專利名稱：基板處理裝置、基板處理裝置的控制裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置、基板處理裝置的控制裝置及其控制方法，特別是涉及一種能夠提高基板處理中的面內(nèi)均勻性的控制裝置及其控制方法。
背景技術(shù)：
以往，在CVD裝置等的基板處理裝置中，通過向基板上供給處理氣體來在基板上進行成膜。在這種情況下，一邊旋轉(zhuǎn)基板一邊持續(xù)一定時間地供給處理氣體，因此基板旋轉(zhuǎn)周期很少對基板處理中的面內(nèi)均勻性造成影響。然而，近年來對于基板上的成膜的微細化的要求變高，使得以短期間斷續(xù)地供給處理氣體。在這種情況下，已判明了基板的旋轉(zhuǎn)周期和處理氣體的供給周期的關(guān)系會影響基板處理中的面內(nèi)均勻性。已知特別是在原子層沉積法(ALD法)的工藝中有影響。專利文獻1 日本特開2009-23930
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮這種問題點來完成的，其目的在于，提供一種基板處理裝置、其控制裝置以及其控制方法，能夠考慮基板的旋轉(zhuǎn)周期和處理氣體的供給周期對基板處理中的面內(nèi)均勻性造成的影響，通過控制基板的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期來實現(xiàn)該面內(nèi)均勻性的提高。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，具備具備基板處理室，其收納基板來進行處理；基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其以使上述基板自由旋轉(zhuǎn)的方式保持上述基板處理室內(nèi)的上述基板；處理氣體供給部，其對上述基板處理室內(nèi)的上述基板供給處理氣體；以及控制裝置，其控制上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)以及上述處理氣體供給部，其中，上述控制裝置具有設(shè)定值輸入部，其輸入上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P以及來自上述處理氣體供給部的處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R和供給次數(shù)設(shè)定值S;以及模式運算部，其根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來求出處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果，該處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果包含上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期、供給時間和供給次數(shù)。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述控制裝置還具有模擬器，該模擬器根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來模擬供給到上述基板上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀，上述模擬器的模擬結(jié)果被顯示在顯示器上。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述控制裝置還具有存儲部，其存儲有對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果；比較部，其將由上述模式運算部求出的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與來自上述存儲部的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果進行比較；以及報警部，其在由上述比較部判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下發(fā)出報警。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述控制裝置還具有變更指示部，其在由比較部判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下，指示上述設(shè)定值輸入部變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的某一個；教導(dǎo)部，其在新發(fā)現(xiàn)了對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的情況下，將該處理氣體供給周期模式加入到上述存儲部中的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果中；以及優(yōu)先級輸出部，其對上述變更指示部輸出關(guān)于應(yīng)該優(yōu)先變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的哪一個設(shè)定值的信息。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述優(yōu)先級輸出部向上述變更指示部進行輸出，以使上述變更指示部優(yōu)先變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P和供給周期設(shè)定值Q。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使載置一張基板的基座進行旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使載置多張基板的基座進行旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)由使收納有多張基板的晶圓舟進行旋轉(zhuǎn)的晶圓舟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)構(gòu)成。本發(fā)明是一種基板處理裝置，其特征在于，上述處理氣體供給部由在被上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持的基板外周處分開配置的一對處理氣體供給裝置構(gòu)成，一對上述處理氣體供給裝置中，一個處理氣體供給裝置供給A氣體，另一個處理氣體供給裝置供給與A氣體不同的B氣體。本發(fā)明是一種控制裝置，用于控制基板處理裝置，該基板處理裝置具備基板處理室，其收納基板來進行處理；基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其以使上述基板自由旋轉(zhuǎn)的方式保持上述基板處理室內(nèi)的上述基板；處理氣體供給部，其對上述基板處理室內(nèi)的上述基板供給處理氣體， 上述控制裝置的特征在于，具備設(shè)定值輸入部，其輸入上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P以及來自處理氣體供給部的處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R和供給次數(shù)設(shè)定值S ；以及模式運算部，其根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來求出處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果，該處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果包含上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期、供給時間和供給次數(shù)。本發(fā)明是一種控制裝置，其特征在于，還具備模擬器，該模擬器根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來模擬供給到上述基板上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀。本發(fā)明是一種基板處理裝置的控制方法，用于控制權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，該控制方法的特征在于，包括以下步驟通過上述設(shè)定值輸入部來輸入上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P以及來自處理氣體供給部的處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R和供給次數(shù)設(shè)定值S ；以及根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息，通過上述模式運算部來求出處理氣體供給周期模式的運算值，該處理氣體供給周期模式的運算值包含上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期、供給時間和供給次數(shù)。本發(fā)明是一種基板處理裝置的控制方法，其特征在于，還包括如下步驟根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息，通過模擬器來模擬供給到上述基板上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀，并且將該模擬的結(jié)果顯示在顯示器上。如以上那樣根據(jù)本發(fā)明，在比較部中比較由模式運算部求出的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與來自存儲部的對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果，在比較部中判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果和參照結(jié)果一致的情況下，從報警部發(fā)出報警。因此，能夠預(yù)先變更對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式，由此能夠進行對基板的恰當(dāng)?shù)奶幚韥硖岣呙鎯?nèi)均勻性。


圖1是表示本發(fā)明的基板處理裝置的圖。圖2是表示包含被處理基板的旋轉(zhuǎn)周期、處理氣體的供給周期、供給時間、以及供給次數(shù)的處理氣體供給周期模式的圖。圖3是表示向被處理基板中供給處理氣體的供給區(qū)域、供給周期、供給時間、供給次數(shù)、基板旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的圖。圖4的(a)、(b)是表示向被處理基板供給處理氣體的供給區(qū)域、供給周期、供給時間、供給次數(shù)、基板旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的圖。圖5是表示向被處理基板供給處理氣體的供給區(qū)域、供給周期、供給時間、供給次數(shù)、基板旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的圖。圖6是表示向被處理基板供給處理氣體的供給區(qū)域、供給周期、供給時間、供給次數(shù)、基板旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的圖。圖7是表示對被處理基板進行處理的處理氣體的供給區(qū)域的形狀的圖。圖8是表示應(yīng)用了本發(fā)明的基板處理裝置的立式熱處理裝置的圖。圖9是表示基板處理裝置的變形例的圖。
具體實施例方式首先根據(jù)圖8來說明應(yīng)用本發(fā)明的基板處理裝置的立式熱處理裝置20。圖8所示的立式熱處理裝置是以CVD法向被處理基板(晶圓)上供給處理氣體來在晶圓上進行成膜的裝置。如圖8所示，立式處理裝置20具有作為加熱單元的加熱器22、以及配置在加熱器22內(nèi)來對被處理基板(晶圓)實施熱處理的反應(yīng)容器(基板處理室)21。該反應(yīng)容器 21的下端開口通過蓋體四通過0型環(huán)30被氣密地閉塞。在蓋體四上通過保溫筒28設(shè)置晶圓舟(wafer boat)B，保溫筒觀保持晶圓舟B。晶圓舟B插入反應(yīng)容器21中。要進行分批處理的多個晶圓W以水平姿勢在管軸方向上多段積載于晶圓舟B中，加熱器22將插入在反應(yīng)容器21中的晶圓W加熱到規(guī)定的溫度。并且，為了向反應(yīng)容器21供給多種類的氣體例如A氣體以及B氣體而設(shè)有安裝了控制閥31a的氣體供給管31。另外氣體供給管31在反應(yīng)容器21內(nèi)延伸，從在氣體供給管31前端形成的氣體供給孔31b對配置在反應(yīng)容器21內(nèi)的晶圓W供給氣體。在這種情況下，以氣體供給管31、控制閥31a、以及氣體供給孔31b來構(gòu)成處理氣體供給部31A。另外，反應(yīng)容器21連接于真空泵34，并且通過晶圓舟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)36來對插入到反應(yīng)容器21內(nèi)的晶圓舟B進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。
而且，通過后述的控制裝置40來對這些氣體供給管31的控制閥31a、晶圓舟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)36、以及加熱器22進行控制。此外，除了 A氣體以及B氣體之外，還通過與氣體供給管31相同的結(jié)構(gòu)的氣體供給管向反應(yīng)容器21內(nèi)供給吹掃氣體。如上述那樣，本發(fā)明的基板處理裝置能夠應(yīng)用于圖8所示的立式熱處理裝置20 中，但是除此之外也能夠應(yīng)用于其它在基座(811%印切103上載置有1張晶圓W的基板處理裝置中(圖9的(a))，且也能夠應(yīng)用于在基座S上載置有多張晶圓W的基板處理裝置中 (圖 9 的(b))。此外，作為基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，不限于晶圓舟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)36，也可以由使載置有1張晶圓 W的基座S、或者載置有多張晶圓W的基座S進行旋轉(zhuǎn)的基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)(未圖示)來構(gòu)成 (圖 9 的(a)、(b))。另外，對基板處理室21內(nèi)的晶圓W供給處理氣體，因此也可以在晶圓W的外周設(shè)置一對相向的處理氣體供給部31A、32A，在這種情況下從各處理氣體供給部31A、32A供給相互不同的A氣體、B氣體(圖1的實線以及雙點劃線)。或者，也可以在晶圓W的外周設(shè)置一對相向的處理氣體供給部31A、32A，在這種情況下可以是，從一個處理氣體供給部31A供給A氣體而從相向的另一個處理氣體供給部32A 供給與A氣體不同的B氣體。另外也可以是，從一對處理氣體供給部31A、32A供給相同的 A氣體。另外，如圖1所示，控制裝置40具備設(shè)定值輸入部41，其輸入基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、由來自處理氣體供給部31A，32A的A氣體和B氣體構(gòu)成的處理氣體的供給周期(cycle)設(shè)定值Q、處理氣體的供給時間設(shè)定值R、以及處理氣體的供給次數(shù)設(shè)定值S; 模式運算部42，其根據(jù)來自設(shè)定值輸入部的信息來求出包含基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期和處理氣體的供給周期的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果；存儲部45，其存儲有對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果；比較部43，其將由模式運算部42求出的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與來自存儲部45的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果進行比較；以及報警部44，其在比較部43中判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下發(fā)出報警。由此，能夠在實際的處理前發(fā)現(xiàn)不合適問題。并且在比較部43中判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果和處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下，通過變更指示部47進行指示來對設(shè)定值輸入部41變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的某一個。由此，能夠自動地避免不合適問題。另外，在新發(fā)現(xiàn)對工藝的結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的情況下，該處理氣體供給周期模式通過教導(dǎo)部46被追加在存儲部45的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果中。另外控制裝置40還具有優(yōu)先級輸出部48，該優(yōu)先級輸出部48對變更指示部47輸出應(yīng)該優(yōu)先變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的哪一個設(shè)定值的信息，該優(yōu)先級輸出部48對變更指示部47進行指示使得優(yōu)先對旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P和供給周期設(shè)定值Q進行校正。
接著說明由這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本實施方式的作用。首先，在圖1所示的控制裝置40中，從設(shè)定值輸入部41輸入基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、處理氣體供給部31A或者32A的處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、處理氣體的供給時間設(shè)定值R、以及處理氣體的供給次數(shù)設(shè)定值S。在這種情況下，處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R、以及供給次數(shù)設(shè)定值S是預(yù)先在制程生成部中設(shè)定的。接著，根據(jù)來自設(shè)定值輸入部41的信息，在模式運算部42中求出包含基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期、處理氣體的供給周期、處理氣體的供給時間、以及處理氣體的供給次數(shù)的處理氣體供給模式的運算結(jié)果Pi。這里，圖2是表示在模式運算部42中運算而求出的處理氣體供給模式的運算結(jié)果 Pl的圖。在圖2中A氣體以及B氣體的供給周期與晶圓W的旋轉(zhuǎn)周期不一致，為了將A氣體以及B氣體均勻地供給到晶圓W上，需要使晶圓W旋轉(zhuǎn)5圈以上。在存儲部45內(nèi)，預(yù)先內(nèi)置有對在基板處理裝置中進行處理的晶圓W的工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給模式的參照結(jié)果。另外，在根據(jù)包含基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期、處理氣體的供給周期、處理氣體的供給時間、處理氣體的供給次數(shù)的處理氣體供給模式來對晶圓W實施了熱處理的情況下，在關(guān)于面內(nèi)均勻性等產(chǎn)生了不合適問題時，將產(chǎn)生了這種問題的處理氣體供給模式作為參照結(jié)果重新存儲在存儲部45中。接著，在比較部43中，將在模式運算部42中求出的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果Pl與來自存儲部45的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果進行比較，在比較部43中判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果Pl與處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下，當(dāng)要根據(jù)處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果對晶圓W實施熱處理時，判斷為會產(chǎn)生相同的不合適問題而從報警部44發(fā)出報警。另外，在比較部43中，判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果Pl與處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下，從變更指示部47指示設(shè)定值輸入部41變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的某一個。在這種情況下，優(yōu)先級輸出部48對變更指示部47輸出應(yīng)該優(yōu)先變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的哪一個設(shè)定值的 fn息ο另外，控制裝置40的模擬器49根據(jù)設(shè)定值輸入部41的信息來模擬供給到晶圓W 上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀，其模擬結(jié)果被顯示在顯示器50上。根據(jù)圖3至圖7來說明通過控制裝置40的模擬器49來求出的晶圓W上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀。首先，如圖3所示使晶圓W以60秒旋轉(zhuǎn)1圈，設(shè)供給時間為15秒，以75秒的供給周期來對晶圓W供給A氣體。在這種情況下，能夠通過使晶圓W旋轉(zhuǎn)4圈來向晶圓W整個區(qū)域中供給A氣體。另外，如圖4的(a)所示，使晶圓W以60秒旋轉(zhuǎn)1圈，設(shè)供給時間為5秒，以10秒的供給周期來對晶圓W供給A氣體。在使晶圓W以60秒旋轉(zhuǎn)1圈、供給時間為5秒、供給周期為15秒來供給A氣體的情況下，會導(dǎo)致在晶圓W上A氣體的供給位置一致，所以為了改變供給位置，要周期性地變更A氣體的供給定時。另外，如圖4的(b)所示，使晶圓W以60秒旋轉(zhuǎn)1圈，設(shè)供給時間為5秒，以61秒的供給周期來對晶圓W供給A氣體。在這種情況下，當(dāng)供給次數(shù)設(shè)為30次時，無法向晶圓W 整個區(qū)域供給A氣體，因而從報警部44發(fā)出報警?；蛘?，根據(jù)來自變更指示部47的信號， 在設(shè)定值輸入部41中將供給次數(shù)設(shè)定值增加到60次、或?qū)⒐┙o時間設(shè)定值設(shè)為6秒、或者旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值變更為2圈/60秒。這些是通過優(yōu)先級輸出部46來選擇的。由此，能夠向晶圓W的整面中供給A氣體。另外，如圖5所示，還能夠在晶圓W的同一位置供給A氣體和B氣體。并且如圖6 所示，還能夠在晶圓W的180°面對面相向的位置供給A氣體和B氣體。另外如圖7的(a)、(b)所示，通過模擬器49來預(yù)先求出從處理氣體供給部31A向晶圓W供給的A氣體的噴射形狀50A (圖7的(a))，通過模擬器49根據(jù)供給次數(shù)設(shè)定值S 的次數(shù)來求出在晶圓W上的供給區(qū)域的形狀50B。A氣體的噴射形狀50A以及供給區(qū)域的形狀50B被顯示在顯示器50上。如以上那樣根據(jù)本實施方式，在比較部43中將由模式運算部42求出的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與來自存儲部45的對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果進行比較，在比較部43中判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與參照結(jié)果一致的情況下，從報警部44發(fā)出報警。因此，能夠預(yù)先變更對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式，由此能夠?qū)暹M行恰當(dāng)?shù)奶幚韽亩岣呙鎯?nèi)均勻性。本專利主張2010年5月20日在日本提出的申請?zhí)卦?010-116481為優(yōu)先權(quán)。該在先申請中的全部公開內(nèi)容，通過引用來視作本說明書的一部分。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備 基板處理室，其收納基板來進行處理；基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其以使上述基板自由旋轉(zhuǎn)的方式保持上述基板處理室內(nèi)的上述基板； 處理氣體供給部，其對上述基板處理室內(nèi)的上述基板供給處理氣體；以及控制裝置，其控制上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)以及上述處理氣體供給部， 其中，上述控制裝置具有設(shè)定值輸入部，其輸入上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P以及來自上述處理氣體供給部的處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R和供給次數(shù)設(shè)定值S ；以及模式運算部，其根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來求出處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果，該處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果包含上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期、供給時間和供給次數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述控制裝置還具有模擬器，該模擬器根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來模擬供給到上述基板上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀，上述模擬器的模擬結(jié)果被顯示在顯示器上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述控制裝置還具有存儲部，其存儲有對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果； 比較部，其將由上述模式運算部求出的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與來自上述存儲部的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果進行比較；以及報警部，其在由上述比較部判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下發(fā)出報警。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述控制裝置還具有變更指示部，其在由比較部判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果一致的情況下，指示上述設(shè)定值輸入部變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的某一個；教導(dǎo)部，其在新發(fā)現(xiàn)了對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的情況下，將該處理氣體供給周期模式加入到上述存儲部中的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果中；以及優(yōu)先級輸出部，其對上述變更指示部輸出關(guān)于應(yīng)該優(yōu)先變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P、供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R以及供給次數(shù)設(shè)定值S中的哪一個設(shè)定值的信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，上述優(yōu)先級輸出部向上述變更指示部進行輸出，以使上述變更指示部優(yōu)先變更旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P和供給周期設(shè)定值Q。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使載置一張基板的基座進行旋轉(zhuǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使載置多張基板的基座進行旋轉(zhuǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)由使收納有多張基板的晶圓舟進行旋轉(zhuǎn)的晶圓舟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理氣體供給部由在被上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持的基板外周處分開配置的一對處理氣體供給裝置構(gòu)成，一對上述處理氣體供給裝置中，一個處理氣體供給裝置供給A氣體，另一個處理氣體供給裝置供給與A氣體不同的B氣體。
10.一種控制裝置，用于控制基板處理裝置，該基板處理裝置具備 基板處理室，其收納基板來進行處理；基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其以使上述基板自由旋轉(zhuǎn)的方式保持上述基板處理室內(nèi)的上述基板； 處理氣體供給部，其對上述基板處理室內(nèi)的上述基板供給處理氣體， 上述控制裝置的特征在于，具備設(shè)定值輸入部，其輸入上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P以及來自處理氣體供給部的處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R和供給次數(shù)設(shè)定值S ；以及模式運算部，其根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來求出處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果，該處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果包含上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期、供給時間和供給次數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的控制裝置，其特征在于，還具備模擬器，該模擬器根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息來模擬供給到上述基板上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀。
12.—種基板處理裝置的控制方法，用于控制權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，該控制方法的特征在于，包括以下步驟通過上述設(shè)定值輸入部來輸入上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)定值P以及來自處理氣體供給部的處理氣體的供給周期設(shè)定值Q、供給時間設(shè)定值R和供給次數(shù)設(shè)定值S ；以及根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息，通過上述模式運算部來求出處理氣體供給周期模式的運算值，該處理氣體供給周期模式的運算值包含上述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期、供給時間和供給次數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置的控制方法，其特征在于，還包括如下步驟 根據(jù)來自上述設(shè)定值輸入部的信息，通過模擬器來模擬供給到上述基板上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀，并且將該模擬的結(jié)果顯示在顯示器上。
全文摘要
一種基板處理裝置、基板處理裝置的控制裝置及其控制方法。預(yù)先變更對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式，進行對基板的恰當(dāng)?shù)奶幚怼８鶕?jù)設(shè)定值輸入部的信息在模式運算部中求出包含旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的旋轉(zhuǎn)周期以及處理氣體的供給周期、供給時間和供給次數(shù)的處理氣體供給周期模式運算結(jié)果。根據(jù)設(shè)定值輸入部的信息通過模擬器來模擬供給到基板上的處理氣體的供給區(qū)域的形狀，該結(jié)果顯示在顯示器上。在比較部中比較來自模式運算部的處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與來自存儲部的對工藝結(jié)果造成壞影響的處理氣體供給周期模式的參照結(jié)果。在判斷為處理氣體供給周期模式的運算結(jié)果與對工藝結(jié)果造成壞影響的參照結(jié)果一致的情況下，從報警部發(fā)出報警。
文檔編號C23C16/52GK102251226SQ20111013221
公開日2011年11月23日 申請日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月20日
發(fā)明者松田和久 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社