專利名稱：用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于非晶硅薄膜太陽能電池行業(yè)領域，具體涉及一種用于半導體太陽 能鍍膜的工藝腔室。
技術背景非晶硅薄膜太陽能電池主要由前電極(Front ZnO)、PIN結和背電極(Back ZnO) 薄膜層構成，鍍膜工藝是首先將玻璃放在加熱室內加熱，然后通過機械手將加熱好的玻璃 放置到工藝腔室內鍍膜?，F有的工藝腔室包括腔壁、氣體注射器、負載架以及承受器，其中 氣體注射器固定在腔壁的頂上，負載架固定在腔壁的側面上用于放置玻璃，承受器執(zhí)行向 上移動命令，一方面支撐玻璃同時也給玻璃加熱，工藝氣體注射器開始噴射。當加熱的玻璃 從加熱室移到工藝腔室時，玻璃的邊緣直接與負載架接觸，因而，玻璃的邊緣會因快速的熱 傳導而導致溫度降低，使整個玻璃的溫度存在溫差，導致在鍍膜時，玻璃的鍍層不均勻，色 差嚴重。
發(fā)明內容本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術的不足，而提供一種鍍層效 果好，色差降低的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室。為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是一種用于半導體太陽能鍍 膜的工藝腔室，包括腔壁、氣體注射器、承受器以及支撐架，所述的氣體注射器設置在腔壁 的上端，所述的承受器設置在氣體注射器的下端，其特征在于還包括一支撐栓底板，該支 撐栓底板設置在承受器的下端，在所述的支撐栓底板上設置有至少三個支撐栓，該至少三 個支撐栓用于支撐一平面構件，在所述的承受器上設置有支撐栓孔，所述的承受器套在所 述的支撐栓上。所數的支撐栓為四個且成矩形布置。所述的支撐栓為五個，包括成矩形布置的四個和居于矩形中間的一個。所述的支撐栓為六個，包括成矩形布置的四個和居于矩形中間的兩個。在所述的承受器外側的腔壁上設置有緩沖層。所述的承受器包括表面層、熱量分配層、電阻絲加熱層和底部背板層，所述的表面 層與熱量分配層可拆分連接。所述的表面層下端面設置凸臺，在所述的熱量分配層上端面設置凹槽，所說的表 面層嵌合在所述的熱量分配層內。所述的承受器還包括陶瓷護套，該陶瓷護套可拆分連接在承受器的外周，且其上 端高于承受器表面層上端面。所述的陶瓷護套與承受器嵌合。所述的表面層為石墨層。與現有技術相比，本實用新型具有如下優(yōu)點1、本實用新型在工藝腔室內增加了支撐架，并采用支撐架上的支撐栓對加熱的玻璃進行支撐，支撐栓采用點接觸，且比較分散，同時，支撐點也不局限于邊緣，因而玻璃放在 支撐栓上后，熱傳遞慢且傳遞量小，玻璃表面溫差小，因此，鍍膜時，玻璃的鍍層較為均勻， 色差小。2、本實用新型工藝腔室的承受器采用四層結構，且表面層也是可以在維護過程中 更換的裝置，采用石墨材質進行良好的熱傳遞，且承受器表面層設計要比玻璃大，使玻璃放 置在承受器表面層上前后端和左右端各有0. 5毫米的玻璃放置誤差距離，這樣設計能夠使 玻璃的邊緣在加熱和工藝的過程中受熱更加均勻，能有效地控制玻璃邊緣溫度擴散，對改 善色差有很好的作用。3、本實用新型在承受器邊緣設置陶瓷護套，陶瓷護套設計成陶瓷材質的更換裝 置，采用凹凸設計原理，將陶瓷材質的更換裝置卡套在承受器的邊緣；在維護過程中拆卸和 移除更換的時間大幅減少，能夠充分提高工作效率。

圖1是本實用新型的結構示意圖。圖2是本實用新型承受器的結構示意圖。圖3是承受器表面俯視圖。
具體實施方式
以下結合附圖，對本實用新型作詳細說明如圖1所示，一種用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，包括腔壁10、氣體注射器1 支撐栓底板9、氣體緩沖層6以及承受器4，其中氣體注射器1設置在腔壁10的上端，承受 器4設置在氣體注射器1的下端，支撐架8設置在承受器4的下端，承受器4以支撐架8為 導向，可上下移動，在承受器4的下端還設置有一支撐栓底板9，在支撐栓底板9上設置有至 少三個支撐栓7，根據需要布置，可以三個、四個、五個甚至更多。該至少三個支撐栓7用于 支撐一平面構件；如圖2所示，在承受器4上設置有支撐栓孔45，承受器套3在支撐栓上； 承受器4包括表面層41、熱量分配層42、電阻絲加熱層43、承受器還包括陶瓷護套44和底 部背板護套層45，其中表面層41與熱量分配層42采用凹凸的可拆分連接設計，表面層采用 石墨材質，即在表面層下端面設置凸臺41，在熱量分配層上端面設置凹槽42，承受器還包 括陶瓷護套44，該陶瓷護套44可拆分連接在承受器43的周圍，且其上端高于承受器表面層 上端面41，承受器下端為背面可拆分護套45 ；如圖3所示，在本實施例中，承受器表面3，支 撐栓孔為6個31，支撐栓也為六個，包括成矩形布置的四個和居于矩形中間的兩個。
權利要求一種用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，包括腔壁、氣體注射器、承受器以及支撐架，所述的氣體注射器設置在腔壁的上端，所述的承受器設置在氣體注射器的下端，其特征在于還包括一支撐栓底板，該支撐栓底板設置在承受器的下端，在所述的支撐栓底板上設置有至少三個支撐栓，該至少三個支撐栓用于支撐一平面構件，在所述的承受器上設置有支撐栓孔，所述的承受器套在所述的支撐栓上。
2.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的支 撐栓為四個且成矩形布置。
3.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的支 撐栓為五個，包括成矩形布置的四個和居于矩形中間的一個。
4.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的支 撐栓為六個，包括成矩形布置的四個和居于矩形中間的兩個。
5.根據權利要求1所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于在所述的 承受器外側的腔壁上設置有緩沖層。
6.根據權利要求5所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的承 受器包括表面層、熱量分配層、電阻絲加熱層和底部背板層，所述的表面層與熱量分配層可 拆分連接。
7.根據權利要求6所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的表 面層下端面設置凸臺，在所述的熱量分配層上端面設置凹槽，所說的表面層嵌合在所述的 熱量分配層內。
8.根據權利要求6所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的承 受器還包括陶瓷護套，該陶瓷護套可拆分連接在承受器的外周，且其上端高于承受器表面 層上端面。
9.根據權利要求8所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的陶 瓷護套與承受器嵌合。
10.根據權利要求6所述的用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，其特征在于所述的表面層為石墨層。
專利摘要本實用新型公開了一種用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，包括腔壁、氣體注射器、承受器以及支撐架，氣體注射器設置在腔壁的上端，承受器設置在氣體注射器的下端，其特征在于還包括一支撐栓底板，該支撐栓底板設置在承受器的下端，在所述的支撐栓底板上設置有至少三個支撐栓，該至少三個支撐栓用于支撐一平面構件，在所述的承受器上設置有支撐栓孔，所述的承受器套在所述的支撐栓上。本實用新型在工藝腔室內增加了支撐架，并采用支撐架上的支撐栓對加熱的玻璃進行支撐，支撐栓采用點接觸，且比較分散，同時，支撐點也不局限于邊緣，因而玻璃放在支撐栓上后，熱傳遞慢且傳遞量小，玻璃表面溫差小，因此，鍍膜時，玻璃的鍍層較為均勻，色差小。
文檔編號C23C16/455GK201704402SQ201020179759
公開日2011年1月12日 申請日期2010年5月5日 優(yōu)先權日2010年5月5日
發(fā)明者張 浩, 張紅星, 昝圣達 申請人:江蘇綜藝光伏有限公司