專利名稱：真空鍍膜機的陰極裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及RTC設(shè)備領(lǐng)域，特別是涉及一種真空鍍膜機的陰極裝置。
背景技術(shù)：
目前一般真空鍍膜機采用外置式陰極換靶系統(tǒng)，如圖1所示，通過氮化硼絕緣圈 卡入陶瓷絕緣圈的方式固定，需要換靶時必須把整個陰極裝置從設(shè)備上取下才能更換靶 材，并且更換靶材工作也比較繁瑣，一般先取下密封圈，再依次取下陶瓷絕緣圈和氮化硼絕 緣圈，然后才能取下靶材?，F(xiàn)有的換靶系統(tǒng)換靶耗用時間比較長，一般需要30-40分鐘。而 且由于生產(chǎn)工藝需要經(jīng)常改變，因此更換靶材的頻率相當高，頻繁的取裝陰極裝置勢必導 致設(shè)備真空度的泄露。

實用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實用新型要解決的技術(shù)問題是簡化陰極裝置換靶的工序、節(jié)約更換靶材所需的 時間。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，提供一種真空鍍膜機的陰極裝置，其包括靶材，套于所述 靶材外、并與所述靶材具有環(huán)形卡槽的陶瓷絕緣圈，位于所述靶材下方的磁極單元，以及位 于所述陶瓷絕緣圈的下方、所述磁極單元上方的冷卻板，所述環(huán)形卡槽中設(shè)置有氮化硼絕 緣圈，所述氮化硼絕緣圈為直入式絕緣圈。優(yōu)選地，所述陰極裝置還具有密封圈，設(shè)置于所述冷卻板上。(三)有益效果通過將陰極裝置的氮化硼絕緣圈設(shè)計為直入式，取消氮化硼絕緣圈的卡邊，將氮 化硼絕緣圈直接卡入靶材和陶瓷絕緣圈的環(huán)形卡槽。更換靶材時，只需直接拔下氮化硼絕 緣圈即可，不需要將整個陰極裝置從設(shè)備上取下，簡化了更換靶材的工序，節(jié)約了更換靶材 所需的時間，降低設(shè)備真空泄露的概率。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的真空鍍膜機的陰極裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型的真空鍍膜機的陰極裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1 靶材；2 氮化硼絕緣圈；3 陶瓷絕緣圈；4 密封圈；5 磁極單元；6 冷卻 板。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下 實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。[0014]如圖2所示，本實用新型的真空鍍膜機的陰極裝置，包括靶材1，套于靶材1夕卜、 并與靶材1具有環(huán)形卡槽的陶瓷絕緣圈3，位于靶材1下方的磁極單元5，以及位于陶瓷絕 緣圈3的下方、磁極單元5上方的冷卻板6，設(shè)置于冷卻板6上的密封圈4，所述環(huán)形卡槽中 設(shè)置有氮化硼絕緣圈2。其中，氮化硼絕緣圈2設(shè)計為直入式絕緣圈。所述直入式絕緣圈指 的是取消了現(xiàn)有技術(shù)中氮化硼絕緣圈的臺階式卡邊，將氮化硼絕緣圈2直接卡入靶材和陶 瓷絕緣圈3的環(huán)形卡槽。其中，靶材1為涂層形成所必需的原材料；氮化硼絕緣圈2起到耐高溫和絕緣的作 用，用于在涂層過程中保護靶材不被涂層和雜質(zhì)所污染；陶瓷絕緣圈3用于絕緣陰極和陽 極；密封圈4用于密封陰極裝置；磁極單元5用于控制轟擊電弧均勻有力的轟擊靶材蒸發(fā) 出金屬離子；冷卻板6用于冷卻陰極裝置。采用本實用新型的陰極裝置后，對靶材進行檢測無發(fā)現(xiàn)靶材被雜質(zhì)污染和高溫變 形等現(xiàn)象，因此證明合格；對設(shè)備真空度進行了一個月的統(tǒng)計結(jié)果得出設(shè)備真空度得到了 控制，穩(wěn)定在標準的范圍內(nèi)基本無泄露，證明合格；對設(shè)備待機時間和人力時間進行了一個 月的統(tǒng)計結(jié)果得出每天(24小時制)設(shè)備待機時間由原先的3小時縮短至1小時，大大提 高了生產(chǎn)效率，充分的利用了人力；對涂層后產(chǎn)品進行厚度、硬度、結(jié)合力的測試均在控制 的合格范圍內(nèi)，證明合格。綜合以上四項證明此改造符合設(shè)計要求，通過實際運行批次無任 何質(zhì)量問題證明此裝置合格。由以上實施例可以看出，本實用新型通過將陰極裝置的氮化硼絕緣圈設(shè)計為直入 式，取消了氮化硼絕緣圈的卡邊，將氮化硼絕緣圈直接卡入靶材和陶瓷絕緣圈的環(huán)形卡槽。 更換靶材時，只需直接拔下氮化硼絕緣圈即可，不需要將整個陰極裝置從設(shè)備上取下。批次 換靶時間只需5-10分鐘，整個設(shè)備待機只需10-20分鐘，提高了生產(chǎn)效率，設(shè)備真空度得到 了保證。以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改 進和變型也應視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求一種真空鍍膜機的陰極裝置，其特征在于，所述陰極裝置包括靶材(1)，套于所述靶材(1)外、并與所述靶材(1)之間留有環(huán)形卡槽的陶瓷絕緣圈(3)，位于所述靶材(1)下方的磁極單元(5)，以及位于所述陶瓷絕緣圈(3)的下方、所述磁極單元(5)上方的冷卻板(6)，所述環(huán)形卡槽中設(shè)置有氮化硼絕緣圈(2)；所述氮化硼絕緣圈(2)為直入式絕緣圈。
2.如權(quán)利要求1所述真空鍍膜機的陰極裝置，其特征在于，所述陰極裝置還具有密封圈(4)，設(shè)置于所述冷卻板(6)上。
專利摘要本實用新型公開了一種真空鍍膜機的陰極裝置，包括靶材(1)，套于所述靶材(1)外、并與所述靶材(1)具有環(huán)形卡槽的陶瓷絕緣圈(3)，位于所述靶材(1)下方的磁極單元(5)，以及位于所述陶瓷絕緣圈(3)的下方、所述磁極單元(5)上方的冷卻板(6)，所述環(huán)形卡槽中設(shè)置有氮化硼絕緣圈(2)。本實用新型簡化了更換靶材的工序，節(jié)約了更換靶材所需的時間，降低設(shè)備真空泄露的概率。
文檔編號C23C14/35GK201770767SQ201020255989
公開日2011年3月23日 申請日期2010年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月5日
發(fā)明者陳衛(wèi)飛 申請人:蘇州鼎利涂層有限公司