專(zhuān)利名稱(chēng)：Ito透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種卷繞鍍膜設(shè)備，特別是涉及專(zhuān)用于銦錫氧化物ITO透明導(dǎo)電膜的卷繞鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的ITO卷繞鍍膜機(jī)存在幾個(gè)明顯缺陷，一是放卷室與鍍膜室沒(méi) 有良好隔離，氣氛互相串?dāng)_；二是沒(méi)有預(yù)加熱放氣裝置，也沒(méi)有工藝加熱措施；三是沒(méi)有可 靠的實(shí)時(shí)監(jiān)控。由此造成ITO膜光電性能差，穩(wěn)定性不良。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種防 止放卷室和鍍膜室之間氣氛互相干擾、提供預(yù)加熱和工藝過(guò)程加熱以及收卷時(shí)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān) 控的ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)。設(shè)計(jì)、使用一種ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，包括放卷室、鍍膜室、收卷室、排氣系 統(tǒng)和控制系統(tǒng)。所述放卷室和鍍膜室之間由隔離板分隔，該隔離板上設(shè)置狹縫以使基膜穿 越；所述放卷室配置有預(yù)加熱裝置，用于對(duì)放卷裝置放卷的基膜進(jìn)行預(yù)加熱；所述鍍膜室 配置有工藝加熱系統(tǒng)；所述收卷室內(nèi)設(shè)置冷卻輥和可見(jiàn)光透射監(jiān)控器。所述放卷室還包括深冷捕集阱和/或大抽速排氣系統(tǒng)。所述狹縫是一可調(diào)節(jié)的狹縫，寬度小于0. 8mm。所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)還包括導(dǎo)向輥，該導(dǎo)向輥導(dǎo)向基膜穿越所述狹縫。所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)的預(yù)加熱裝置是紅外加熱裝置。所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)的工藝加熱系統(tǒng)包括油加熱輥、紅外加熱器和加 熱主輥。所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)的可見(jiàn)光透射監(jiān)控器是發(fā)光二極管發(fā)射-接收
O所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)的鍍膜室設(shè)置有上排氣口和下排氣口。同現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型的技術(shù)效果在于放卷室設(shè)置的預(yù)加熱處理裝置 使基膜充分釋放氣體；放卷室和鍍膜機(jī)之間的隔離板能防止其氣氛互相干擾；同時(shí)鍍膜前 充分地工藝加熱，使ITO膜在較高的溫度下沉積；所設(shè)置的監(jiān)控裝置，能有效地監(jiān)控工藝參 數(shù)和工藝過(guò)程。因此所述ITO卷繞鍍膜機(jī)生產(chǎn)的ITO膜光電性能得到改善，穩(wěn)定性能明顯 提尚。

圖1是本實(shí)用新型ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖所示之最佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳述。如圖1所示，本實(shí)用新型ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，包括放卷室、鍍膜室、收卷 室、排氣系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，所述放卷室17和鍍膜室18之間由隔離板6分隔，該隔離板6上 設(shè)置狹縫5以使基膜穿越；所述放卷室17配置有預(yù)加熱裝置3，用于對(duì)放卷裝置1放卷的 基膜進(jìn)行預(yù)加熱；所述鍍膜室18配置有工藝加熱系統(tǒng)；所述收卷室內(nèi)設(shè)置冷卻輥11和可 見(jiàn)光透射監(jiān)控器12。放卷室17內(nèi)的放卷裝置1，卷徑600mm;深冷捕機(jī)阱2，深冷-120°C ；大抽速排氣系統(tǒng)16。預(yù)加熱裝置3采用紅外加熱器，加熱溫度100°C -120°C ；導(dǎo)向輥4，將 膜導(dǎo)向穿越狹縫5 ；隔離狹縫5，狹縫小于0. 8mm ；隔離板6，將放卷室和鍍膜室隔離開(kāi)，狹縫 5將其分為上下兩塊。鍍膜室18內(nèi)的工藝加熱系統(tǒng)包括紅外加熱器7、油加熱輥8和加熱 主輥9。其中，紅外加熱器7，最高溫度180°C 士5°C;油加熱輥8，最高溫度150°C 士5°C ；力口 熱主棍9，最高加熱溫度150°C 士5°C，加熱主輥9上設(shè)置有五個(gè)陰極艙和靶14。本實(shí)施例 中，鍍膜室18內(nèi)還包括3個(gè)上排氣口 10和四個(gè)下排氣口 15。所述收卷室設(shè)置冷卻輥11， 冷卻溫度15°C -20°C;三組可見(jiàn)光透射監(jiān)控裝置12，為發(fā)光二極管發(fā)射-接受系統(tǒng)；收卷裝 置13，卷徑600mm。 所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)鍍膜的過(guò)程是基膜從放卷裝置1出來(lái)后，通過(guò)預(yù) 加熱裝置3預(yù)加熱，釋放出氣體、水汽和有機(jī)物等，由大抽速排氣系統(tǒng)16的排氣口排出或由 深冷捕集阱捕集。然后由導(dǎo)向輥4導(dǎo)向穿越狹縫5，再由加熱油輥8、紅外加熱器7和主棍 9進(jìn)一步加熱到鍍膜工藝溫度。此時(shí)陰極和靶14工作，將所述ITO由下而上沉積在基膜表 面，形成ITO膜。工作氣體則由陰極艙下部的排氣口 15排出，而串?dāng)_氣體則由上部的排氣 口 10排出?；ゅ兺昴ず笥衫鋮s輥11冷卻定形，可見(jiàn)光透射監(jiān)控裝置12則實(shí)時(shí)監(jiān)控成膜 工藝參數(shù)和工藝過(guò)程；最后由收卷裝置13收卷，完成鍍膜。由以上可知，所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)有如下特點(diǎn)放卷室配置了大抽速 排氣系統(tǒng)16和深冷捕集阱2 ；放卷室和鍍膜室有隔離板6隔離，隔離狹縫5小于0. 8mm ；放 卷室配置有紅外預(yù)加熱裝置3，鍍膜室配置有紅外加熱器7，加熱油輥8和加熱主輥9，構(gòu)成 工藝加熱系統(tǒng)；鍍膜室上部和下部分別排氣，上部排氣口 10，下部排氣口 15 ；收卷室配置有 冷卻定形輥11和可見(jiàn)光透射監(jiān)控裝置12。所述ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)還包括控制系統(tǒng)、真空檢測(cè)系統(tǒng)、加熱和冷卻系 統(tǒng)、傳動(dòng)和同步控制系統(tǒng)、實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)和主控制系統(tǒng)，這些都屬于現(xiàn)有技術(shù)。此處不再贅 述。
權(quán)利要求一種ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，包括放卷室、鍍膜室、收卷室、排氣系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，其特征在于所述放卷室(17)和鍍膜室(18)之間由隔離板(6)分隔，該隔離板(6)上設(shè)置狹縫(5)以使基膜穿越；所述放卷室(17)配置有預(yù)加熱裝置(3)，用于對(duì)放卷裝置(1)放卷的基膜進(jìn)行預(yù)加熱；所述鍍膜室(18)配置有工藝加熱系統(tǒng)；所述收卷室內(nèi)的收卷裝置(13)上設(shè)置冷卻輥(11)和可見(jiàn)光透射監(jiān)控器(12)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IT0透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，其特征在于所述狹縫(5)是 一可調(diào)節(jié)的狹縫，寬度小于0. 8mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IT0透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，其特征在于所述預(yù)加熱裝置 (3)是紅外加熱裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IT0透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，其特征在于所述工藝加熱系 統(tǒng)包括油加熱輥(8)、紅外加熱器(7)和加熱主輥(9)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IT0透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，其特征在于所述可見(jiàn)光透射 監(jiān)控器(12)是發(fā)光二極管發(fā)射-接收器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IT0透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，其特征在于所述鍍膜室(18) 設(shè)置有上排氣口 (10)和下排氣口(15)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種ITO透明導(dǎo)電膜卷繞鍍膜機(jī)，包括放卷室和鍍膜室，放卷室(17)和鍍膜室(18)之間由隔離板(6)分隔，該隔離板(6)上設(shè)置狹縫(5)以使基膜穿越；放卷室(17)配置有預(yù)加熱裝置(3)，用于對(duì)放卷裝置(1)放卷的基膜進(jìn)行預(yù)加熱；鍍膜室(18)配置有工藝加熱系統(tǒng)；收卷室內(nèi)設(shè)置冷卻輥(11)和可見(jiàn)光透射監(jiān)控器(12)。本實(shí)用新型的技術(shù)效果在于預(yù)加熱處理裝置使基膜充分釋放氣體；放卷室和鍍膜機(jī)之間的隔離板防止其氣氛互相干擾；同時(shí)鍍膜前充分地工藝加熱，使ITO膜在較高的溫度下沉積；所設(shè)置的監(jiān)控裝置，能有效地監(jiān)控工藝參數(shù)和工藝過(guò)程。因此所生產(chǎn)的ITO膜光電性能得到改善，穩(wěn)定性能明顯提高。
文檔編號(hào)C23C14/08GK201610446SQ20102921602
公開(kāi)日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2010年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月2日
發(fā)明者曾鴻斌 申請(qǐng)人:深圳市海森應(yīng)用材料有限公司