專利名稱：基片加熱腔室、使用基片加熱腔室的方法及基片處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種基片加熱腔室、使用基片加熱腔室的方法及基片處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著集成電路生產(chǎn)技術(shù)的不斷進步，電路芯片的集成度得到大幅提升。目前，在一片芯片中所集成的晶體管數(shù)量已經(jīng)達到了驚人的幾千萬個，數(shù)量如此龐大的有源元件的信號集成需要多達十層以上的高密度金屬互聯(lián)層進行連接。因此，作為制備上述金屬互聯(lián)層的重要工藝，物理氣相沉積(Physical Vapor D印osition，以下簡稱PVD)技術(shù)，特別是PVD 中的磁控濺射技術(shù)得到了廣泛應用。請參閱圖1，為一種典型的磁控濺射設(shè)備的系統(tǒng)原理圖。該系統(tǒng)包括前端開啟裝置 10、傳輸腔室15、與傳輸腔室15相連接的去氣腔室11、預清洗腔室12、以及阻擋層工藝腔室 13和銅互連層工藝腔室14。工藝過程為，將基片通過前端開啟裝置10送入該系統(tǒng)，然后依次進行去氣工藝、預清洗工藝、銅阻擋層工藝以及銅仔晶層工藝。其中，去氣工藝是指將基片加熱至一定溫度以去除基片表面的水蒸氣等雜質(zhì)的處理過程，該工藝作為磁控濺射的第一個步驟，對后續(xù)工藝的質(zhì)量及設(shè)備整體的產(chǎn)能均具有非常重要的影響。請參閱圖2，為一種目前常用的去氣腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。該去氣腔室內(nèi)設(shè)置有托盤 21、支撐針沈以及加熱燈27。其中，托盤21內(nèi)設(shè)置有加熱絲23，支撐針沈由支撐針升降電機25進行驅(qū)動。在基片加熱工藝中，利用加熱絲23及加熱燈27同時為基片100進行加熱，從而使基片100能夠快速均勻的升溫。支撐針沈在工藝進行前后將基片100升高以使其脫離托盤21上表面，便于機械手取/放基片。在上述去氣工藝中，每片基片的標準工藝用時接近80s;而去氣工藝后續(xù)的銅阻擋層工藝及銅仔晶層工藝標準用時均為40 4 左右，僅約為去氣工藝時長的一半。由于去氣工藝是整個濺射工藝的第一個步驟而且該工藝用時最長，又由于每一個去氣腔室一次只能處理一片基片；因此，后續(xù)工藝經(jīng)常因等待去氣工藝的基片而處于空閑狀態(tài)，從而導致整個磁控濺射系統(tǒng)的產(chǎn)能因受到去氣工藝的限制而無法得到充分利用。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種基片加熱腔室，其能夠有效提高基片加熱效率。為解決上述問題，本發(fā)明同時提供一種使用基片加熱腔室的方法，其同樣能夠有效提高基片加熱效率。為解決上述問題，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，其同樣能夠有效提高基片加熱效率。為此，本發(fā)明提供一種基片加熱腔室，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱， 所述基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片。其中，基片加熱腔室包括用于承載基片進行加熱的托盤，托盤至少可同時承載2片基片。其中，基片加熱腔室包括密封閘門，托盤具有旋轉(zhuǎn)機構(gòu)；旋轉(zhuǎn)機構(gòu)用于在取/放基片時將托盤上已加熱好的基片位置或無基片的位置對準密封閘門。其中，基片加熱腔室可同時對2片或4片基片進行加熱。此外，本發(fā)明還提供一種使用基片加熱腔室的方法，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱，其中，基片加熱所需時長τ為基片處理工藝時長t的η倍，η > 1 ；其中，基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片，上述方法包括下述步驟10)使基片加熱腔室同時對 N片基片進行加熱處理，其中，N為正整數(shù)且η < N < η+1 ；20)每隔時長t，從基片加熱腔室內(nèi)取出加熱好的基片用于后續(xù)的基片處理工藝，同時，向基片加熱腔室內(nèi)放入未經(jīng)加熱的基片。其中，在步驟10)之前，還包括下述步驟0；3)向基片加熱腔室內(nèi)放入一片基片并持續(xù)加熱時長t，然后轉(zhuǎn)到步驟04) ；04)判斷基片加熱腔室內(nèi)的基片數(shù)量是否達到N片，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟10)；如果否，則轉(zhuǎn)到步驟03)。其中，基片加熱腔室包括托盤、密封閘門及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)；相應地，步驟20)具體包括 借助旋轉(zhuǎn)機構(gòu)將托盤上已加熱好的基片的位置對準密封閘門；開啟密封閘門，將已加熱好的基片取出，并在空出的基片位置處放入一片未經(jīng)加熱的基片。優(yōu)選地，N = 2或4。另外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝；其中，上述基片加熱腔室為上述本發(fā)明提供的基片加熱腔室，以使基片加熱的效率與工藝腔室的產(chǎn)能相匹配。其中，上述基片處理設(shè)備包括磁控濺射設(shè)備。另外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝；其中，在基片加熱腔室中應用有上述本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法，以使基片加熱的效率與工藝腔室的產(chǎn)能相匹配。其中，上述基片處理設(shè)備包括磁控濺射設(shè)備。本發(fā)明具有下述有益效果本發(fā)明提供的基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片。在基片處理工藝之前，借助本發(fā)明提供的基片加熱腔室同時對多片基片進行加熱，能夠保證在每次在后續(xù)的基片處理工藝結(jié)束時立即得到已加熱好的基片，從而有效滿足基片處理工藝的產(chǎn)能需求，避免基片處理工藝因等待基片加熱工藝而處于空閑狀態(tài)的問題，進而使基片加熱及處理設(shè)備的產(chǎn)能均可得到充分利用。本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法中，首先在基片加熱腔室內(nèi)同時加熱多片基片；然后，每間隔一個基片處理工藝的時長，從基片加熱腔室內(nèi)取出一片加熱好的基片用于后續(xù)的基片處理工藝；同時，向基片加熱腔室內(nèi)放入一片未經(jīng)加熱的基片。因此，本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法，能夠充分利用基片加熱腔室可同時加熱多片基片的特點，并根據(jù)基片處理工藝所需的時間長度，將對多片基片進行加熱的時間錯開；從而在每次基片處理工藝結(jié)束時可及時地向該基片處理工藝提供已加熱好的基片，避免基片處理工藝因等待基片加熱工藝而處于空閑狀態(tài)的問題，進而使基片加熱腔室及基片處理腔室的產(chǎn)能得到充分利用。
本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備包括工藝腔室及上述本發(fā)明提供的基片加熱腔室，借助上述本發(fā)明提供的基片加熱腔室或應用上述本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法而進行基片加熱工藝，以為后續(xù)的基片處理工藝及時提供加熱好的基片。因此，本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備，能夠有效提高基片加熱效率，從而避免工藝腔室因等待基片加熱而處于空閑狀態(tài)的問題，進而是基片加熱腔室及工藝腔室的產(chǎn)能得到充分利用。


圖1為一種典型的磁控濺射設(shè)備的系統(tǒng)原理圖；圖2為一種目前常用的去氣腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明提供的基片加熱腔室一個具體實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖4為本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法一個具體實施例的流程示意圖。
具體實施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的基片加熱腔室、使用基片加熱腔室的方法及基片處理設(shè)備進行詳細描述。本發(fā)明提供的基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱。借助本發(fā)明提供的基片加熱腔室能夠有效提高基片加熱工藝的效率，以滿足基片處理工藝的產(chǎn)能需求，避免基片處理工藝腔室因等待基片加熱而經(jīng)常處于空閑狀態(tài)的問題，從而使基片處理設(shè)備的產(chǎn)能得到充分利用。請參閱圖3為本發(fā)明提供的基片加熱腔室一個具體實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該基片加熱腔室20的下部設(shè)有用于承載基片100進行加熱的托盤21，該托盤21可同時承載2片基片100，托盤21的內(nèi)部設(shè)置有加熱絲23。加熱腔室20的頂部設(shè)置有加熱燈27，用于與加熱絲23同時對基片100進行加熱。其中，加熱燈27能夠使基片100快速升溫，而加熱絲23 則可使基片100的溫度趨于均勻，從而可實現(xiàn)對基片100進行快速而均勻的加熱處理，以獲得快速、均勻的去氣效果。此外，在基片加熱腔室20的下方還設(shè)置有抽氣裝置觀，用于將基片100上的水蒸氣等雜質(zhì)及時排出；在腔室側(cè)壁上還設(shè)置有密封間門22，該密封間門22 只在取/放基片100時開啟，并具有密封作用，從而在基片100加熱過程中可使基片加熱腔室20與外部隔離；托盤21下部設(shè)置有支撐針沈及支撐針驅(qū)動電機25，用以在取/放基片 100時將基片100從托盤21表面托起一定高度，以利于機械手的操作；并且，為使取/放基片100更加方便，在托盤21上還設(shè)置有旋轉(zhuǎn)機構(gòu)四，在取/放基片100時，該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)四驅(qū)動托盤21進行旋轉(zhuǎn)，并使托盤21上已加熱好的基片100所在的位置或使托盤21上未放置基片的位置對準上述密封閘門22。上述密封閘門22例如可以采用閘板閥等裝置而實現(xiàn)，上述支撐針沈及支撐針驅(qū)動電機25可以為一組也可以針對不同的基片100而設(shè)置為多組，即對應于托盤21上每一個承載基片100的位置分別設(shè)置一組獨立的支撐針沈及支撐針驅(qū)動電機25。至于上述加熱絲23及加熱燈27等組件的結(jié)構(gòu)及工作過程均與背景技術(shù)中所述的結(jié)構(gòu)相同或類似，在此不予贅述。在實際應用中，可以在本發(fā)明提供的基片加熱腔室內(nèi)同時放置2片基片進行加熱。以圖1所示的磁控濺射系統(tǒng)為例，基片加熱所需時長約為80s，而后續(xù)工藝所需時長約為40s，因此，可以使基片加熱腔室同時加熱2片基片，并且使2片基片的加熱時間以40s 時長為間隔而相互錯開。具體為，先在基片加熱腔室內(nèi)放入一片基片進行加熱，待持續(xù)加熱 40s后再放入另一片基片，再持續(xù)加熱40s ；此時，第一片基片完成加熱工藝，因而可將其取出并送入后續(xù)的工藝腔室內(nèi)進行相應的處理工藝；與此同時，向基片加熱腔室內(nèi)放入一片未經(jīng)加熱的基片(此為第三片基片)并持續(xù)加熱40s;此時，第二片基片已完成加熱工藝， 并且工藝腔室對上述第一片基片的處理工藝也已完成；因此，可以立即將第二片基片從基片加熱腔室中取出并送入該工藝腔室中，從而避免了后續(xù)的工藝腔室因等待基片加熱工藝而處于空閑狀態(tài)的問題。如此循環(huán)往復，可使工藝腔室及基片加熱腔室始終處于工作狀態(tài)， 從而使設(shè)備的產(chǎn)能得到充分利用，進而有效提高設(shè)備整體的生產(chǎn)效率。在另一個優(yōu)選實施例中，還可以在本發(fā)明提供的基片加熱腔室內(nèi)同時放置4片基片進行加熱。仍以圖1所示磁控濺射設(shè)備為例，圖1中的設(shè)備實際為兩套基片加工系統(tǒng)共用一套傳輸腔室的結(jié)構(gòu)，而位于傳輸腔室兩側(cè)的基片加熱腔室及工藝腔室自成系統(tǒng)且彼此獨立。而本實施例中，借助本發(fā)明提供的基片加熱腔室可以使上述兩套基片加工系統(tǒng)共用一個基片加熱腔室即可同時滿足兩套系統(tǒng)的基片需求。具體為，在基片加熱腔室內(nèi)同時放置4片基片進行加熱，并且，先在基片加熱腔室中放入兩片基片進行加熱，待持續(xù)加熱一半的工藝時長后再放入另外兩片基片，之后，按照與上面所述的對兩片基片進行錯時加熱的過程即可實現(xiàn)對兩套系統(tǒng)的基片供應，區(qū)別僅在于，基片加熱腔室每次加熱的基片數(shù)量增加了一倍。而本實施例的優(yōu)點在于，在保證基片加工系統(tǒng)正常運行的同時，可減少一個基片加熱腔室，從而節(jié)約一定的設(shè)備成本。容易理解的是，上述應用本發(fā)明提供的基片加熱腔室同時加熱2片或4片基片的加熱方案僅僅是為了說明其應用過程而采取的示范性描述；但本發(fā)明還可根據(jù)基片加熱工藝所需的時間與后續(xù)工藝所需時間的關(guān)系，而在基片加熱腔室放置其它數(shù)量的基片，其關(guān)鍵在于應用本發(fā)明提供的基片加熱腔室對基片進行加熱時，使各個基片的加熱時間相互錯開，并在每間隔一個基片處理工藝所需的時長即向外輸出一片或一組基片(視后續(xù)基片處理工藝的腔室數(shù)量及時間而定，例如上述實施例中同時加熱4片基片，使每2片為一組向工藝腔室輸出)以用于后續(xù)工藝，從而保證后續(xù)工藝的設(shè)備產(chǎn)能得到充分利用。綜上所述，本發(fā)明提供的基片加熱腔室由于能夠同時加熱至少2片基片，并且可根據(jù)后續(xù)工藝時間而將基片的加熱時間相互錯開，從而在后續(xù)的基片處理工藝結(jié)束后可立即向工藝腔室提供加熱好的基片，有效避免了后續(xù)工藝的腔室因等待基片加熱工藝而經(jīng)常處于空閑狀態(tài)的問題，進而使設(shè)備的整體產(chǎn)能得到充分利用。并且，在一個優(yōu)選實施例中， 僅使用一個本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備即可同時滿足兩套基片處理系統(tǒng)的基片加熱需求， 從而可在一定程度上節(jié)約設(shè)備成本。作為另一種技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種使用基片加熱腔室的方法。該方法適用于能夠同時加熱至少2片基片的基片加熱腔室，并且，對基片加熱所需時長T為基片處理工藝時長t的η倍，η > 1。具體的，上述方法包括下述步驟10)使基片加熱腔室同時對N片基片進行加熱處理，其中，N為正整數(shù)且η<Ν<η+1 ；20)每隔時長t，從基片加熱腔室內(nèi)取出加熱好的基片用于后續(xù)的基片處理工藝，同時，向基片加熱腔室內(nèi)放入未經(jīng)加熱的基片。步驟10)中，對于N的確定取決于基片加熱所需時長T與基片處理工藝時長t的之間的關(guān)系，即取決于η值的大??；也就是說，為了充分保證對后續(xù)基片處理工藝的基片供應，應當使基片加熱腔室中同時進行加熱的基片數(shù)量不低于η的大小。這里，對應于不同的基片處理工藝，η值的大小也不同，并且，η不一定為正整數(shù)，多數(shù)情況下為小數(shù)形式。當η 為整數(shù)時，應使N = η即可；當η為小數(shù)時，應使N的值等于η的整數(shù)部分加1之后的數(shù)值， 即η<Ν<η+1。步驟20)中，每間隔一個基片處理工藝的時長t，即可輸出一片或一組加熱好的基片，并同時向基片加熱腔室中放入未經(jīng)加熱的基片。因此，應用本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法，每間隔一個基片處理工藝的時長t均可向外輸出已加熱好的基片。因此，在每次基片處理工藝結(jié)束后，能夠及時地向基片處理工藝的腔室提供已加熱好的基片，避免設(shè)備空閑的問題，以保證設(shè)備的產(chǎn)能得到充分利用。請參閱圖4，為本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法一個具體實施例的流程示意圖。本實施例中，除上述步驟10)和步驟20)之外，在上述步驟10)之前，還包括下述步驟0；3)向基片加熱腔室內(nèi)放入一片或一組基片并持續(xù)加熱時長t，然后轉(zhuǎn)到步驟04) ；04) 判斷基片加熱腔室內(nèi)的基片數(shù)量是否達到N片，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟10)；如果否，則轉(zhuǎn)到步驟03)。上述步驟0 和步驟04)的目的在于，在初次使用基片加熱腔室時，提供一種向基片加熱腔室內(nèi)逐片放入未經(jīng)加熱的基片的方案，即，每間隔一個基片處理工藝所需的時長t 即向基片加熱腔室中放入一片或一組基片，直至達到N片為止。這里，所說的一組基片與上述本發(fā)明提供的基片加熱腔室中所述的一組基片的概念相同或類似，在此不予贅述。并且， 本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法，同樣可以根據(jù)實施情況而在基片加熱腔室中同時加熱2片或4片基片，并根據(jù)后續(xù)基片處理工藝所需的時長t而使各個基片的加熱時間相互錯開，也就是說，可以使N的取值為2或4。在本發(fā)明提供的所有基片加熱腔室的方法的另一個實施例中，所述的基片加熱腔室中還包括托盤、密封間門及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)；相應的，步驟20)具體可以包括借助上述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)將托盤上已加熱好的基片的位置對準密封閘門；然后開啟密封閘門，并將已加熱好的基片取出，同時在空出的基片位置處放入一片未經(jīng)加熱的基片。其中，所述托盤、旋轉(zhuǎn)機構(gòu)及密封間門均與上述本發(fā)明提供的基片加熱腔室相同或類似，在此不予贅述；此外，本實施例中對于基片加熱及取/放等的過程與上述各實施例相同或類似，同樣不予贅述。由上述描述可知，應用本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法對基片進行加熱時，能夠?qū)诤罄m(xù)基片處理工藝的時間，及時向后續(xù)工藝的腔室提供以加熱好的基片，從而有效避免因工藝腔室等待基片加熱而處于空閑狀態(tài)的問題，進而保證設(shè)備產(chǎn)能的充分利用。作為另一種技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，其至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝。其中，上述基片加熱腔室即為上述本發(fā)明提供的基片加熱腔室，借助該基片加熱腔室能夠使基片加熱的效率與工藝腔室的產(chǎn)能相匹配，有效避免工藝腔室空閑的問題，從而提高設(shè)備整體的產(chǎn)能利用率。在實際應用中， 該基片處理設(shè)備例如可以是一種磁控濺射設(shè)備。此外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，其至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝。并且，該基片處理設(shè)備還應用有上述本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法，用以使基片加熱的效率與工藝腔室的產(chǎn)能相匹配，從而避免工藝腔室空閑的問題，提高設(shè)備整體的產(chǎn)能利用率。在實際應用中，該基片處理設(shè)備同樣可以為一種磁控濺射設(shè)備。此外，在一個優(yōu)選實施例中，上述本發(fā)明提供的基片處理設(shè)備還包括傳輸腔室，上述基片加熱腔室和工藝腔室均與該傳輸腔室相連接；并且在傳輸腔室內(nèi)設(shè)置有機械手，用于將基片在各個腔室之間進行轉(zhuǎn)移或傳輸?？梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤┓绞絻H僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種基片加熱腔室，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱，其特征在于，所述基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片加熱腔室，其特征在于，包括用于承載基片進行加熱的托盤，所述托盤至少可同時承載2片基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基片加熱腔室，其特征在于，所述基片加熱腔室包括密封閘門，所述托盤具有旋轉(zhuǎn)機構(gòu)；所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)用于在取/放基片時將所述托盤上已加熱好的基片位置或無基片的位置對準所述密封閘門。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的基片加熱腔室，其特征在于，所述基片加熱腔室可同時對2片或4片基片進行加熱。
5.一種使用基片加熱腔室的方法，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱，其中，基片加熱所需時長T為基片處理工藝時長t的η倍，η > 1 ；其特征在于，所述基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片，所述方法包括下述步驟10)使所述基片加熱腔室同時對N片基片進行加熱處理，其中，N為正整數(shù)且η < N < η+1 ；20)每隔時長t，從所述基片加熱腔室內(nèi)取出加熱好的基片用于后續(xù)的基片處理工藝， 同時，向所述基片加熱腔室內(nèi)放入未經(jīng)加熱的基片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步驟10)之前，還包括下述步驟03)向所述基片加熱腔室內(nèi)放入一片基片并持續(xù)加熱時長t，然后轉(zhuǎn)到步驟04)；04)判斷所述基片加熱腔室內(nèi)的基片數(shù)量是否達到N片，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟10)；如果否，則轉(zhuǎn)到步驟03)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基片加熱腔室，其特征在于，基片加熱腔室包括托盤、密封閘門及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)；相應地，所述步驟20)具體包括借助所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)將所述托盤上已加熱好的基片的位置對準所述密封閘門；開啟密封閘門，將已加熱好的基片取出，并在空出的基片位置處放入一片未經(jīng)加熱的基片。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6或7所述的方法，其特征在于，所述N= 2或4。
9.一種基片處理設(shè)備，至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝；其特征在于，所述基片加熱腔室為權(quán)利要求1-4中任意一項所述的基片加熱腔室，以使基片加熱的效率與所述工藝腔室的產(chǎn)能相匹配。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，包括磁控濺射設(shè)備。
11.一種基片處理設(shè)備，至少包括基片加熱腔室和工藝腔室，用于對基片依次進行加熱及處理工藝；其特征在于，在所述基片加熱腔室中應用有權(quán)利要求5-8中任意一項所述的方法，以使基片加熱的效率與所述工藝腔室的產(chǎn)能相匹配。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，包括磁控濺射設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基片加熱腔室、使用基片加熱腔室的方法以及基片處理設(shè)備。其中，基片加熱腔室至少可同時加熱2片基片，用于在基片處理工藝之前對基片進行加熱。借助該基片加熱腔室對基片進行加熱能夠有效避免后續(xù)的基片處理工藝因等待基片加熱而處于空閑狀態(tài)的問題，從而可有效提高設(shè)備的產(chǎn)能利用率。此外，本發(fā)明提供的使用基片加熱腔室的方法及基片處理設(shè)備同樣能夠有效提高設(shè)備的產(chǎn)能利用率。
文檔編號C23C14/22GK102560373SQ201010606908
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者夏威 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司