專利名稱：濺射靶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶及其制造方法。
背景技術(shù)：
濺射法作為薄膜的形成手段，是已經(jīng)廣為人知的技術(shù)。其基本原理是在氬氣等稀薄氣體中在形成薄膜的襯底(陽(yáng)極側(cè))和與其間隔短間距相對(duì)的包含薄膜形成物質(zhì)的靶 (陰極側(cè))之間施加電壓，由此將氬氣等離子體化，在此產(chǎn)生的氬離子撞擊作為陰極物質(zhì)的靶，并利用其能量使靶的物質(zhì)飛出(擊出)到外部，由此該飛出的物質(zhì)層疊在相對(duì)的襯底面上。利用該濺射原理的薄膜形成裝置，有二極偏壓濺射裝置、高頻濺射裝置、等離子體濺射裝置等多種設(shè)計(jì)，但基本原理相同。形成薄膜的物質(zhì)，由于作為氬離子的目標(biāo)，因此稱為靶，其具有如下特征由于利用離子的碰撞能量，因此構(gòu)成靶的薄膜形成物質(zhì)以原子狀或原子集合而成的簇狀層疊在襯底上，從而形成微細(xì)且致密的薄膜，這是廣泛應(yīng)用于目前的各種電子部件的原因。該薄膜形成中使用的濺射，最近要求非常高度的成膜方法，因此制作的薄膜中缺陷少成為大的課題。濺射中產(chǎn)生這樣的缺陷，不僅是濺射法引起的，而且多數(shù)起因于靶本身。作為由這樣的靶造成的缺陷的產(chǎn)生原因有粉?；蚪Y(jié)瘤的產(chǎn)生。從靶濺射的(飛出的)物質(zhì)本來(lái)是附著到相對(duì)的襯底上的，但是，未必垂直濺射， 而是從各個(gè)方向飛來(lái)。這樣的飛來(lái)物質(zhì)會(huì)附著到襯底以外的濺射裝置內(nèi)的設(shè)備上，有時(shí)，其會(huì)剝離并漂浮從而再附著到襯底上。這樣的物質(zhì)稱為粉粒，不屬于原本預(yù)定的薄膜物質(zhì)，并且多數(shù)以較大的簇狀附著， 因此例如在電子設(shè)備的微細(xì)布線膜中成為短路的原因，從而成為產(chǎn)生不合格品的原因。已知這樣的粉粒的產(chǎn)生，起因于物質(zhì)從靶的飛來(lái)，即隨靶的表面狀態(tài)而增減。另外，一般而言，靶面的物質(zhì)并不是通過濺射而均勻地減少(被侵蝕)的，而是根據(jù)構(gòu)成物質(zhì)與濺射裝置的固有特性、電壓的施加方式等，具有在特定的區(qū)域例如以環(huán)狀被侵蝕的傾向。另外，根據(jù)靶物質(zhì)的種類或靶的制造方法，有時(shí)在靶表面殘留無(wú)數(shù)粒狀的突起物質(zhì)、形成稱為所謂的結(jié)瘤的物質(zhì)。該物質(zhì)是薄膜形成物質(zhì)之一，因此，不會(huì)對(duì)薄膜直接造成影響，但是，觀察到在該結(jié)瘤的突起上產(chǎn)生微小的電弧(微弧)，從而引起粉粒增大。最近，靶并非由均勻的物質(zhì)構(gòu)成，多數(shù)是在包含具有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)中混合存在氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、以及其它物質(zhì)的狀態(tài)下使用。這樣的情況下，特別產(chǎn)生結(jié)瘤或粉粒的產(chǎn)生變多的問題。作為現(xiàn)有技術(shù)公開了，將機(jī)械加工時(shí)在高熔點(diǎn)金屬合金用濺射靶的表面部產(chǎn)生的微小裂紋或缺陷部等加工缺陷層(破碎層)除去后的濺射靶(參考專利文獻(xiàn)1)或者調(diào)節(jié)濺射靶的表面粗糙度，減少殘留污染物的量、表面的氫含量以及加工變質(zhì)層的厚度，實(shí)現(xiàn)膜的均勻化，抑制結(jié)瘤和粉粒產(chǎn)生的技術(shù)(參考專利文獻(xiàn)2)。但是，雖然這些技術(shù)預(yù)想到結(jié)瘤或粉粒的產(chǎn)生對(duì)靶的表面狀態(tài)有顯著影響，但是， 現(xiàn)實(shí)情況是仍然沒有解決問題。另外，公開了在ITO濺射靶中，將磨削、研磨后的表面用作為同質(zhì)材料的ITO覆蓋以抑制初期電弧產(chǎn)生的技術(shù)(專利文獻(xiàn)幻。但是，該技術(shù)的特征在于涂布同質(zhì)材料這一方面，屬于僅僅對(duì)ITO成立的技術(shù)。在靶內(nèi)部還存在氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬化合物、碳氮化物、其它不具有延展性的物質(zhì)的苛刻條件下的問題尚未解決?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開平3-257158號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平11-1766號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2003-89868號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供可以改善在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)大量存在氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶表面， 從而可以防止或者抑制濺射時(shí)產(chǎn)生結(jié)瘤或粉粒的表面特性優(yōu)良的濺射靶及其制造方法。本發(fā)明提供1) 一種粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶，在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)，其特征在于，在該靶的最外表面上形成有富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層；2)如上述(1)所述的濺射靶，其特征在于，形成所述金屬覆蓋層前的靶表面的中心線平均表面粗糙度Ra為0. 1 μ m以下，十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0. 4 μ m以下，局部峰頂間距 (粗糙度圖形)AR為120 μ m以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW為1500 μ m以上；3)如上述1)或幻所述的濺射靶，其特征在于，在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)以平均粒徑計(jì)具有0. 1 10 μ m的尺寸；4)如上述1)至幻中任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層包含構(gòu)成基質(zhì)相的金屬中的至少一種，所述基質(zhì)相包含富有延展性的物質(zhì)；5)如上述1)至4)中任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層的厚度為 IOOnm 300nm ；6)如上述1)至4)中任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層包含Co、 Cr和Pt中的至少一種。另外，本發(fā)明提供7) 一種粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶的制造方法，所述靶中，在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)，所述方法的特征在于，通過化學(xué)鍍敷法或物理蒸鍍法在該靶最外表面形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層；
8) 一種粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶的制造方法，其特征在于，對(duì)在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶的表面，預(yù)先通過切削加工進(jìn)行一次加工，然后通過研磨進(jìn)行精加工，由此形成中心線平均表面粗糙度Ra為0. 1 μ m以下、十點(diǎn)平均粗糙度Rz 為0. 4 μ m以下、局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR為120 μ m以下、波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度 Aff為1500 μ m以上的坡度平緩的表面，再通過化學(xué)鍍敷法或物理蒸鍍法形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層；9)如上述8)所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過切削加工進(jìn)行一次加工，由此從靶材的表面切削Imm IOmm的范圍；10)如上述8)或9)所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過研磨進(jìn)行精加工， 由此從經(jīng)切削加工進(jìn)行一次加工后的表面研磨1 μ m 50 μ m的范圍。發(fā)明效果本發(fā)明通過在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶的最外表面上形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層，可以得到表面特性優(yōu)良的靶。該金屬覆蓋層具有可以補(bǔ)充氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)對(duì)基質(zhì)的結(jié)合力，并且通過無(wú)導(dǎo)電性的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物等絕緣性物質(zhì)可以抑制局部帶有電荷的效果。另外，通過使用該靶進(jìn)行濺射，具有可以防止或抑制濺射時(shí)產(chǎn)生粉粒或結(jié)瘤的優(yōu)良效果。


圖1是Co鍍敷面與鍍敷前的表面照片(激光顯微圖像)。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的表面加工對(duì)象即靶，是富有延展性的基質(zhì)相和以體積比率為1 50%存在于其中的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)混合存在的靶。這樣的靶的典型例子，可以列舉例如包含作為基質(zhì)相的Co-Cr-Pt合金和作為無(wú)延展性物質(zhì)的SiO2的硬盤用靶即(Co-Cr-Pt)-SiO2等。但是，本申請(qǐng)發(fā)明不限于這些材料，也可以應(yīng)用于其它同樣的材料。對(duì)無(wú)延展性的物質(zhì)混合存在的靶材例如使用車刀(bite)進(jìn)行切削加工時(shí)，以氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)存在的部位為起點(diǎn)，會(huì)形成裂紋、脫落造成的凹坑、根據(jù)情況在凹坑中殘留碎片的形態(tài)的瑕疵(傷痕)。這樣的表面缺陷，即使在無(wú)延展性的材料的部分以平均粒徑計(jì)為0. 1 ΙΟμπι的尺寸均勻地進(jìn)行細(xì)微分散的情況下也容易產(chǎn)生。另外，測(cè)定該情況的硬度時(shí)，富有延展性的基質(zhì)相的維氏硬度為400以下，氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、 其它無(wú)延展性的物質(zhì)的維氏硬度為400以上，其硬度差多為1.5倍。因此，這樣的情況下，本發(fā)明的表面加工方法特別發(fā)揮效力。本發(fā)明的濺射靶，是在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶的最外表面形成有富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層的濺射靶。該金屬覆蓋層與金屬的種類無(wú)關(guān)，只要是富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬則幾乎都可以使用。如后所述，由于形成極薄的層就足夠，因此該金屬本身在濺射膜層中成為污染物質(zhì)的情況極少。靶最外表面覆蓋層的優(yōu)選材料，可以由構(gòu)成包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相的金屬中的至少一種構(gòu)成。通過這樣構(gòu)成，可以完全抑制污染。作為混合存在有氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的、包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相的富有延展性的材料，為金屬，具體地為Co、Cr、Pt、Ru、以及含有它們中的一種以上的合金，可以列舉例如在硬盤材料中使用的 Co-Cr-Pt合金等作為其代表例。另外，覆蓋層的厚度為IOOnm 300nm就足夠了。另外，本申請(qǐng)發(fā)明的濺射靶的形態(tài)期望，形成所述金屬覆蓋層前的靶材表面的中心線平均表面粗糙度Ra為0. 1 μ m以下，十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0. 4 μ m以下，局部峰頂間距 (粗糙度圖形)AR為120 μ m以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW為1500 μ m以上。另外，在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)，優(yōu)選調(diào)節(jié)為以平均粒徑計(jì)為0. 1 IOym的尺寸。以上伴隨著對(duì)基質(zhì)中的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化
物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)本身進(jìn)行的調(diào)節(jié)，通過這樣調(diào)整表面性狀，可以進(jìn)一步提高金屬覆蓋層的效果。由此，具有進(jìn)一步提高與基質(zhì)的結(jié)合力的效果。這樣，具有導(dǎo)電性的金屬層通過氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、碳氮化物等絕緣性物質(zhì)，具有可以抑制局部帶有電荷的效果。而且，不僅在濺射的初期階段，在濺射過程中也可以有效地防止或者抑制粉粒的產(chǎn)生或結(jié)瘤的產(chǎn)生。在制造濺射靶時(shí)，制成在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶，并通過化學(xué)鍍敷法或物理蒸鍍法在其最外表面形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆
蓋層ο作為化學(xué)鍍敷法，有電鍍法等電化學(xué)鍍敷法、無(wú)電鍍法，可以使用以這些方法為代表的覆蓋法。另外，作為物理蒸鍍法，可以使用真空蒸鍍法、濺射法、離子束蒸鍍法等。另外，更具體而言，預(yù)先通過切削加工對(duì)在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶的表面進(jìn)行一次加工。然后，通過研磨進(jìn)行精加工，由此形成中心線平均表面粗糙度Ra為0. 1 μ m以下， 十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.4μπι以下，局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR為120 μ m以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW為1500 μ m以上的坡度平緩的表面。而且，通過上述化學(xué)鍍敷法或物理蒸鍍法，可以形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層。另外，期望通過所述切削加工進(jìn)行一次加工，從靶材的表面切削Imm IOmm的范圍。另外，在通過研磨進(jìn)行精加工時(shí)，期望從經(jīng)切削加工進(jìn)行一次加工后的表面研磨 1 μ m ~ 50 μ m 白勺@_。切削Imm IOmm的范圍的理由是為了有效地除去在此以前形成的靶材表面的缺陷。切削期望通過使用車刀或者刀片的車床加工來(lái)進(jìn)行。通過該切削加工(一次加工)，如上所述，會(huì)產(chǎn)生裂紋、脫落造成的凹坑等缺陷，但是，可以使用例如#80 #400的粗磨粒的砂紙或磨石對(duì)該缺陷進(jìn)行研磨。由此，可以消除上述裂紋、脫落造成的凹坑等缺陷，從而形成平滑的靶面。#80 #400的粗磨粒的砂紙或磨石，是有效地除去通過切削加工產(chǎn)生的以氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)為起點(diǎn)的缺陷， 從而制作具有包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相且平滑的面的最佳范圍。此時(shí)，沒有必要進(jìn)行鏡面研磨，只要能夠除去裂紋、脫落造成的凹坑即可。在制作平滑且裂紋、脫落造成的凹坑等表面缺陷少的靶的情況下，可以考慮從最開始就使用#80 #400的粗磨粒的砂紙或磨石對(duì)靶材進(jìn)行研磨。但是，此時(shí)產(chǎn)生研磨加工所需的時(shí)間延長(zhǎng)，以及富有延展性的基質(zhì)相的物質(zhì)附著到磨石上從而磨石的維護(hù)頻率提高的問題。而且，特別是以手工加工進(jìn)行研磨加工時(shí)，即使表面粗糙度沒有差別，也會(huì)產(chǎn)生容易引起外圍部和中心部被大量研磨，從而在靶表面產(chǎn)生波狀起伏的問題。因此，不進(jìn)行切削加工而僅僅通過研磨加工進(jìn)行靶的表面加工實(shí)際上是不能實(shí)施的。然后，本申請(qǐng)發(fā)明中，通過使用車床的切削進(jìn)行一次加工，精加工為靶形狀，并且根據(jù)需要在進(jìn)行切削加工后，進(jìn)行包括滴加純水的濕式一次研磨一滴加氧化鋁研磨劑的濕式二次研磨的工序的加工。由此，可以實(shí)現(xiàn)中心線平均表面粗糙度Ra為0. Ιμπι以下，十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0. 4μ m以下，局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR為120 μ m以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW為1500 μ m以上，并且靶表面可以得到平滑且坡度非常平緩的表面。另外，關(guān)于中心線平均表面粗糙度Ra、十點(diǎn)平均粗糙度Rz、局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR以及波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW，由JIS標(biāo)準(zhǔn)化的表面粗糙度定義(參考JIS B060U JIS B0631)，在此省略說(shuō)明。但是，應(yīng)該理解，這些表面的切削、研磨加工以及由此得到的靶表面的性狀，為更優(yōu)選的條件，并非必要的條件。本發(fā)明中重要的是，在靶的最外表面形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層。由此，可以實(shí)現(xiàn)以下優(yōu)良效果對(duì)在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶進(jìn)行濺射時(shí)，可以防止或抑制結(jié)瘤或粉粒的產(chǎn)生。實(shí)施例以下，對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。另外，本實(shí)施例用于表示發(fā)明的一個(gè)例子，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。(實(shí)施例1)得到以Co粉、Cr粉、Pt粉、SiO2粉為原料、在包括熱壓和HIP的制造條件下制造的靶。該靶中無(wú)延展性的SiA的體積比率為25%，該SiA粒子的平均粒徑為2 μ m。另外， 基質(zhì)相的主要成分為均勻的Co-Cr-Pt合金。通過使用車床的切削進(jìn)行一次加工而精加工為靶形狀后，再進(jìn)行磨削加工，并通過進(jìn)行包括滴加純水的濕式一次研磨一滴加氧化鋁研磨劑的濕式二次研磨的工序的加工來(lái)調(diào)節(jié)表面，從而得到靶。該調(diào)節(jié)表面粗糙度后的靶的、平均表面粗糙度，即中心線平均表面粗糙度Ra、十點(diǎn)平均粗糙度Rz、局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR以及波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW的測(cè)定結(jié)果如表1所示。測(cè)定點(diǎn)為靶表面的三個(gè)點(diǎn)，表1所示的數(shù)值為三點(diǎn)的平均值。如表 1 所示，Ra 為 0.045 μ m，Rz 為 0.28 μ m，AR 為 111. 11 μ m，AW 為 1700. 00 μ m。 均在中心線平均表面粗糙度Ra :0. Iym以下，十點(diǎn)平均粗糙度Rz :0. 4 μ m以下，局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR 120 μ m以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW 1500 μ m以上的范圍內(nèi)， 可以得到表面粗糙度小，并且坡度非常平緩的靶表面。然后，通過離子鍍敷法在該靶的表面淀積200nm的鈷。該Co鍍敷面與鍍敷前的表面照片如圖1所示。圖1的左側(cè)為鍍敷前、右側(cè)為Co鍍敷面，在Co鍍敷后，幾乎觀察不到氧化物的存在。然后，使用該鈷覆蓋的靶，在Ar 1. 5Pa氣氛中，在30w/cm2的DC濺射條件下在襯底上形成濺射膜。對(duì)進(jìn)行濺射時(shí)的粉粒進(jìn)行觀察，粉粒的尺寸為約1 μ mX約1 μ m(長(zhǎng)徑X 短徑；下同)以下，與約IymX約Iym的氧化物粒徑?jīng)]有差異。該結(jié)果如表1所示。另外，可以將粉粒起因的不合格個(gè)數(shù)(個(gè)/mm2)降至1. 8。(實(shí)施例2)通過濕式二次研磨工序得到Ra 0. 256 μ m，Rz :1. 234 μ m，AR :118. 76 μ m, Aff 1530. 50 μ m，除此以外，通過與實(shí)施例1同樣的制造條件制作鈷覆蓋的靶，并在Ar 1. 5 氣氛中，在30w/cm2的DC濺射條件下在襯底上形成濺射膜。對(duì)進(jìn)行濺射時(shí)的粉粒進(jìn)行觀察，粉粒的尺寸為約1 μ mX約1 μ m(長(zhǎng)徑X短徑；下同)以下，與約1 μ mX約1 μ m的氧化物粒徑?jīng)]有差異。該結(jié)果同樣如表1所示。另外，可以將粉粒起因的不合格個(gè)數(shù)(個(gè)/mm2)降至2. 2?？梢姡词蛊x中心線平均表面粗糙度Ra :0. Ιμπι以下，十點(diǎn)平均粗糙度Rz 0. 4 μ m以下，局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR :120 μ m以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW 1500μπι以上的范圍的情況下，通過離子鍍敷法可以在靶表面淀積200nm的鈷而將其無(wú)間隙地進(jìn)行覆蓋的情況下，濺射初期階段的粉粒產(chǎn)生情況雖然比本實(shí)施例1稍差，但是也具有基本同樣的效果。例如，如果是中心線平均表面粗糙度Ra :0. 5μπι以下，十點(diǎn)平均粗糙度 Rz :2μπι以下，局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR:120ym以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW: 1500 μ m以上的范圍，則可以無(wú)間隙地覆蓋，并可以確認(rèn)同樣的效果。表 權(quán)利要求
1.一種粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶，在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為 1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)，其特征在于，在該靶的最外表面上形成有富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層。
2.如權(quán)利要求1所述的濺射靶，其特征在于，形成所述金屬覆蓋層前的靶表面的中心線平均表面粗糙度Ra為0. 1 μ m以下，十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0. 4 μ m以下，局部峰頂間距 (粗糙度圖形)AR為120 μ m以下，波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW為1500 μ m以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，延展性在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)以平均粒徑計(jì)具有0. 1 10 μ m的尺寸。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層包含構(gòu)成基質(zhì)相的金屬中的至少一種，所述基質(zhì)相包含富有延展性的物質(zhì)。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層的厚度為 IOOnm 300nm。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的濺射靶，其特征在于，所述金屬覆蓋層包含Co、Cr 和Pt中的至少一種。
7.一種粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶的制造方法，所述靶中，在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)，所述方法的特征在于，通過化學(xué)鍍敷法或物理蒸鍍法在該靶最外表面形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層。
8.一種粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶的制造方法，其特征在于，對(duì)在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1 50%的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、 碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)的靶的表面，預(yù)先通過切削加工進(jìn)行一次加工，然后通過研磨進(jìn)行精加工，由此形成中心線平均表面粗糙度Ra為0. 1 μ m以下、十點(diǎn)平均粗糙度Rz為 0. 4 μ m以下、局部峰頂間距(粗糙度圖形)AR為120 μ m以下、波狀起伏圖形的平均長(zhǎng)度AW 為1500 μ m以上的坡度平緩的表面，再通過化學(xué)鍍敷法或物理蒸鍍法形成富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層。
9.如權(quán)利要求8所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過切削加工進(jìn)行一次加工， 由此從靶材的表面切削Imm IOmm的范圍。
10.如權(quán)利要求8或9所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，通過研磨進(jìn)行精加工，由此從經(jīng)切削加工進(jìn)行一次加工后的表面研磨1 μ m 50 μ m的范圍。
全文摘要
本發(fā)明涉及粉粒的產(chǎn)生少的濺射靶，在包含富有延展性的物質(zhì)的基質(zhì)相內(nèi)存在體積比率為1～50％的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物、金屬間化合物、碳氮化物、其它無(wú)延展性的物質(zhì)，其特征在于，在該靶的最外表面上具有富有延展性且具有導(dǎo)電性的金屬覆蓋層。本發(fā)明提供可以改善存在大量無(wú)延展性的物質(zhì)的靶表面，并且可以防止或抑制濺射時(shí)結(jié)瘤或粉粒的產(chǎn)生的濺射靶及其制造方法。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102224276SQ201080003316
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2010年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月3日
發(fā)明者中村祐一郎, 久野晃, 關(guān)口淳之輔 申請(qǐng)人:吉坤日礦日石金屬株式會(huì)社