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      平板pecvd裝置的掛鉤的制作方法

      文檔序號:3408648閱讀:169來源:國知局
      專利名稱:平板pecvd裝置的掛鉤的制作方法
      技術領域
      本實用新型涉及太陽能電池制作設備技術領域,更具體地說,涉及一種平板PECVD 裝置的掛鉤。
      背景技術
      硅單體太陽能電池的主要生產工藝包括清洗制絨、擴散制p-n結、PECVD鍍減反 射膜、絲網印刷、燒結制作電極等工序。其中,PECVD鍍減反射膜主要是對硅片表面沉積 SiNx:H薄膜,主要目的是減少太陽能電池表面對陽光的反射損失,并對硅片的表面及基體 進行鈍化,增加少子壽命,從而提高太陽能電池的光電轉換效率。PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition)技術主要利用低溫等離子 體作為能量源,將硅片置于低壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使硅 片升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經過一系列化學反應和等離子反應 后,在硅片的表面形成固態(tài)薄膜。目前,PECVD加工硅片的過程中,主要是以NH3和SiH4* 反應氣體,沉積一層深藍色的SiNx:H薄膜。上述加工過程是將硅片放在PECVD裝置的石墨框上進行的,硅片通過設置在石墨 框上的掛鉤掛在石墨框上進行鍍減反射膜?,F(xiàn)有的掛鉤如附圖1所示,包括夾持部,該夾持 部包括第一夾持壁12和第二夾持壁11,且兩者可形成夾持槽13 ;夾持部的底側的兩端分 別設置有掛鉤本體14和掛鉤本體15,其中掛鉤本體14的連接部142外凸于所述第一夾持 壁12的外側面,連接掛鉤本體15的第二夾持壁11的連接部152外凸于第二夾持壁11的 外側面,上述連接部142的設置使得鉤尖141離第一夾持壁12的距離(圖中距離X)比較 大,同理,連接部152的設置使得鉤尖151離第二夾持壁11的距離較大。請參考參考附圖 2,以第二夾持壁11為例,當掛鉤本體15支撐硅片16時,由于鉤尖151距離第二夾持壁11 的外側面距離較大,導致鉤尖151與硅片16接觸的鉤點離硅片的邊緣距離較大,由于硅片 的柵線設置在離邊緣一定距離,且柵線是絲網印刷的銀電極,如果鉤尖離柵線太近,即硅片 上與鉤尖接觸的鉤點就離柵線更近,增加了硅片上鉤點的漏電流。另外,上述鉤尖距離夾持槽13的底面的距離(圖中距離Y)過大,當夾持槽13安 裝到石墨框上后,鉤尖151支撐硅片16時,硅片16的上表面低于石墨框的底面,硅片16 的上表面和石墨框的底面之間形成縫隙,這樣在進行鍍SiNx:H薄膜時,容易使得反應氣體 通過該縫隙進入到硅片16的背面(即圖2中硅片的下表面),導致背面也沉積一層薄薄的 SiNx:H薄膜,這樣當背面進行鋁背場加工時,硅片背面的SiNx:H薄膜影響了鋁漿與硅片之 間的結合力,影響了鋁背場的加工質量。

      實用新型內容有鑒于此,本實用新型提供了一種平板PECVD裝置的掛鉤,以減少鉤尖與夾持壁 的外側面之間的距離,使得鉤點更加靠近沒有柵線的邊緣,降低硅片漏電流。為了達到上述目的,本實用新型實施例提供如下技術方案[0008]一種平板PECVD裝置的掛鉤,用于支撐太陽能電池片生產用硅片,包括夾持部,該夾持部包括相對設置且形成夾持槽的第一夾持壁和第二夾持壁;設置在所述夾持部的底側的兩端的第一掛鉤本體和第二掛鉤本體,所述第一掛鉤 本體與所述第一夾持壁連接的連接部內凹于所述第一夾持壁的外側面,所述第二掛鉤本體 與所述第二夾持壁連接的連接部內凹于所述第二夾持壁的外側面。優(yōu)選的,上述平板PECVD裝置的掛鉤中,所述第一掛鉤本體與所述第一夾持壁連 接的連接部的內側和第二掛鉤本體與所述第二夾持壁連接的連接部的內側均為弧形邊緣。優(yōu)選的,上述平板PECVD裝置的掛鉤中,所述第一掛鉤本體的鉤尖和第二掛鉤本 體的鉤尖直徑均為0. 5mm。優(yōu)選的,上述平板PECVD裝置的掛鉤中,還包括第一折彎部和第二折彎部,所述第 一折彎部設置在所述第一夾持壁的頂部,所述第二折彎部設置在第二夾持壁的頂部。優(yōu)選的,上述平板PECVD裝置的掛鉤中,所述第一掛鉤本體的鉤尖和第二掛鉤本 體的鉤尖放置所述硅片后,所述硅片的上表面不低于所述夾持槽的底面。優(yōu)選的,上述平板PECVD裝置的掛鉤中,所述第一掛鉤本體的鉤尖和第二掛鉤本 體的鉤尖均與所述夾持槽的底面處于同一平面上。由上述技術方案可知,本實用新型實施例提供的PECVD裝置的掛鉤中,第一掛鉤 本體與第一夾持壁連接的連接部內凹于所述第一夾持壁的外側面,第二掛鉤本體與第二夾 持壁連接的連接部內凹于第二夾持壁的外側面,上述結構使得第一掛鉤本體的鉤尖和第二 掛鉤本體的鉤尖均向著掛鉤的中間偏移,縮短了第一掛鉤本體的鉤尖與第一夾持壁的外側 面之間的距離和第二掛鉤本體的鉤尖與第二夾持壁的外側面之間的距離,這樣就減小了鉤 尖與硅片的接觸處的鉤點距硅片邊緣的距離,由于硅片的邊緣并沒有柵線,從而減小硅片 上鉤點的漏電流。

      圖1為現(xiàn)有技術中提供的平板PECVD裝置的掛鉤的結構示意圖;圖2為圖1中的掛鉤一側的掛鉤本體支撐硅片時的結構示意圖;圖3為本實用新型實施例提供的平板PECVD裝置的掛鉤的結構示意圖;圖4為圖3中的掛鉤一側的掛鉤本體支撐硅片時的結構示意圖。
      具體實施方式
      為了更清楚地了解本實用新型中的技術方案,現(xiàn)在就申請文件中的技術名詞進行 解釋如下掛鉤,平板PECVD裝置的石墨框上掛住太陽能電池片生產用硅片的鉤子。鉤點,硅片上與鉤尖配合的孔,方便鉤尖掛住硅片。下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行 清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型的一部分實施例,而不是全部 的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前 提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。本實用新型實施例公開了一種平板PECVD裝置的掛鉤,減少了鉤尖與夾持壁的外側面之間的距離,減小了硅片上的漏電流。請參考附圖3-4,圖3為本實用新型實施例提供的平板PECVD裝置的掛鉤的結構示 意圖;圖4為圖3中掛鉤的一側掛鉤本體支撐硅片時的結構示意圖。本實用新型實施例提供的平板PECVD裝置的掛鉤,用于在PECVD過程中,為硅片鍍 膜時支撐硅片,本實施例僅以鍍SiNx:H薄膜為例對該掛鉤的結構進行說明,但不僅限于鍍 SiNx:H薄膜的過程。該掛鉤包括夾持部,該夾持部包括第一夾持壁22和第二夾持壁21,且第一夾持壁22和第二夾 持壁21相對設置,形成夾持槽23 ;第一掛鉤本體M和第二掛鉤本體25,第一掛鉤本體M和第二掛鉤本體25分別設 置在夾持部底側的兩端,其中第一掛鉤本體24與第一夾持壁22連接的連接部242內凹于 第一夾持壁22的外側面,第二掛鉤本體25與第二夾持壁21連接的連接部252內凹于第二 夾持壁21的外側面。本實用新型實施例中提供的平板PECVD裝置的掛鉤中,在工作的過程中,將該掛 鉤安裝在石墨框上,石墨框的底面與夾持槽23的底面接觸,第一掛鉤本體M和第二掛鉤本 體25上用于放置硅片進行鍍SiNx:H薄膜,請參考附圖4,以第二掛鉤本體25為例,硅片沈 放置在第二掛鉤本體25上,一塊太陽能電池硅片需要4個掛鉤,實現(xiàn)對整個硅片沈的支 撐。本實用新型實施例中提供的掛鉤中,第一掛鉤本體M與第一夾持壁22連接的連接部 242內凹于第一夾持壁22的外側面,第二掛鉤本體25與第二夾持壁21連接的連接部252 內凹于第二夾持壁21的外側面,上述結構使得第一掛鉤本體M的鉤尖241和第二掛鉤本 體25的鉤尖251均向掛鉤的中間部位偏移,縮短了第一掛鉤本體M的鉤尖241到第一夾 持壁22的外側面、第二掛鉤本體25的鉤尖251到第二夾持壁21的外側面之間的距離,使 得鉤尖251與硅片沈的接觸處的鉤點更加靠近硅片沈的邊緣,由于硅片沈的邊緣并沒有 柵線,減小了硅片上鉤點的漏電流。上述平板PECVD裝置的掛鉤中,第一掛鉤本體M與第一夾持壁22連接的連接部 242的內側和第二掛鉤本體25與第二夾持壁21連接的連接部252的內側均為弧形邊緣。 同時,第一掛鉤本體M和第二掛鉤本體25的內側具有與連接部連接的弧形邊,使得第一掛 鉤本體M和第二掛鉤本體觀為圓形的鉤子,形狀美觀。上述實施例中提供的PECVD裝置的掛鉤中,第一掛鉤本體M的鉤尖241的直徑和 第二掛鉤本體25的鉤尖251均為0. 5mm,現(xiàn)有的掛鉤本體的鉤尖直徑均為1. 0mm,本實用新 型實施例中提供的掛鉤中,對現(xiàn)有的掛鉤的直徑進行了進一步的縮小,使得鉤尖的直徑為 0. 5mm,減小了鉤點的直徑,減小了硅片上鉤點的漏電流。上述實施例中提供的PECVD裝置的掛鉤中,還包括第一折彎部221和第二折彎部 211,其中第一折彎部221設置在第一夾持壁22的頂端,第二折彎部211設置在第二夾持 壁21的頂端,上述第一折彎部221和第二折彎部211可以方便地將第一夾持壁22和第二 夾持壁21拉開而安裝在石墨框上,方便了掛鉤的安裝。上述實施例中提供的PECVD裝置的掛鉤中的第一掛鉤本體M的鉤尖241和第二 掛鉤本體25的鉤尖251放置上硅片沈后,硅片沈的上表面不低于夾持槽23的底面,即硅 片沈的上表面與夾持槽23的底面向平,或者高于夾持槽23的底面,上述第一掛鉤本體M和第二掛鉤本體25滿足上述要求后,徹底消除了現(xiàn)有技術中,硅片沈與石墨框之間的縫 隙,避免了在鍍SiNx:H薄膜時反應氣體從縫隙中穿過而達到硅片沈的背面(圖4中的硅 片的下表面)的情況,避免了 SiNx:H薄膜對背面進行鍍鋁時對鋁漿與硅片之間的結合的影 響,提高了后續(xù)工序中鍍鋁后鋁背場的加工質量。優(yōu)選的,上述第一掛鉤本體M的鉤尖241和第二掛鉤本體25的鉤尖251高于夾 持槽23的底面,或者第一掛鉤本體M的鉤尖241和第二掛鉤本體25的鉤尖251與夾持槽 23的底面處于同一平面上。對所公開的實施例的上述說明,使本領域專業(yè)技術人員能夠實現(xiàn)或使用本實用新 型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的,本文中所定 義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下,在其它實施例中實現(xiàn)。因 此,本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例,而是要符合與本文所公開的原理 和新穎特點相一致的最寬的范圍。
      權利要求1.一種平板PECVD裝置的掛鉤,用于支撐太陽能電池片生產用硅片,其特征在于,包括夾持部,該夾持部包括相對設置且形成夾持槽的第一夾持壁和第二夾持壁; 設置在所述夾持部的底側的兩端的第一掛鉤本體和第二掛鉤本體,所述第一掛鉤本體 與所述第一夾持壁連接的連接部內凹于所述第一夾持壁的外側面,所述第二掛鉤本體與所 述第二夾持壁連接的連接部內凹于所述第二夾持壁的外側面。
      2.根據權利要求1所述的平板PECVD裝置的掛鉤,其特征在于,所述第一掛鉤本體與所 述第一夾持壁連接的連接部的內側和第二掛鉤本體與所述第二夾持壁連接的連接部的內 側均為弧形邊緣。
      3.根據權利要求1所述的平板PECVD裝置的掛鉤,其特征在于,所述第一掛鉤本體的鉤 尖和第二掛鉤本體的鉤尖直徑均為0. 5mm。
      4.根據權利要求3所述的平板PECVD裝置的掛鉤,其特征在于,還包括第一折彎部和第 二折彎部,所述第一折彎部設置在所述第一夾持壁的頂部,所述第二折彎部設置在第二夾 持壁的頂部。
      5.根據權利要求1所述的平板PECVD裝置的掛鉤,其特征在于,所述第一掛鉤本體的鉤 尖和第二掛鉤本體的鉤尖放置所述硅片后,所述硅片的上表面不低于所述夾持槽的底面。
      6.根據權利要求5所述的平板PECVD裝置的掛鉤,其特征在于,所述第一掛鉤本體的鉤 尖和第二掛鉤本體的鉤尖均與所述夾持槽的底面處于同一平面上。
      專利摘要本實用新型實施例公開了一種平板PECVD裝置的掛鉤,用于支撐硅片,包括夾持部,該夾持部包括相對設置且形成夾持槽的第一夾持壁和第二夾持壁;設置在夾持部的底側的兩端的第一掛鉤本體和第二掛鉤本體,第一掛鉤本體與第一夾持壁連接的連接部內凹于第一夾持壁的外側面,第二掛鉤本體與第二夾持壁連接的連接部內凹于第二夾持壁的外側面。本實用新型提供的PECVD裝置的掛鉤中,第一掛鉤本體與第一夾持壁連接的連接部內凹于所述第一夾持壁的外側面,第二掛鉤本體與第二夾持壁連接的連接部內凹于第二夾持壁的外側面,減小了鉤尖與硅片的接觸處的鉤點距硅片邊緣的距離,由于硅片的邊緣并沒有柵線,從而減小了硅片上鉤點的漏電流。
      文檔編號C23C16/458GK201864776SQ201020613080
      公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月17日 優(yōu)先權日2010年11月17日
      發(fā)明者孫林杰, 郭建東, 錢明星, 韓少鵬, 麻曉園 申請人:江陰浚鑫科技有限公司
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