專利名稱：一種行星式研磨盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種行星式研磨盤。
背景技術(shù)：
目前，圓盤式研磨機(jī)分單盤和雙盤兩種，以雙盤研磨機(jī)應(yīng)用最為普通。在雙盤研 磨機(jī)，多個(gè)工件同時(shí)放入位于上、下研磨盤之間的保持架內(nèi)，保持架和工件由偏心或行星機(jī) 構(gòu)帶動(dòng)作平面平行運(yùn)動(dòng)。研磨設(shè)備中常常運(yùn)用行星式研磨盤作為研磨輔具，而行星式研磨 盤都是采用一般的塑料制成容易在長期使用的情況下磨損，從而減少使用壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種行星式研磨盤，解決了行星式研磨盤不 易磨損，并且增加使用壽命的問題。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種行星式研磨盤，包括一行星輪 研磨盤盤體，盤體的外徑周向均列設(shè)有與太陽輪嚙合的齒，盤體的中心部位設(shè)有定位孔，所 述的定位孔的外徑與齒之間的區(qū)域內(nèi)徑向均列設(shè)置擋孔，其特征在于所述的盤體上還設(shè) 有保護(hù)層，該保護(hù)層為高分子環(huán)氧樹脂層。所述的盤體的齒數(shù)為115個(gè)。所述的擋孔為矩形、圓形、棱形的任意一種。所述的盤體的厚度為2cm_5cm。所述的盤體的直徑為200mm-234mm。所述的擋孔的直徑為50mm-100mm。本實(shí)用新型的有益效果由于采用在行星式研磨盤上設(shè)置的高分子環(huán)氧樹脂層， 減少研磨盤的盤體的磨損，增加的盤體的使用壽命。以下將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行較為詳細(xì)的說明。

圖1為一種行星式研磨盤的基礎(chǔ)盤結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一種行星式研磨盤的使用狀態(tài)示意圖。圖中1.盤體、2.齒、3.定位孔、4.擋孔、5.保護(hù)層。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1，如圖1和圖2所示，一種行星式研磨盤，包括一行星輪研磨盤盤體1，盤 體1的外徑周向均列設(shè)有與太陽輪嚙合的齒2，盤體的中心部位設(shè)有定位孔3，所述的定 位孔3的外徑與齒2之間的區(qū)域內(nèi)徑向均列設(shè)置擋孔4，所述的盤體上還設(shè)有保護(hù)層5。 所述的保護(hù)層5為高分子環(huán)氧樹脂層。所述的盤體1的齒數(shù)為115個(gè)。所述的擋孔4為 矩形、圓形、棱形的任意一種。所述的盤體1的厚度為2cm-5cm。所述的盤體1的直徑為200mm-2;34mm。所述的擋孔4的直徑為50mm-100mm。 由于采用在行星式研磨盤上設(shè)置的高分子環(huán)氧樹脂層，減少研磨盤的盤體的磨 損，增加的盤體的使用壽命。
權(quán)利要求1.一種行星式研磨盤，包括一行星輪研磨盤盤體(1)，盤體(1)的外徑周向均列設(shè)有與 太陽輪嚙合的齒O)，盤體的中心部位設(shè)有定位孔(3)，所述的定位孔(3)的外徑與齒(2) 之間的區(qū)域內(nèi)徑向均列設(shè)置擋孔，其特征在于所述的盤體(1)上還設(shè)有保護(hù)層(5)，所 述的保護(hù)層( 為高分子環(huán)氧樹脂層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種行星式研磨盤，其特征在于所述的盤體(1)的厚度為 2cm_5cm0
3.如權(quán)利要求1所述的一種行星式研磨盤，其特征在于所述的盤體(1)的直徑為 200mm-234mm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種行星式研磨盤，其特征在于所述的盤體的齒(2)數(shù)為115個(gè)。
5.如權(quán)利要求1所述的一種行星式研磨盤，其特征在于所述的擋孔(4)為矩形、圓 形、棱形的任意一種。
6.如權(quán)利要求1或3所述的一種行星式研磨盤，其特征在于所述的擋孔的直徑 為 50mm-100mmo
專利摘要本實(shí)用新型公布了一種行星式研磨盤，包括一行星輪研磨盤盤體(1)，盤體(1)的外徑周向均列設(shè)有與太陽輪嚙合的齒(2)，盤體的中心部位設(shè)有定位孔(3)，所述的定位孔(3)的外徑與齒(2)之間的區(qū)域內(nèi)徑向均列設(shè)置擋孔(4)，其特征在于所述的盤體上還設(shè)有保護(hù)層(5)。所述的保護(hù)層(5)為高分子環(huán)氧樹脂層。由于采用在行星式研磨盤上設(shè)置的高分子環(huán)氧樹脂層，減少研磨盤的盤體的磨損，增加的盤體的使用壽命。
文檔編號(hào)B24B37/00GK201872076SQ201020544239
公開日2011年6月22日 申請日期2010年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者曾慶明, 趙慧 申請人:趙慧