專利名稱：加熱控制方法、裝置和系統(tǒng)，加熱腔及等離子體設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種加熱腔的加熱控制方法和裝置，加熱腔及等離子體設(shè)備。
背景技術(shù)：
PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)最基本的功能就是等離子覆膜工藝，而等離子產(chǎn)生的條件包括射頻、溫度、真空、氣體。為了滿足產(chǎn)能指標(biāo)，將PECVD系統(tǒng)設(shè)計(jì)成流水線式結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)。圖1為一種PECVD系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。其中，裝載臺(tái) (Load Platform) 1100'用于裝載晶片，例如在生產(chǎn)線上是經(jīng)過擴(kuò)散、刻蝕和清洗的硅片。 裝載/加熱腔(Load/Heating Chamber) 1200'為用于將大氣中的晶片傳輸?shù)秸婵盏墓に嚽坏倪^渡腔，同時(shí)還利用380V紅外燈管將晶片加熱到工藝所需溫度。工藝腔(Process Chamber) 1300'為鍍膜腔，在該工藝腔1300，內(nèi)完成鍍膜工藝。冷卻/卸載腔(Cooling/ Unload Chamber) 1400’將晶片溫降到規(guī)定溫度，然后將真空中的晶片傳輸?shù)叫遁d臺(tái)1500’。 生產(chǎn)人員或自動(dòng)化設(shè)備在卸載臺(tái)(Unload Platform) 1500’收集加工好的晶片?；厥障到y(tǒng) (Cycle System) 1600，用于載板的自動(dòng)回收。可以看出加熱腔是PECVD系統(tǒng)的一個(gè)重要部分，然而現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)是加熱腔在冷卻狀態(tài)下啟動(dòng)時(shí)常常會(huì)由于啟動(dòng)瞬間電流過大而引起保險(xiǎn)絲燒壞，從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一，特別是解決加熱腔在冷卻狀態(tài)下啟動(dòng)瞬間電流過大而導(dǎo)致設(shè)備損壞的缺陷。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明一方面提出一種加熱腔的加熱控制方法，包括以下步驟 檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度；根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)； 如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)，則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中， 所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度；并控制加熱裝置以所述初始加熱溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。本發(fā)明實(shí)施例可在加熱腔啟動(dòng)時(shí)首先判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在所述根據(jù)當(dāng)前溫度和初始加熱溫度對(duì)加熱腔進(jìn)行加熱之后，還包括如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)，則控制所述加熱裝置根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，其中，按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高所述初始加熱溫度，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。即本發(fā)明實(shí)施例的加熱控制方法采用多次攀升加熱的方式逐步地提高加熱腔的加熱溫度，從而可以使得加熱腔的加熱更加平穩(wěn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。具體地，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為T2X (1+2)，其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，且(1+2)小于或等于N。本發(fā)明另一方面還提出了一種加熱控制裝置，包括溫度檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度；判斷模塊，用于根據(jù)所述溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)的所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)；和控制模塊，用于在所述判斷模塊判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)時(shí)，根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中，所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度，并控制加熱裝置以所述初始加熱溫度啟動(dòng)對(duì)所述加熱腔的加熱。通過該加熱控制裝置可在加熱腔啟動(dòng)時(shí)首先判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述控制模塊還用于在所述判斷模塊判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)時(shí)，根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，其中，所述加熱控制裝置還包括初始加熱溫度調(diào)整模塊，所述初始加熱溫度調(diào)整模塊用于按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高初始加熱溫度調(diào)整模塊，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。即本發(fā)明實(shí)施例的加熱控制裝置采用多次攀升加熱的方式逐步地提高加熱腔的加熱溫度，從而可以使得加熱腔的加熱更加平穩(wěn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述初始加熱溫度和所述調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。具體地，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為T2 X (1+2)，其中， N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，且(1+2)小于或等于N。本發(fā)明在一方面還提出了一種加熱腔的加熱控制系統(tǒng)，包括加熱裝置；和如上所述的加熱控制裝置；其中，所述加熱控制裝置用于檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度；根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)；如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)， 則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中，所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度；所述加熱裝置用于根據(jù)所述初始加熱溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行逐步加熱。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱控制裝置還用于如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)，則控制加熱裝置根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，其中，所述加熱裝置還用于按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高所述初始加熱溫度，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為 T2 X (1+2)，其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，且(1+2)小于或等于N。通過本發(fā)明實(shí)施例的加熱控制系統(tǒng)可在加熱腔啟動(dòng)時(shí)首先判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低加熱裝置的設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。本發(fā)明再一方面還提出了一種加熱腔，包括加熱腔本體；設(shè)置在所述加熱腔本體之內(nèi)的多個(gè)加熱裝置；和控制所述多個(gè)加熱裝置的加熱控制裝置，所述加熱控制裝置為如上所述的加熱控制裝置。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱裝置為紅外燈管。通過該加熱腔可在加熱腔啟動(dòng)時(shí)首先判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低加熱裝置的設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。本發(fā)明實(shí)施例再一方面還提出了一種等離子體設(shè)備，包括如上所述的加熱腔。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述等離子體設(shè)備為PVD設(shè)備或PECVD設(shè)備。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖1為一種PECVD系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的加熱腔的加熱控制方法流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的多次攀升加熱的流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的加熱控制裝置結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。對(duì)于加熱腔中的加熱裝置而言，例如紅外燈管，由于加熱腔需要在預(yù)定的時(shí)間之內(nèi)加熱到目標(biāo)溫度，因此如果加熱腔處于冷卻狀態(tài)，其與目標(biāo)溫度的差值很大，則就需要提高加熱裝置的功率。然而在加熱腔冷卻狀態(tài)啟動(dòng)的瞬間，加熱裝置可視為電阻性負(fù)載，因此如果此時(shí)的功率較大就會(huì)產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流，從而致使設(shè)備損壞。因此在本發(fā)明實(shí)施例中，在為加熱腔加熱之初首先需要判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，一旦判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)，則降低加熱裝置的設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例的加熱腔的加熱控制方法流程圖，該方法包括以下步驟步驟S201，檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度。步驟S202，根據(jù)加熱腔的當(dāng)前溫度判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)。具體地，判斷加熱腔的當(dāng)前溫度是否大于溫度閾值Tc，如果大于溫度閾值Tc，則說明該加熱腔未處于冷卻狀態(tài)，因此執(zhí)行步驟S203 ；反之，如果小于溫度閾值Tc，則說明該加熱腔處于冷卻狀態(tài)，此時(shí)則執(zhí)行步驟S204。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，溫度閾值Tc約為0-250度。步驟S203，如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)，則根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算加熱功率并啟動(dòng)加熱腔的加熱裝置對(duì)加熱腔進(jìn)行加熱。在本發(fā)明的實(shí)施例中，加熱裝置為紅外燈管。步驟S204，如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)，則根據(jù)設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，并根據(jù)當(dāng)前溫度和初始加熱溫度對(duì)加熱腔進(jìn)行加熱，其中，初始加熱溫度小于設(shè)定的目標(biāo)溫度。這樣通過選擇小于設(shè)定的目標(biāo)溫度的初始加熱溫度可以有效地降低啟動(dòng)時(shí)的瞬態(tài)電流。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，初始加熱溫度與設(shè)定的目標(biāo)溫度相關(guān)。步驟S205，按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高初始加熱溫度直至初始加熱溫度等于設(shè)定的目標(biāo)溫度。本發(fā)明采用多次攀升加熱的方式逐步地提高加熱腔的加熱溫度，從而可以使得加熱腔的加熱更加平穩(wěn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，初始加熱溫度和調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。其中，可設(shè)Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，則調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，初始加熱溫度為T2X (1+2)， 其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，且(1+2)小于或等于N。具體地，如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例的多次攀升加熱的流程圖，具體包括步驟S301，以初始加熱溫度(T2X2)作為啟動(dòng)時(shí)的目標(biāo)溫度計(jì)算加熱功率并啟動(dòng)加熱裝置，并將調(diào)整次數(shù)I設(shè)為0，對(duì)加熱腔進(jìn)行預(yù)定時(shí)間(例如等待IOs)的加熱。步驟S302，將1+1，并根據(jù)調(diào)整步長(zhǎng)T2對(duì)初始加熱溫度進(jìn)行調(diào)整，其中，調(diào)整后的初始加熱溫度為T2X3。步驟S303，對(duì)加熱腔進(jìn)行預(yù)定時(shí)間(例如等待IOs)的加熱，并判斷調(diào)整次數(shù)I是否達(dá)到調(diào)整最大值，其中，所述調(diào)整最大值等于N-I。如果判斷未達(dá)到調(diào)整最大值，則返回步驟S302，如果判斷到達(dá)調(diào)整最大值，則停止調(diào)整以當(dāng)前調(diào)整后的初始加熱溫度對(duì)加熱腔進(jìn)行持續(xù)加熱，直至加熱腔達(dá)到目標(biāo)溫度。本發(fā)明實(shí)施例可在加熱腔啟動(dòng)時(shí)首先判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。另外本發(fā)明采用多次攀升加熱的方式逐步地提高加熱腔的加熱溫度，從而可以使得加熱腔的加熱更加平穩(wěn)。如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例的加熱控制裝置結(jié)構(gòu)圖。該加熱控制裝置1000包括溫度檢測(cè)模塊1100、判斷模塊1200和控制模塊1300。溫度檢測(cè)模塊1100用于檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度。判斷模塊1200用于根據(jù)溫度檢測(cè)模塊1100檢測(cè)的加熱腔的當(dāng)前溫度判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)?？刂颇K1300用于在判斷模塊1200判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)時(shí)， 根據(jù)設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中，初始加熱溫度小于設(shè)定的目標(biāo)溫度，并以初始加熱溫度啟動(dòng)對(duì)加熱腔的加熱，以及根據(jù)調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高初始加熱溫度直至初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，控制模塊1300還用于在判斷模塊1200判斷加熱腔未處于冷卻狀態(tài)時(shí)，根據(jù)當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)加熱腔進(jìn)行加熱。在本發(fā)明的實(shí)施例中，加熱控制裝置1000還包括初始加熱溫度調(diào)整模塊1400，用于按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高所述初始加熱溫度，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。其中，初始加熱溫度和調(diào)整步長(zhǎng)均根據(jù)設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。具體地，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為T2X (1+2)，其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，且 (1+2)小于或等于N。本發(fā)明實(shí)施例還提出了一種加熱腔的加熱控制系統(tǒng)，包括加熱裝置和如上所述的加熱控制裝置1000。其中，加熱控制裝置1000用于檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度，根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)，則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中，所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。加熱裝置用于根據(jù)所述初始加熱溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行逐步加熱。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱控制裝置還用于如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)，則控制加熱裝置根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述加熱裝置還用于按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高所述初始加熱溫度，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。其中，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為T2X (1+2)，其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，且(1+2)小于或等于N。本發(fā)明實(shí)施例還提出了一種加熱腔，包括加熱腔本體，設(shè)置在加熱腔本體之內(nèi)的多個(gè)加熱裝置，和控制多個(gè)加熱裝置的加熱控制裝置。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，加熱裝置為紅外燈管。當(dāng)然在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以選擇其他的加熱裝置進(jìn)行控制。通過該加熱腔可在加熱腔啟動(dòng)時(shí)首先判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低加熱裝置的設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。本發(fā)明實(shí)施例再一方面還提出了一種等離子體設(shè)備，包括如上所述的加熱腔。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述等離子體設(shè)備為PVD設(shè)備或PECVD設(shè)備。通過本發(fā)明實(shí)施例的等離子體設(shè)備可以在啟動(dòng)加熱腔對(duì)晶片進(jìn)行加熱時(shí)首先加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低加熱裝置的設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)等離子體設(shè)備造成損害。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
權(quán)利要求
1.一種加熱控制方法，其特征在于，包括以下步驟檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度；根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)；如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)，則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度， 其中，所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度，并控制加熱裝置以所述初始加熱溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。
2.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，還包括如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)，則控制所述加熱裝置根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。
3.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，其中，按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高所述初始加熱溫度，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。
4.如權(quán)利要求3所述的加熱控制方法，其特征在于，所述調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。
5.如權(quán)利要求4所述的加熱控制方法，其特征在于，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為T2X (1+2)，其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，且(1+2) 小于或等于N。
6.一種加熱控制裝置，其特征在于，包括溫度檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度；判斷模塊，用于根據(jù)所述溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)的所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)；和控制模塊，用于在所述判斷模塊判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)時(shí)，根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中，所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度，并控制加熱裝置以所述初始加熱溫度啟動(dòng)對(duì)所述加熱腔的加熱。
7.如權(quán)利要求6所述的加熱控制裝置，其特征在于，所述控制模塊還用于在所述判斷模塊判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)時(shí)，根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。
8.如權(quán)利要求6所述的加熱控制裝置，其特征在于，其中，還包括初始加熱溫度調(diào)整模塊，所述初始加熱溫度調(diào)整模塊用于按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高所述初始加熱溫度，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。
9.如權(quán)利要求8所述的加熱控制裝置，其特征在于，所述初始加熱溫度和所述調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。
10.如權(quán)利要求9所述的加熱控制裝置，其特征在于，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為T2X (1+2)，其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，且(1+2) 小于或等于N。
11.一種加熱控制系統(tǒng)，其特征在于，包括加熱裝置；和如權(quán)利要求6-10任一所述的加熱控制裝置；其中，所述加熱控制裝置用于檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度；根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)；如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)，則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中，所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度；所述加熱裝置用于根據(jù)所述初始加熱溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行逐步加熱。
12.如權(quán)利要求11所述的加熱控制系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱控制裝置還用于如果判斷所述加熱腔未處于冷卻狀態(tài)，則控制加熱裝置根據(jù)所述當(dāng)前溫度和設(shè)定的目標(biāo)溫度對(duì)所述加熱腔進(jìn)行加熱。
13.如權(quán)利要求11所述的加熱控制系統(tǒng)，其特征在于，其中，所述加熱裝置還用于按照調(diào)整步長(zhǎng)逐步地提高所述初始加熱溫度，直至所述初始加熱溫度等于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度。
14.如權(quán)利要求13所述的加熱控制系統(tǒng)，其特征在于，所述調(diào)整步長(zhǎng)根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算得到。
15.如權(quán)利要求14所述的加熱控制系統(tǒng)，其特征在于，所述調(diào)整步長(zhǎng)T2為T1/N，所述初始加熱溫度為T2X (1+2)，其中，N為正整數(shù)，I為調(diào)整次數(shù)，Tl為設(shè)定的目標(biāo)溫度，且 (1+2)小于或等于N。
16.一種加熱腔，其特征在于，包括加熱腔本體；設(shè)置在所述加熱腔本體之內(nèi)的多個(gè)加熱裝置；和控制所述多個(gè)加熱裝置的加熱控制裝置，所述加熱控制裝置為權(quán)利要求6-10所述的加熱控制裝置。
17.如權(quán)利要求16所述的加熱腔，其特征在于，所述加熱裝置為紅外燈管。
18.一種等離子體設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求16或17所述的加熱腔。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體設(shè)備，其特征在于，所述等離子體設(shè)備為PVD設(shè)備或 PECVD設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明提出一種加熱腔的加熱控制方法和裝置，加熱腔及等離子體設(shè)備。其中，加熱控制方法包括檢測(cè)加熱腔的當(dāng)前溫度；根據(jù)所述加熱腔的當(dāng)前溫度判斷所述加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)；如果判斷所述加熱腔處于冷卻狀態(tài)，則根據(jù)所述設(shè)定的目標(biāo)溫度計(jì)算初始加熱溫度，其中，所述初始加熱溫度小于所述設(shè)定的目標(biāo)溫度，并以所述初始加熱溫度啟動(dòng)對(duì)所述加熱腔的加熱。本發(fā)明實(shí)施例可在加熱腔啟動(dòng)時(shí)首先判斷加熱腔是否處于冷卻狀態(tài)，且一旦判斷加熱腔處于冷卻狀態(tài)則降低設(shè)定溫度，從而減小啟動(dòng)電流，避免對(duì)設(shè)備造成損害。
文檔編號(hào)C23C14/54GK102560441SQ201010604798
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月23日
發(fā)明者付金生 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司