專利名稱：用于沉積薄膜的裝置、方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于沉積薄膜的裝置及方法，更具體而言，涉及一種用于沉積一薄膜于一基板的裝置及方法、以及一種用于沉積一薄膜的系統(tǒng)，用于沉積薄膜的裝置以直列類型(in-line type)連接。
背景技術(shù)：
不同于液晶顯示器(Liquid Crystal Display ;LCD)，有機發(fā)光二極管(OrganicLight Emitted Diode ；OLED)具有自發(fā)光特性，因而不需要背光燈且其功率消耗較小。此外，由于具有寬廣的視角以及快速的響應(yīng)時間(response time)，使用OLED的顯示器件可顯示優(yōu)秀的影像而不存在視角及殘影(afterimage)方面的問題。此一 OLED經(jīng)由堆疊多個薄膜(例如有機薄膜及金屬薄膜)于一玻璃基板上而制成。因此，以往主要采用連接在一圓形傳送腔室周圍且用于執(zhí)行一列單元工藝的多個單元腔室的棒束型(cluster type)，當玻璃基板在各個腔室之間設(shè)置成一水平狀態(tài)時，所述棒束型用以執(zhí)行基板傳送及器件工藝。此一棒束型具有可快速且連續(xù)執(zhí)行一列工藝的優(yōu)點，且亦具有可更換一沉積屏蔽(exposition mask)的優(yōu)點，而此對于制造OLED而言甚為重要。另一方面，近來所謂的三原色獨立畫素型(three primary colors independentpixel type)OLED備受關(guān)注，三原色獨立畫素型OLED利用一精密金屬屏蔽(Fine MetalMask ；FMM)依序形成藍色(B)、綠色(G)及紅色(R)發(fā)光層于一大面積基板上。已知此一三原色獨立畫素類型具有較佳的色純度及發(fā)光效率，且具有確保價格具有競爭力的優(yōu)點。然而，對于三原色獨立畫素類型，因藍色(B)、綠色(G)及紅色(R)發(fā)光層應(yīng)于各別的獨立工藝腔室中依序形成，用于執(zhí)行各別單元工藝的多個工藝腔室串行連接的直列類型方屬適當。因此，需要將傳統(tǒng)的棒束型轉(zhuǎn)變成直列類型。然而，相較于棒束型，直列類型存在以下問題由于存在許多重疊的設(shè)備，生產(chǎn)線的建造成本較高，并且由于工藝時間長而使生產(chǎn)率較低。對于先前技術(shù)的棒束型，由于基板是水平設(shè)置以執(zhí)行一薄膜工藝(有機薄膜沉積工藝)，嚴重的基板彎曲現(xiàn)象會使器件的制造非常困難。此外，因用于大面積基板的沉積屏蔽所具有的重量大于數(shù)百公斤，故基板彎曲現(xiàn)象可能會加劇而造成諸如基板折斷等嚴重問題。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明提供一種用于沉積一薄膜的裝置、方法及系統(tǒng)，其可經(jīng)由同時處理多個基板并使工藝等待時間(例如用于設(shè)置/對齊基板及沉積屏蔽的時間)最小化而達成高的生產(chǎn)率。本發(fā)明亦提供一種用于沉積一薄膜的裝置、方法及系統(tǒng)，其可經(jīng)由使一通?？捎迷O(shè)備的共享性最大化而降低生產(chǎn)線的建造成本。本發(fā)明亦提供一種用于沉積一薄膜的裝置、方法及系統(tǒng)，其可經(jīng)由將一基板設(shè)置于一垂直狀態(tài)以對基板執(zhí)行一薄膜工藝而克服基板彎曲的現(xiàn)象。技術(shù)解決方案根據(jù)一實例性實施例，提供一種用于沉積一薄膜的裝置，包含一腔室，用以提供一反應(yīng)空間；一第一基板支架及一第二基板支架，彼此間隔開并安裝于所述腔室中；以及一沉積源，安裝于所述第一基板支架與所述第二基板支架之間，且用以于所述第一基板支架與所述第二基板支架的方向依序供應(yīng)一沉積原料。所述第一基板支架與所述第二基板支架可用以支撐一基板于一垂直狀態(tài)。所述第一基板支架與所述第二基板支架可包含一平臺，用以支撐所述基板；以及一夾具，用以夾持穩(wěn)定地置于所述平臺上的所述基板。所述第一基板支架與所述第二基板支架可更包含一驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元用以使所述平臺站立于一垂直狀態(tài)或使所述平臺平躺于一水平狀態(tài)。所述沉積源可于所述第一基板支架與所述第二基板支架之間旋轉(zhuǎn)。所述沉積源可以是點式沉積源、直線式沉積源及平面式沉積源其中之一。所述腔室可連接至一屏蔽腔室(mask chamber)，所述屏蔽腔室用以各提供一沉積屏蔽至所述第一基板支架與所述第二基板支架或用以更換所述沉積屏蔽。根據(jù)另一實例性實施例，提供一種沉積一薄膜的方法，包含為串行連接的多個腔室其中的每一者設(shè)置一第一生產(chǎn)線(process line)及一第二生產(chǎn)線；裝載一第一基板，所述第一基板沿所述第一生產(chǎn)線傳送入所述多個腔室其中的一個指定腔室，以執(zhí)行一第一單元工藝；裝載一第二基板，所述第二基板沿所述第二生產(chǎn)線傳送入所述多個腔室其中的所述指定腔室，以于執(zhí)行所述第一基板的所述單元工藝時，執(zhí)行一第二單元工藝所需的一預(yù)先準備；以及當所述第一單元工藝完成時，對已完成所述預(yù)先準備的所述第二基板執(zhí)行所述第二單元工藝。所述第一單元工藝可包含利用所述沉積源于所述第一基板的一方向供應(yīng)一原料，且所述第二單元工藝可包含經(jīng)由旋轉(zhuǎn)所述沉積源而于所述第二基板的一方向供應(yīng)所述原料。可經(jīng)由蒸發(fā)及供應(yīng)一有機原料而執(zhí)行所述第一單元工藝及所述第二單元工藝。上述方法可更包含在執(zhí)行所述第二基板的所述單元工藝時，自所述指定腔室卸載所述第一基板。所述第一基板與所述第二基板可以一水平狀態(tài)置放及傳送。所述第一基板與所述第二基板可以一垂直狀態(tài)置放及傳送。所述第一基板與所述第二基板可被置放于一垂直狀態(tài)，以執(zhí)行所述多個單元工藝。所述預(yù)先準備可包含以下至少其中之一使所述第二基板對齊于一預(yù)定位置，以及將一沉積屏蔽安排及對齊于所述第二基板上。根據(jù)再一實例性實施例，提供一種用于沉積一薄膜的系統(tǒng)，包含串行連接的多個腔室；以及一第一生產(chǎn)線及一第二生產(chǎn)線，形成于所述多個腔室中，其特征是所述多個腔室至少其中之一中可設(shè)置有一第一基板支架，包含于所述第一生產(chǎn)線中；一第二基板支架，包含于所述第二生產(chǎn)線中并與所述第一基板支架間隔開；以及ー沉積源，安裝于所述第一 基板支架與所述第二基板支架之間并用以供應(yīng)ー沉積原料。所述沉積源可于所述第一基板支架與所述第二基板支架之間旋轉(zhuǎn)。所述沉積源可以是點式沉積源、直線式沉積源與平面式沉積源其中之一。所述多個腔室可包含多個エ藝腔室，用以執(zhí)行一單元エ藝；以及多個緩沖腔室， 連接于所述多個エ藝腔室之間。所述多個エ藝腔室可連接至一屏蔽腔室，所述屏蔽腔室用以供應(yīng)一沉積屏蔽或更 換所述沉積屏蔽。有利效果根據(jù)本發(fā)明，因可透過設(shè)置于各所述エ藝腔室中的單個沉積源對設(shè)置于各所述エ 藝腔室中的ニ或更多條生產(chǎn)線執(zhí)行依序薄膜エ藝，故可節(jié)約制造成本、同時可提高生產(chǎn)率。另外，于在一條生產(chǎn)線對一基板執(zhí)行ー薄膜エ藝的同吋，可于另一生產(chǎn)線對另ー 基板執(zhí)行基板傳送及基板/屏蔽對齊，以縮短等待時間，進而更提高生產(chǎn)率。此外，因于傳送一基板吋，所述基板設(shè)置于一水平狀態(tài)，故于傳送基板時基板折斷 的機率降低，且因在薄膜エ藝期間基板設(shè)置于一垂直狀態(tài)，故基板彎曲的現(xiàn)象較少出現(xiàn)，此 使器件的制造易于進行。


通過結(jié)合附圖進行的以下說明，可以更詳細地了解例示性實施例，附圖中圖1為根據(jù)ー實例性實施例，一種用于沉積ー薄膜的系統(tǒng)的一平面圖；圖2為包含于圖1所示薄膜沉積系統(tǒng)中的多個腔室其中的任一者的一平面圖；以 及圖3至圖8為根據(jù)ー實例性實施例，一種用于沉積ー薄膜的系統(tǒng)的ー単元エ藝的 平面圖。附圖主要組件符號說明
110:裝載腔室 120:卸載腔室 200:ェ藝腔室 310、320:屏蔽腔室 511:基板入口 512:基板出口 520:基板支架 521:平臺 522:夾具.523:溫度控制裝置
600:緩沖腔室 410:原料饋送器 G:基板M:沉積屏蔽
PL:生產(chǎn)線
具體實施例方式以下，將參照附圖詳細說明本發(fā)明的具體實施例。然而，本發(fā)明可實施為不同的形式，而不應(yīng)被視為僅限于本文所述的實施例。而是，所述多個實施例旨在使本揭露內(nèi)容透徹且完整，并將向熟習此項技術(shù)者全面?zhèn)鬟_本發(fā)明的范圍，通篇中相同的參考編號用以指代相同的組件。圖1為根據(jù)一實例性實施例的一薄膜沉積系統(tǒng)，圖2為包含于圖1所示薄膜沉積系統(tǒng)中的多個腔室中任一者的平面圖。參見圖1及圖2，所述薄膜沉積系統(tǒng)包含一裝載腔室，位于一前端；一卸載腔室120，位于一后端；以及多個單元腔室200、600，以一直列方式(in-line manner)排列于裝載腔室110與卸載腔室120之間。此時，所述多個單元腔室200、600于一列方向上沿二生產(chǎn)線PLl及PL2排列。當于第一生產(chǎn)線PLl上執(zhí)行一單元工藝時，執(zhí)行第二生產(chǎn)線PL2的一預(yù)先準備，俾于完成第一生產(chǎn)線PLl的單元工藝后，可繼續(xù)執(zhí)行第二生產(chǎn)線的一單元工藝。裝載腔室110用以于一大氣壓力狀態(tài)下接收已經(jīng)歷一預(yù)定先前工藝的一基板G，并于一真空狀態(tài)下裝載所述基板G至一工藝腔室210內(nèi)。卸載腔室120用以自一工藝腔室263接收已經(jīng)歷一列單元工藝的基板G，并卸載所述基板G至處于大氣壓力狀態(tài)的一空間。因此，裝載腔室110及卸載腔室120用以自大氣壓力狀態(tài)轉(zhuǎn)變成真空狀態(tài)或者反的。此外，盡管圖中未示出，然裝載腔室110及卸載腔室120可連接至一基板傳送裝置(例如一機械手臂(robot arm))以及一基板載送單元(例如一傳送盒(cassette))。所述多個單元腔室200、600包含多個工藝腔室210、220、230、240、250、260 (200)以及連接于所述多個工藝腔室210、220、230、對0、250、沈0(200)間的多個緩沖腔室610、620(600)。緩沖腔室600提供一任意空間，基板G停留于所述空間中一段時間以等待進行一工藝。此外，用以提供一第一屏蔽Ml至第一生產(chǎn)線PLl的一第一屏蔽腔室310連接至排列于所述第一生產(chǎn)線PLl上的各所述工藝腔室200，且用以提供一第二屏蔽M2至第二生產(chǎn)線PL2的一第二屏蔽腔室320連接至排列于所述第二生產(chǎn)線PL2上的各所述工藝腔室200。用于一薄膜沉積工藝或用于更換的沉積屏蔽M1、M2儲存于第一屏蔽腔室310及第二屏蔽腔室320中。當然，因第一屏蔽腔室310及第二屏蔽腔室320可共享，可僅連接單個共享屏蔽腔室至各所述工藝腔室200。此外，一用于供應(yīng)一原料至一沉積源540的原料饋送器410可連接至各別單元腔室其中的某些。所述多個工藝腔室200用以于基板G上執(zhí)行一列單元工藝。舉例而言，一實例性實施例用以形成一 0LED，所述OLED包含依序形成于基板G上的一電洞注入層(holeinjection layer ；HIL)、一電洞傳輸層(hole transport layer ；HTL)、一發(fā)射材料層(emitting material layer ；EML) >一電子傳輸層(electron transport layer ；ETL)以及一電子注入層(electron injection layer ;EIL)，一陽極形成于基板G上。為此，HIL形成腔室210、HTL形成腔室220、EML形成腔室230、ETL形成腔室MO、EIL形成腔室250以及陰極形成腔室260為串行連接。此時，EML形成腔室230可更包含一藍色(B)EML形成腔室231、一綠色(G)EML形成腔室232以及一紅色(R)EML形成腔室233以顯示自然的顏色，且陰極形成腔室260可更包含多個陰極形成腔室沈1、沈2、沈3以形成一多層結(jié)構(gòu)形式的陰極。所述多個工藝腔室其中之一制作成一矩形盒形狀，以提供一可處理基板G的反應(yīng)空間。此外，各工藝腔室200具有沿第一生產(chǎn)線PLl定位的一第一基板入口 511a、一第一基板支架520以及一第一基板出口 512a，并具有沿第二生產(chǎn)線PL2定位的一第二基板入口511b、一第二基板支架530以及一第二基板出口 512b。第一基板入口 511a與第二基板入口 511b相互間隔地形成于工藝腔室200的一側(cè)壁，而第一基板出口 51 與第二基板出口512b相互間隔地形成于工藝腔室200的另一側(cè)壁?；迦肟?511a、511b與基板出口 512a、512b可由狹口閥(slit valve)構(gòu)成。各所述基板支架520、530包含一平臺，用以支撐基板Gl或G2的一背面；一夾具522，安裝于平臺521中，用以夾持基板Gl或G2 ；以及一驅(qū)動器(圖未示)，用以使平臺521站立于一垂直狀態(tài)或平躺于一水平狀態(tài)。不同于所述實例性實施例，倘若基板Gl、G2裝載于各所述處理室210、220、230、M0、250J60中，則可省卻所述驅(qū)動器。在平臺521內(nèi)部或之下，可設(shè)置一溫度控制裝置523，俾使置于平臺521上的基板G1、G2可保持于一適于執(zhí)行一工藝的溫度。溫度控制裝置523可由以下至少其中之一構(gòu)成一加熱裝置，用于加熱基板G1、G2 ；—冷卻裝置，用于冷卻基板G1、G2 ；以及其一組合。本實例性實施例經(jīng)由利用一冷卻裝置使基板G1、G2的溫度保持于一工藝溫度而增強基板G1、G2與沉積于基板Gl、G2上的一沉積材料層間的反應(yīng)性。在置于平臺521上的基板G1、G2的狀態(tài)自水平狀態(tài)轉(zhuǎn)變成垂直狀態(tài)或自垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)變成水平狀態(tài)時，夾具522夾持基板G1、G2的邊緣，以防止基板G1、G2移動。在本實例性實施例的情形中，為控制形成于基板G1、G2上的一薄膜圖案，于基板Gl及G2上分別設(shè)置各具有一預(yù)定沉積圖案的沉積屏蔽Ml及M2。因此，較佳是使夾具522用以將基板Gl、G2與沉積屏蔽Ml、M2 二者夾持于平臺521上。第一基板支架520與第二基板支架530于同一水平面上彼此間隔一預(yù)定距離。此處，所述預(yù)定距離可等于或大于一如下距離當?shù)谝换逯Ъ?20與第二基板支架530其中之一自垂直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至水平狀態(tài)或自水平狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至垂直狀態(tài)時，另一者不受旋轉(zhuǎn)者的影響。沉積源540位于彼此間隔所述預(yù)定距離的第一基板支架520與第二基板支架530之間。沉積源540設(shè)置成面朝基板Gl與G2中被旋轉(zhuǎn)至垂直狀態(tài)以進行一沉積工藝的一者，并用以沿面朝基板G的一方向(即沿一沉積表面方向)供應(yīng)一蒸發(fā)的原料。盡管圖未示出，然沉積源540具有一其中容納一原料的坩堝(crucible)、一用以蒸發(fā)所述原料的加熱單元以及一用以噴射所蒸發(fā)原料的噴射器。沉積源540根據(jù)一工藝狀態(tài)可為點式(point-type)沉積源、直線式(line-type)沉積源與平面式(plane-type)沉積源其中之一。本實例性實施例利用直線式沉積源M0，直線式沉積源540包含以一直線型式排列的多個點式沉積源M1542，且直線式沉積源540在經(jīng)由一往復(fù)運動驅(qū)動構(gòu)件沿左右方向往復(fù)運動時均勻地供應(yīng)(或噴射)所述原料于基板Gl、G2的一整個面積上。具體而言，根據(jù)本實例性實施例的沉積源540配置成使沉積源540可自第一基板支架520沿第二基板支架530的一方向或自第二基板支架530沿第一基板支架520的一方向旋轉(zhuǎn)180度，以噴射所述原料。因此，盡管于一單個腔室中形成二列生產(chǎn)線，然可利用單個沉積源540執(zhí)行所述二生產(chǎn)線的工藝?，F(xiàn)在，將參照圖1簡要地描述利用具有上述配置的薄膜沉積系統(tǒng)實施的一薄膜沉積工藝。將具有透過一先前工藝形成的陽極的基板G裝載于處于大氣狀態(tài)的裝載腔室110中，然后將裝載腔室110的內(nèi)部轉(zhuǎn)變成一真空狀態(tài)。接著，將基板G依序裝載于工藝腔室210、220、230、240、250、260 中，工藝腔室 210、220、230、240、250、260 沿所選的第一生產(chǎn)線
與第二生產(chǎn)線交替排列以執(zhí)行一列單元工藝。換言之，將基板G依序裝載于呈真空狀態(tài)的HIL形成腔室210、HTL形成腔室220及EML形成腔室231、232、233中。藉此，依序形成一HIL、一 HTL及一 EML于基板G的陽極上。此后，依序裝載所得的基板G至ETL形成腔室240、EIL形成腔室250以及陰極形成腔室洸1J62、洸3中。藉此，形成一 ETL、一 EIL以及一多層式陰極于基板G的EML上，進而制成一 0LED。接著，將基板G傳送至卸載腔室120并隨后卸載至呈大氣狀態(tài)的外部。同時，于薄膜沉積工藝中，基板G可以垂直狀態(tài)或水平狀態(tài)傳送。然而，倘若以水平狀態(tài)執(zhí)行基板G的傳送，則需要一在各所述工藝腔室210、220、230、M0、250J60內(nèi)將基板自水平狀態(tài)轉(zhuǎn)變成垂直狀態(tài)的過程。以下，將參照圖3至圖8更詳細地描述一將基板自水平狀態(tài)轉(zhuǎn)變成垂直狀態(tài)以執(zhí)行一單元工藝的過程。圖3至圖8為根據(jù)一實例性實施例，薄膜沉積系統(tǒng)的單元工藝的平面圖。參見圖3，將沿第一生產(chǎn)線以水平狀態(tài)傳送的第一基板Gl透過第一基板入口 51 Ia裝載入工藝腔室200內(nèi)，并將所裝載的第一基板Gl置于以水平狀態(tài)設(shè)置的第一基板支架520的平臺上。接著，將第一沉積屏蔽Ml (參見圖4)自連接至工藝腔室200的第一屏蔽腔室310裝載入工藝腔室200中，并置于且對齊于第一基板Gl上。此后，如圖4所示，第一基板支架520的夾具522夾持第一基板Gl以及其上所放置的第一沉積屏蔽Ml，并接著將第一基板支架520旋轉(zhuǎn)90度，以將第一基板Gl轉(zhuǎn)變成垂直狀態(tài)。如此一來，第一基板Gl的一外表面即面朝沉積源540的一噴射方向。將一蒸發(fā)的原料透過沉積源540噴射至所述一外表面上，以對第一基板Gl執(zhí)行一第一薄膜工藝。參見圖5，在裝載第一基板Gl的同時或之后，將沿第二生產(chǎn)線以水平狀態(tài)傳送的第二基板G2透過第二基板入口 511b裝載入工藝腔室200內(nèi)。將所裝載的第二基板G2置于以水平狀態(tài)設(shè)置的第二基板支架530的平臺上，并將自連接至工藝腔室的第二屏蔽腔室320供應(yīng)的第二沉積屏蔽M2(參見圖6)置于且對齊于第二基板G2上。此后，如圖6所示，第二基板支架530的夾具512夾持第二基板G2以及其上所放置的第二沉積屏蔽M2，并接著將第二基板支架530旋轉(zhuǎn)90度，以將第二基板G2轉(zhuǎn)變成垂直狀態(tài)。此時，較佳于第一薄膜工藝期間執(zhí)行第二基板G2的放置/對齊過程以及第二沉積屏蔽M2的放置/對齊過程。藉此，可縮短工藝等待時間并進而提高生產(chǎn)率。參見圖7，于完成第一薄膜工藝后，將沉積源MO的噴射方向相對于第一基板支架520旋轉(zhuǎn)180度。如此一來，第二基板G2的一外表面即面朝沉積源540的噴射方向。接著，將一蒸發(fā)的原料噴射至第二基板G2的所述一外表面上，以對第二基板G2執(zhí)行一第二薄膜工藝。同時，于執(zhí)行第二薄膜工藝的同時，第一基板支架520返回至原始水平狀態(tài)且第一沉積屏蔽Ml自第一基板Gl分離，如圖8所示。此后，將第一基板Gl透過第一基板出口 51 卸載并接著裝載入下一腔室。同時，于完成第一及第二薄膜工藝后，自第一基板Gl及第二基板G2分離的第一沉積屏蔽Ml及第二沉積屏蔽M2停留于各自對應(yīng)的腔室中，以供用于后續(xù)工藝。倘若因受到污染或因長期使用而造成損壞以致需要更換第一屏蔽及/或第二屏蔽，則將第一屏蔽Ml及第二屏蔽M2傳送至第一屏蔽腔室310及第二屏蔽腔室320，并卸載至大氣中。接著，經(jīng)由例如清潔、修復(fù)等工作而重新使用第一沉積屏蔽Ml及第二沉積屏蔽M2。當然，第一屏蔽腔室310及第二屏蔽腔室320可設(shè)置有多個額外沉積屏蔽，以供用于更換用過的沉積屏蔽。綜上所述，因根據(jù)本發(fā)明實例性實施例的薄膜沉積系統(tǒng)可透過設(shè)置于各所述工藝腔室210、220、230、M0、250J60中的單個沉積源540對設(shè)置于各所述工藝腔室210、220、230,240,250,260中的二或更多條生產(chǎn)線PL1、PL2執(zhí)行連續(xù)的薄膜工藝，故可節(jié)約制造成本并同時提高生產(chǎn)率。此外，于對一條生產(chǎn)線PLl執(zhí)行一薄膜工藝的同時，可對另一生產(chǎn)線的基板G2執(zhí)行基板傳送以及基板/屏蔽對齊以縮短等待時間，進而更提高生產(chǎn)率。盡管上文已參考具體實施例對一種用于沉積一薄膜的裝置、方法及系統(tǒng)進行了說明，然并不僅限于此。因此，熟習此項技術(shù)者將容易理解，可在不背離由隨附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明精神及范圍的條件下對其作出各種修飾及改動。
權(quán)利要求
1.一種用于沉積一薄膜的裝置，包含一腔室，用以提供一反應(yīng)空間；一第一基板支架及一第二基板支架，彼此間隔開并安裝于所述腔室中；以及一沉積源，安裝于所述第一基板支架與所述第二基板支架之間，且用以于所述第一基板支架與所述第二基板支架的方向依序供應(yīng)一沉積原料。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一基板支架與所述第二基板支架用以支撐一基板于一垂直狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一基板支架與所述第二基板支架包含一平臺，用以支撐所述基板；以及一夾具，用以夾持穩(wěn)定地置于所述平臺上的所述基板。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一基板支架與所述第二基板支架更包含一驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元用以使所述平臺站立于一垂直狀態(tài)或使所述平臺平躺于一水平狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述沉積源可在所述第一基板支架與所述第二基板支架之間旋轉(zhuǎn)。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述沉積源是點式沉積源、直線式沉積源及平面式沉積源其中之一。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述腔室連接至一屏蔽腔室(maskchamber)，所述屏蔽腔室用以各提供一沉積屏蔽至所述第一基板支架與所述第二基板支架或用以更換所述沉積屏蔽。
8.一種沉積一薄膜的方法，包含為串行連接的多個腔室其中的每一者設(shè)置一第一生產(chǎn)線(process line)及一第二生產(chǎn)線；裝載一第一基板，所述第一基板沿所述第一生產(chǎn)線傳送入所述多個腔室其中的一個指定腔室，以執(zhí)行一第一單元工藝；裝載一第二基板，所述第二基板沿所述第二生產(chǎn)線傳送入所述多個腔室其中的所述指定腔室，以于執(zhí)行所述第一基板的所述單元工藝時，執(zhí)行一第二單元工藝所需的一預(yù)先準備；以及當所述第一單元工藝完成時，對已完成所述預(yù)先準備的所述第二基板執(zhí)行所述第二單兀工藝。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一單元工藝包含利用所述沉積源于所述第一基板的一方向供應(yīng)一原料，且所述第二單元工藝包含經(jīng)由旋轉(zhuǎn)所述沉積源而于所述第二基板的一方向供應(yīng)所述原料。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，經(jīng)由蒸發(fā)及供應(yīng)一有機原料以執(zhí)行所述第一單元工藝及所述第二單元工藝。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，更包含在執(zhí)行所述第二基板的所述單元工藝時，自所述指定腔室卸載所述第一基板。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板以一水平狀態(tài)置放及傳送。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板以一垂直狀態(tài)置放及傳送。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板被置放于一垂直狀態(tài)，以執(zhí)行所述多個單元工藝。
15.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述預(yù)先準備包含以下至少其中之一使所述第二基板對齊于一預(yù)定位置，以及將所述沉積屏蔽安排及對齊于所述第二基板上。
16.一種用于沉積一薄膜的系統(tǒng)，包含串行連接的多個腔室；以及一第一生產(chǎn)線及一第二生產(chǎn)線，形成于所述多個腔室中，其特征在于，所述多個腔室至少其中之一中設(shè)置有一第一基板支架，包含于所述第一生產(chǎn)線中；一第二基板支架，包含于所述第二生產(chǎn)線中并與所述第一基板支架間隔開；以及一沉積源，安裝于所述第一基板支架與所述第二基板支架之間并用以供應(yīng)一沉積原料。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述沉積源可在所述第一基板支架與所述第二基板支架之間旋轉(zhuǎn)。
18.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述沉積源是點式沉積源、直線式沉積源與平面式沉積源其中之一。
19.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述多個腔室包含多個工藝腔室，用以執(zhí)行一單元工藝；以及多個緩沖腔室，連接于所述多個工藝腔室之間。
20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述多個工藝腔室連接至一屏蔽腔室，所述屏蔽腔室用以供應(yīng)一沉積屏蔽或更換所述沉積屏蔽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于沉積一薄膜的裝置、一種適用于所述裝置的用于沉積一薄膜的方法、以及一種包含所述裝置的用于沉積一薄膜的系統(tǒng)，所述裝置包含一腔室，用以提供一反應(yīng)空間；一第一基板支架及一第二基板支架，彼此間隔開并安裝于所述腔室中；以及一沉積源，安裝于所述第一基板支架與所述第二基板支架之間，且用以于所述第一基板支架與所述第二基板支架的方向依序供應(yīng)一沉積原料。根據(jù)本發(fā)明，因可透過設(shè)置于各所述工藝腔室中的單個沉積源對設(shè)置于各所述工藝腔室中的二或更多條生產(chǎn)線依序執(zhí)行薄膜工藝，故可節(jié)約制造成本并同時提高生產(chǎn)率。
文檔編號C23C14/24GK102369306SQ201080015804
公開日2012年3月7日 申請日期2010年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者姜敞晧, 尹亨碩, 權(quán)鉉九, 裵勍彬 申請人:韓商Snu精密股份有限公司