專利名稱：使用石墨烯薄層的樹脂涂鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種使用石墨烯薄層來(lái)涂鍍樹脂的方法，更具體地說(shuō)，涉及這樣一種使用石墨烯薄層的樹脂涂鍍方法，所述方法包括在樹脂基底上形成石墨烯薄層， 從而省去傳統(tǒng)上樹脂涂鍍所需的蝕刻工藝，因此以對(duì)環(huán)境友好的方式處理樹脂的表面。
背景技術(shù)：
近來(lái)，在電子裝置和/或汽車組件的應(yīng)用中追求的目標(biāo)是改善其外觀并減輕其重量。對(duì)于產(chǎn)品的重量減輕，因?yàn)樽⑺軜渲欣厥闺y以使用金屬制造的復(fù)雜形狀的形成容易化，所以通常使用注塑樹脂來(lái)代替金屬。然而，這樣的模制樹脂在硬度以及視覺外觀方面存在不足，并需要表面處理。在這種情況下，通常使用噴涂和涂鍍。典型的樹脂涂鍍技術(shù)包括通過(guò)蝕刻在非導(dǎo)電樹脂的表面上形成微細(xì)孔；在非導(dǎo)電樹脂上層壓導(dǎo)電膜；在層壓件上電化學(xué)地形成具有優(yōu)異的耐久性的金屬膜。因此，通過(guò)上述技術(shù)獲得的注塑塑料具有金屬的外觀。然而，為了在塑料的表面上形成微細(xì)孔，需要包括使用強(qiáng)酸和強(qiáng)堿的苛刻條件。換言之，因?yàn)橥垮児に囀莾H在固定位置執(zhí)行的表面處理技術(shù)，并且必須使用大量的強(qiáng)堿和強(qiáng)酸，所以由于廢水和多道涂鍍工藝的問(wèn)題，故大大地降低了產(chǎn)率。此外，限制了能夠經(jīng)歷樹脂涂鍍的樹脂的類型。即，樹脂涂鍍會(huì)有限地用于能夠使用強(qiáng)酸和強(qiáng)堿等進(jìn)行蝕刻的含有橡膠部分的丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物(在下文中稱作 “ABS”)，繼而對(duì)于樹脂的類型具有差的選擇性。另外，用于蝕刻的鉻酸和硫酸不適合用于廢水處理，并且危及工人健康。為了符合近來(lái)的環(huán)境規(guī)定，現(xiàn)在使用三價(jià)鉻代替六價(jià)鉻，并且引入了鎳(Ni)安全的和/或無(wú)Ni類型的涂鍍來(lái)代替Ni。然而，這些并不認(rèn)為是用于克服在涂鍍技術(shù)中必然具有的環(huán)境問(wèn)題的根本解決方案。因此，本發(fā)明的實(shí)施例描述了一種能夠減少現(xiàn)有多級(jí)涂鍍方法中的各工藝的數(shù)量的新的且對(duì)生態(tài)環(huán)境友好的涂鍍工藝。為了實(shí)現(xiàn)上述新的涂鍍工藝，使用石墨烯。在任何傳統(tǒng)的涂鍍方法中使用的蝕刻是將樹脂與鍍膜物理性地粘附并結(jié)合的工藝。然而，因?yàn)闃渲ㄟ^(guò)這樣的蝕刻工藝不具有導(dǎo)電性，所以需要用于給樹脂賦予導(dǎo)電性的可選工藝(見圖 1)。相反，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，公開了一種對(duì)生態(tài)環(huán)境友好的涂鍍方法，該方法包括使用主要對(duì)樹脂具有高粘附性以及具有高導(dǎo)電性的石墨烯，從而在蝕刻和活化階段大大減少了各工藝的數(shù)量，并能夠形成鍍膜。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種樹脂涂鍍方法，所述樹脂涂鍍方法包括在樹脂基底上形成石墨烯薄層；對(duì)涂布有石墨烯薄層的所述樹脂基底進(jìn)行電鍍。這里，所述石墨烯薄層可以如下形成使用氧化石墨烯分散體涂布所述樹脂基底；進(jìn)行氧化石墨烯涂層的還原。在使用所述氧化石墨烯分散體涂布所述樹脂基底之前，可以在所述樹脂基底的表面上形成胺基。這里，所述胺基可以通過(guò)使用從由Ar和隊(duì)的氣體混合物、吐和隊(duì)的氣體混合物以及NH3組成的組中選擇的氣體的等離子體處理來(lái)產(chǎn)生。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種石墨烯薄層可以通過(guò)將膨脹石墨分散體涂覆到樹脂基底來(lái)形成。這里，所述膨脹石墨分散體可以通過(guò)過(guò)濾和濕轉(zhuǎn)印過(guò)程涂覆到所述樹脂基底。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還可以包括用于具有石墨烯薄層的樹脂基底的鍍銅工藝。此外，在鍍銅之后，可以通過(guò)電鍍將從由Ni、Cu、Sn和Si組成的組中選擇的至少一種金屬涂覆到所述樹脂基底。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可以通過(guò)電鍍將從由Ni、Cu、Sn和Si組成的組中選擇的至少一種金屬涂覆到所述石墨烯薄層。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種注塑樹脂可以使用對(duì)生態(tài)環(huán)境友好的方法而具有類似金屬的外觀。具體地說(shuō)，與需要使用強(qiáng)酸和強(qiáng)堿的典型蝕刻工藝的任何傳統(tǒng)涂鍍方法不同，所有類型的樹脂可以進(jìn)行涂鍍，而與樹脂的類型無(wú)關(guān)。此外，可以大大地減少諸如蝕刻、活化等的各個(gè)工藝的數(shù)量，繼而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)，例如成本降低，同時(shí)提高了產(chǎn)率。因此，使用石墨烯溶液來(lái)代替對(duì)人體有害且造成環(huán)境污染的強(qiáng)酸和強(qiáng)堿，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境友好的技術(shù)。另外，可以簡(jiǎn)單地形成石墨烯薄層，因此能夠?qū)ζ溥M(jìn)行方便的操作和/或管理。


通過(guò)結(jié)合附圖的實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面將變得明顯和更易于理解，其中圖1示出了與傳統(tǒng)的樹脂涂鍍方法進(jìn)行比較的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的樹脂涂鍍工藝；圖2是示出了膨脹石墨的濕轉(zhuǎn)印過(guò)程的示意圖；圖3示出了使用原子力顯微鏡(AFM)的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例形成的石墨烯薄層的表面粗糙度和厚度的測(cè)量結(jié)果。
具體實(shí)施例方式在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明的一方面是提供一種用于涂鍍樹脂的方法，包括在樹脂基底上形成石墨烯薄層；將涂鍍有石墨烯薄層的樹脂基底進(jìn)行電鍍。石墨烯薄層可以通過(guò)將氧化石墨烯分散體涂覆到樹脂基底并進(jìn)行氧化石墨烯涂層的還原來(lái)形成。術(shù)語(yǔ)“氧化石墨烯”是指通過(guò)使石墨氧化所獲得的氧化物，因?yàn)闃O性基團(tuán)存在于氧化石墨烯的表面上，所以該氧化石墨烯展現(xiàn)出“親水性”。與石墨相比，氧化石墨烯可以被制備成分散體，并可以被形成為薄層。
然而，氧化石墨烯是電絕緣物質(zhì)，并且為了恢復(fù)其導(dǎo)電性必須經(jīng)歷還原。在使用氧化石墨烯分散體在樹脂上形成氧化石墨烯薄層之后，使形成的薄層經(jīng)過(guò)還原，以產(chǎn)生片型石墨烯。術(shù)語(yǔ)“氧化石墨烯的還原”是指氧化石墨烯經(jīng)歷還原，以賦予其導(dǎo)電性。術(shù)語(yǔ)“石墨烯”是指由多個(gè)碳原子的共價(jià)結(jié)合形成的多環(huán)芳香族分子，通常，共價(jià)結(jié)合在一起的這樣的碳原子形成作為重復(fù)單元的六(6)元環(huán)，盡管還可以包括5元環(huán)和/ 或7元環(huán)。因此，石墨烯可以包括共價(jià)結(jié)合的碳原子(通常為SP2鍵)的單層，或者可以形成多層的層壓件，其中，層壓件的最大厚度可以為lOOnm。此外，石墨烯可以具有根據(jù)5元環(huán)和/或7元環(huán)的含量而改變的不同結(jié)構(gòu)。用于在還原狀態(tài)下使用氧化石墨烯來(lái)形成薄層的工藝的示例可以包括使石墨氧化，以產(chǎn)生氧化石墨烯，并將氧化石墨烯分散在溶劑中，以制備分散體；將分散體涂覆到樹脂，并干燥涂布的樹脂；將經(jīng)過(guò)干燥的樹脂在含有還原劑的溶液中浸漬期望的時(shí)間，并進(jìn)行氧化石墨烯的還原；從而制備還原的氧化石墨烯；在樹脂基底上形成還原的氧化石墨烯的薄層。在這方面，在本領(lǐng)域中公知的用于形成氧化石墨烯的工藝可以包括例如 Staudenmaier 方法(Staudenmaier L. Verfahren zurdarstellung der graphitsaure， Ber Dtsch Chem Ges 1898，31，1481-99)、Hummers方法(William S. Hummers. Jr. ,Richard Ε. Offeman, Preparation of graphite oxide, J. Am. Chem. Soc.，1958，80 (6)，p. 1339)、 Brodie 方法(Brodie BC，Sur Ie poids atomique du graphie, Anm Chim Phys 1860，59， 466-72)等，通過(guò)引用將上述文獻(xiàn)的公開內(nèi)容包含于此。通過(guò)將如上所述制備的氧化石墨烯分散體涂覆到樹脂基底并將其進(jìn)行干燥，在樹脂基底上形成氧化石墨烯薄層。氧化石墨烯分散體向樹脂基底的涂覆可以通過(guò)包括例如浸涂、滴涂、噴涂等的任何傳統(tǒng)的涂布方法來(lái)執(zhí)行。氧化石墨烯分散體可以如下制備將溶劑加入到氧化石墨烯中；對(duì)混合物進(jìn)行聲波處理，以將氧化石墨烯分散在溶劑中；并通過(guò)離心法來(lái)分離未氧化的石墨。溶劑取決于樹脂的類型，并可以包括例如去離子水(DIW)、丙酮、乙醇、1-丙醇、二甲亞砜(DMS0)、吡啶、乙二醇、N，N- 二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、四氫呋喃(THF)等，而沒(méi)有特別限制。在已知的文獻(xiàn)中公開了用于還原氧化石墨烯的工藝，例如Carbon 2007，45，1558， Nano Letter 2007，7，1888等，通過(guò)引用將上述文獻(xiàn)的公開內(nèi)容包含于此。這里使用的還原劑不特別受到限制，但可以包括例如NaBH4、N2H2、LiAlH4, TBAB、乙二醇、聚乙二醇、Na等。另外，在使用氧化石墨烯分散體涂布樹脂基底之前，可以在樹脂基底的表面上形成胺基。如上所述，因?yàn)檠趸┓稚Ⅲw是親水性的，所以如果在將氧化石墨烯分散體涂覆到樹脂基底之前將樹脂基底的表面變?yōu)橛H水性，則可以提高氧化石墨烯在樹脂基底上的分散性?？梢栽跇渲椎谋砻嫔闲纬砂坊?，從而進(jìn)行樹脂基底的表面處理，繼而賦予樹脂基底親水性能。在這方面，可以通過(guò)使用從Ar和N2的氣體混合物、H2和N2的氣體混合物以及NH3 中選擇的氣體的等離子體處理來(lái)產(chǎn)生胺基。其上形成有還原的氧化石墨烯薄膜的樹脂基底可以經(jīng)歷化學(xué)鍍銅。在這種情況下，可以使用從由Ni、Cu、Sn和Si組成的組中選擇的至少一種金屬通過(guò)電鍍進(jìn)一步涂鍍鍍銅的樹脂基底。其上形成有還原的氧化石墨烯薄膜(即，石墨烯薄層)的樹脂基底可以在沒(méi)有鍍銅的情況下使用從由Ni、Cu、Sn和Si組成的組中選擇的至少一種金屬直接經(jīng)歷電鍍。可以通過(guò)將膨脹石墨分散體溶液涂覆到樹脂基底來(lái)形成石墨烯薄層。在這種情況下，膨脹石墨分散體溶液可以通過(guò)濕轉(zhuǎn)印工藝涂覆到樹脂基底。多層的石墨層壓件可以通過(guò)任何傳統(tǒng)的方法來(lái)用于制備膨脹石墨。例如，通過(guò)石墨的酸處理來(lái)產(chǎn)生在層間包括插層材料的石墨插層復(fù)合物，并在高溫(500°C或更高)下通過(guò)熱處理形成為膨脹石墨。另外，膨脹石墨可以使用SO3氣體、濃硫酸和強(qiáng)氧化劑來(lái)制備。 即，石墨插層化合物可以在“熱沖擊”系統(tǒng)中通過(guò)熱分解形成為膨脹石墨。在這種情況下， 這里可以使用的石墨插層化合物的示例包括乙酸酐、硫酸等。石墨是碳的同素異形體，由共價(jià)結(jié)合的碳原子組成，并具有薄片狀(或?qū)訝?結(jié)構(gòu)。石墨的分層彼此平行，這些層通過(guò)范德華力的間層結(jié)合比碳原子之間的共價(jià)結(jié)合弱。由于這樣的特性，不同的原子或分子可以插入在石墨間層之間，從而簡(jiǎn)單地形成插層復(fù)合物。 另外，層狀化合物通過(guò)化學(xué)氧化并根據(jù)其中包括插層材料的插入層之間的單碳層的數(shù)量可以具有一級(jí)(1級(jí))至五級(jí)(5級(jí))結(jié)構(gòu)。通過(guò)產(chǎn)生的插層復(fù)合物的熱處理，氣態(tài)插層材料被蒸發(fā)，并且石墨的相對(duì)弱的c軸膨脹，繼而產(chǎn)生膨脹石墨。具有多孔性的膨脹石墨可以通過(guò)薄片狀結(jié)構(gòu)的天然石墨的酸處理和熱處理來(lái)產(chǎn)生。通過(guò)將如上所述形成的膨脹石墨分散在溶劑中，制備出膨脹石墨分散體。溶劑可以包括例如DIW、丙酮、乙醇、1-丙醇、DMS0、吡啶、乙二醇、DMF、NMP, THF等，而沒(méi)有特別限制。在通過(guò)過(guò)濾器將分散在溶劑中的膨脹石墨與溶劑分離之后，將分離的石墨加入到 DIW中。接下來(lái)，通過(guò)在DIW浴中的濕轉(zhuǎn)印來(lái)形成石墨烯薄層。這里使用的過(guò)濾器可以是用于蛋白質(zhì)的生物化學(xué)分離的專用過(guò)濾器?？蛇x地，過(guò)濾器可以是直徑為47mm的圓形過(guò)濾器。圖2示意性地示出了膨脹石墨的濕轉(zhuǎn)印的方法。其上形成有石墨烯薄層的樹脂基底可以進(jìn)行鍍銅。在這方面，從由Ni、Cu、Sn和 ai組成的組中選擇的至少一種金屬可以通過(guò)電鍍施加到鍍銅的樹脂基底。其上形成有石墨烯薄層的樹脂基底可以在沒(méi)有鍍銅的情況下使用從由Ni、Cu、Sn 和Si組成的組中選擇的至少一種金屬直接經(jīng)歷電鍍。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中使用的樹脂可以包括天然樹脂以及合成樹脂。術(shù)語(yǔ) “樹脂”是指包括有機(jī)化合物及其衍生物的非晶固體或半固體物質(zhì)，并分為天然樹脂和合成樹脂。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，不需要用于涂鍍的蝕刻工藝(見圖1)，因此，與含有橡膠部分(例如，ABS)的有限類型的樹脂中采用的使用強(qiáng)酸和/或強(qiáng)堿的傳統(tǒng)技術(shù)相比，可以在不受限制的情況下使用所有類型的樹脂。即，可以采用用于體現(xiàn)產(chǎn)品的外觀的所有樹脂。制備示例1(1)樹脂的預(yù)處理將樹脂表面處理為親水性的，并通過(guò)等離子體處理在表面上形成胺基(NH2)。然后，在表面上滴水滴，執(zhí)行接觸角測(cè)試，以確定親水性。
(2)氧化石墨烯(GO)的制備通過(guò) Hummers 方法(William S. Hummers Jr. , Richard Ε. Offeman, Preparation of graphite oxide, J. Am. Chem. Soc.，1958，80 (6)，ρ 1339)來(lái)制備 GO。也就是說(shuō)，將 IOg 天然石墨(Hundai Coma Co.，Ltd.，HC-590)、250mlH2S04 和 5g NaNO3 混合，在冰水中冷卻， 并在20°C保持10分鐘。然后，歷時(shí)1小時(shí)將30g KMnOjl慢地加入到混合物中，然后逐漸升高溫度，以使混合物在35°C保持2小時(shí)，然后在室溫下將混合物冷卻。將450ml DI水加入到混合物中。為了使剩余的KMnO4還原，將2L DI水和15ml 35%的H2A歷時(shí)30分鐘順序地加入到混合物中，從而完成反應(yīng)。將獲得的氧化石墨烯進(jìn)行過(guò)濾，并使用5% HCl (5L) 清洗一次，然后使用DI水清洗三次，以達(dá)到pH 7。此后，使清洗過(guò)的產(chǎn)物在真空爐中在60°C 下干燥M小時(shí)，從而除去剩余的KMnCV(3)氧化石墨烯分散體的制備在將100ml DI水加入到以上制備的IOOmg氧化石墨烯之后，執(zhí)行超聲輻射達(dá)4小時(shí)，然后進(jìn)行離心，從而除去未轉(zhuǎn)印為氧化石墨烯的剩余石墨。(4)氧化石墨烯的還原在尺寸分別為5cmX 5cm的ABS樹脂和PC樹脂的表面上滴200 μ L氧化石墨烯分散體，將獲得的ABS樹脂和PC樹脂均在50mM NaBH4溶液中浸漬2. 5天，以進(jìn)行氧化石墨烯的還原，由此形成還原的氧化石墨烯。另外，在將尺寸均為5cmX 5cm的ABS樹脂和PC樹脂分別浸在200 μ L氧化石墨烯分散體中之后，將獲得的ABS樹脂和PC樹脂均在50mM NaBH4溶液中浸漬2. 5天，以進(jìn)行氧化石墨烯的還原，由此形成還原的氧化石墨烯。(5)無(wú)電鍍銅使其上形成有氧化石墨烯薄膜的樣品在含有用于樹脂涂鍍的10%至15%的活化劑NP-8以及10%至15%的鹽酸的活化溶液中在35°C至40°C進(jìn)行活化達(dá)5分鐘，然后在 10%硫酸溶液中在40°C至45°C進(jìn)行加速活化達(dá)2分鐘。然后，將活化的樣品在具有2g/L 至3g/L的銅含量、20g/L 25g/L的EDTA含量、5g/L至6g/L的氫氧化鈉含量和3ml/L至 5ml/L的甲醛含量的無(wú)電鍍銅溶液中在30°C至35°C浸漬10分鐘，繼而形成涂鍍所需的電鍍膜。然而，可以省去該工藝。(6)電鍍使用以期望的相對(duì)分?jǐn)?shù)含有200g/L至250g/L硫酸銅和30ml/L至35ml/L硫酸的混合物，使用3A/dm2至5A/dm2的電流密度使樣品在25°C至30°C下進(jìn)行銅拋光涂鍍達(dá)5分鐘至10分鐘。制備示例2(1)膨脹石墨的制備以1 2 1的質(zhì)量比混合天然石墨、KMnO4和HNO3,并將混合物微波輻射30秒。(2)膨脹石墨分散體的制備將IOOmg上述膨脹石墨與250ml η-甲基_2_吡咯烷酮(NMP)混合，并使用超聲發(fā)生器進(jìn)行分散。(3)石墨烯薄層的形成為了形成石墨烯薄層，使用直徑為47mm的圓形過(guò)濾器來(lái)執(zhí)行真空過(guò)濾，從而將分散在NMP中的石墨與NMP分離。在過(guò)濾之后，在室溫下將產(chǎn)物干燥6小時(shí)。將與NMP分離的石墨加入到DI水中，從而通過(guò)在DI水中的濕轉(zhuǎn)印來(lái)使石墨轉(zhuǎn)印為石墨烯薄層。使用AFM來(lái)測(cè)量在制備示例2中形成的石墨薄層的表面粗糙度和厚度，在圖3中示出了測(cè)量結(jié)果。如圖3所示，形成了厚度為50nm的石墨烯薄層。此外，下面的工藝與制備示例1中的前述(5)和(6)基本上相同。實(shí)驗(yàn)示例針對(duì)于通過(guò)在制備示例1和2中描述的上述方法形成的具有石墨烯薄層的樹脂， 測(cè)量導(dǎo)電率。導(dǎo)電率由4點(diǎn)探針?lè)椒▉?lái)確定。4點(diǎn)探針?lè)椒ǖ奶卣髟谟?，四個(gè)不同的接觸點(diǎn)選自于在樣品中形成的恒定間隔的多個(gè)接觸點(diǎn)，并且其中的兩個(gè)內(nèi)接觸點(diǎn)連接到電壓端， 而兩個(gè)外接觸點(diǎn)連接到電流端，以測(cè)量特定測(cè)量區(qū)域的體積電阻率。每個(gè)樣品在固定的10_3A和10_2A下測(cè)量?jī)纱?。在下面的?中示出了測(cè)量結(jié)果。表權(quán)利要求
1.一種樹脂涂鍍方法，所述樹脂涂鍍方法包括在樹脂基底上形成石墨烯薄層；對(duì)其上形成有所述石墨烯薄層的所述樹脂基底進(jìn)行電鍍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯薄層如下形成將氧化石墨烯分散體涂覆到所述樹脂基底；進(jìn)行氧化石墨烯涂層的還原。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在使用所述氧化石墨烯分散體涂布所述樹脂基底之前，在所述樹脂基底的表面上形成胺基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述胺基通過(guò)使用從由Ar和隊(duì)的氣體混合物、 H2和隊(duì)的氣體混合物以及NH3組成的組中選擇的氣體的等離子體處理來(lái)產(chǎn)生。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯薄層通過(guò)將膨脹石墨分散體涂覆到所述樹脂基底來(lái)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述膨脹石墨分散體經(jīng)過(guò)過(guò)濾，并通過(guò)濕轉(zhuǎn)印過(guò)程涂覆到所述樹脂基底。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，所述方法還包括對(duì)其上形成有所述石墨烯薄層的所述樹脂基底進(jìn)行鍍銅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在鍍銅之后獲得的所述樹脂基底使用從由Ni、 Cu、Sn和Si組成的組中選擇的至少一種金屬進(jìn)行電鍍。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，所述方法還包括對(duì)其上形成有所述石墨烯薄層的所述樹脂基底進(jìn)行鍍銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在鍍銅之后獲得的所述樹脂基底使用從由Ni、 Cu、Sn和Si組成的組中選擇的至少一種金屬進(jìn)行電鍍。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述石墨烯薄層使用從由Ni、Cu、Sn和Si 組成的組中選擇的至少一種金屬進(jìn)行電鍍。
12.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中，所述石墨烯薄層使用從由Ni、Cu、Sn和Si 組成的組中選擇的至少一種金屬進(jìn)行電鍍。
全文摘要
公開了一種使用石墨烯薄層來(lái)涂鍍樹脂的方法，更具體地公開了一種使用石墨烯薄層的樹脂涂鍍方法，所述方法包括在樹脂基底上形成所述石墨烯薄層，從而省去樹脂涂鍍所需的蝕刻工藝，由此以對(duì)環(huán)境友好的方式來(lái)處理樹脂的表面。
文檔編號(hào)C23C18/20GK102251233SQ201110123508
公開日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月18日
發(fā)明者南在度, 吳焌碩, 孫相益, 李準(zhǔn)鎬, 裴娥賢, 黃泰善 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社