在本發(fā)明的所有方面中都需要,但以預(yù)定 頻率在預(yù)定時間量內(nèi)向掩膜供應(yīng)電流,并且可以在另一預(yù)定時間量內(nèi)不向掩膜供應(yīng)電流。如圖2所示,由于從沉積源104發(fā)射的沉積材料穿過掩膜103的上下表面以沉積 在基板Iio上,因此靜電去除器120可以鄰近掩膜103布置。圖6是根據(jù)本公開示例性實施例的利用薄膜沉積裝置制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。 圖6中,示出有源矩陣(AM)型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的單個子像素。參見圖6,單個子像素包括 至少一個薄膜晶體管(TFT)和作為自發(fā)射器件的電致發(fā)光(EL)器件(例如有機(jī)發(fā)光二極 管)。然而,由于TFT可以包括多種結(jié)構(gòu),因此TFT并不限于圖6的結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)在將更詳細(xì)地 描述AM型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。如圖6所示,緩沖層330形成在基板320上,并且TFT形成在緩沖層330上。TFT 包括半導(dǎo)體有源層331、形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層331和緩沖層330的柵絕緣層332以及形 成在柵絕緣層332上的柵電極333。層間絕緣層334被形成為覆蓋柵電極333,并且源和漏 電極335形成在層間絕緣層334上。源和漏電極335經(jīng)由形成為通過柵絕緣層332和層間 絕緣層334的接觸孔而分別接觸半導(dǎo)體有源層331的源區(qū)和漏區(qū)。作為OLED的陽極而工作 的第一電極層321連接至源和漏電極335之一。第一電極層321形成在平坦化層337上, 其中平坦化層337形成在絕緣層336上。像素限定層338被形成為覆蓋第一電極層321。 在像素限定層338中形成開口,并且OLED的有機(jī)層3 形成在開口中。作為公共電極而工 作的第二電極層327被形成為覆蓋像素限定層338和有機(jī)層326。OLED的有機(jī)層3 可以包括紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)有機(jī)發(fā)射層,從而實現(xiàn) 全彩色顯示。R、G和B有機(jī)發(fā)射層可以通過薄膜沉積裝置形成。R、G和B有機(jī)發(fā)射層可以 利用各自的掩膜形成。在沉積R、G和B有機(jī)發(fā)射層進(jìn)行之后,通過薄膜沉積裝置的靜電去 除器去除基板與掩膜之間產(chǎn)生的靜電,然后將基板和掩膜彼此分離。對有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備進(jìn)行密封以便防止外部氧氣和濕氣滲入有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備 中。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備僅僅是為了示意性的目的,并且可以對有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行各種改變。根據(jù)本公開的各種實施例,可以將掩膜與基板之間產(chǎn)生的靜電去除,從而防止由 于靜電而導(dǎo)致掩膜和基板無法分離的現(xiàn)象發(fā)生。雖然已示出并描述了本公開的若干示例性實施例,但本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解, 可以對這些示例性實施例進(jìn)行改變,而不背離權(quán)利要求書及其等同物中限定的本公開的原 理和精神。
      權(quán)利要求
      1.一種薄膜沉積裝置,包括 用于支撐基板的支撐體;面對所述基板的表面布置的掩膜;以及 去除所述基板與所述掩膜之間產(chǎn)生的靜電的靜電去除器。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置,其中所述靜電去除器通過向所述掩膜供應(yīng)電 流而去除靜電。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積裝置,其中所述靜電去除器以預(yù)定頻率向所述掩膜 供應(yīng)所述電流。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積裝置,其中所述靜電去除器包括 用于向所述掩膜供應(yīng)電流的電源;用于調(diào)整所述電流的量的電阻器;以及連接至所述電源、所述電阻器和所述掩膜以形成閉合電路的電線。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中所述靜電去除器在預(yù)定時間量內(nèi)向所述掩膜供應(yīng) 所述電流。
      6.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括形成在基板上的彼 此面對的第一電極和第二電極以及布置在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層 所 述方法包括將所述基板布置在腔室中; 對掩膜進(jìn)行定位以便面對所述基板的表面; 通過所述掩膜在所述基板上沉積所述有機(jī)層; 去除所述掩膜與所述基板之間產(chǎn)生的靜電;并且 將所述掩膜與所述基板分離。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,其中去除靜電包括向所述掩 膜供應(yīng)電流。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,其中所述電流以預(yù)定頻率被 供應(yīng)給所述掩膜。
      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,其中所述電流通過在所述掩 膜、用于向所述掩膜供應(yīng)所述電流的電源以及用于調(diào)整所述電流的量的電阻器之間形成的 閉合電路被供應(yīng)給所述掩膜。
      10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,其中所述電流在預(yù)定時間 量內(nèi)被供應(yīng)給所述掩膜。
      11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,其中向所述掩膜供應(yīng)電流 包括交替地在第一預(yù)定時間量內(nèi)向所述掩膜供應(yīng)所述電流,并且在第二預(yù)定時間量內(nèi)不向 所述掩膜供應(yīng)所述電流。
      全文摘要
      本公開提供一種薄膜沉積裝置及制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。所述薄膜沉積裝置可以去除基板與掩膜之間產(chǎn)生的靜電,并且所述方法用于利用該薄膜沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
      文檔編號C23C14/04GK102148234SQ20101059975
      公開日2011年8月10日 申請日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
      發(fā)明者安成國, 李鐘禹, 池昶恂, 金兌承 申請人:三星移動顯示器株式會社
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