專利名稱：氣體傳輸裝置及具有其的基片處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種氣體傳輸裝置及具有該氣體傳輸裝置的基片處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
金屬有機(jī)化合物氣相沉積(MOCVD)是20世紀(jì)60年代發(fā)展起來(lái)的利用金屬有機(jī)化合物進(jìn)行金屬輸運(yùn)的一種化合物半導(dǎo)體氣相外延新技術(shù)，而反應(yīng)腔子系統(tǒng)是MOCVD設(shè)備的核心組件，其設(shè)計(jì)方案對(duì)于外延層質(zhì)量和設(shè)備產(chǎn)率具有決定性的影響。傳統(tǒng)的反應(yīng)腔在硬件上由外壁、托盤、加熱裝置、進(jìn)氣裝置、以及監(jiān)測(cè)裝置組成。 如圖IA所示，為傳統(tǒng)的噴淋頭氣體傳輸裝置的進(jìn)氣孔的示意圖。如圖IB所示，為傳統(tǒng)的噴淋頭氣體傳輸裝置的示意圖，該進(jìn)氣裝置包括圓盤100，圓盤100設(shè)置在反應(yīng)腔的上方正對(duì)襯底120和托盤131及132，圓盤100上密布數(shù)百個(gè)小孔110，其中，數(shù)百個(gè)小孔110的一部分通入III族元素氣體，另一部分通入V族元素氣體，III族元素和V族元素氣體從數(shù)百個(gè)小孔110噴入反應(yīng)腔，垂直噴向襯底120上，在襯底120表面混合并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以沉積形成薄膜。但是，由于小孔110個(gè)數(shù)很多，因此小孔直徑必然很小，這就容易造成由于氣體預(yù)反應(yīng)而堵塞小孔，使氣體不能全部進(jìn)入反應(yīng)腔，從而降低氣體利用率。另外，氣體也會(huì)在反應(yīng)腔的頂蓋和托盤131底部發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積成薄膜，這樣不僅浪費(fèi)氣體，而且反應(yīng)腔頂蓋的薄膜脫落會(huì)導(dǎo)致污染托盤131上的襯底120，同樣地，托盤131底部的薄膜脫落也會(huì)導(dǎo)致污染托盤132上的襯底，從而影響MOCVD的工藝性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一。為此，本發(fā)明的目的在于提出一種防止頂蓋或托盤底部發(fā)生沉積，并有效防止頂蓋或者托盤底部薄膜脫落的氣體傳輸裝置。本發(fā)明的另一目的在于提出一種具有上述氣體傳輸裝置的基片處理設(shè)備。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面實(shí)施例的氣體傳輸裝置，包括氣體傳輸通路，所述氣體傳輸通路中設(shè)有用于通入各反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體管道組和用于通入隔離氣體的隔離氣體管道；和至少一個(gè)氣體噴口，所述氣體噴口設(shè)置在所述氣體傳輸通路上，且每個(gè)所述氣體噴口包括沿所述氣體傳輸通路的橫截面方向排氣的多層氣孔，其中，所述多層氣孔中頂層氣孔與所述隔離氣體管道連通，所述多層氣孔中所述頂層氣孔以下的各層氣孔匹配地與所述反應(yīng)氣體管道組中的各管道連通。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣體傳輸裝置，每個(gè)氣體噴口包括沿氣體傳輸通路的橫截面方向向外排氣的多層氣孔，使氣體能夠更加均勻地向四周噴射，多層氣孔的最上層氣孔與隔離氣體管道連通，其它層氣孔通入各反應(yīng)氣體，保證各反應(yīng)氣體在隔離氣體下方發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而防止處在隔離氣體上方的反應(yīng)腔頂蓋或托盤底部在各反應(yīng)氣體的作用下表面形成沉積薄膜，進(jìn)而防止沉積薄膜脫落造成顆粒污染。另外，本氣體傳輸裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。另外，根據(jù)本發(fā)明的氣體傳輸裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述的氣體傳輸裝置包括多個(gè)氣體噴口，所述多個(gè)氣體噴口沿所述氣體傳輸通路的軸向間隔地設(shè)置在所述氣體傳輸通路上。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多層氣孔相互平行。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)氣體管道組包括至少一條用于通入V族元素氣體的V族元素氣體管道、和至少一條用于通入III族元素氣體的III族元素氣體管道。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)氣體管道組包括兩條V族元素氣體管道和一 條III族元素氣體管道。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多層氣孔為4層氣孔，且所述最頂層氣孔以下的3層氣孔從上至下分別連通一條V族元素氣體管道、III族元素氣體管道和另一條V族元素氣體管道。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述隔離氣體為H2或隊(duì)。本發(fā)明第二方面實(shí)施例的基片處理設(shè)備，包括反應(yīng)腔室；一個(gè)托盤，所述托盤位于所述反應(yīng)腔室之內(nèi)；氣體傳輸裝置，所述氣體傳輸裝置為本發(fā)明第一方面實(shí)施例的氣體傳輸裝置，其中，所述氣體傳輸裝置的氣體傳輸通路穿過(guò)所述多個(gè)托盤的中心孔，且在所述托盤之上設(shè)有至少一個(gè)所述氣體噴口。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備，由于氣體傳輸裝置的隔離氣體隔離反應(yīng)腔室頂蓋與各反應(yīng)氣體的接觸，因此防止各反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室的頂蓋發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而使反應(yīng)腔室的頂蓋形成沉積薄膜，進(jìn)而防止薄膜脫落造成顆粒污染，提高基片處理設(shè)備的工藝性倉(cāng)泛。
本發(fā)明第三方面實(shí)施例的基片處理設(shè)備，包括反應(yīng)腔室；多個(gè)托盤，所述多個(gè)托盤位于所述反應(yīng)腔室之內(nèi)，且所述多個(gè)托盤呈豎直等間隔排列；和氣體傳輸裝置，所述氣體傳輸裝置為上述第一方面實(shí)施例的氣體傳輸裝置，其中，所述氣體傳輸裝置的氣體傳輸通路穿過(guò)所述多個(gè)托盤的中心孔，且在每個(gè)所述托盤之上設(shè)有一個(gè)所述氣體噴口。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備，由于氣體傳輸裝置的隔離氣體隔離反應(yīng)腔室頂蓋或托盤底部與各反應(yīng)氣體的接觸，因此防止各反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔室的頂蓋或托盤底部發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而使反應(yīng)腔室的頂蓋或托盤底部形成沉積薄膜，進(jìn)而防止薄膜脫落造成顆粒污染，提高基片處理設(shè)備的工藝性能。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)托盤沿所述反應(yīng)腔室的軸線呈豎直方向等間隔排列。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖IA為傳統(tǒng)的噴淋頭氣體傳輸裝置的進(jìn)氣孔的示意圖；圖IB為傳統(tǒng)的噴淋頭氣體傳輸裝置的示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例的氣體傳輸裝置的示意圖；圖3A為本發(fā)明實(shí)施例的具有一個(gè)托盤的基片處理設(shè)備的示意圖；以及圖3B為本發(fā)明實(shí)施例的具有多個(gè)托盤的基片處理設(shè)備的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附
圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“連通”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接連通，也可以通過(guò)中間媒介間接連通，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)的具體含義。以下結(jié)合附圖2首先描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣體傳輸裝置。如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例的氣體傳輸裝置的示意圖。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣體傳輸裝置200包括氣體傳輸通路210和氣體噴口 220。雖然在該圖中僅示出了一個(gè)氣體噴口 220，但在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，該氣體噴口 220可為多個(gè)，即在每一個(gè)托盤上均設(shè)置一個(gè)氣體噴口 220，保證反應(yīng)氣體不能接觸到托盤的底部，在托盤底部形成沉積薄膜，更加提高各反應(yīng)氣體利用率，防止托盤底部沉積薄膜。其中，氣體傳輸通路210中設(shè)有用于通入各反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體管道組和用于通入不與所述各反應(yīng)氣體相互反應(yīng)的隔離氣體的隔離氣體管道。例如，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，隔離氣體可以為H2或隊(duì)氣體。當(dāng)然，本發(fā)發(fā)明的實(shí)施例并不限于此，例如隔離氣體還可以為其它密度小于各反應(yīng)氣體且不與各反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)的其它氣體。其中，一個(gè)或多個(gè)氣體噴口 220沿氣體傳輸通路210的軸向(圖2的上下方向)間隔地設(shè)置在氣體傳輸通路210之上，且每個(gè)氣體噴口 220包括沿氣體傳輸通路210的橫截面方向向外排氣的多層氣孔，其中，多層氣孔中最頂層氣孔221與隔離氣體管道連通，多層氣孔中最頂層氣孔以下的各層氣孔分別與所述反應(yīng)氣體管道組連通。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述的沿氣體傳輸通路210的橫截面方向向外排氣，該橫截面方向可以是垂直于氣體傳輸通路210的橫截面方向，當(dāng)然也可以具有一定的角度。如圖2所示的第二層氣孔222、第三層氣孔223和第四層氣孔224分別與反應(yīng)氣體管道組連通?？芍?，氣體管道組至少包括兩個(gè)管道分別用于傳輸兩種不同的反應(yīng)氣體，以保證不同的反應(yīng)氣體經(jīng)氣體噴口噴射后發(fā)生反應(yīng)。優(yōu)選地，例如多層氣孔相互平行，使各反應(yīng)氣體能夠更充分的融合，提高各反應(yīng)氣體利用率，并防止各反應(yīng)氣體直接噴射到隔離氣體上方，從而防止各反應(yīng)氣體在反應(yīng)腔頂蓋和托盤底部反應(yīng)。當(dāng)然，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于此，例如多層氣孔可以不平行，只要保證各反應(yīng)氣體不能噴射到隔離氣體上方即可。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)氣體管道組包括至少一條用于通入V族元素氣體的V族元素氣體管道、和至少一條用于通入III族元素氣體的III族元素氣體管道，保證噴射到反應(yīng)腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體至少為兩種，以便能夠在基片的表面發(fā)生反應(yīng)，使基片表面形成沉積薄膜。優(yōu)選地，反應(yīng)氣體管道組包括兩條V族元素氣體管道和一條III族元素氣體管道，提高反應(yīng)氣體的利用率。但是，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于此，例如反應(yīng)氣體管道組包括一條V族元素氣體管道和兩條III族元素氣體管道。結(jié)合圖2，例如，多層氣孔為4層氣孔，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一層氣孔221與隔離氣體管道連通，而第二層氣孔222、第三層氣孔223和第四層氣孔224分別與反應(yīng)氣體管道組中的V族元素氣體管道和III族元素氣體管道連通。優(yōu)選地，第二層氣孔222與一條V族元素氣體管道連通，第三層氣孔223與III族元素氣體管道連通，第四層氣孔224與另一條V族元素氣體管道連通，隔離氣體從第一層氣孔221噴射到反應(yīng)腔室上方，而III 族元素氣體由第三層氣孔223噴射到反應(yīng)腔室內(nèi)，在兩條V族元素氣體之間，從而保證III族元素氣體和V族元素氣體更好的融合，進(jìn)而更加提高氣體利用率。使各反應(yīng)氣體達(dá)到更好的反應(yīng)效果。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，第二層氣孔222至第四層氣孔224與兩條V族元素氣體管道和一條III族元素氣體管道有多種連接方式，例如，第二層氣孔222與第四層氣孔223可與III族元素氣體管道連通，而第三層氣孔223可與V族元素氣體管道連通。另夕卜，在本發(fā)明的其它示例中，氣體噴口 220的多層氣孔也可以為多層，例如可以為5層、6層等，而更多層氣孔中可以按照預(yù)定順序通入III族元素氣體和V族元素氣體，這些也應(yīng)列為本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的氣體傳輸裝置200，每個(gè)氣體噴口 220包括沿所述氣體傳輸通路210的橫截面方向向外排氣的多層氣孔，如圖2僅示出了氣體噴口 220的剖視圖。多層氣孔的最上層氣孔221與隔離氣體管道連通，其它層氣孔通入各反應(yīng)氣體，保證各反應(yīng)氣體在隔離氣體下方發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而防止處在隔離氣體上方的反應(yīng)腔頂蓋或托盤底部在各反應(yīng)氣體的作用下表面形成沉積薄膜，本發(fā)明實(shí)施例還可以防止薄膜脫落對(duì)晶片處理過(guò)程產(chǎn)生顆粒污染，達(dá)到工藝性能，另外，本氣體傳輸裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。以下結(jié)合附圖3A-3B描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備，例如CVD設(shè)備。如圖3A所示，為本發(fā)明實(shí)施例的具有一個(gè)托盤的基片處理設(shè)備的示意圖，如圖3B所示，為本發(fā)明實(shí)施例的具有多個(gè)托盤的基片處理設(shè)備的示意圖。以下描述均以本發(fā)明實(shí)施例的具有多個(gè)托盤的基片處理設(shè)備為例。如圖3B，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備300包括反應(yīng)腔室340、多個(gè)托盤310和上述實(shí)施例所述的氣體傳輸裝置200，以及感應(yīng)線圈330。其中，多個(gè)托盤310位于反應(yīng)腔室340之內(nèi)，且多個(gè)托盤310呈豎直等間隔排列。氣體傳輸裝置200的氣體傳輸通路210穿過(guò)多個(gè)托盤310的中心孔312，且在托盤310之上設(shè)有至少一個(gè)氣體噴口 220。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)氣體噴口 220包括沿所述氣體傳輸通路210的橫截面方向向外排氣的多層氣孔，如圖3B所示，僅示出了基片處理設(shè)備的剖視圖，即向左、和向右箭頭所指方向。多層氣孔包括第一層氣孔221、第二層氣孔222、第三層氣孔223和第四層氣孔224，并且具體地從上至下依次為第一層氣孔221至第四層氣孔224。其中，第一層氣孔221與隔離氣體管道(圖中未示出)連通，第二層氣孔222、第三層氣孔223和第四層氣孔224分別與反應(yīng)氣體管道組連通。由上述實(shí)施例可知，當(dāng)隔離氣體管道通入隔離氣體，例如通入H2或N2氣體,V族元素氣體管道通入V族元素氣體，III族元素氣體管道通入III族元素氣體時(shí)，第一層氣孔221將向反應(yīng)腔室340內(nèi)噴射H2或N2氣體，第二層氣孔222和第四層氣孔224向反應(yīng)腔室340內(nèi)噴射V族元素氣體，第三層氣孔223向反應(yīng)腔室340內(nèi)噴射III族元素氣體，進(jìn)而H2或隊(duì)氣體隔離V族元素氣體和III族元素氣體在反應(yīng)腔室340的頂蓋341上形成薄膜，提高氣體利用率，同時(shí)避免薄膜脫落對(duì)反應(yīng)腔室340造成顆粒污染，進(jìn)而提高基片處理設(shè)備的工藝性能。另外，結(jié)合圖3B，由于反應(yīng)腔室340內(nèi)可設(shè)置多個(gè)相互平行的托盤310，優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例的CVD設(shè)備在每個(gè)托盤310上方均設(shè)置氣體噴口 220，因此，不僅隔離III族元素氣體、V族元素氣體與反應(yīng)腔室340的頂蓋341反應(yīng)形成薄膜，還能夠隔離每個(gè)托盤310的底部表面311與III族元素氣體、V族元素氣體發(fā)生反應(yīng)使底部表面311形成薄膜，進(jìn)一步提高氣體的利用率，另外，避免由于頂蓋341和底部表面311的薄膜脫落對(duì)反應(yīng)腔室340 內(nèi)造成顆粒污染，保證反應(yīng)腔室340達(dá)到工藝要求。另外，本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)托盤310沿反應(yīng)腔室340的軸線呈豎直方向等間隔排列?？梢詾楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員理解的是，在本發(fā)明實(shí)施例圖3B中，反應(yīng)腔室340的軸線沿豎向定位時(shí)，多個(gè)托盤310沿反應(yīng)腔室340的軸線呈豎直方向設(shè)置。然而在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，當(dāng)反應(yīng)腔室340的軸線沿橫向定位時(shí)，則多個(gè)托盤310沿反應(yīng)腔室340的軸線呈水平方向設(shè)置?；蛘?，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中還可采用其他的放置方式。如圖3A，在本發(fā)明的一個(gè)示例中，基片處理設(shè)備300例如包括一個(gè)托盤310，從而可以避免由于頂蓋341的薄膜脫落對(duì)反應(yīng)腔室340內(nèi)造成顆粒污染，保證反應(yīng)腔室340達(dá)到基片處理設(shè)備的工藝要求。在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
權(quán)利要求
1.一種氣體傳輸裝置，其特征在于，包括 氣體傳輸通路，所述氣體傳輸通路中設(shè)有用于通入各反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體管道組和用于通入隔離氣體的隔離氣體管道；和 至少一個(gè)氣體噴口，所述氣體噴口設(shè)置在所述氣體傳輸通路上，且每個(gè)所述氣體噴口包括沿所述氣體傳輸通路的橫截面方向排氣的多層氣孔，其中，所述多層氣孔中的頂層氣孔與所述隔離氣體管道連通，所述多層氣孔中所述頂層氣孔以下的各層氣孔匹配地與所述反應(yīng)氣體管道組中的各管道連通。
2.如權(quán)利要求I所述的氣體傳輸裝置，其特征在于，包括多個(gè)氣體噴口，所述多個(gè)氣體噴口沿所述氣體傳輸通路的軸向間隔地設(shè)置在所述氣體傳輸通路上。
3.如權(quán)利要求I所述的氣體傳輸裝置，其特征在于，所述多層氣孔相互平行。
4.如權(quán)利要求I所述的氣體傳輸裝置，其特征在于，所述反應(yīng)氣體管道組包括至少一條用于通入V族元素氣體的V族元素氣體管道、和至少一條用于通入III族元素氣體的III族元素氣體管道。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體傳輸裝置，其特征在于，所述反應(yīng)氣體管道組包括兩條所述V族元素氣體管道和一條所述III族元素氣體管道。
6.如權(quán)利要求5所述的氣體傳輸裝置，其特征在于，所述多層氣孔為4層氣孔，且所述頂層氣孔以下的3層氣孔從上至下分別連通一條所述V族元素氣體管道、所述III族元素氣體管道和另一條所述V族元素氣體管道。
7.如權(quán)利要求I所述的氣體傳輸裝置，其特征在于，所述隔離氣體為H2或隊(duì)。
8.一種基片處理設(shè)備，其特征在于，包括 反應(yīng)腔室； 一個(gè)托盤，所述托盤位于所述反應(yīng)腔室之內(nèi)； 氣體傳輸裝置，所述氣體傳輸裝置如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的氣體傳輸裝置，其中，所述氣體傳輸裝置的氣體傳輸通路穿過(guò)所述多個(gè)托盤的中心孔，且在所述托盤之上設(shè)有至少一個(gè)所述氣體噴口。
9.一種基片處理設(shè)備，其特征在于，包括 反應(yīng)腔室； 多個(gè)托盤，所述多個(gè)托盤位于所述反應(yīng)腔室之內(nèi)，且所述多個(gè)托盤沿所述反應(yīng)腔室的軸線等間隔排列；和 氣體傳輸裝置，所述氣體傳輸裝置如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的氣體傳輸裝置，其中，所述氣體傳輸裝置的氣體傳輸通路穿過(guò)所述多個(gè)托盤的中心孔，且在每個(gè)所述托盤之上設(shè)有至少一個(gè)所述氣體噴口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)托盤沿所述反應(yīng)腔室的軸線呈豎直方向等間隔排列。
全文摘要
本發(fā)明提出一種氣體傳輸裝置，包括氣體傳輸通路，氣體傳輸通路中設(shè)有用于通入各反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體管道組和用于通入不與所述各反應(yīng)氣體相互反應(yīng)的隔離氣體的隔離氣體管道；和至少一個(gè)氣體噴口，所述氣體噴口設(shè)置在所述氣體傳輸通路上，且每個(gè)所述氣體噴口包括沿所述氣體傳輸通路的橫截面方向排氣的多層氣孔，其中，所述多層氣孔中的頂層氣孔與所述隔離氣體管道連通，所述多層氣孔中所述頂層氣孔以下的各層氣孔匹配地與所述反應(yīng)氣體管道組中的各管道連通。本發(fā)明還提出一種基片處理設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的具有該氣體傳輸裝置的基片處理設(shè)備防止在頂蓋和托盤底部發(fā)生沉積，并有效防止頂蓋和托盤底部薄膜脫落導(dǎo)致顆粒污染。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102732859SQ20111008863
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者張秀川 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司