專利名稱：腔室裝置和具有該腔室裝置的基片處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種腔室裝置和具有該腔室裝置的基片處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
在微電子芯片或太陽能多晶硅電池芯片加工過程中廣泛用到化學(xué)氣相沉積設(shè)備。 如圖3所示，I’為進(jìn)氣管路，2’為氣體分布板(Shower Head), 3 為反應(yīng)腔室，4’為待處理芯片，5’為芯片載板、托盤或卡具，6’為射頻系統(tǒng)，7’為排氣管道。
在化學(xué)氣相沉積工藝過程中，由排氣管道V為反應(yīng)腔室3’提供真空環(huán)境，反應(yīng)腔室3’通過射頻注入能量，由進(jìn)氣管路I’導(dǎo)入反應(yīng)氣體，經(jīng)過氣體分布板2’將氣體均勻?qū)?，反?yīng)氣體在反應(yīng)腔室3’中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成物沉積在待處理芯片4’上，殘氣經(jīng)排氣管道7’最終由真空泵排出。
對于化學(xué)氣相沉積設(shè)備來說，理想的情況是反應(yīng)生成物僅在待處理的芯片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積生成物，而在其他位置(如反應(yīng)腔室側(cè)壁、芯片支撐平臺(tái)、氣體分布板等)不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和沉積作用。但這在實(shí)際 中，化學(xué)反應(yīng)不可避免地在反應(yīng)腔室的其他位置發(fā)生，由于待沉積物質(zhì)的晶格結(jié)構(gòu)與反應(yīng)腔室內(nèi)部或氣體分布板的金屬相差較大，因此在這些位置沉積的副產(chǎn)物薄膜致密性和結(jié)合力都較差，很容易造成薄膜崩落，進(jìn)而產(chǎn)生顆粒污染。為了保障設(shè)備的性能，就需要頻繁對反應(yīng)腔室內(nèi)部和氣體分布板進(jìn)行維護(hù)，減低了設(shè)備的運(yùn)行效率，加大了設(shè)備的運(yùn)行成本。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種腔室裝置，所述腔室裝置在用作化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)腔室時(shí)不易產(chǎn)生顆粒污染，延長了維護(hù)周期。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出一種具有上述腔室裝置的基片處理設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種腔室裝置，包括腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有腔室；氣體分布板，所述氣體分布板設(shè)在所述腔室內(nèi)以將所述腔室分割為上腔室和下腔室，所述上腔室具有進(jìn)氣口且所述下腔室具有出氣口，所述氣體分布板上設(shè)有將所述上腔室和所述下腔室連通的多個(gè)分配孔；和分布板襯板，所述分布板襯板設(shè)在所述腔室內(nèi)且位于所述氣體分布板下面，所述分布板襯板上設(shè)有多個(gè)通孔，所述分布板襯板的下表面上設(shè)有第一覆蓋層，所述第一覆蓋層由第一半導(dǎo)體材料制成。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，在用于化學(xué)氣相沉積時(shí)，由于半導(dǎo)體材料的晶格結(jié)構(gòu)與待沉積物質(zhì)(如氮化硅)的晶格結(jié)構(gòu)相近，因此在分布板內(nèi)襯上沉積的薄膜致密性和結(jié)合力都較好，薄膜不易崩落，因而不易引起顆粒污染，大大增加了對腔室內(nèi)部和氣體分布板進(jìn)行維護(hù)的周期，且維護(hù)時(shí)僅需要更換分布板內(nèi)襯即可，減少了維護(hù)時(shí)間。
另外，根據(jù)本發(fā)明的腔室裝置還具有如下附加技術(shù)特征
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述分布板襯板的整個(gè)表面上均設(shè)有所述第一覆蓋層。
其中，所述分布板襯板由所述第一半導(dǎo)體材料形成，且所述分布板襯板與所述第一覆蓋層一體形成。
所述分布板襯板設(shè)在所述氣體分布板的下表面上且所述分布板襯板上的通孔與所述氣體分布板上的所述分配孔一一對應(yīng)，以保證氣體分布的均勻性。
可選地，所述通孔與所述分配孔的橫截面尺寸相同，以進(jìn)一步保證氣體分布的均勻性。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述分布板襯板由陶瓷、不銹鋼或鋁制成，所述第一覆蓋層為設(shè)在所述分布板襯板的下表面上的第一半導(dǎo)體材料薄膜。
腔室裝置進(jìn)一步包括腔室襯板，所述腔室襯板設(shè)在所述下腔室的內(nèi)周壁上，所述腔室襯板暴露到所述腔室內(nèi)的內(nèi)表面上設(shè)有第二覆蓋層，所述第二覆蓋層由第二半導(dǎo)體材料制成。
由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，在用于化學(xué)氣相沉積時(shí)，通過在下腔室的內(nèi)周壁上設(shè)置腔室襯板，并且在腔室襯板上設(shè)置半導(dǎo)體覆蓋層，使得在腔室襯板沉積的薄膜致密性和結(jié)合力都較好，薄膜不易崩落，能夠降低設(shè)備產(chǎn)生顆粒的數(shù)量，延長維護(hù)周期，減少維護(hù)時(shí)長。
可選地，所述腔室襯板的整個(gè)表面上均 設(shè)有所述第二覆蓋層。
進(jìn)一步可選地，所述第二覆蓋層為設(shè)在所述腔室襯板的表面上的第二半導(dǎo)體材料薄膜。
所述腔室襯板由所述第二半導(dǎo)體材料形成，且所述腔室襯板與所述第二覆蓋層一體形成。
可選地，所述分布板襯板和腔室襯板的邊緣均被倒圓，以避免在等離子體環(huán)境中出現(xiàn)尖端放電現(xiàn)象。
所述第二半導(dǎo)體材料選自多晶硅、II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，摻雜的II1-V族化合物半導(dǎo)體材料、I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料、和摻雜的I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
所述第一半導(dǎo)體材料選自多晶硅、II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，摻雜的II1-V族化合物半導(dǎo)體材料、I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料、和摻雜的I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
根據(jù)本發(fā)明第二方面實(shí)施例的基片處理設(shè)備，包括腔室裝置，所述腔室裝置為根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例中所述的腔室裝置；能量供給裝置，所述能量供給裝置所述腔室裝置相連用于向所述腔室裝置的腔室內(nèi)供給能量；和載板，所述載板設(shè)在所述腔室裝置的下腔室內(nèi)用于承載基片。
可選地，所述能量供給裝置通過加熱、射頻或微波方式將能量供給到所述腔室內(nèi)。
所述基片處理設(shè)備為化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備，通過在腔室中設(shè)置分布板襯板和腔室襯板， 并且采用與待沉積物質(zhì)的晶格結(jié)構(gòu)相近的半導(dǎo)體覆蓋層，使得在分布板內(nèi)襯和腔室襯板沉積的薄膜致密性和結(jié)合力都較好，薄膜不易崩落，因而不易引起顆粒污染。大大增加了對腔室內(nèi)部和氣體分布板進(jìn)行維護(hù)的周期，且維護(hù)時(shí)僅需要更換分布板內(nèi)襯和腔室襯板即可， 減少了對整個(gè)基片處理設(shè)備的維護(hù)時(shí)間，間接增加的設(shè)備的運(yùn)行時(shí)長，降低設(shè)備的運(yùn)行成本。
本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置的示意圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備的示意圖；和
圖3是傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的不意圖。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解 ，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
下面參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種腔室裝置100，用作化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)腔室，下面以腔室裝置用作氮化硅化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)腔室為例進(jìn)行說明，當(dāng)然，根據(jù)本發(fā)明的腔室裝置還可以用作其他待沉積物質(zhì)的反應(yīng)腔室。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置包括腔室本體1、氣體分布板2和分布板襯板3。 如圖1所示，在腔室本體I內(nèi)限定有腔室，氣體分布板2設(shè)在腔室內(nèi)以將腔室分割為上腔室 IOa和下腔室10b，上腔室IOa具有進(jìn)氣口 101且下腔室IOb具有出氣口 102，氣體分布板2 上設(shè)有將上腔室IOa和下腔室IOb連通的多個(gè)分配孔21。分布板襯板3設(shè)在腔室內(nèi)且位于氣體分布板2下面，例如可通過金屬螺栓將分布板襯板3和氣體分布板2連接。其中，分布板襯板3需要有一定的厚度以保證其強(qiáng)度,厚度例如可為Imm 40mm。分布板襯板3上設(shè)有多個(gè)通孔31，分布板襯板3的下表面上設(shè)有第一覆蓋層，第一覆蓋層由第一半導(dǎo)體材料制成。
根據(jù)化學(xué)氣相沉積的原理，導(dǎo)入反應(yīng)腔室的氣體在外界能量的作用下分解為原子或原子團(tuán)，這些原子或原子團(tuán)再結(jié)合為需要沉積的物質(zhì)。沉積物質(zhì)多為單晶或多晶結(jié)構(gòu)，其晶體生長過程為隨機(jī)在固體表面形成籽晶一籽晶長大成為小島一小島擴(kuò)展并連成一片完整的薄膜一薄膜增厚達(dá)到預(yù)定要求。每種晶體都有固定的晶格結(jié)構(gòu)，在晶格結(jié)構(gòu)相同或相近的物體上生長，其生長速率快，晶體結(jié)構(gòu)相對完整，沉積薄膜致密好，結(jié)合力較大；而在晶格結(jié)構(gòu)相差較大或非晶態(tài)物體上生長，其生長速率低，晶體在最初生長階段結(jié)構(gòu)不完整，沉積薄膜的致密性和結(jié)合力都較差。
由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，在用于化學(xué)氣相沉積時(shí)，由于半導(dǎo)體材料的晶格結(jié)構(gòu)與待沉積物質(zhì)(如氮化硅)的晶格結(jié)構(gòu)相近，因此在分布板內(nèi)襯3上沉積的薄膜致密性和結(jié)合力都較好，薄膜不易崩落，因而不易引起顆粒污染，大大增加了對腔室內(nèi)部和氣體分布板進(jìn)行維護(hù)的周期，且維護(hù)時(shí)僅需要更換分布板內(nèi)襯3即可，減少了維護(hù)時(shí)間。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，分布板襯板3的整個(gè)表面上均設(shè)有第一覆蓋層，即在分布板襯板3的上表面、左和右側(cè)表面、前和后側(cè)表面上也都設(shè)有第一覆蓋層,其中第一覆蓋層由第一半導(dǎo)體材料制成。在本發(fā)明的其中一個(gè)示例中，分布板襯板3由第一半導(dǎo)體材料形成，且分布板襯板3與上述第一覆蓋層一體形成。
如圖1中所示，分布板襯板3設(shè)在氣體分布板2的下表面上，其中可選地，分布板襯板3的邊緣尺寸略小于氣體分布板2的尺寸。另外，分布板襯板3上的通孔31與氣體分布板2上的分配孔21 —一對應(yīng)，以保證氣體分布的均勻性?？蛇x地，通孔31與分配孔21 的橫截面尺寸相同，以進(jìn)一步保證氣體分布的均勻性。
當(dāng)然，本發(fā)明并不限于此，在本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例中，分布板襯板3由陶瓷材料、不銹鋼或鋁例如表面硬質(zhì)陽極氧化的鋁基材料制成，而第一覆蓋層為設(shè)在分布板襯板3 的下表面上的第一半導(dǎo)體材料薄膜。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，如圖1中所示，腔室裝置100還包括腔室襯板4，腔室襯板4設(shè)在下腔室IOb的內(nèi)周壁上，例如腔室襯板4可通過金屬螺栓安裝到下腔室IOb的內(nèi)周壁上。另外，腔室襯板4的邊緣尺寸被設(shè)置成略小于下腔室IOb的內(nèi)周壁，并且在其上需要進(jìn)行必要的通孔設(shè)計(jì)以滿足不干涉下腔室IOb的內(nèi)周壁上的一些附屬結(jié)構(gòu)，如觀察窗、傳動(dòng)裝置、門等。腔室襯板4需要有一定的厚度以保證其強(qiáng)度，厚度例如可為Imm 40mm。腔室襯板4暴露到腔室內(nèi)的內(nèi)表面上設(shè)有第二覆蓋層，第二覆蓋層由第二半導(dǎo)體材料制成。 其中，第二半導(dǎo)體材料和第一半導(dǎo)體材料可相同，也可以不同。
由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，在用于化學(xué)氣相沉積時(shí)，通過在下腔室IOb 的內(nèi)周壁上設(shè)置腔室襯板4，并且在腔室襯板4上設(shè)置半導(dǎo)體覆蓋層，使得在腔室襯板4上沉積的薄膜致密性和結(jié)合力都較好，薄膜不易崩落，能夠降低設(shè)備產(chǎn)生顆粒的數(shù)量，延長維護(hù)周期，減少維護(hù)時(shí)長。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，腔室襯板4的整個(gè)表面上均設(shè)有 第二覆蓋層。其中，第二覆蓋層為設(shè)在腔室襯板4的表面上的第二半導(dǎo)體材料薄膜。在本發(fā)明的其中一個(gè)示例中，腔室襯板4由第二半導(dǎo)體材料形成，且腔室襯板4與第二覆蓋層一體形成。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，分布板襯板3和腔室襯板4的邊緣均被倒圓，以避免在等離子體環(huán)境中出現(xiàn)尖端放電現(xiàn)象。
其中，第二半導(dǎo)體材料選自多晶硅、II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，摻雜的II1-V族化合物半導(dǎo)體材料、I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料、和摻雜的I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
進(jìn)一步可選地，第一半導(dǎo)體材料選自多晶硅、II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，摻雜的 II1-V族化合物半導(dǎo)體材料、I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料、和摻雜的I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
下面參考圖2描述根據(jù)本發(fā)明另一方面實(shí)施例的基片處理設(shè)備，下面描述中仍以氮化硅化學(xué)氣相沉積設(shè)備為例進(jìn)行說明，當(dāng)然，根據(jù)本發(fā)明的基片處理設(shè)備還可以用作生產(chǎn)其他種類的沉積薄膜的用途。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備包括腔室裝置100、能量供給裝置200和載板 300，其中，腔室裝置100為上述本發(fā)明第一方面實(shí)施例中描述的腔室裝置100。如圖2所示，能量供給裝置200腔室裝置100相連用于向腔室裝置100的腔室內(nèi)供給能量。可選地， 能量供給裝置200通過加熱、射頻或微波方式將能量供給到腔室內(nèi)。載板300設(shè)在腔室裝置100的下腔室IOb內(nèi)用于承載基片400。
本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員可以理解，上述腔室裝置100的分布板襯板3和腔室襯板4的材料選擇可以根據(jù)基片處理設(shè)備的不同用途而有所不同，例如基片處理設(shè)備生產(chǎn)的沉積薄膜種類而選擇相應(yīng)的內(nèi)襯材料種類。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基片處理設(shè)備，通過在腔室中設(shè)置分布板襯板3和腔室襯板 4，并且采用與待沉積物質(zhì)的晶格結(jié)構(gòu)相近的半導(dǎo)體覆蓋層，使得在分布板內(nèi)襯3和腔室襯板4沉積的薄膜致密性和結(jié)合力都較好，，薄膜不易崩落，因而不易引起顆粒污染。大大增加了對腔室內(nèi)部和氣體分布板進(jìn)行維護(hù)的周期，且維護(hù)時(shí)僅需要更換分布板內(nèi)襯3和腔室襯板4即可，減少了對整個(gè)基片處理設(shè)備的維護(hù)時(shí)間，間接增加的設(shè)備的運(yùn)行時(shí)長，降低設(shè)備的運(yùn)行成本。
在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示意性實(shí)施例”、 “示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的 情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種腔室裝置，其特征在于，包括腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有腔室；氣體分布板，所述氣體分布板設(shè)在所述腔室內(nèi)以將所述腔室分割為上腔室和下腔室， 所述上腔室具有進(jìn)氣口且所述下腔室具有出氣口，所述氣體分布板上設(shè)有將所述上腔室和所述下腔室連通的多個(gè)分配孔；和分布板襯板，所述分布板襯板設(shè)在所述腔室內(nèi)且位于所述氣體分布板下面，所述分布板襯板上設(shè)有多個(gè)通孔，所述分布板襯板的下表面上設(shè)有第一覆蓋層，所述第一覆蓋層由第一半導(dǎo)體材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室裝置，其特征在于，所述分布板襯板的整個(gè)表面上均設(shè)有所述第一覆蓋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔室裝置，其特征在于，所述分布板襯板由所述第一半導(dǎo)體材料形成，且所述分布板襯板與所述第一覆蓋層一體形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室裝置，其特征在于，所述分布板襯板設(shè)在所述氣體分布板的下表面上且所述分布板襯板上的通孔與所述氣體分布板上的所述分配孔一一對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腔室裝置，其特征在于，所述通孔與所述分配孔的橫截面尺寸相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室裝置，其特征在于，所述分布板襯板由陶瓷、不銹鋼或鋁制成，所述第一覆蓋層為設(shè)在所述分布板襯板的下表面上的第一半導(dǎo)體材料薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的腔室裝置，其特征在于，還包括腔室襯板，所述腔室襯板設(shè)在所述下腔室的內(nèi)周壁上，所述腔室襯板暴露到所述腔室內(nèi)的內(nèi)表面上設(shè)有第二覆蓋層，所述第二覆蓋層由第二半導(dǎo)體材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腔室裝置，其特征在于，所述腔室襯板的整個(gè)表面上均設(shè)有所述第二覆蓋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腔室裝置，其特征在于，所述第二覆蓋層為設(shè)在所述腔室襯板的表面上的第二半導(dǎo)體材料薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腔室裝置，其特征在于，所述腔室襯板由所述第二半導(dǎo)體材料形成，且所述腔室襯板與所述第二覆蓋層一體形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腔室裝置，其特征在于，所述分布板襯板和腔室襯板的邊緣均被倒圓。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腔室裝置，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體材料選自多晶硅、 II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，摻雜的II1-V族化合物半導(dǎo)體材料、H-VI族化合物半導(dǎo)體材料、和摻雜的I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔室裝置，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體材料選自多晶硅、 II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，摻雜的II1-V族化合物半導(dǎo)體材料、I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料、和摻雜的I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
14.一種基片處理設(shè)備，其特征在于，包括腔室裝置，所述腔室裝置為根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的腔室裝置；能量供給裝置，所述能量供給裝置所述腔室裝置相連用于向所述腔室裝置的腔室內(nèi)供給能量；和載板，所述載板設(shè)在所述腔室裝置的下腔室內(nèi)用于承載基片。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述能量供給裝置通過加熱、 射頻或微波方式將能量供給到所述腔室內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基片處理設(shè)備，其特征在于，所述基片處理設(shè)備為化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種腔室裝置，包括限定有腔室的腔室本體；氣體分布板，所述氣體分布板設(shè)在腔室內(nèi)以將腔室分割為上腔室和下腔室，上腔室具有進(jìn)氣口且下腔室具有出氣口，氣體分布板上設(shè)有將上腔室和下腔室連通的多個(gè)分配孔；和分布板襯板，所述分布板襯板設(shè)在腔室內(nèi)且位于氣體分布板下面，分布板襯板上設(shè)有多個(gè)通孔，分布板襯板的下表面上設(shè)有由第一半導(dǎo)體材料制成的第一覆蓋層。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腔室裝置，在用于化學(xué)氣相沉積時(shí)，在分布板內(nèi)襯上沉積的薄膜致密性和結(jié)合力都較好，薄膜不易崩落，因而不易引起顆粒污染，大大增加了維護(hù)周期。本發(fā)明還公開了一種具有上述腔室裝置的基片處理設(shè)備。
文檔編號C23C16/44GK102994977SQ201110267850
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者楊盟 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司