專利名稱：涂布設(shè)備和涂布方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及涂布設(shè)備，其包括至少一個可抽空的接收部，該接收部用于接收基底；至少一個氣體供應(yīng)裝置，通過該至少一個氣體供應(yīng)裝置至少一種氣態(tài)前體可以被引入所述接收部中；和至少一個活化裝置，所述活化裝置包括至少一個可加熱的活化部件，所述活化部件的末端在緊固點(diǎn)處被緊固到保持部件，其中存在屏蔽部件，通過該屏蔽部件，至少所述緊固點(diǎn)可以至少部分地免受氣態(tài)前體的作用，所述屏蔽部件為大致圓柱形的設(shè)計(jì)，并且在屏蔽部件的背對保持部件的側(cè)面上設(shè)置有閉合部件，該閉合部件具有至少一個出口端口。本發(fā)明還涉及相應(yīng)的涂布方法。
背景技術(shù)：
所提及該類涂布設(shè)備根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)是用于通過熱線活化的化學(xué)蒸汽沉積(hot wire-activated chemical vapor d印osition)來涂布基底。沉積的層可包括例如碳、娃或者鍺。氣態(tài)前體可以相應(yīng)地包括例如甲烷、四氫化硅、單鍺(monogermanium)、氨或者三甲基娃燒。從 P. A. Frigeri 等人的"Hot Wire Chemical Vapour Deposition :Limits and Opportunity of protecting the tungsten catalyzer from silizide with a cavity", Thin Solid Films Vol. 517，Iss. 12 (2009) 3427知曉活化部件的材料與前體的不期望的反應(yīng)特別地發(fā)生在活化部件的相對冷的夾持點(diǎn)處。例如，硅烷化合物用作前體會導(dǎo)致在活化部件上形成硅化物相。這些硅化物相改變活化部件的電阻、表面質(zhì)量和機(jī)械承載能力，因此，它通常必須在僅短暫的使用后進(jìn)行更換。為了解決該問題，所述現(xiàn)有技術(shù)提出通過具有4毫米直徑和90毫米長度的圓柱形高級鋼的部件保護(hù)用作活化部件的導(dǎo)線的夾持點(diǎn)周圍的區(qū)域免遭前體的作用，活化部件的使用壽命因此得以延長。盡管該現(xiàn)有技術(shù)展現(xiàn)出了使用壽命的延長，但是在持續(xù)長時間的涂布方法過程中或者在一個緊接著下一個的多次較短時間的涂布方法中，這仍然是不夠的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是延長用于熱線活化的化學(xué)蒸汽沉積的涂布設(shè)備中的活化部件的使用壽命。根據(jù)本發(fā)明，所述目的通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布設(shè)備和根據(jù)權(quán)利要求11所述的涂布方法實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明，提出將待涂布的基底以本身已知的方法引入到可抽空的接收部中。 在這種情況中，接收部由例如鋁、高級鋼、陶瓷和/或玻璃形成。至少一種氣態(tài)前體在可預(yù)先確定的分壓下經(jīng)由至少一個氣體供應(yīng)裝置被引入到接收部中。例如，前體可包括甲烷、硅
烷、鍺、氨、三甲基硅烷、氧和/或氫。為了沉積層，布置在接收部內(nèi)部空間中的活化部件被加熱。特別地，活化部件的加
4熱可以通過電子沖擊加熱或電阻加熱進(jìn)行?；罨考笾掳腿劢饘?，例如示例性的鉬、 鈮、鎢或者鉭，或者這些金屬的合金。此外，活化部件可包括另外的化學(xué)元素，所述化學(xué)元素要么構(gòu)成不可避免的雜質(zhì)，要么作為合金成分，使得活化部件的屬性適于期望的屬性?；罨考杀辉O(shè)計(jì)為導(dǎo)線、圓筒、管或者片的至少一種的形式。視情況還可以采用其它的幾何構(gòu)型?；罨考腔罨b置的一部分，而且活化裝置還可包括至少一個保持部件和/或至少一個電流輸送裝置和/或至少一個接觸部件和/或至少一個屏蔽部件和/或其它部件。氣態(tài)前體的分子在活化部件的表面上分裂和/或被激發(fā)。激發(fā)和/或分裂可以包括在位于活化部件的表面上的異相催化作用的影響下進(jìn)行的步驟。如此活化的分子通入到基底的表面上并在那里形成期望的涂層。為了擴(kuò)大活化部件的表面，活化部件可以包括一個或多個導(dǎo)線。此外，活化部件可以包括其它幾何部件，例如，板、片或者圓筒。活化部件的末端通過至少一個緊固點(diǎn)被緊固到至少一個保持部件。例如可通過夾持、焊接或者彈簧張力進(jìn)行緊固。由于保持部件的增強(qiáng)的熱傳導(dǎo)性和/或增強(qiáng)的熱輻射，活化部件在緊固點(diǎn)附近的區(qū)域中與更遠(yuǎn)離緊固點(diǎn)的區(qū)域相比可能具有更低的溫度。在這種情況中，活化部件的溫度在緊固點(diǎn)處或者在緊固點(diǎn)附近會下降到以使得活化部件的材料經(jīng)受與前體化學(xué)反應(yīng)的程度。例如，包括鎢的活化部件可與包括硅的前體形成硅化鎢相。為了保護(hù)緊固點(diǎn)和/或在緊固點(diǎn)附近的活化部件的一部分至少部分地免受氣態(tài)前體的作用，根據(jù)本發(fā)明，提出屏蔽部件?；罨考奈挥诰o固點(diǎn)附近的部分根據(jù)本發(fā)明被理解為指其中活化部件的溫度下降到極限溫度之下的活化部件的子表面或者子部分，其中在所述極限溫度處涂布所需的解離和/或引發(fā)反應(yīng)不再發(fā)生，或者活化部件的材料經(jīng)受與前體的化學(xué)反應(yīng)。這可以例如是低于2000°c、低于1800°C、低于1500°C或者低于1300°C的溫度。該子表面或者子部分的幾何區(qū)域可以取決于經(jīng)由保持部件供應(yīng)的熱能或者排放的熱量。經(jīng)由保持部件的熱排放可以依賴于保持部件的橫截面和/或表面。當(dāng)氣態(tài)前體的分壓在屏蔽部件中低于在屏蔽部件之外的空間中時，根據(jù)本發(fā)明，對氣態(tài)前體的作用的至少部分的防護(hù)被呈現(xiàn)。分壓例如可以通過測量或者通過模擬計(jì)算而確定。屏蔽部件具有大致圓柱形的幾何結(jié)構(gòu)，并且在這種情況中圓柱形的橫截面可以是多邊形的或者圓形的。圓形橫截面可以具有恒定或者部分可變的曲率。圓柱形的縱向范圍可以小于、大于或者等于它的直徑。圓柱形的橫截面可以是恒定的或者可變的。特別地，為了本發(fā)明的目的，數(shù)學(xué)形式上的棱柱、平行六面體、圓錐體或者立方體也可以認(rèn)為是圓柱形的。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，圓柱設(shè)計(jì)的屏蔽部件可以布置為以使得其縱軸大致平行于活化部件的縱軸。屏蔽部件的底部可以大致氣密地布置在保持部件上。根據(jù)本發(fā)明，在屏蔽部件的背對保持部件的一側(cè)上，布置閉合部件，該閉合部件以蓋的形式屏蔽所述屏蔽部件的內(nèi)部空間。在這種情況中，閉合部件具有出口端口，通過該出口端口，活化部件從緊固點(diǎn)到達(dá)接收部的自由空間。在本發(fā)明的改進(jìn)中，屏蔽部件的縱向區(qū)域(longitudinal extent)擴(kuò)大到以使得甚至活化部件的具有或者超過活化氣相所需的最小溫度的子部分都布置在屏蔽部件的內(nèi)部空間中。穿透進(jìn)入到屏蔽部件的內(nèi)部空間中的少量的氣態(tài)前體因此可以被活化，以使得已經(jīng)這樣反應(yīng)的分子不再在緊固點(diǎn)處或者緊固點(diǎn)附近經(jīng)歷與活化部件的反應(yīng)。屏蔽部件可以具有至少一個分隔部，其將屏蔽部件的內(nèi)部空間分隔為第一子空間和第二子空間。氣態(tài)前體從接收部的自由空間到活化部件的緊固點(diǎn)或者進(jìn)入緊固點(diǎn)附近中的溢流因此可以進(jìn)一步被減少。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，屏蔽部件沿著它的縱軸可以具有可變的橫截面。這樣，例如，必須圍繞用于機(jī)械緊固活化部件到保持部件的結(jié)構(gòu)空間的屏蔽部件的第一子空間可以設(shè)計(jì)為比更遠(yuǎn)離緊固點(diǎn)并且僅必須接收活化部件的子空間具有更大的體積。前體在緊固點(diǎn)處的分壓因此可以降低。因?yàn)樵诒景l(fā)明的所有實(shí)施方式中，其中屏蔽部件的邊界壁的內(nèi)表面被從氣態(tài)前體的形成層的物質(zhì)永久地污染的情形不能被排除，因此在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，屏蔽部件的一部分可以設(shè)置為可分離地連接到保持部件。當(dāng)屏蔽部件的內(nèi)部空間被嚴(yán)重污染并因此達(dá)到它的使用壽命終點(diǎn)時，屏蔽部件的可分離的部分因此可以以尤其簡單的方式被替換。例如，屏蔽部件可以總是與活化部件一起更換。為了進(jìn)一步降低氣態(tài)前體的分壓以實(shí)現(xiàn)活化部件的使用壽命的進(jìn)一步延長，屏蔽部件的內(nèi)部空間可以延伸到氣體排出端口中，該氣體排出端口可連接到真空泵。因此前體可以從屏蔽部件的內(nèi)部空間快速且可靠地排出。當(dāng)屏蔽部件的內(nèi)部空間還具有氣體供應(yīng)端口，其中反應(yīng)氣體和/或惰性氣體可以通過所述氣體供應(yīng)端口引入時，前體的排出得以進(jìn)一步的改善。泵送氣流因此可以得以形成，其增大對氣態(tài)前體的吸收。而且，反應(yīng)氣體可以被提供用于與前體反應(yīng)，以使得前體隨后不再可用于與活化部件的材料反應(yīng)。而且，反應(yīng)氣體可以在活化部件上形成保護(hù)層。應(yīng)當(dāng)指出，當(dāng)涂布設(shè)備處于操作中時，引入到屏蔽部件的內(nèi)部空間中的反應(yīng)氣體和/或惰性氣體主要通過氣體排出端口離開屏蔽部件的內(nèi)部空間并且不會通過出口端口進(jìn)入到可抽空接收部的自由空間中。作為對描述的機(jī)械真空泵的使用的替代或者另外地，前體的分壓可以通過布置在屏蔽部件的內(nèi)部空間中的吸附材料降低。例如，沸石和/或金屬泡沫和/或鈦薄膜可以用于該目的。為了增大吸附材料的吸收性，吸附材料的表面可以通過引入肋或者關(guān)節(jié)部而增大。而且，吸附材料的吸收性的增大可以通過被加熱或者冷卻的屏蔽部件獲得。當(dāng)涂布設(shè)備處于操作中時，鈦薄膜可以通過陰極濺射或者熱蒸發(fā)而連續(xù)地或者循環(huán)地被更新。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，屏蔽部件可以布置為以使得相對于保持部件和/或活化部件電絕緣。在這種情況中，等離子放電可以在活化部件和屏蔽部件之間和/或在保持部件和屏蔽部件之間通過施加直流電壓或者交流電壓而引發(fā)。等離子放電可以用于將氣態(tài)前體的分子轉(zhuǎn)化為其它與活化部件的材料不再反應(yīng)或者反應(yīng)得更慢的化合物，或者在緊固點(diǎn)區(qū)域中在活化部件上形成保護(hù)層。


下面將通過示例性實(shí)施方式和附圖更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，這并不限制本發(fā)明的總的構(gòu)思。在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的涂布設(shè)備的基本設(shè)置。圖2示出根據(jù)本發(fā)明提出的屏蔽部件的一種可能的實(shí)施方式。
圖3示出通過根據(jù)本發(fā)明的屏蔽部件的另一實(shí)施方式的橫截面。
具體實(shí)施例方式圖1示出通過涂布設(shè)備1的橫截面。涂布設(shè)備1包括接收部10，該接收部例如由高級鋼、鋁、玻璃或者這些材料的組合形成。接收部10與周圍環(huán)境以大致不透氣的方式閉合。真空泵(未示出)，可以經(jīng)由泵凸緣103連接。例如，接收部10可以被抽空到小于10° 毫巴、小于10_2毫巴或者小于10_6毫巴的壓力。在接收部10內(nèi)部定位有保持裝置104，基底30可以保持在保持裝置104上?；?0可例如由氣體、硅、塑料、陶瓷、金屬或者合金組成。例如，基底可以是半導(dǎo)體晶片、盤或者工具。它可以具有平面的或者彎曲的表面。所述材料在這種情況中僅僅是通過例子給出的。本發(fā)明并不教導(dǎo)使用特定的基底作為本發(fā)明的原理。當(dāng)涂布設(shè)備1處于操作過程中時，涂層105沉積在基底30上。涂層105的組成通過選擇氣態(tài)前體而受影響。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，前體可包括甲烷，以使得涂層105包括金剛石或者類金剛石碳。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，前體可包括四氫化烷和/或單鍺，以使得涂層包括晶態(tài)硅或者非晶態(tài)硅和/或鍺。氣態(tài)前體經(jīng)由至少一個氣體供應(yīng)裝置20被引入接收部10的內(nèi)部。氣體供應(yīng)裝置 20從儲槽21獲得氣態(tài)前體。從儲槽21抽取的前體的量經(jīng)由調(diào)節(jié)閥22影響。在涂層105 是由多種不同前體組成的情形下，儲槽21可包括制備的氣體混合物，或者可以提供多個氣體供應(yīng)裝置，每個氣體供應(yīng)裝置將復(fù)合前體的一種組分引入到接收部10中。經(jīng)由氣體供應(yīng)裝置20的調(diào)節(jié)閥22供應(yīng)的前體的量經(jīng)由調(diào)節(jié)裝置101控制。調(diào)節(jié)裝置101通過測量裝置100被提供分壓或者絕對壓力的實(shí)際值。至少一個活化裝置40可用于活化氣態(tài)前體?；罨b置包括至少一個可加熱的活化部件41?；罨考?1包括例如片、管或者導(dǎo)線形式的一個或多個催化活化表面。例如， 活化裝置40可包括兩個導(dǎo)線41，每個導(dǎo)線具有催化活化表面。例如，導(dǎo)線41可包括鎢、鈮、 鉬和/或鉭。導(dǎo)線41可以被拉直或者通過多圈106而形成，結(jié)果導(dǎo)線41的活化表面進(jìn)一步增大?；罨考?1在至少一個緊固點(diǎn)42被緊固到至少一個保持部件43。至少一個保持部件43將活化部件41固定在可預(yù)先確定的位置并具有可預(yù)先確定的機(jī)械張力。活化部件41的表面的催化活性在相對于室溫升高的溫度下得以實(shí)現(xiàn)。為了加熱活化部件41，根據(jù)圖1，活化部件41的至少一端設(shè)置為通過真空密閉的貫穿部108連接到電源107。在這種情況中，活化部件41通過電阻加熱而被加熱。由于處于較低溫度下的保持部件43的熱傳導(dǎo)和/或熱輻射，當(dāng)加熱能量在活化部件的長度方向大致恒定時，活化部件41的溫度從幾何中心向著周邊降低。在這種情況中， 在緊固點(diǎn)42附近，活化部件41的材料會與氣態(tài)前體反應(yīng)以形成不期望的相，例如碳化物和 /或硅化物時，溫度升高。為了減少氣態(tài)前體進(jìn)入到活化部件41的該較冷的區(qū)域中，根據(jù)本發(fā)明，在緊固點(diǎn) 42處設(shè)置屏蔽部件50。屏蔽部件50在一側(cè)上被緊固到保持部件43。圖2示出屏蔽部件50的示例性實(shí)施方式。保持部件43的一部分示出在圖2的右側(cè)部分。位于保持部件43上的是大致由導(dǎo)線形成的活化部件41的緊固點(diǎn)42。
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緊固點(diǎn)42由箱形狀的殼體圍繞，所述殼體由下邊界壁110、上邊界壁111、端壁55b 和兩個側(cè)壁112形成。為了使得殼體的內(nèi)部空間56c可見，在圖2中僅示出一個側(cè)壁112。 在根據(jù)圖2的示例性實(shí)施方式中，上邊界壁111、端壁5 和下邊界壁110由單一的金屬片條一件式地生產(chǎn)。第一殼體因此具有帶圓邊角的矩形或者正方形的水平凸起。當(dāng)然還可采用其它的結(jié)構(gòu)可能性，例如屏蔽部件50可以以車床轉(zhuǎn)削的部件轉(zhuǎn)動對稱地被制備。箱形狀的殼體的對稱軸51大致平行于活化部件41延伸。在本發(fā)明的一些實(shí)施方式中，對稱軸51可以與活化部件41重合。位于端壁Mb中的是出口端口 53，活化部件41通過出口端口 53從緊固點(diǎn)42通入接收部10的自由空間中。為了進(jìn)一步減少前體分子可能從其進(jìn)入的立體角部件(solid angle element), 屏蔽部件50進(jìn)一步具有箱形狀的殼體部分113和114。殼體部分113和114具有矩形橫斷面。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在這種情況中，也可以選擇其它幾何截面。特別地， 橫截面可以是多邊形的或者圓形的。殼體部分113和114經(jīng)由分隔部5 進(jìn)一步被分隔， 以使得形成兩個子空間56a和56b。分隔部55a也具有出口端口 53以使得活化部件41無阻礙地出去。殼體113相對于接收部10的自由空間通過閉合部件52閉合。閉合部件52 也設(shè)置有出口端口 53。當(dāng)涂布設(shè)備被操作時，活化裝置40的活化部件41可以被加熱以使得催化分解氣態(tài)前體需要的表面溫度至少在屏蔽部件50的子空間56a中達(dá)到。在子空間56b和56c中， 活化部件41的溫度然后降至保持部件43的溫度。在前體分子通過端口 53或者M(jìn)進(jìn)入空間56a中的情形下，它們在那里高概率地與分隔部5 或者殼體部分113的邊界表面撞擊。 在這種情況中，分子要么經(jīng)由端口 53或者M(jìn)之一再次離開空間56a，要么被殼體部分113 的相應(yīng)裝備的殼體材料吸收。在分子撞擊活化部件41的情形下，由于活化部件41的高溫， 分子被解離或者活化，這主要導(dǎo)致分隔空間56a的壁的涂布。由于活化部件41的高溫，這并不對空間56a中的活化部件41造成損壞。通過第一殼體部分113的上述作用，前體在第二殼體部分114的內(nèi)部空間56b中的分壓相對于接收部110的自由空間降低。分壓的進(jìn)一步降低然后發(fā)生在第二空間56b內(nèi)部，如上所述。然后，因?yàn)閮H少量的分子抵達(dá)子空間56c，前體的分壓在空間56c內(nèi)部最小。同時， 定位在子空間56b和/或56c內(nèi)部的是活化部件41的其中溫度下降到極限值之下的部分， 其中在所述極限值處，對活化部件41的損害變?yōu)榭赡?。活化部件與前體的不期望的反應(yīng)因此發(fā)生在該區(qū)域中。但是，由于降低的分壓，活化部件41的材料與前體在活化部件50的內(nèi)部空間56c中的不期望的反應(yīng)如期望地降低，并且活化部件41的使用壽命提高。圖3示出屏蔽部件50的進(jìn)一步的示例性實(shí)施方式。保持部件43的細(xì)節(jié)再一次地示出在該圖的右側(cè)部分?；罨考?1的緊固點(diǎn)42位于保持部件43上。緊固點(diǎn)42被屏蔽部件50圍繞，屏蔽部件50的基本形式可以為例如圓柱、平行六面體或者棱柱。在屏蔽部件 50的內(nèi)部空間56中，活化部件41的溫度從適于活化前體的值下降到保持部件43的溫度。 為了保持屏蔽部件50的內(nèi)部空間56中的氣態(tài)前體的分壓盡可能地低，內(nèi)部空間56相對于接收部10通過閉合部件52閉合。位于閉合部件52中的是出口端口 53，活化部件可以通過該出口端口 53突出。
內(nèi)部空間56通過至少一個分隔部55再分隔。圖3示出兩個分隔部55，其產(chǎn)生三個子空間56a，56b和56c。分隔部55的數(shù)量在本發(fā)明的不同實(shí)施方式中可以更大或者更小。分隔部55因此在圖3中示出為虛線。為了減少內(nèi)部空間56中前體的分壓，可以采取各種方式來從內(nèi)部空間56移除通過出口端口 53進(jìn)入的分子。例如，可以依靠真空泵從內(nèi)部空間56c通過氣體排出端口 57 移除分子。使用的真空泵的類型可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員在空間56c內(nèi)部適配到期望的總壓力。例如，可使用旋轉(zhuǎn)滑動泵、卷滾泵、擴(kuò)散泵、渦輪分子泵、低溫泵或者多個泵的組合。為了增大泵送能量，可以通過氣體供應(yīng)端口 58將惰性氣體和/或反應(yīng)氣體引入到內(nèi)部空間56c中。特別地，惰性氣體可以提供用于在空間56c中維持夾帶前體的不期望的分子并將它們從空間56c移除的氣流。此外，反應(yīng)氣體可以發(fā)揮進(jìn)一步的作用，用于延長活化部件41的使用壽命。例如，反應(yīng)氣體可以在活化部件41的較冷的部分上形成保護(hù)層。而且，反應(yīng)氣體可以與前體分子反應(yīng)，同時將它們轉(zhuǎn)換為與活化部件41的材料至少更慢地反應(yīng)的化合物。除了氣體供應(yīng)端口 58和/或氣體排出端口 57之外或者作為其替代方案，空間56a 中的分壓還可降低，在于使用粘接前體的材料作為屏蔽部件50的殼體壁。為了提供足夠大的表面，可以在空間56a的內(nèi)部形成為了該目的的肋59。肋59可以占據(jù)屏蔽部件50的內(nèi)壁的子表面或者整個表面。而且，屏蔽部件50的邊界壁的至少一個子表面可以被涂布或者覆蓋有吸附材料或者吸氣(getter)材料的層60。屏蔽部件50的壁這樣形成用于前體的接收器(sink)，以使得前體的分壓在空間56a內(nèi)部下降。前體與活化部件41的較冷部分的相互作用因此減少，以使得活化部件41的使用壽命如期望地延長。在子空間56a中未采取進(jìn)一步的降低分壓的措施。但是，進(jìn)入的分子會與屏蔽部件50的內(nèi)壁反應(yīng)，或者沉積在那里。氣體供應(yīng)端口 58和/或氣體排出端口 57和/或吸附材料的層60和/或子空間 56a, 56b和56c中的肋59的配置僅僅通過例子示出。在本發(fā)明的其它實(shí)施方式中，用于降低前體的分壓的一個或多個相同或者不同的裝置可以布置在單一子空間中，或者甚至省略。當(dāng)然，在圖2和3中關(guān)于屏蔽部件50所示的特征可以組合以為了獲得根據(jù)本發(fā)明的屏蔽部件以及根據(jù)本發(fā)明的涂布設(shè)備的其它實(shí)施方式。因此，上面的描述不應(yīng)認(rèn)為是限制性的，而是解釋性的。權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)理解為以使得指定的特征在本發(fā)明的至少一種實(shí)施方式中存在。這并不排除存在其它特征。在權(quán)利要求限定“第一”和“第二”特征的情形下， 該指定用于區(qū)分兩個相同特征，而不是給予優(yōu)先級。
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權(quán)利要求
1.涂布設(shè)備(1)，包括至少一個可抽空的接收部(10)，其用于接收基底(30)；至少一個氣體供應(yīng)裝置(20，21，22)，通過該氣體供應(yīng)裝置，至少一種氣態(tài)前體能夠被引入到所述接收部(10)中；以及至少一個活化裝置(40)，該活化裝置包括至少一個可加熱的活化部件(41)，所述活化部件的末端在緊固點(diǎn)0 處被緊固到保持部件(43)，存在一屏蔽部件(50)，通過該屏蔽部件，至少所述緊固點(diǎn)02)能夠至少部分地免受所述氣態(tài)前體的作用， 所述屏蔽部件(50)具有帶第一側(cè)面和第二側(cè)面的縱向區(qū)域，該第一側(cè)面布置在所述保持部件上，在屏蔽部件(50)的第二側(cè)面上布置有閉合部件(52)，該閉合部件具有至少一個出口端口(53)，其特征在于，至少一個分隔部(55)布置在所述屏蔽部件(50)內(nèi)部并將所述屏蔽部件(50)的內(nèi)部空間(56)分隔為第一子空間(56a)和第二子空間(56b)。
2.如權(quán)利要求1所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)沿著它的縱軸(51)具有可變的橫截面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)的至少一部分可分離地連接到所述保持部件G3)。
4.如權(quán)利要求1-3之一所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)具有能夠連接到真空泵的氣體排出端口(57)。
5.如權(quán)利要求4所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)具有氣體供應(yīng)端口(58)，反應(yīng)氣體和/或惰性氣體能夠通過該氣體供應(yīng)端口被引入。
6.如權(quán)利要求1-5之一所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)與所述保持部件^幻和/或與所述活化部件Gl)電絕緣。
7.如權(quán)利要求1-6之一所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)在它的內(nèi)部具有肋(59)。
8.如權(quán)利要求1-7之一所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)設(shè)置有吸附材料(60)。
9.如權(quán)利要求8所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述吸附材料(60)包括沸石和/ 或金屬泡沫和/或鈦薄膜。
10.如權(quán)利要求1-9之一所述的涂布設(shè)備(1)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)是可加熱的。
11.基底(30)的涂層(10 的制備方法，其中，所述基底被引入到可抽空的接收部 (10)中，至少一種氣態(tài)前體經(jīng)由至少一個氣體供應(yīng)裝置00,21,2 被引入所述接收部 (10)中并通過至少一個活化裝置GO)活化，該活化裝置包括至少一個可加熱的活化部件 (41)，該活化部件的末端在緊固點(diǎn)02)處被緊固到保持部件(43)，存在一屏蔽部件(50)， 通過該屏蔽部件，至少所述緊固點(diǎn)G42)被至少部分地免受所述氣態(tài)前體的作用，所述屏蔽部件(50)具有帶第一側(cè)面和第二側(cè)面的縱向區(qū)域，該第一側(cè)面布置在所述保持部件上， 在屏蔽部件(50)的第二側(cè)面上布置有閉合部件(52)，該閉合部件具有至少一個出口端口 (53)，其特征在于，所述屏蔽部件(50)具有至少一個分隔部(55)，該分隔部(55)將所述屏蔽部件(50)的內(nèi)部空間(56)分隔為第一子空間(56a)和第二子空間(56b)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述屏蔽部件(50)被加熱。
13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，惰性氣體和/或反應(yīng)氣體被至少引入所述屏蔽部件(50)的內(nèi)部空間(56)的子空間中。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述屏蔽部件(50)的所述內(nèi)部空間(56)的至少一個子空間被抽空。
15.如權(quán)利要求11-14之一所述的方法，其中，至少在所述屏蔽部件(50)的內(nèi)部空間 (56)的子空間中引發(fā)氣體排放。
16.如權(quán)利要求11-15之一所述的方法，其中，所述屏蔽部件(50)的內(nèi)表面的至少一個子表面設(shè)置有吸附材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及涂布設(shè)備，其包括至少一個可抽空的接收部，所述接收部用于接收基底；至少一個氣體供應(yīng)裝置，其將至少一種氣態(tài)前體引入到所述接收部中；以及至少一個活化裝置，該活化裝置包括至少一個可加熱的活化部件，所述活化部件的末端被緊固到保持部件的緊固點(diǎn)處。并提供屏蔽部件，其至少保護(hù)所述緊固點(diǎn)至少部分地免受氣態(tài)前體的作用。所述屏蔽部件具有帶第一側(cè)面和第二側(cè)面的縱向區(qū)域，該第一側(cè)面布置在所述保持部件上，在屏蔽部件的第二側(cè)面上布置有閉合部件，該閉合部件具有至少一個出口端口。本發(fā)明的特征在于至少一個分隔部布置在所述屏蔽部件內(nèi)部并將所述屏蔽部件的內(nèi)部空間分隔為第一子空間和第二子空間。
文檔編號C23C16/44GK102459692SQ201080024725
公開日2012年5月16日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月2日
發(fā)明者A·勞卡特, L·謝弗, M·阿爾姆戈特, M·霍弗, T·哈里希 申請人:費(fèi)勞恩霍夫應(yīng)用研究促進(jìn)協(xié)會