專利名稱：一種蒸鍍?cè)醇罢翦冨兡ぱb置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體、LED、太陽能電池領(lǐng)域的鍍膜器，尤其涉及一種蒸鍍?cè)醇捌湔翦冨兡ぱb置。
背景技術(shù)：
PECVD (等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、PVD (濺鍍沉積)、VTD (氣相傳輸沉積)和 CSS(封閉空間升華、加熱蒸發(fā)鍍膜)是半導(dǎo)體、LED、太陽能等行業(yè)中被廣泛使用的薄膜鍍膜技術(shù)。其中PECVD、PVD的鍍膜速度較慢，對(duì)于較厚的膜，生產(chǎn)效率不高，而且源材料利用率低。近年來廣泛使用的VTD技術(shù)只能進(jìn)行單片基板的鍍膜，由于結(jié)構(gòu)的局限性，薄膜的均勻性不夠好、基板尺寸受限制。常規(guī)的CSS技術(shù)無法進(jìn)行基板行進(jìn)中的連續(xù)鍍膜，源材料溫度均勻性不好，也不能連續(xù)喂料連續(xù)生產(chǎn)。例如First Solar公司的美國(guó)專利US6037241公開了一種半導(dǎo)體鍍膜的裝置及方法，其使用的鍍膜方法是VTD，載氣從管狀蒸發(fā)筒的兩邊的筒口吹入后，再將源材料蒸汽從蒸發(fā)筒的孔狀筒壁吹出。該鍍膜裝置存在著鍍膜不均、溫度控制不穩(wěn)定、源材料利用率低的問題。JPlO-2^877公開了一種薄膜沉積方法及裝置，其可在同一基板的兩面同時(shí)沉積鍍膜，然而該基板是柔性基板如塑料膜或金屬箔等材料。為了改善蒸發(fā)容器中溫度的不均勻變化、提高薄膜沉積的均勻性，三菱重工株式會(huì)社在中國(guó)專利CN101942639 (2011-1-12)公開了一種真空氣相沉積設(shè)備，其中的蒸發(fā)容器具有線性設(shè)置的多個(gè)直徑相同的排放孔，并且具有多個(gè)直徑相同的通孔的射流板，然而該方法主要是用于沉積多種蒸發(fā)材料，源材料利用率不高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、 源材料利用率高、鍍膜均勻的蒸鍍?cè)?。本發(fā)明的目的之二是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、 源材料利用率高的蒸鍍鍍膜裝置。本發(fā)明的第一技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的一種蒸鍍?cè)?，包括溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊和絕熱模塊，而所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊均設(shè)置于蒸鍍?cè)幢倔w中，所述絕熱模塊包圍所述蒸鍍?cè)幢倔w。本發(fā)明的蒸鍍?cè)词鞘乖床牧蠐]發(fā)成氣體沉積到基板上的源或直接將導(dǎo)入的源材料氣體沉積到基板上的源，包括但不限于VTD (氣相傳輸沉積)源或CSS (加熱蒸發(fā)鍍膜) 源。本發(fā)明將組成鍍膜設(shè)備的各功能模塊整合在蒸鍍?cè)幢倔w中，可以達(dá)到穩(wěn)定均勻的溫度控制，組成結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高的蒸鍍?cè)?。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊位于構(gòu)成所述蒸鍍?cè)幢倔w的材料的空腔中。本發(fā)明的蒸鍍?cè)幢倔w包括經(jīng)過鑄造或機(jī)械加工形成的整體結(jié)構(gòu)和疊加塊，所述的疊加塊可以是左右疊加或垂直疊加。本發(fā)明的蒸鍍?cè)幢倔w尤其優(yōu)選經(jīng)過鑄造或機(jī)械加工形成的整體結(jié)構(gòu)，在該整體結(jié)構(gòu)中具有多個(gè)空腔，所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊均被設(shè)置在各個(gè)空腔內(nèi)，除了這些空腔以外，該整體結(jié)構(gòu)由實(shí)心的均一的本體材料構(gòu)成。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述蒸鍍?cè)淳哂袃蓚€(gè)相背的蒸鍍?cè)垂ぷ髅?。本發(fā)明的蒸鍍?cè)垂ぷ髅婕丛撜翦冊(cè)催M(jìn)行氣相傳輸工作所在的平面，通常即蒸鍍?cè)瓷蠂娚淇谒诘钠矫妗Ｗ鳛楸景l(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述蒸鍍?cè)幢倔w的材料熔融溫度大于400°C、熱導(dǎo)性大于20w/mk。本發(fā)明選擇耐高溫、導(dǎo)熱性好的材料如金、銀、銅、鋁、鉬、鈦、鎢、不銹鋼、氧化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷、石墨或石墨陶瓷、石英陶瓷或石墨陶瓷作為蒸鍍?cè)幢倔w材料，熔點(diǎn)高、導(dǎo)熱性好。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述蒸鍍?cè)幢倔w的材料為鋁、銅、不銹鋼、鎢、碳化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷或石墨陶瓷。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述溫度控制模塊包括加熱器和熱電偶。本發(fā)明的熱電偶用于測(cè)量蒸鍍?cè)幢倔w的溫度，所述加熱器和熱電偶之間還連接有溫度控制器，所述溫度控制器位于所述蒸鍍?cè)幢倔w外，所述熱電偶和所述溫度控制器之間連接有加熱器電路，通過熱電偶對(duì)溫度的反饋實(shí)現(xiàn)溫度控制模塊對(duì)溫度的控制，溫度均勻易控、鍍膜均勻性好、厚度可調(diào)節(jié)性高，從而可對(duì)較大尺寸的非柔性基板如玻璃基板、金屬基板或有機(jī)基板鍍膜。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述加熱器為電阻加熱器、紅外加熱器或紫外加熱器。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述溫度控制模塊包括多個(gè)加熱器和多個(gè)熱電偶。采用多組加熱器和熱電偶的配合可以產(chǎn)生多區(qū)域溫度，實(shí)現(xiàn)多區(qū)域溫度控制，進(jìn)一步提高蒸鍍?cè)幢倔w的溫度均勻性。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述載流氣體進(jìn)氣模塊包括載流氣體分布管和與之相連通的載流氣體進(jìn)氣口，所述載流氣體分布管的材料熔融溫度大于400°C，所述載流氣體分布管為中空管，所述載流氣體分布管的側(cè)壁上分布有多個(gè)第一小孔，所述上下相鄰第一小孔的間距從進(jìn)氣口往下逐漸變小。本發(fā)明通過對(duì)載流氣體的結(jié)構(gòu)、材料和第一小孔的間距的優(yōu)化使載流氣體分布更均勻，從而使源材料蒸汽運(yùn)行速度更均勻，從而使源材料蒸汽均勻沉積到基板上，形成厚度均勻的鍍膜。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第一小孔的直徑從進(jìn)氣口往下逐漸增大。通過對(duì)小孔直徑的優(yōu)化可加強(qiáng)載流氣體分布的均勻性。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述喂料模塊包括源材料室、與所述源材料室相通的源材料蒸汽噴射口，面對(duì)所述載流氣體模塊的所述源材料室的第一側(cè)面以及所述第一側(cè)面的相對(duì)面分布有多個(gè)第二小孔。所述源材料室通過位于所述蒸鍍?cè)幢倔w外并位于所述源材料室上方的喂料機(jī)和料倉進(jìn)料。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述源材料室與所述源材料蒸汽噴射口之間還設(shè)有緩沖室。載流氣體從所述載流氣體分布管的側(cè)孔噴出后流經(jīng)所述源材料室的小孔壁，將源材料蒸汽帶到所述緩沖室，進(jìn)一步進(jìn)行對(duì)流和混合，將源材料蒸汽從所述噴射口更均勻地噴射到基板上。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述源材料室的第二小孔的孔徑為0. OOlmm 5mm。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述排氣模塊包括廢氣排氣口以及與所述廢氣排氣口相連的排氣管路。所述蒸鍍?cè)赐饨佑姓婵毡门c所述排氣管路相連，載流氣體帶著少量未被使用的源材料蒸汽進(jìn)入所述廢氣排氣口，經(jīng)過所述排氣管路被真空泵抽出。由于所述蒸鍍?cè)匆惑w化設(shè)計(jì)的優(yōu)越性，排氣管道的溫度與進(jìn)氣口管道溫度相同，所以未被使用的源材料蒸氣不會(huì)在所述蒸鍍?cè)赐獗谛纬慑兡?，保證了蒸鍍?cè)赐獗诘那鍧嵍群蜏囟鹊姆€(wěn)定性。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述絕熱模塊由絕熱板組成。所述絕熱模塊的設(shè)置可以進(jìn)一步提高蒸鍍?cè)磧?nèi)的溫度均勻性，減少能量損失，降低對(duì)待鍍膜的基板的溫度影響。本發(fā)明的第二技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種蒸鍍鍍膜裝置，包括所述蒸鍍?cè)匆约鞍鼑稣翦冊(cè)吹恼婵涨惑w室。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述真空腔體室內(nèi)能承受Imtorr Iatm的氣壓。
所述真空腔體室內(nèi)的氣壓由外接的真空泵調(diào)節(jié)。綜上所述，本發(fā)明具有以下有益效果1、本發(fā)明將組成鍍膜設(shè)備的各功能模塊整合在一個(gè)單體結(jié)構(gòu)即蒸鍍?cè)幢倔w中，可以達(dá)到穩(wěn)定均勻的溫度控制，組成結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高、鍍膜均勻的蒸鍍?cè)矗?、本發(fā)明溫度控制模塊中的熱電偶用于測(cè)量蒸鍍?cè)幢倔w的溫度，通過熱電偶對(duì)溫度的反饋使溫度控制器和位于蒸鍍?cè)幢倔w內(nèi)的溫度控制模塊共同作用實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的控制， 溫度均勻易控、鍍膜均勻性好、厚度可調(diào)節(jié)性高，從而可對(duì)較大尺寸的基板鍍膜；3、本發(fā)明的真空腔體室包圍所述的蒸鍍?cè)床⑴c所述的蒸鍍?cè)垂餐M成結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高的蒸鍍鍍膜裝置。


圖1是本發(fā)明蒸鍍?cè)吹牡谝环N實(shí)施例的示意圖；圖2是本發(fā)明蒸鍍?cè)吹牡诙N實(shí)施例的示意圖；圖3是圖2所示蒸鍍?cè)唇M成的蒸鍍裝置的工作示意圖；圖4是本發(fā)明蒸鍍?cè)吹臏囟瓤刂颇K與溫度控制器連接的示意圖；圖5是本發(fā)明載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊的示意圖；圖6是本發(fā)明蒸鍍?cè)吹妮d流氣體分布管的示意圖；圖中，1-蒸鍍?cè)矗?-蒸鍍?cè)幢倔w；3-熱電偶孔；4-加熱器孔；5-加熱器；6_溫度控制器；7-熱電偶；8-載流氣體分布管；81-第一小孔；9-源材料室；10-緩沖室；11-噴射口 ； 12-基板；13-廢氣排氣口 ； 14-排氣管路；15-真空腔體室；16-蒸鍍鍍膜裝置；17-載流氣體進(jìn)氣口 ； 18-喂料機(jī)；19-料倉；20-氣體流量控制器；21-真空泵；22-蒸鍍?cè)垂ぷ髅妫?23-絕熱模塊。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例一如圖1所示，蒸鍍?cè)?為一體化結(jié)構(gòu)，包括溫度控制模塊(見圖幻、載流氣體進(jìn)氣模塊(見圖4和圖幻、喂料模塊、排氣模塊和絕熱模塊23，五個(gè)模塊均位于一個(gè)蒸鍍?cè)幢倔w 2中，蒸鍍?cè)幢倔w2為經(jīng)過鑄造或切割加工形成的整體結(jié)構(gòu)。蒸鍍?cè)幢倔w的材料為碳化硅陶瓷，熔融溫度為2700°C、熱導(dǎo)性為360w/mk。選擇耐高溫、導(dǎo)熱性好的材料作為蒸鍍?cè)幢倔w 2的材料，并將組成鍍膜設(shè)備的各功能模塊整合在一個(gè)單體結(jié)構(gòu)即蒸鍍?cè)幢倔w2中，可以達(dá)到穩(wěn)定均勻的溫度控制，組成結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高的蒸鍍?cè)?。在蒸鍍?cè)?中挖空一些位置如熱電偶孔3、加熱器孔4放置所需的模塊或設(shè)備。本實(shí)施例的溫度控制模塊包括一個(gè)電阻加熱器5和熱電偶7，位于蒸鍍?cè)幢倔w2之外設(shè)有溫度控制器6，溫度控制器6的兩端分別與電阻加熱器5及熱電偶7相連。電阻加熱器5放置在加熱器孔4中，熱電偶7放置在熱電偶孔3中。當(dāng)然，其他設(shè)備也是放在相應(yīng)的孔中，在圖中不一一列出相應(yīng)的孔。如圖1所示，載流氣體進(jìn)氣模塊包括載流氣體分布管8和與之相連通的載流氣體進(jìn)氣口 17，載流氣體分布管8的材料為鎢，熔融溫度為3400°C。如圖6所示，載流氣體分布管8為中空管，載流氣體的側(cè)壁上分布有多個(gè)第一小孔81，上下相鄰的第一小孔81的間距從進(jìn)氣口 17往下逐漸變小，第一小孔81的直徑從進(jìn)氣口往下逐漸增大。如圖5所示，載流氣體進(jìn)氣口 17與外接的氣體流量控制器20相連。如圖1和圖5所示，喂料模塊包括源材料室9、與源材料室9相通的源材料蒸汽噴射口 11、位于源材料室9與源材料蒸汽噴射口 11之間的緩沖室10，源材料室的上方連接有位于蒸鍍?cè)幢倔w2之外的喂料機(jī)18和料倉19。面對(duì)載流氣體模塊的源材料室的第一側(cè)面以及第一側(cè)面的相對(duì)面分布有多個(gè)第二小孔，第二小孔的孔徑為0. 5mm。如圖5所示，排氣模塊包括廢氣排氣口 13以及與廢氣排氣口 13相連的排氣管路 14，排氣管路14再依次與外接的閥門和真空泵21相連。蒸鍍?cè)幢倔w2為立方體結(jié)構(gòu)，絕熱模塊23由六塊絕熱板組成，包圍蒸鍍?cè)幢倔w2 的外表面。如圖1所示，蒸鍍?cè)?只有一面具有蒸汽噴射口 11，因此只有一個(gè)蒸鍍?cè)垂ぷ髅?22。除了需要與外界連接的地方，如載流氣體進(jìn)氣口 17和廢氣排氣口 13等，蒸鍍?cè)幢倔w2 的所有表面都被絕熱材料包圍。這樣進(jìn)一步提高單體內(nèi)的溫度均勻性，減少能量損失，降低對(duì)基板溫度的影響。實(shí)施例二蒸鍍?cè)?的結(jié)構(gòu)見圖2，與實(shí)施例一不同的是蒸鍍?cè)?具有兩個(gè)相背的蒸鍍?cè)垂ぷ髅?2，溫度控制模塊包括三對(duì)紫外加熱器5和三個(gè)熱電偶7，紫外加熱器5和熱電偶7之間連接有溫度控制器6，其中3個(gè)溫度控制器6均位于蒸鍍?cè)幢倔w2之外；載流氣體進(jìn)氣模塊包括兩個(gè)載流氣體分布管8和兩個(gè)載流氣體進(jìn)氣口 17 ；喂料模塊包括兩個(gè)源材料室9和兩個(gè)噴射口 11 ；排氣模塊包括兩個(gè)廢氣排氣口 13和兩個(gè)排氣管路14。蒸鍍?cè)幢倔w2的材料為石墨陶瓷，熔融溫度為3500°C、熱導(dǎo)性為150w/mk。如圖3所示，蒸鍍鍍膜裝置16包括所述蒸鍍?cè)?以及包圍所述蒸鍍?cè)?的真空腔體室15。真空腔體室15內(nèi)的氣壓由外接的真空泵21調(diào)節(jié)至0. 5atm0載流氣體從載流氣體分布管的第一小孔噴出，流經(jīng)源材料室的第二小孔的孔壁，將源材料蒸氣帶到緩沖空間10， 進(jìn)一步進(jìn)行對(duì)流和混合，再經(jīng)過噴射口 11噴射到基板12上完成鍍膜。本發(fā)明的蒸鍍鍍膜裝置16特別適用于源材料為金屬材料和其他化合物半導(dǎo)體如 CdS，CdTe，CIGS 的鍍膜。實(shí)施例三蒸鍍?cè)?的結(jié)構(gòu)同實(shí)施例二，不同的是源材料室9與源材料蒸汽噴射口 11之間無緩沖室10，蒸鍍?cè)幢倔w材料為不銹鋼，熔融溫度為1400°C、熱導(dǎo)性為70w/mk。載流氣體分布管8的材料為碳化硅，熔融溫度為2700°C、熱導(dǎo)性為360w/mk。蒸鍍?cè)幢倔w2為球形結(jié)構(gòu)， 絕熱模塊23由四塊弧形絕熱板組成，包圍蒸鍍?cè)幢倔w2的外表面。本具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明的解釋，其并不是對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對(duì)本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍?cè)?1)，包括溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊和絕熱模塊(23)，其特征在于所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊均設(shè)置于蒸鍍?cè)幢倔wO)中，所述絕熱模塊包圍所述蒸鍍?cè)幢倔wO)的外表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊位于構(gòu)成所述蒸鍍?cè)幢倔wO)的材料的空腔中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述蒸鍍?cè)?1)具有兩個(gè)相背的蒸鍍?cè)垂ぷ髅?2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述蒸鍍?cè)幢倔w( 的材料熔融溫度大于400°C、熱導(dǎo)性大于20w/mk。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述蒸鍍?cè)幢倔w( 的材料為鋁、銅、不銹鋼、鎢、碳化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷或石墨陶瓷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述溫度控制模塊包括加熱器(5)和熱電偶(7)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述加熱器(5)為電阻加熱器、紅外加熱器或紫外加熱器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述溫度控制模塊包括多個(gè)加熱器(5)和多個(gè)熱電偶(7)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述載流氣體進(jìn)氣模塊包括載流氣體分布管(8)和與之相連通的載流氣體進(jìn)氣口(17)，所述載流氣體分布管 (8)的材料熔融溫度大于400°C，所述載流氣體分布管(8)為中空管，所述載流氣體分布管 (8)的側(cè)壁上分布有多個(gè)第一小孔(81)，所述上下相鄰第一小孔(81)的間距從進(jìn)氣口往下逐漸變小。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述第一小孔(81)的直徑從進(jìn)氣口往下逐漸增大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述喂料模塊包括源材料室(9)、與所述源材料室(9)相通的源材料蒸汽噴射口(11)，面對(duì)所述載流氣體模塊的所述源材料室(9)的第一側(cè)面以及所述第一側(cè)面的相對(duì)面分布有多個(gè)第二小孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述源材料室(9)與所述源材料蒸汽噴射口(11)之間還設(shè)有緩沖室(10)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述第二小孔的孔徑為 0. OOlmm 5mm0
14.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述排氣模塊包括廢氣排氣口(1 以及與所述廢氣排氣口(1 相連的排氣管路(14)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的一種蒸鍍?cè)?1)，其特征在于所述絕熱模塊 (23)由絕熱板組成。
16.一種蒸鍍鍍膜裝置(16)，其特征在于包括權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的一種蒸鍍?cè)?1)以及包圍所述蒸鍍?cè)?1)的真空腔體室(15)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的一種蒸鍍鍍膜裝置(16)，其特征在于所述真空腔體室 (15)能承受Imtorr Iatm的氣壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體、LED、太陽能電池領(lǐng)域的鍍膜器，尤其涉及一種蒸鍍?cè)醇捌湔翦冨兡ぱb置。一種蒸鍍?cè)?，包括溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊和絕熱模塊，而所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊均設(shè)置于蒸鍍?cè)幢倔w中，絕熱模塊包圍蒸鍍?cè)幢倔w的外表面。蒸鍍鍍膜裝置包括蒸鍍?cè)匆约鞍鼑翦冊(cè)吹恼婵涨惑w室。本發(fā)明將組成鍍膜設(shè)備的各功能模塊整合在一個(gè)單體結(jié)構(gòu)即蒸鍍?cè)幢倔w中，可以達(dá)到穩(wěn)定均勻的溫度控制，組成結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高、鍍膜均勻的蒸鍍?cè)醇罢翦冨兡ぱb置。
文檔編號(hào)C23C14/24GK102312198SQ20111019016
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者梅芳, 趙軍 申請(qǐng)人:上方能源技術(shù)(杭州)有限公司