專利名稱：用于在雙面磨床中去除材料地加工非常薄的工件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于去除材料地加工扁平的工件的方法。存在去除材料地、尤其磨削地加工越來越薄的工件的需求。這種工件可以例如涉及到半導(dǎo)體片(晶片)，它們可在加工之后且必要時(shí)已經(jīng)在加工之前具有小于100 μ m的厚度。這種工件如此柔軟，以至于不能在常規(guī)的磨床中加工。在C. Landesberger等人撰寫的“用于薄晶片加工的襯底技術(shù)(Carrier Techniques for Thin Wafer Processing)，，(CS Mantech 會(huì)議，2007 年5 月 14-17日，美國德克薩斯州奧斯汀)中描述了用于將非常薄的晶片固定在襯底上的不同可能性。例如可以將晶片粘接在襯底上或者利用靜電力保持在襯底上。還描述了將晶片粘接在較厚的襯底框架中。通過將晶片與襯底連接即可實(shí)現(xiàn)晶片的加工，而無需針對不同的加工過程在不同的襯底之間更換。通過由真空保持裝置保持襯底并將砂輪沿著圓形軌跡引導(dǎo)經(jīng)過工件表面并壓到工件上，實(shí)現(xiàn)對固定在襯底上的工件的加工。在此缺點(diǎn)在于，在所加工的工件表面的中心形成斷裂點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
由上述現(xiàn)有技術(shù)提出的本發(fā)明的目的是，提供一種上述類型的方法，通過該方法能夠以簡單的方式更精確地去除材料地加工非常薄的工件。本發(fā)明通過權(quán)利要求1和5的主題實(shí)現(xiàn)該目的。在從屬權(quán)利要求、說明書和附圖中給出有利的實(shí)施方式。本發(fā)明的目的一方面通過一種用于去除材料地加工、尤其用于磨削或拋光地加工扁平的工件的方法得以實(shí)現(xiàn)，所述工件以其表面分別可拆卸地固定在同樣扁平的襯底的相應(yīng)的表面上，包括以下步驟-提供雙面加工機(jī)床，所述雙面加工機(jī)床具有帶有上工作面的上工作盤和帶有下工作面的下工作盤，其中所述工作面在其間形成工作間隙，具有空隙的至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤設(shè)置在所述工作間隙中，-所述工件與所述襯底共同設(shè)置在所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤的所述空隙中，-旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)所述工作盤，其中所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤利用滾動(dòng)裝置同樣被置于旋轉(zhuǎn)，由此容納在所述轉(zhuǎn)子盤中的襯底與所述工件沿著擺線的軌跡在所述工作面之間運(yùn)動(dòng)，并且其中一個(gè)所述工作面與所述襯底的相應(yīng)的自由表面接觸，并且其中所述一個(gè)工作面與所述工件的相應(yīng)的自由表面接觸，-通過配設(shè)于所述工件的自由表面的工作面去除材料地加工所述工件的自由表面，而通過配設(shè)于所述襯底的自由表面的工作面不去除材料，或者所述襯底的自由表面的去除率顯著地小于所述工件的自由表面的去除率，或者所述襯底的自由表面的去除率等于所述工件的自由表面的去除率。按照本發(fā)明還實(shí)現(xiàn)在具有行星機(jī)構(gòu)的雙面加工機(jī)床中加工薄的工件。在此，尤其是可以設(shè)有多個(gè)轉(zhuǎn)子盤，所述多個(gè)轉(zhuǎn)子盤分別具有貫通的空隙。所述襯底與固定在其上的所述工件保持在所述轉(zhuǎn)子盤中，并浮動(dòng)地在所述工作面之間的工作間隙中引導(dǎo)。至少配設(shè)于所述工件的機(jī)床工作面具有工作覆層，尤其是磨削覆層或拋光覆層，并由此導(dǎo)致去除材料。在此，所述工件可以如此薄，使得自身在加工之后且必要時(shí)也已在加工之前具有如此的彈性，使得它在沒有襯底的情況下不能在機(jī)床中加工。按照本發(fā)明，所述工件可以已經(jīng)在加工之前并尤其是在加工之后具有比襯底更小的厚度。因此所述襯底由于其較大的厚度而提供在雙面機(jī)床中加工所需的穩(wěn)定性。按照本發(fā)明已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，當(dāng)所述襯底的去除率至少遠(yuǎn)小于所述工件的去除率時(shí)，通過這種方式尤其是也可以在具有行星機(jī)構(gòu)的雙面加工機(jī)床中實(shí)現(xiàn)非常薄的工件的磨削加工。通過機(jī)床的行星機(jī)構(gòu)、即其轉(zhuǎn)子盤的結(jié)構(gòu)及其在工作間隙中的運(yùn)動(dòng)保證特別精確且均勻的去除率。可靠地避免在工件中心的斷裂點(diǎn)。為了使襯底能夠盡可能重復(fù)用于多個(gè)待加工的工件，有利的是，使所述襯底的去除材料盡可能地少。為此，通過使上工作面和下工作面具有不同的工作覆層，可以以特別適合的方式產(chǎn)生一方面工件的自由表面和另一方面襯底的自由表面的不同的去除率。通過這種方式至少在襯底和工件的類似材料中自動(dòng)地產(chǎn)生不同的去除率。如果去除材料的加工是磨削加工，則特別有利的是，配設(shè)于所述工件表面的工作面設(shè)有磨削覆層，并且配設(shè)于所述襯底表面的工作面設(shè)有拋光覆層，并且加工無需研磨的拋光劑地實(shí)現(xiàn)。通過這種方式幾乎可以完全避免襯底的材料去除。如果相反進(jìn)行拋光加工，則也能夠?qū)τ诠ぜ鸵r底選擇相同的去除率。在拋光時(shí)去除材料如此少，使得在這種工作方式中也可以多次地使用襯底。本發(fā)明的目的也通過一種用于去除材料地加工、尤其用于磨削或拋光地加工扁平的工件的方法得以實(shí)現(xiàn)，所述工件成對地以其表面可拆卸地固定在同樣扁平的襯底的相應(yīng)的相對置的表面上，包括步驟-提供雙面加工機(jī)床，所述雙面加工機(jī)床具有帶有上工作面的上工作盤和帶有下工作面的下工作盤，其中所述工作面在其間形成工作間隙，具有空隙的至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤設(shè)置在所述工作間隙中，-所述工件與所述襯底共同設(shè)置在至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤的所述空隙中，-旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)所述工作盤，其中所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤利用滾動(dòng)裝置同樣被置于旋轉(zhuǎn)，由此使容納在所述轉(zhuǎn)子盤中的襯底與所述工件沿著擺線的軌跡在所述工作面之間運(yùn)動(dòng)，并且其中一個(gè)所述工作面與固定在所述襯底的一側(cè)上的工件的相應(yīng)的自由表面接觸，并且其中一個(gè)所述工作面與固定在所述襯底的對置側(cè)上的工件的相應(yīng)的自由表面接觸，-通過配設(shè)于所述工件的自由表面的工作面分別去除材料地加工可拆卸地固定在所述襯底的相對置的兩側(cè)上的工件的自由表面。在按照本發(fā)明的第一解決方案中，在一個(gè)襯底上相應(yīng)地僅僅可拆卸地固定一個(gè)工件，而在按照本發(fā)明的這個(gè)解決方案中，在每個(gè)襯底上可拆卸地固定兩個(gè)工件，尤其是一個(gè)工件固定在襯底的頂面上，一個(gè)工件固定在襯底的底面上。這種由兩個(gè)工件和一個(gè)襯底構(gòu)成的“三重-堆疊”按照本發(fā)明同樣可以以特別有利的方式通過具有行星機(jī)構(gòu)的雙面加工機(jī)床去除材料地加工。在此成對地固定在襯底上的工件可以通過雙面機(jī)床的上工作面和下工作面尤其以相同的去除率加工。在此所述襯底不與所述工作面接觸。按照本發(fā)明所述工件和襯底可以分別圓柱形地構(gòu)成。在此，所述表面是工件或襯底的頂面和底面。工件或襯底可以具有基本平行的表面、尤其是平面平行的表面。在加工之前所述工件可以在其頂面上已經(jīng)具有集成電路。因此所述工件從其底面加工。
按照本發(fā)明，所述工件可以在加工之后具有小于100 μ m、優(yōu)選小于50 μ m、更加優(yōu)選小于20 μ m的厚度。這種工件在沒有襯底的情況下不能在按照本發(fā)明類型的雙面加工機(jī)床中加工。所述襯底在加工之前和/或加工之后可以比工件厚幾倍。例如，所述襯底的厚度在加工之前和/或之后可在0. 5mm至2mm、優(yōu)選0. 7mm至1. Omm之間的范圍內(nèi)。在按照本發(fā)明浮動(dòng)地加工在轉(zhuǎn)子盤中的襯底與工件時(shí)，在圓柱形的邊緣彼此平齊地終止的襯底和工件中，導(dǎo)致轉(zhuǎn)子盤與襯底和工件的邊緣之間的重復(fù)接觸并由此導(dǎo)致在襯底和工件上的力作用。這尤其是在按照本發(fā)明的薄工件中可能導(dǎo)致?lián)p傷。因此另一實(shí)施方式規(guī)定，所述襯底和所述工件具有基本上圓柱形的形狀，并且所述襯底具有比所述工件大的直徑。在此，工件可以例如同軸地固定在襯底上。在這個(gè)實(shí)施方式中，在加工時(shí)只有尤其較厚的襯底的邊緣與轉(zhuǎn)子盤接觸，這些邊緣可以沒有損傷隱患地承受相應(yīng)的力。因此可靠地避免不期望的力作用在薄工件上。所述工件可以通過粘接連接件固定在所述襯底上，例如通過蠟、粘接劑或粘接膜。 所述粘接連接件可以熱、化學(xué)(例如通過溶解劑)、腐蝕地(例如通過腐蝕劑)或通過UV輻射拆卸。例如在熱拆卸時(shí)必需保證，在去除材料地加工的范圍內(nèi)產(chǎn)生的溫度低于使粘接連接件溶解的溫度。在加工之后可以通過適合的熱作用拆卸粘接連接件，并由此從襯底上移除工件。同樣也可以規(guī)定，通過靜電充電將工件固定在襯底上。所述工件可以是半導(dǎo)體片，例如晶片、尤其是硅晶片。所述襯底同樣可以是這種半導(dǎo)體片，例如晶片、尤其是硅晶片。它們可被成本有利地提供并且非常適合于作為襯底。所述襯底和工件可以由相同的材料制成。但是也能夠使所述襯底由玻璃材料、陶瓷材料或塑料材料組成。通過用于襯底的材料選擇成不同于用于工件的材料，在按照本發(fā)明的第一方法中可以以特別簡單的方式在襯底上實(shí)現(xiàn)不同的去除率。對于按照本發(fā)明的在加工之前且尤其是在加工之后極小的工件材料厚度具有重要意義的是，精確地監(jiān)控去除材料并由此監(jiān)控工件厚度。因此另一實(shí)施方式規(guī)定，利用光學(xué)測量方法、尤其是干涉儀的測量方法測量工件在其在加工機(jī)床中加工期間的厚度。例如可以使用紅外干涉儀，這尤其在對于紅外射線透明的由硅制成的工件中是優(yōu)選的。這些測量方法提供了特別高的測量精度，如同在按照本發(fā)明加工非常薄的工件時(shí)所需的那樣。按照本發(fā)明已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，這些測量方法可以在具有行星機(jī)構(gòu)的雙面加工機(jī)床中使用。在此還在加工機(jī)床中測量工件的厚度，因此尤其在加工機(jī)床中或旁邊設(shè)置光學(xué)測量裝置。能夠?qū)崿F(xiàn) Iym且更高的測量精度。在此可以很大程度地排除失真的影響，例如溫度漂移、工具磨損、 臟污和工件的機(jī)械彎曲。此外，與接觸測量方法相比，通過該測量對工件沒有任何影響。也能夠與襯底分開地只確定工件的厚度。這尤其適用于襯底和工件由不同的材料制成和/或在工件與襯底之間設(shè)有適合的光學(xué)隔離層(例如粘接連接件)的情況。通過光學(xué)測量裝置也可以產(chǎn)生厚度輪廓并由此監(jiān)控加工的均勻性。按照本方法的該實(shí)施方式的改進(jìn)方案還可以對應(yīng)地規(guī)定步驟-將紅外射線定向到工件的自由表面上，其中第一射線分量在所述自由表面上反射，并且第二射線分量穿過工件厚度、在通過襯底固定的工件表面上反射并又在自由的工件表面上射出，_第一與第二射線分量干涉，從而形成干涉圖案，-借助于干涉圖案確定在自由的工件表面與通過襯底固定的工件表面之間的光學(xué)的工件厚度，-由光學(xué)的工件厚度在考慮工件材料折射率的情況下求得機(jī)械的工件厚度。但是為了監(jiān)控工件厚度，原則上也可以考慮其它測量方法。因此例如可以利用至少一個(gè)渦流傳感器或者利用至少一個(gè)超聲波傳感器或利用其它測量方法測量工件在其在加工機(jī)床中加工期間的厚度，它們具有足夠的測量精度，以便測量小于Imm范圍內(nèi)的厚度。所述工件在其擺線的軌跡運(yùn)動(dòng)中可經(jīng)過工作間隙以外的范圍。這個(gè)范圍在專業(yè)術(shù)語中稱為超程(ijberiauf )。該超程例如位于工作間隙的外側(cè)。但是對于環(huán)形的工作間隙，這種超程也可位于工作間隙的內(nèi)側(cè)。因此按照一個(gè)實(shí)施方式可以規(guī)定，在工作間隙以外的范圍內(nèi)進(jìn)行(例如光學(xué)的)厚度測量。該超程是良好地夠得到的并特別適用于在這個(gè)范圍內(nèi)的厚度測量。但是按照可替代的實(shí)施方式也可以規(guī)定，所述加工機(jī)床具有至少一個(gè)設(shè)置在加工機(jī)床的工作盤中的光學(xué)的或其它適合的測量裝置，通過它進(jìn)行厚度測量。這個(gè)實(shí)施方式基于這種理念，在一個(gè)工作盤、由于可能臟污優(yōu)選在上工作盤中設(shè)置測量裝置并且通過這種方式實(shí)現(xiàn)在加工期間的厚度測量。


下面借助于附圖更為詳細(xì)地解釋本發(fā)明的實(shí)施例。附圖示意性地示出圖1示出在按照本發(fā)明的方法中使用的雙面磨床的透視圖，圖2示出用于按照本發(fā)明進(jìn)行加工的與襯底連接的工件的截面圖，圖3示出圖1的裝置的下工作盤的放大俯視圖，圖4示出在按照本發(fā)明的方法中使用的雙面磨床的放大局部截面圖，并且圖5示出兩個(gè)用于按照本發(fā)明進(jìn)行加工的與襯底連接的工件的截面圖。
具體實(shí)施例方式只要沒有特別地指出，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的對象。圖1示意性地示出按照本發(fā)明使用的雙面加工機(jī)床10(即在所示示例中的雙面磨床10)的結(jié)構(gòu)，其具有行星機(jī)構(gòu)。該雙面磨床10具有上擺臂12，該上擺臂可以通過支承在下部底座18上的擺動(dòng)裝置14圍繞豎直軸線擺動(dòng)。在擺臂12上支撐上工作盤16。在所示示例中，上工作盤16可通過未詳細(xì)示出的驅(qū)動(dòng)電機(jī)被旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)。上工作盤16在其在圖1中未示出的底面上具有工作面。在所示示例中，在該工作面上設(shè)置拋光覆層。下部底座18具有支撐下工作盤20 的支撐段19，該下工作盤在其頂面上具有與上工作盤16的工作面對應(yīng)的工作面。通過擺臂12可以使上工作盤16與下工作盤20同軸地對準(zhǔn)。在所示示例中，下工作盤20同樣通過未示出的驅(qū)動(dòng)電機(jī)被旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)，尤其與上工作盤16反向地驅(qū)動(dòng)。當(dāng)然還可以僅將工作盤16、20中的一個(gè)可旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)地構(gòu)成。在所示示例中，在下工作盤20的工作面上設(shè)置磨削覆層。在下工作盤20上示出多個(gè)轉(zhuǎn)子盤22，所述多個(gè)轉(zhuǎn)子盤分別具有空隙，用于待加工的工件和固定在所述工件上的襯底。所述轉(zhuǎn)子盤22分別通過外齒嚙合到內(nèi)部空心齒圈 (Innenstiftkranz) 24和外部空心齒圈(Au β enstiftkranz) 26中。通過這種方式形成一滾動(dòng)裝置，其中所述轉(zhuǎn)子盤22在下工作盤20旋轉(zhuǎn)時(shí)例如通過內(nèi)部空心齒圈24同樣被置于旋轉(zhuǎn)。由此，設(shè)置在轉(zhuǎn)子盤22的空隙中的工件和襯底在下工作盤20上沿著擺線的軌跡運(yùn)動(dòng)。在圖2中示出利用在圖1中所示的雙面磨床的按照本發(fā)明的待加工的工件和襯底。在此，工件和襯底圓柱形地構(gòu)成?？梢岳斫猓ぜ鸵r底的厚度與其直徑的比例非?？浯蟮厥境觥Ｔ趫D2中示出圓柱形的襯底28 (在此為硅晶片)。該襯底28在所示示例中具有約Imm的厚度。襯底28的頂面30是自由的，而底面32通過粘接連接件34與待加工的工件38(在此同樣為硅晶片)的頂面36連接。粘接連接件34例如可以通過蠟、粘接劑或粘接膜形成。蠟、粘接劑或粘接膜可以例如熱、化學(xué)、腐蝕地或通過UV輻射而為可拆卸的。 工件38的底面40也是自由的。在圖2所示的示例中，在工件38固定在襯底28上的狀態(tài)下，襯底28和工件38在其外側(cè)彼此平齊地終止。但是，也能夠使襯底28和工件38具有不同的直徑且彼此不平齊地終止。在本示例中，在圖2中示出的工件38在加工之后具有小于 100 μ m的厚度。因此，該工件在沒有襯底28的情況下過于柔軟，以至于不能在圖1所示的雙面磨床10中加工。通過固定在明顯更厚的襯底28上，達(dá)到使其足以用于在機(jī)床10中加工的穩(wěn)定性。為了加工，工件38與襯底28被共同放入轉(zhuǎn)子盤22的空隙中，并浮動(dòng)地支承在形成在通過擺臂12的轉(zhuǎn)動(dòng)彼此同軸對準(zhǔn)的工作盤16、20之間的工作間隙中。接著，在至少一個(gè)旋轉(zhuǎn)的上工作盤16或下工作盤20中，例如上工作盤16被擠壓力向下擠壓。由此導(dǎo)致在下工作盤20的磨削覆層與工件38的自由底面40之間的磨削接觸。同時(shí)，上工作盤16的拋光覆層與襯底28的上部自由表面30接觸。在此，僅僅以水作為冷卻劑進(jìn)行磨削加工。不使用具有研磨材料的拋光劑。由此，可以從工件38的底面40薄地磨削該工件，而無需在襯底28的頂面30上去除材料。在加工之后，上工作盤16再轉(zhuǎn)動(dòng)離開，并且所加工的工件38 可以與襯底28共同從轉(zhuǎn)子盤中取出。接著，粘接連接件34可例如通過熱作用而被拆卸，并且由此使工件38與襯底28分開。襯底28接著可以重新使用。在圖3中示出下工作盤20的具有磨削覆層的工作面21的放大俯視圖。還可以看到具有用于襯底和工件的多個(gè)空隙23的轉(zhuǎn)子盤22。同樣可以看到內(nèi)部空心齒圈24和外部空心齒圈26，轉(zhuǎn)子盤22以其外齒25在外部空心齒圈上滾動(dòng)。在擺線軌跡運(yùn)動(dòng)過程中，空隙23以及通過該空隙容納在該空隙中的襯底28和工件38部分地經(jīng)過在運(yùn)行中由上工作板16的下工作面21和上工作面限定的工作間隙以外的區(qū)域42。該區(qū)域42在專業(yè)術(shù)語中稱為超程42。在由工作盤16、20限定的環(huán)形工作間隙以外的第二區(qū)域44在圖3中位于工作間隙的內(nèi)側(cè)。下面示例地描述設(shè)置在空隙23中的工件38在外部超程42的范圍內(nèi)的干涉儀的厚度測量。當(dāng)然，這種厚度測量以類似的方式也能夠在內(nèi)部超程44的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)。 同樣，在將適合的測量裝置設(shè)置在上工作盤16或下工作盤20的工作面之一中時(shí)，也能夠?qū)崿F(xiàn)在工作間隙內(nèi)的測量。尤其是在加工三重-堆疊的情況下，也能夠在堆疊的頂面和底面上設(shè)置用于測量厚度的測量裝置，以測量兩個(gè)工件的厚度。如同在圖4的視圖中放大且局部示出的那樣，在外部超程42的范圍中設(shè)置光學(xué)測量裝置46。在所示的示例中，該測量裝置46涉及紅外干涉儀。在圖4的截面圖中示出工件 38與襯底28共同位于局部可見的轉(zhuǎn)子盤22中。在工件在加工機(jī)床10中加工的過程中， 該工件38與其襯底28有時(shí)經(jīng)過超程42。在所示的示例中，紅外射線48 (在這里是紅外射線譜48)從下面定向到工件38的自由底面40上。所述紅外射線48以第一射線分量在自由的工件底面40上反射，而第二射線分量穿過對于紅外射線高度透明的工件38，在工件38的與襯底28連接的頂面36上內(nèi)部反射，并直接或多次在工件38的內(nèi)表面上反射之后再在工件38的自由底面40上射出。接著，從工件38返回到測量裝置46中的第一和第二射線分量相互干涉，這通過適合的感應(yīng)裝置(未示出)接收。以此為基礎(chǔ)可以由求得的光學(xué)工件厚度和已知的折射率求得機(jī)械的工件厚度。因此，通過測量裝置46能夠與襯底28分開地實(shí)現(xiàn)工件38的精確厚度測量。通過這種方式可以更加精確地執(zhí)行按照本發(fā)明的加工方法。也能夠例如徑向地測量工件38的位于超程42中的部分并建立對應(yīng)的厚度輪廓，以便由此進(jìn)一步提高加工精度。在圖5中示出在很大程度上與圖2的結(jié)構(gòu)對應(yīng)的結(jié)構(gòu)。但是與圖2不同的是，在這里在襯底28上在其相對置的上表面和下表面上，分別通過粘接連接件34可拆卸地固定工件38。這因而涉及到所謂的三重-堆疊。該結(jié)構(gòu)同樣可以在例如圖1中所示的裝置中加工。在此，尤其可以對于上、下工件設(shè)定相同的去除率，因?yàn)樵谶@種情況下所述襯底不與工作面接觸。按照本發(fā)明的方法能夠高精度地加工非常薄的工件，這些工件在加工之后可以具有小于100 μ m、優(yōu)選小于50 μ m、更加優(yōu)選小于20 μ m、例如約10 μ m范圍內(nèi)的厚度。同時(shí)， 所述工件38由于其與襯底28連接而在其整個(gè)加工過程的范圍內(nèi)(例如也包括緊接著的拋光)可以毫無問題地通過同一工具傳送。
權(quán)利要求
1.用于去除材料地加工、尤其用于磨削或拋光地加工扁平的工件(38)的方法，所述工件通過其表面分別可拆卸地固定在同樣扁平的襯底(28)的相應(yīng)的表面上，其特征在于以下步驟-提供雙面加工機(jī)床(10)，所述雙面加工機(jī)床具有帶有上工作面的上工作盤(16)和帶有下工作面的下工作盤(20)，其中所述工作面在其之間形成工作間隙，具有空隙(23)的至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤(22)設(shè)置在所述工作間隙中，-所述工件(38)與所述襯底(28)共同設(shè)置在所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤(22)的空隙(23)中，-旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)所述工作盤(16，20)，其中所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤(22)利用滾動(dòng)裝置同樣被置于旋轉(zhuǎn)，由此使容納在所述轉(zhuǎn)子盤(22)中的襯底(28)與所述工件(38)沿著擺線的軌跡在所述工作面之間運(yùn)動(dòng)，并且其中一個(gè)所述工作面與所述襯底(28)的相應(yīng)的自由表面接觸，并且其中一個(gè)所述工作面與所述工件(38)的相應(yīng)的自由表面接觸，-通過配設(shè)于所述工件的自由表面的工作面去除材料地加工所述工件(38)的自由表面，而通過配設(shè)于所述襯底(28)的自由表面的工作面不去除材料，或者所述襯底(28)的自由表面的去除率顯著地小于所述工件(38)的自由表面的去除率，或者所述襯底(28)的自由表面的去除率等于所述工件(38)的自由表面的去除率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過使所述上工作面和所述下工作面具有不同的工作覆層，產(chǎn)生所述襯底(28)的自由表面和所述工件(38)的自由表面的不同的去除率。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，去除材料的加工是磨削加工，其中配設(shè)于所述工件(38)的表面的工作面設(shè)有磨削覆層，并且配設(shè)于所述襯底(28)的表面的工作面設(shè)有拋光覆層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述加工通過拋光覆層而無需拋光劑地實(shí)現(xiàn)。
5.用于去除材料地加工、尤其用于磨削或拋光地加工扁平的工件(38)的方法，所述工件成對地以其表面可拆卸地固定在同樣扁平的襯底(28)的相應(yīng)的相對置的表面上，其特征在于以下步驟-提供雙面加工機(jī)床(10)，所述雙面加工機(jī)床具有帶有上工作面的上工作盤(16)和帶有下工作面的下工作盤(20)，其中所述工作面在其之間形成工作間隙，具有空隙(23)的至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤(22)設(shè)置在所述工作間隙中，-所述工件(38)與所述襯底(28)共同設(shè)置在所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤(22)的空隙(23)中，-旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)所述工作盤(16，20)，其中所述至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤(22)利用滾動(dòng)裝置同樣被置于旋轉(zhuǎn)，由此使容納在所述轉(zhuǎn)子盤(22)中的襯底(28)與所述工件(38)沿著擺線的軌跡在所述工作面之間運(yùn)動(dòng)，并且其中一個(gè)所述工作面與固定在所述襯底(28) 的一側(cè)上的工件的相應(yīng)的自由表面接觸，并且其中一個(gè)所述工作面與固定在所述襯底(28) 的對置側(cè)上的工件(38)的相應(yīng)的自由表面接觸，-通過配設(shè)于所述工件的自由表面的工作面，分別去除材料地加工可拆卸地固定在所述襯底(28)的相對置的兩側(cè)上的工件(38)的自由表面。
6.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在加工之前，所述工件(38)已經(jīng)具有比所述襯底(28)小的厚度。
7.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在加工之后，所述工件(38)具有小于100 μ m、優(yōu)選小于50 μ m、更加優(yōu)選小于20 μ m的厚度。
8.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯底(28)具有0.5mm至 2mm范圍內(nèi)、優(yōu)選0. 7mm至1.0mm范圍內(nèi)的厚度。
9.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯底(38)和所述工件(28) 具有圓柱形的形狀，并且所述襯底(38)具有比所述工件(28)大的直徑。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述工件(38)通過粘接連接件(34)、尤其通過蠟、粘接劑或粘接膜固定在所述襯底(28)上。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述粘接連接件能夠熱、化學(xué)、腐蝕地或通過UV輻射而被拆卸。
12.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述工件(38)通過靜電充電而固定在所述襯底(28)上。
13.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述工件(38)是半導(dǎo)體片。
14.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯底(28)是半導(dǎo)體片。
15.如權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述襯底(28)由玻璃材料、 陶瓷材料或塑料材料制成。
16.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，借助于光學(xué)測量方法、尤其是干涉儀的測量方法，在所述工件在加工機(jī)床中加工期間測量所述工件(38)的厚度。
17.如權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，借助于至少一個(gè)渦流傳感器或者借助于至少一個(gè)超聲波傳感器，在所述工件在加工機(jī)床中加工期間測量所述工件(38) 的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于磨削或拋光地加工非常扁平的工件(38)的方法，所述工件分別可拆卸地固定在扁平的襯底(28)上。所述工件(38)與所述襯底(28)共同地安裝到雙面加工機(jī)床(10)的至少一個(gè)轉(zhuǎn)子盤(22)的空隙(23)中，并且沿著擺線的軌跡在雙面加工機(jī)床(10)的工作面之間運(yùn)動(dòng)。其中，在所述雙面加工機(jī)床(10)的工作面上的去除率或者一樣大，或者在一個(gè)工作面上的去除率遠(yuǎn)小于在相對置的工作面上的去除率，或者在一個(gè)工作面上不去除材料。在一個(gè)實(shí)施例中，兩個(gè)工件(38)可拆卸地固定在襯底(28)上、即頂面和底面上。
文檔編號(hào)B24B7/22GK102378668SQ201080014775
公開日2012年3月14日 申請日期2010年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月1日
發(fā)明者F·倫克爾 申請人:彼特沃爾特斯有限公司