專利名稱：電源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電源裝置，其向與等離子體接觸的電極施加直流電壓(投入電力)。
背景技術(shù)：
對(duì)于在玻璃或硅晶片等基板表面形成薄膜的方法，已知的是使用磁控濺鍍(下稱“濺鍍”)裝置。在該濺鍍裝置中，例如向真空氣氛下的處理室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的濺鍍氣體(氬氣)，并且通過電源裝置給對(duì)應(yīng)要在基板表面形成的薄膜的組成而制備的靶施加負(fù)直流電壓形成等離子氣氛。之后，使等離子氣氛中的離子向靶加速撞擊，使濺鍍顆粒(靶原子)散射，附著、堆積在基板表面上，形成規(guī)定的薄膜。已知通過上述濺鍍裝置形成薄膜期間，因某些原因?qū)е掳l(fā)生電弧放電(異常放電)。一旦發(fā)生電弧放電，由于等離子體(負(fù)載)的阻抗急速變小，將引起電壓急速降低，與之伴隨電流增加。此處，靶特別是鋁等金屬材質(zhì)時(shí)，高電弧電流值的電弧放電，一旦例如在靶上局部發(fā)生，則靶被熔解而飛出的物質(zhì)附著在處理基板表面上產(chǎn)生顆?；驀姙R(數(shù)U m 數(shù)百Pm的顆粒)，產(chǎn)生無法良好成膜的問題。在給上述靶施加直流電壓的電源裝置中，一般設(shè)置有電弧處理部，對(duì)于像這樣的電弧處理部，可以舉出具有檢測(cè)從直流電源部給靶的輸出電壓或輸出電流的檢測(cè)設(shè)備，以及并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)置在從直流電源部到靶的正負(fù)輸出之間的斷弧用開關(guān)元件(電弧開關(guān))。之后，從輸出電壓或輸出電流的變化量檢測(cè)出電弧放電的產(chǎn)生后，對(duì)上述開關(guān)元件，在并聯(lián)連接時(shí)短路，或在串聯(lián)連接時(shí)打開，截?cái)嘟o等離子體(負(fù)載)的電弧能量供給。再有，為了消除上述問題，已知一種將電源裝置的輸出阻抗恒流化的方法。一般地，很多時(shí)候是在從電源裝置到靶的輸出中并聯(lián)設(shè)置電容器，作為截?cái)嚯娀∧芰抗┙o時(shí)的每單位時(shí)間的特性而顯示恒壓。之后，一旦等離子體處發(fā)生電弧放電，就因恒壓特性過流短時(shí)間急速產(chǎn)生電弧能量増大，但檢測(cè)到電弧放電發(fā)生時(shí)通過操作上述開關(guān)元件，能夠防止過流的增加。但是，在開關(guān)元件工作的數(shù)US的時(shí)間里，該電流的急速增加無法避免。因此，為了防止該急速的電流增加，通過專利文獻(xiàn)I可知一種方法，其在切換電弧開關(guān)對(duì)電弧放電做消孤的處理(消孤處理)所需的期間里，將電源裝置的輸出特性恒流化，極力防止在到開關(guān)元件動(dòng)作之前的時(shí)間內(nèi)電弧電流的增加。然而，專利文獻(xiàn)I所述的方法中，在電弧處理結(jié)束后的特性上有很大問題。即在專利文獻(xiàn)I所述的方法中，控制開關(guān)元件結(jié)束電弧處理之后，在返回一般的輸出時(shí)，存在等離子體(負(fù)載)的電感成分導(dǎo)致產(chǎn)生過壓的問題。像這樣的問題，在作為陰極的靶的面積變大、等離子體體積變大時(shí)變得明顯(例如，在大面積的平板制造用的濺鍍裝置中靶的外形尺寸變?yōu)閿?shù)米大小，則其過度的電感成分變?yōu)閿?shù)十U H以上)。
之后，由于靠此種電感成分恒流化的直流電源的輸出的電流急速増加，導(dǎo)致等離子體處的電壓與一般的放電電壓相比變得過大。例如，一般的放電電壓為一 600V時(shí)，通過電弧處理電路的開關(guān)元件電弧處理結(jié)束后，一旦直流電源被恒流化，將產(chǎn)生一 1000V以上的電壓。一旦產(chǎn)生這樣的過壓，電弧放電就變得更加頻繁。
現(xiàn)有技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :專利公開平成10 - 298754號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題鑒于以上情況，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種電源裝置，其在有效限制與噴濺或顆粒的產(chǎn)生直接相關(guān)的電弧放電發(fā)生時(shí)的電流上升的同時(shí)，能防止電弧結(jié)束時(shí)放電電壓變得過大。解決技術(shù)問題的手段為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的電源裝置，具有向與等離子體接觸的電極施加直流電壓的直流電源部；以及能在該直流電源部的正負(fù)輸出上檢測(cè)出電極處發(fā)生的電弧放電，并且能進(jìn)行該電弧放電的消弧處理的電弧處理部；其特征在于具有輸出特性切換電路，通過所述電弧處理部來檢測(cè)電弧放電的發(fā)生，所述輸出特性切換電路為使在消弧處理開始時(shí)，所述電極的輸出具有恒流特性，到該消弧處理結(jié)束之前所述電極的輸出具有恒壓特性，而進(jìn)行所述輸出的切換。根據(jù)本發(fā)明，設(shè)置了輸出特性切換電路，因某些原因?qū)е码娀》烹姲l(fā)生時(shí)，當(dāng)?shù)入x子體的阻抗急速變小而引起急速的電壓降低，與之伴隨電流増加時(shí)，由于依靠電弧處理部從直流電源部給電極的輸出是恒流特性，所以電弧放電發(fā)生時(shí)的每單位時(shí)間的電流上升率受到限制。另一方面，通過在電弧處理部電弧處理即將結(jié)束或者在結(jié)束的同時(shí)，切換為恒壓特性，來防止等離子體的電壓與一般的放電電壓相比變得過大，從而能夠防止電弧放電頻繁發(fā)生。在本發(fā)明中，所述輸出特性切換電路，如果采用具有配置在正負(fù)兩個(gè)輸出中的至少一方上的電感器，以及與該電感器并聯(lián)連接的開關(guān)元件的結(jié)構(gòu)，就能夠很簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)從恒流特性切換為恒壓特性的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，上述開關(guān)元件的切換時(shí)序，可根據(jù)電弧的持續(xù)時(shí)間量，即給靶T的投入電力、以及布線中的電感成分或電容成分中貯存的能量而對(duì)應(yīng)電弧的殘留能量變?yōu)?所需的時(shí)間而合理設(shè)置，再有，在處理微電弧時(shí)，控制上述開關(guān)元件斷開，以使電弧放電發(fā)生時(shí)的電流上升率受到限制。另一方面，所述輸出特性切換電路，如果采用具有配置在正負(fù)兩個(gè)輸出中的至少一方上的電感器，以及與所述電感器串聯(lián)連接，在過壓發(fā)生時(shí)短路所述電感器的二極管的結(jié)構(gòu)，則在過壓產(chǎn)生期間，通過二極管變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)電感器被短路，在此期間變?yōu)楹銐禾匦?。這樣一來，由于不使用需要控制切換的開關(guān)元件，所以能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)及其控制。另外，在本發(fā)明中，所述電極，例如是配置在實(shí)施濺鍍法的處理室內(nèi)的靶。


圖I是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的電源裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是說明在圖I的電源裝置的電弧放電的消弧處理的圖。圖3是說明電弧處理的圖。圖4是示出另一種實(shí)施方式的電源裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5是用于說明使用多臺(tái)本發(fā)明的電源裝置向靶輸出的例示圖。
具體實(shí)施例方式參照下面的附圖，說明用于在濺鍍裝置中給靶施加直流電壓的本發(fā)明實(shí)施方式的電源裝置E。如圖I所示，電源裝置E，例如與濺鍍裝置的處理室I內(nèi)配置的基板(圖中未示出) 相向配置，對(duì)作為與等離子體P接觸的電極的靶T，以規(guī)定的電力施加負(fù)直流電壓。電源裝置E具有能提供直流電的直流電源部2 ;電弧處理部3 ;統(tǒng)一控制電源裝置運(yùn)行的CPU電路4。直流電源部2，雖未特別示出，但輸入商用交流電(例如單相AC200V、三相AC200等)，整流該輸入的交流電變換為直流電后，通過逆變器轉(zhuǎn)換再次轉(zhuǎn)為交流，整流其輸出再次轉(zhuǎn)換為直流電輸出給靶T。來自直流電源部2的正輸出(電纜)5a的端部接地(在本實(shí)施方式中接地，與分隔出處理室I的真空腔連接)，負(fù)輸出(電纜)5b的端部與靶T連接。另外，在圖I的直流電源部2中，C是電容器。電弧處理部3，具有與正負(fù)兩個(gè)輸出5a、5b之間并聯(lián)連接的開關(guān)元件(電弧開關(guān))Sfflo開關(guān)元件SWl，例如由IGBT (也可使用FET或Tr)構(gòu)成，通過通信自如地連接在CPU電路4上的驅(qū)動(dòng)電路31控制其通斷切換。再有，電弧處理部3，設(shè)置為具有檢測(cè)輸出電流、輸出電壓的檢測(cè)電路32，檢測(cè)電路32檢測(cè)出的輸出電流、輸出電壓經(jīng)AD轉(zhuǎn)換電路33輸入到CPU電路4中。再有，檢測(cè)電路32與電弧檢測(cè)電路34連接。由于發(fā)生電弧放電時(shí)等離子體(負(fù)載)P的阻抗急速變小，引起電壓急速降低，與之伴隨電流增加，從而電弧檢測(cè)電路34從檢測(cè)電路32檢測(cè)出的輸出電流和/或輸出電壓的變化量檢測(cè)出電弧放電的發(fā)生。電弧檢測(cè)電路34與電弧處理電路35通信自如地連接，電弧處理電路35與CPU電路4及驅(qū)動(dòng)電路31通信自如地連接。而且，一旦在電弧檢測(cè)電路34上檢測(cè)出電弧放電的發(fā)生，就將其輸出給電弧處理電路35，通過電弧處理電路35，經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路31控制開關(guān)元件SWl的通斷切換，進(jìn)行電弧放電的消弧處理。此處，在上述結(jié)構(gòu)的電源裝置E中，來自直流電源部2的輸出是恒壓特性，由于一旦與電容成分(電容)相比電感成分變?yōu)橹鲗?dǎo)，電弧放電發(fā)生時(shí)等離子體負(fù)載側(cè)的阻抗變小，輸出和等離子體P相結(jié)合后從電容成分向輸出側(cè)急速釋放。因此，存在從電弧檢測(cè)電路34檢測(cè)電弧放電到開關(guān)元件SWI的切換導(dǎo)致給靶T的輸出截?cái)嗟臅r(shí)間內(nèi)存在大電弧電流流通的危險(xiǎn)。在本實(shí)施方式中，設(shè)置為在負(fù)輸出5b上設(shè)置有電感值比等尚子體P的電感成分大的電感器6。此時(shí)，后面說明的微電弧處理時(shí)的電流上升率小于穩(wěn)態(tài)電流值的200%，優(yōu)選的是限制在150%以下時(shí)，電感器6的電感值設(shè)為L，給靶T的輸出電壓設(shè)為V及電流變化時(shí)間為At，則電弧放電發(fā)生時(shí)的輸出電流上升率(Ai)按Ai= AfV / L來計(jì)算。其時(shí)，設(shè)給靶T的輸出電壓為500V，設(shè)輸出電流為100A，設(shè)微電弧處理(輸出截?cái)?時(shí)間為200 U S，要使到檢測(cè)過流截?cái)噍敵鰹橹沟碾娏魃仙蕿?50%，則A i變?yōu)?0A。此時(shí)將帶有2mH的電感值的電感器6與負(fù)輸出5b連接即可。另外，在本實(shí)施方式中，是把具有規(guī)定值的電感器6設(shè)置在負(fù)輸出5b上，但電感器6的連接位置并不受此限定，也可設(shè)置在正輸出5a或分別設(shè)置在正負(fù)兩個(gè)輸出5a、5b上。然而，采用上述結(jié)構(gòu)時(shí)，通過電弧處理部3結(jié)束電弧處理后，控制開關(guān)元件SWl的切換并返回一般的輸出時(shí)，由于等離子體P的電感成分導(dǎo)致過壓產(chǎn)生，所以需要對(duì)此加以防止。在本實(shí)施方式中，設(shè)置為與電感器6并聯(lián)安裝另一個(gè)開關(guān)元件SW2，由開關(guān)元件SW1、SW2及電感器6構(gòu)成本實(shí)施方式的輸出特性切換電路。開關(guān)元件SW2，例如能夠由IGBT(也可使用FET及Tr)構(gòu)成，通過驅(qū)動(dòng)電路31對(duì)其通斷切換進(jìn)行控制。另外，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成為從直流電源部2到靶T的正負(fù)輸出5a、5b之間再并聯(lián)安裝另一個(gè)開關(guān)元件SW3，以便在判斷電弧處理部3的微電弧處理不能進(jìn)行電弧放電的消弧處理時(shí)，能夠即時(shí)截?cái)嘟o靶T的輸出。此時(shí)，開關(guān)元件SW3也例如能夠由IGBT (也可使用FET及Tr)構(gòu)成，通過驅(qū)動(dòng) 電路31對(duì)其通斷切換進(jìn)行控制。接著。參照?qǐng)D2及圖3對(duì)在本實(shí)施方式的電源裝置E處的電弧處理進(jìn)行說明。在處理室I內(nèi)設(shè)置靶T和基板后，將處理室I內(nèi)抽真空直到規(guī)定圧力。之后，導(dǎo)入規(guī)定的濺鍍氣體，并且啟動(dòng)電源裝置E給靶T施加規(guī)定的負(fù)電位。由此，在處理室I內(nèi)形成等離子體P氣氛，通過靶T的濺鍍?cè)诨灞砻嫘纬杀∧?。接著，在濺鍍期間，一旦由于某些原因?qū)е码娀》烹姲l(fā)生，即可由于等離子體P的阻抗急速變小，而引起電壓急速下降，與之伴隨電流増加。此時(shí)，一旦電弧處理部3的檢測(cè)電路32檢測(cè)出的輸出電流、輸出電壓超過規(guī)定的范圍變化，則通過電弧檢測(cè)電路34檢測(cè)電弧放電的發(fā)生。例如，一旦輸出電流超過固定的范圍變化，就可作為電弧放電的前兆現(xiàn)象(微弧)加以捕捉，進(jìn)行消弧處理。即參照?qǐng)D3說明的話，檢測(cè)電路32檢測(cè)出的輸出電流Ia超過穩(wěn)態(tài)輸出電流値Ic時(shí)，通過電弧處理電路35作為電弧放電發(fā)生的前兆現(xiàn)象加以捕捉，經(jīng)CPU電路4及電弧處理電路35通過輸出振蕩用驅(qū)動(dòng)電路31短路(導(dǎo)通)輸出短路用的開關(guān)元件SW1。此時(shí)，由于在負(fù)輸出5b上安裝有電感器6，所以來自直流電源部2的輸出變?yōu)楹懔魈匦?，電弧放電的發(fā)生時(shí)的電流上升率受到限制。接著，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間(數(shù)US 數(shù)mS)后，一旦開關(guān)元件SWl的短路被解除(斷開)，則給靶T的輸出重新開始。此時(shí)，在開關(guān)元件SWl的短路即將被解除時(shí)或短路被解除的同時(shí)，電感器6短路用的另一個(gè)開關(guān)元件SW2被短路(導(dǎo)通)(參照?qǐng)D2)。另外，SWl的導(dǎo)通時(shí)間，可根據(jù)電弧的持續(xù)時(shí)間量，即給靶T的投入電力、布線中的電感成分以及電容成分中儲(chǔ)存的能量并對(duì)應(yīng)電弧的殘留能量變?yōu)?所需時(shí)間而合理設(shè)置(IOi1 S左右的時(shí)間)。像這樣通過將開關(guān)元件SW2導(dǎo)通而使電感器6短路固定期間(數(shù)U S)，在此狀態(tài)中，從直流電源部2向靶T的輸出變?yōu)楹銐禾匦?。其結(jié)果是來自直流電源部2的輸出的急速的電流増加得到防止，等離子體P的電壓相比一般放電電壓過大的情況得到防止。之后，電感器6短路用的另一個(gè)開關(guān)元件SW2，在開關(guān)元件SWl的短路解除后，在經(jīng)過數(shù)US或其以上后，進(jìn)行切換而電感器6的短路被解除(斷開)。另外，開關(guān)元件SWl的短路解除后，在下一個(gè)電弧放電發(fā)生時(shí)，一旦電感器6處于被短路的狀態(tài)，就變?yōu)檫^流。因此，變得需要設(shè)定另一個(gè)開關(guān)元件SW2的切換時(shí)期，以便在下一個(gè)電弧放電發(fā)生后能夠使電感器6有效地發(fā)揮作用。接著，通過電弧檢測(cè)電路34判定輸出電流Ia是否超過穩(wěn)態(tài)輸出電流値Ic，還超過穩(wěn)態(tài)輸出電流値Ic的話，通過驅(qū)動(dòng)電路31再次短路開關(guān)元件SW1，經(jīng)過規(guī)定期間后，和上述一樣進(jìn)行輸出的
恢復(fù)處理。判斷是否即便多次重復(fù)該一系列的微電弧處理輸出電流Ia仍處于超過穩(wěn)態(tài)輸出電流値Ic的狀態(tài)，或者一旦輸出電流Ia超過預(yù)設(shè)的規(guī)定値，則發(fā)生誘發(fā)噴濺或顆粒發(fā)生的電弧放電，通過CPU電路4的控制使開關(guān)元件SW3導(dǎo)通，停止來自直流電源部2的輸出(強(qiáng)電弧處理)。即便在該處理期間，通過電弧電流值保持為小于穩(wěn)態(tài)電流值的200%，能夠減小釋放的電弧能量，有效地抑制噴濺或顆粒的發(fā)生。如以上說明的那樣，采用本實(shí)施方式中的電源裝置E，由于安裝了輸出特性切換電路6、SW2，所以在因某些原因?qū)е码娀》烹姲l(fā)生時(shí)，從直流電源部2給靶T的輸出是恒流特性，所以電弧放電發(fā)生時(shí)的每單位時(shí)間的電流上升率受到限制。另一方面，通過在電弧處理部3即將結(jié)束電弧處理時(shí)或結(jié)束電弧處理的同時(shí)變?yōu)楹銐禾匦?，而能夠防止等離子體P的·電壓相比放電電壓變得過大，從而防止電弧放電頻繁發(fā)生。以上，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的電源裝置E進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不被上述所限制。在上述實(shí)施方式中，以使用IGBT、FET或Tr作為開關(guān)元件SWl SW3的裝置來進(jìn)行了說明，但并不限于此。再有，以由電感器6和開關(guān)元件SW2構(gòu)成的輸出特性切換電路為例進(jìn)行了說明，但如圖4所示那樣，也能夠采用具有設(shè)置在正負(fù)兩個(gè)輸出的5a、5b中的至少一方的電感器6，以及彼此串聯(lián)、與該電感器6并聯(lián)連接、在過壓發(fā)生時(shí)短路電感器6的二極管D和電阻R的結(jié)構(gòu)。采用該結(jié)構(gòu)，在過壓產(chǎn)生期間，通過二極管D變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)電感器6被短路，而變?yōu)樵诖似陂g恒壓特性。由此，由于不使用需要控制切換的開關(guān)元件，所以能夠簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)及其控制。作為電阻R，可使用數(shù)Q IOQ范圍的電阻。再有，在上述實(shí)施方式中，以在正負(fù)輸出5a、5b之間并聯(lián)連接作為電弧開關(guān)的開關(guān)元件SWl的裝置為例進(jìn)行了說明，但并不限于此，本發(fā)明也能適用于串聯(lián)連接開關(guān)元件Sffl的裝置。然而，將開關(guān)元件SWl并聯(lián)連接在正負(fù)輸出5a、5b之間時(shí)，進(jìn)行電弧放電的消弧處理期間，對(duì)于直流電源部2側(cè)負(fù)載變?yōu)槎搪窢顟B(tài)。因此，沒有特別處理也不會(huì)產(chǎn)生過壓。另一方面，串聯(lián)連接時(shí)，對(duì)于直流電源部2側(cè)負(fù)載變?yōu)殚_路，由于恒電力控制時(shí)電壓上升，所以在直流電源部側(cè)需要停止輸出。進(jìn)而，在上述實(shí)施方式中，以用一個(gè)電源裝置E向一個(gè)靶投入電力為例進(jìn)行了說明，但如圖5所示，本發(fā)明也能適用于用多臺(tái)電源裝置向一個(gè)靶輸出大電力的情況。此時(shí)，可對(duì)每個(gè)直流電源部2a、2b，安裝作為輸出切換電路的電感器6a、6b，作為電弧開關(guān)的開關(guān)元件10a、10b及電感器6a、6b短路用的開關(guān)元件SWl la、I lb。附圖標(biāo)記說明E…電源裝置、I…處理室、2…直流電源部、3…電弧處理部、5a、5b…輸出、6…電感器、Sffl SW3…開關(guān)兀件、D…二極管、T…祀(電極)。
權(quán)利要求
1.一種電源裝置，具有 向與等離子體接觸的電極施加直流電壓的直流電源部； 在該直流電源部的正負(fù)輸出上檢測(cè)電極處發(fā)生的電弧放電，并且能對(duì)該電弧放電的進(jìn)行消弧處理的電弧處理部； 其特征在于具有 輸出特性切換電路，當(dāng)通過所述電弧處理部檢測(cè)到電弧放電發(fā)生時(shí)，所述輸出特性切換電路進(jìn)行輸出切換，在消弧處理開始時(shí)給所述電極的輸出具有恒流特性，到該消弧處理結(jié)束之前給所述電極的輸出具有恒壓特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電源裝置，其特征在于 所述輸出特性切換電路具有 配置在正負(fù)兩輸出中至少一方上的電感器；以及 與該電感器并聯(lián)連接的開關(guān)元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電源裝置，其特征在于 所述輸出特性切換電路具有 配置在正負(fù)兩個(gè)輸出中至少一方的電感器；以及 與該電感器串聯(lián)連接、在過壓發(fā)生時(shí)短路所述電感器的ニ極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任意一項(xiàng)所述的電源裝置，其特征在于 所述電極是配置在實(shí)施濺鍍法的處理室內(nèi)的靶。
全文摘要
提供一種電源裝置，其在有效限制與噴濺或顆粒的產(chǎn)生直接相關(guān)的電弧放電發(fā)生時(shí)的電流上升的同時(shí)，能夠防止電弧處理結(jié)束時(shí)放電電壓變得過大。本發(fā)明的電源裝置E具有直流電源部(2)，其向與等離子體P接觸的靶T施加直流電壓；以及電弧處理部(3)，其在該直流電源部的正負(fù)輸出(5a、5b)上檢測(cè)電極處發(fā)生的電弧放電，并且能進(jìn)行該電弧放電的消弧處理。具有輸出特性切換電路(6、SW2)，通過電弧處理部檢測(cè)得知電弧放電的發(fā)生，所述輸出特性切換電路(6、SW2)為使消弧處理開始時(shí)給所述電極的輸出具有恒流特性，到該消弧處理結(jié)束之前給所述電極的輸出具有恒壓特性，而進(jìn)行所述輸出的切換。
文檔編號(hào)C23C14/00GK102668722SQ20108005284
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2010年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月25日
發(fā)明者堀下芳邦, 小野敦, 松原忍 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科