專利名稱：一種上電極及應(yīng)用該上電極的等離子體加工設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種上電極及應(yīng)用該上電極的等離子體加工設(shè)備。
背景技術(shù)：
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,以下簡稱PECVD)技術(shù)是被廣泛用于低溫沉積高質(zhì)量薄膜的一種方法。目前工業(yè)生產(chǎn)上，大面積非晶硅薄膜太陽電池的制備主要采用大面積平行板電極PECVD設(shè)備。圖1是常用的大面積平行板電極PECVD設(shè)備。請參閱圖1，該設(shè)備包括反應(yīng)腔室1，在反應(yīng)腔室I內(nèi)部的靠上位置設(shè)置有與射頻電源2相連接的上電極13，上電極13為空腔結(jié)構(gòu)，在上電極13的 上極板靠近中心的位置設(shè)置有進(jìn)氣通道12，在其下極板上設(shè)有多個(gè)氣孔(圖中未示出)。在反應(yīng)腔室I的底部且與上電極13相對的位置設(shè)有下電極14。在工藝過程中，工藝氣體首先通過進(jìn)氣通道12進(jìn)入上電極13的空腔11內(nèi)，然后經(jīng)氣孔進(jìn)入反應(yīng)腔室I。射頻電源2通過上電極13向反應(yīng)腔室I內(nèi)部提供能量，即，射頻電源2在上電極13和下電極14之間產(chǎn)生射頻電場，通過射頻電場將工藝氣體激發(fā)形成等離子體，然后對放置于下極板14上的晶片等被加工工件進(jìn)行鍍膜。在實(shí)際生產(chǎn)過程中，由于上電極13的結(jié)構(gòu)較大，且工藝氣體僅能通過設(shè)置在上電極13中心位置的進(jìn)氣通道12進(jìn)入空腔11內(nèi)，因此工藝氣體擴(kuò)散到空腔11邊緣部分的時(shí)間較長，導(dǎo)致工藝氣體在空腔11內(nèi)的分布不均勻，這必然使工藝氣體在工藝腔室I中的分布不均勻，從而影響了 PECVD設(shè)備的加工均勻性。此外，由于駐波效應(yīng)，上述上電極13容易導(dǎo)致射頻電源2饋入反應(yīng)腔室的能量分布不均勻，從而影響上電極13和下電極14之間電場分布的均勻性，進(jìn)而導(dǎo)致薄膜沉積的不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種上電極及應(yīng)用該上電極的等離子體加工設(shè)備，其不僅能夠提高反應(yīng)腔室內(nèi)的工藝氣體的分布均勻性，而且能夠提高射頻電源饋入反應(yīng)腔室的能量分布均勻性，從而提高等離子體加工設(shè)備的加工均勻性。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種上電極，包括上極板、與所述上極板相對的下極板以及連接板，所述上極板、下極板和連接板形成空腔，在所述下極板上設(shè)置有貫穿其厚度的氣孔，其中，在所述上極板和下極板之間設(shè)有導(dǎo)體環(huán)，所述導(dǎo)體環(huán)將所述空腔分成沿其徑向方向分布的多個(gè)環(huán)形子腔室，導(dǎo)體環(huán)上有連通各環(huán)形子腔室的徑向通孔，而且在所述上極板上與每個(gè)所述環(huán)形子腔室對應(yīng)的位置設(shè)有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣通道。優(yōu)選地，所述導(dǎo)體環(huán)與所述上極板或下極板為一體結(jié)構(gòu)，即所述導(dǎo)體環(huán)為設(shè)置在所述上極板或下極板上的凸部。其中，在所述上極板和下極板之間設(shè)有多個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述多個(gè)導(dǎo)體環(huán)的中心線與所述空腔的中心線重合。
其中，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的形狀與所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀相似。其中，所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀為圓環(huán)形，對應(yīng)地，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的輪廓為圓環(huán)形。其中，所述上極板的直徑為380 420mm，所述上極板和下極板之間的距離為18 22mm，在所述空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述導(dǎo)體環(huán)的外徑尺寸為28 32mm，其內(nèi)徑尺寸為20 24mm。其中，所述上極板的直徑為480 520mm，所述上極板和下極板之間的距離為8 12mm，在所述空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述導(dǎo)體環(huán)的外徑尺寸為140 160mm，其內(nèi)徑尺寸為132 152mm。其中，所述上極板的直徑為580 620mm，所述上極板和下極板之間的距離為22 26mm，在所述空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述導(dǎo)體環(huán)的外徑為尺寸為180 200mm，其內(nèi)徑尺寸為172 192mm。其中，所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀為多邊環(huán)形，對應(yīng)地，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的形狀為多邊環(huán)形。其中，所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀為四方環(huán)形，對應(yīng)地，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的形狀為四方環(huán)形。其中，所述導(dǎo)體環(huán)采用 鋁、銅或鋁合金制作而成。本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的靠上位置設(shè)置有上電極，在所述反應(yīng)腔室的底部且與上電極相對的位置設(shè)有下電極，所述上電極采用了本發(fā)明提供的所述上電極。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明提供的上電極，其借助設(shè)置在上極板和下極板之間的導(dǎo)體環(huán)，將上電極內(nèi)的空腔分成沿其徑向方向分布的多個(gè)環(huán)形子腔室，導(dǎo)體環(huán)上有連通各環(huán)形子腔室的徑向通孔，并通過設(shè)置在上極板上與每個(gè)環(huán)形子腔室對應(yīng)位置處的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣通道，使氣體通過上述一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣通道分別進(jìn)入對應(yīng)的環(huán)形子腔室中，并在環(huán)形子腔室間流動趨于均勻，從而使氣體在空腔內(nèi)各個(gè)區(qū)域的分布趨于均衡，以提高氣體在工藝腔室中的分布均勻性，從而提高了等離子體加工設(shè)備的加工均勻性。而且，通過上述導(dǎo)體環(huán)在上極板和下極板之間的連接，使射頻電源自上極板饋入的能量能夠較為均勻地向下極板分散，從而提高了饋入能量在上電極中的分布均勻性，進(jìn)而提高了上電極和下電極之間電場分布的均勻性，提高了薄膜沉積的均勻性。本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明提供的上電極，提高了工藝氣體在工藝腔室中的均勻性，從而提高了等離子體加工設(shè)備的加工均勻性。而且，通過上述導(dǎo)體環(huán)在上極板和下極板之間的連接，使射頻電源自上極板饋入的能量能夠較為均勻地向下極板分散，從而使上電極和下電極之間電場分布的均勻，進(jìn)而提高薄膜沉積的均勻性。


圖1為常用的大面積平行板電極PECVD設(shè)備；圖2a為本發(fā)明提供的上電極正視剖面圖2b為本發(fā)明提供的上電極俯視剖面圖；圖3a為直徑為400mm的上電極設(shè)置導(dǎo)體環(huán)前后的電場分布均勻性的曲線對比圖；圖3b為直徑為500mm的上電極設(shè)置導(dǎo)體環(huán)前后的電場分布均勻性的曲線對比圖；圖3c為直徑為600mm的上電極設(shè)置導(dǎo)體環(huán)前后的電場分布均勻性的曲線對比圖；以及圖4為本發(fā)明提供的方形上電極的俯視剖面圖。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的上電極及等離子體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)闡明。圖2a為本發(fā)明提供的上電極正視剖面圖。圖2b為本發(fā)明提供的上電極俯視剖面圖。請一并參閱圖2a和圖2b，本實(shí)施例提供的上電極，包括上極板30、下極板33以及連接板35，其中，上極板30與下極板33相對設(shè)置，且其在上電極所在平面上投影的形狀為圓形；連接板35設(shè)置在上極板30和下極板33之間且靠近上極板30和下極板33的邊緣位置處，用以連接上極板30和下極板33。上極板30、下極板33以及連接板35形成一空腔。連接板35在上電極所在平面上投影的形狀為圓環(huán)形。在上極板30上設(shè)有向空腔內(nèi)通入氣體的進(jìn)氣通道31，在下極板30上設(shè)置有貫穿其厚度的氣孔34，氣孔34均勻分布在下極板30上，空腔內(nèi)的氣體自氣孔34噴出。在空腔內(nèi)上極板30和下極板33之間設(shè)置有一個(gè)導(dǎo)體環(huán)40，其采用鋁、銅或鋁合金等導(dǎo)體材料制作而成。導(dǎo)體環(huán)40在上電極所在平面上的投影的形狀與連接板35在上電極所在平面上的投影的形狀相似，即導(dǎo)體環(huán)40在上電極所在平面上的投影的形狀為圓環(huán)形，并且導(dǎo)體環(huán)40的中心線與空腔的中心線重合。并且，導(dǎo)體環(huán)40分別與上極板30和下極板33連接，一方面可以使自上極板30饋入的饋入能量能夠較均勻地向下極板33分散，從而可以使饋入能量在上電極中均勻分布，進(jìn)而可以提高上電極和下電極之間電場分布的均勻性，提高薄膜沉積的均勻性。另一方面，導(dǎo)體環(huán)40將空腔分成沿其徑向方向分布的第一環(huán)形子腔室5和第二環(huán)形子腔室6，且各環(huán)形子腔室間通過導(dǎo)體環(huán)上的徑向通孔41保持連接。在上極板30上分別與第一環(huán)形子腔室5和第二環(huán)形子腔室6對應(yīng)的位置處設(shè)有多個(gè)進(jìn)氣通道31，氣體通過多個(gè)進(jìn)氣通道31分別進(jìn)入第一環(huán)形子腔室5和第二環(huán)形子腔室6中。由于氣體由不同的進(jìn)氣通道31進(jìn)入第一環(huán)形子腔室5 (空腔中心區(qū)域)和第二環(huán)形子腔室6 (空腔邊緣區(qū)域)，這有利于對進(jìn)入到空腔內(nèi)各個(gè)區(qū)域的氣體進(jìn)行控制，使氣體在空腔內(nèi)的各個(gè)區(qū)域的分布趨于均勻，從而提高氣體在空腔內(nèi)的分布均勻性，這又使得氣體能夠均勻地自設(shè)置在下極板33上的氣孔34噴出。需要說明的是，在本實(shí)施例中，在上極板30和下極板33之間設(shè)置了一個(gè)導(dǎo)體環(huán)40，但在實(shí)際應(yīng)用中，還可在上極板30和下極板33之間設(shè)置多個(gè)導(dǎo)體環(huán)40，且多個(gè)導(dǎo)體環(huán)40的中心線與空腔的中心線重合，從而將空腔分隔成更多個(gè)環(huán)形子腔室。還需要說明的是，在本實(shí)施例中，導(dǎo)體環(huán)40為分別與上極板30和下極板33相互獨(dú)立的分體結(jié)構(gòu)，但在實(shí)際應(yīng)用中并不局限于此，導(dǎo)體環(huán)40還可以為與上極板30或下極板33連為一體的一體結(jié)構(gòu)，即在上極板30或下極板33上設(shè)有與其連接為一體的凸部，并通過凸部與下極板33或上極板30連接，借助凸部將上極板30和下極板33之間的空腔分隔為多個(gè)環(huán)形子腔室，這同樣能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的。另外，一體結(jié)構(gòu)凸部不僅能夠使導(dǎo)體環(huán)40與上電極的連接更加穩(wěn)固，從而提高上電極結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，而且可以減少上電極的加工工序，提高加工上電極的效率。還需要說明的是，在本實(shí)施例中，連接板35在上電極所在平面上的投影的形狀為圓環(huán)形，對應(yīng)的，導(dǎo)體環(huán)40在上電極所在平面上投影的形狀為圓環(huán)形。在實(shí)際應(yīng)用中，連接板35在上電極所在平面上的投影的形狀與上電極在其平面上的投影的形狀對應(yīng)，而導(dǎo)體環(huán)40在上電極所在平面上投影的形狀與連接板35在上電極所在平面上的投影的形狀對應(yīng)。例如，如果上電極在其所在平面上的投影的形狀為橢圓環(huán)形、多邊環(huán)形等其它形狀時(shí)，連接板35和導(dǎo)體環(huán)40在上電極所在平面上投影的形狀也對應(yīng)地為橢圓環(huán)形、多邊環(huán)形。事實(shí)上，導(dǎo)體環(huán)40在上電極所在平面上投影的形狀只需與連接板35在上電極所在平面上的投影的形狀相同或相似即可。例如，圖4為本發(fā)明提供的方形上電極的俯視剖面圖。如圖4所示，連接板7在上電極所在平面上投影的形狀為四方形，對應(yīng)的，導(dǎo)體環(huán)8在上電極所在平面上投影的形狀為四方環(huán)形。優(yōu)選地，導(dǎo)體環(huán)8的四個(gè)環(huán)壁平行于對應(yīng)的連接板7的四個(gè)環(huán)壁。另外，導(dǎo)體環(huán)40的數(shù)量、尺寸、環(huán)間距離等參數(shù)是決定上、下電極之間電場分布的均勻性的重要參數(shù)，需要根據(jù)上電極的尺寸來確定。本實(shí)施例提供三組導(dǎo)體環(huán)40的參數(shù)，并對三組導(dǎo)體環(huán)前后的上、下電極板之間的電場分布的均勻性分別進(jìn)行了對比。具體如下第一組導(dǎo)體環(huán)參數(shù)當(dāng)上電極在其所在平`面上投影的形狀為圓形，且上極板的直徑為380 420mm時(shí)，上極板和下極板之間的距離為18 22mm，在空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)導(dǎo)體環(huán)，且導(dǎo)體環(huán)的外徑尺寸為28 32_，其內(nèi)徑尺寸為20 24_。圖3a為直徑為400mm的上電極設(shè)置導(dǎo)體環(huán)前后的電場分布均勻性的曲線對比圖。在圖3a中，橫坐標(biāo)為射頻電源向上電極饋入的激發(fā)頻率(單位為MHz);縱坐標(biāo)為上、下電極之間電場分布的不均勻性系數(shù)。曲線上節(jié)點(diǎn)為空心圓形的第一曲線為在空腔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)體環(huán)前的上、下電極之間電場分布的不均勻性；曲線上節(jié)點(diǎn)為星形的第二曲線為在空腔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)體環(huán)后的上、下電極之間電場分布的不均勻性。從圖3a中可以看出，在激發(fā)頻率為13. 6 100. OMHz的范圍內(nèi)，第一曲線的上、下電極之間電場分布的不均勻性系數(shù)的范圍在O. 045 O. 055，第二曲線的上、下電極之間電場分布的不均勻性系數(shù)的范圍在O. 022 O. 032。由此可知，第二曲線上的點(diǎn)均位于對應(yīng)的與之激發(fā)頻率相同的第一曲線上的點(diǎn)的下方，即在激發(fā)頻率相同時(shí)，在空腔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)體環(huán)后的上、下電極之間電場分布的不均勻性有了明顯的降低。第二組導(dǎo)體環(huán)參數(shù)當(dāng)上電極在其所在平面上投影的形狀為圓形，且上極板的直徑為480 520mm時(shí)，上極板和下極板之間的距離為8 12mm，在空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)導(dǎo)體環(huán)，且導(dǎo)體環(huán)的外徑尺寸為140 160mm，其內(nèi)徑尺寸為132 152mm。圖3b為直徑為500mm的上電極設(shè)置導(dǎo)體環(huán)前后的電場分布均勻性的曲線對比圖。在圖3b中，曲線的橫、縱坐標(biāo)以及第一曲線和第二曲線所表示的含義與圖3a相同，在此不再贅述。從圖3b中可以看出，在激發(fā)頻率為13. 6 100. OMHz的范圍內(nèi)，第一曲線的上、下電極之間電場分布的不均勻性系數(shù)的范圍在O. 018 O. 035，第二曲線的上、下電極之間電場分布的不均勻性系數(shù)的范圍在O. 011 O. 032。由此可知，第二曲線上的點(diǎn)均位于對應(yīng)的與之激發(fā)頻率相同的第一曲線上的點(diǎn)的下方，即在激發(fā)頻率相同時(shí)，在空腔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)體環(huán)后的上、下電極之間電場分布的不均勻性有了明顯的降低。第三組導(dǎo)體環(huán)參數(shù)當(dāng)上電極在其所在平面上投影的形狀為圓形，且上極板的直徑為580 620mm時(shí)，上極板和下極板之間的距離為22 26mm，在空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)導(dǎo)體環(huán)，且導(dǎo)體環(huán)的外徑為尺寸為180 200mm，其內(nèi)徑尺寸為172 192mm。圖3c為直徑為600mm的上電極設(shè)置導(dǎo)體環(huán)前后的電場分布均勻性的曲線對比圖。在圖3c中，曲線的橫、縱坐標(biāo)以及第一曲線和第二曲線所表示的含義與圖3a相同，在此不再贅述。從圖3c中可以看出，在激發(fā)頻率為13. 6 100. OMHz的范圍內(nèi)，第一曲線的上、下電極之間電場分布的不均勻性系數(shù)的范圍在O. 068 O. 105，第二曲線的上、下電極之間電場分布的不均勻性系數(shù)的范圍在O. 0028 O. 058。由此可知，第二曲線上的點(diǎn)均位于對應(yīng)的與之激發(fā)頻率相同的第一曲線上的點(diǎn)的下方，即在激發(fā)頻率相同時(shí)，在空腔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)體環(huán)后的上、下電極之間電場分布的不均勻性有了明顯的降低。綜上所述，本實(shí)施例提供的上電極，其借助設(shè)置在上極板和下極板之間的導(dǎo)體環(huán)，將上電極內(nèi)的空腔分成沿其徑向方向分布的多個(gè)環(huán)形子腔室，導(dǎo)體環(huán)上有連通各環(huán)形子腔室的徑向通孔，并通過設(shè)置在上極板上與每個(gè)環(huán)形子腔室對應(yīng)位置處的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣通道，使氣體在空腔內(nèi)各個(gè)區(qū)域的分布趨于均衡，這提高了氣體在工藝腔室中的分布均勻性，從而提高了等離子體加工設(shè)備的加工均勻性。而且，通過上述導(dǎo)體環(huán)在上極板和下極板之間的連接，提高了饋入能量 在上電極中的分布均勻性，從而提高了上電極和下電極之間電場分布的均勻性，進(jìn)而提高了薄膜沉積的均勻性。本實(shí)施例還提供了一種等離子體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，在反應(yīng)腔室內(nèi)部的靠上位置設(shè)置有上電極，在反應(yīng)腔室的底部且與上電極相對的位置設(shè)有下電極，上電極與射頻電源連接，用于在上電極和下電極之間產(chǎn)生射頻電場，以激發(fā)工藝氣體而形成等離子體，從而對放置于下極板上的晶片等被加工工件進(jìn)行鍍膜。本實(shí)施例中，上電極采用上述實(shí)施例提供的上電極。本實(shí)施例提供的等離子體加工設(shè)備，由于采用了上述實(shí)施例提供的上電極，不僅可以提高氣體在工藝腔室中均勻性，從而可以提高等離子體加工設(shè)備的加工均勻性；而且，可以使上電極和下電極之間電場分布的均勻，從而可以提高薄膜沉積的均勻性。可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種上電極，包括上極板、與所述上極板相對的下極板以及連接板，所述上極板、下極板和連接板形成空腔，在所述下極板上設(shè)置有貫穿其厚度的氣孔，其特征在于，在所述上極板和下極板之間設(shè)有導(dǎo)體環(huán)，所述導(dǎo)體環(huán)將所述空腔分成沿其徑向方向分布的多個(gè)環(huán)形子腔室，導(dǎo)體環(huán)上有連通各環(huán)形子腔室的徑向通孔，而且在所述上極板上與每個(gè)所述環(huán)形子腔室對應(yīng)的位置設(shè)有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極，其特征在于，所述導(dǎo)體環(huán)與所述上極板或下極板為一體結(jié)構(gòu)，即所述導(dǎo)體環(huán)為設(shè)置在所述上極板或下極板上的凸部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極，其特征在于，在所述上極板和下極板之間設(shè)有多個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述多個(gè)導(dǎo)體環(huán)的中心線與所述空腔的中心線重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極，其特征在于，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的形狀與所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀相似。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的上電極，其特征在于，所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀為圓環(huán)形，對應(yīng)地，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的輪廓為圓環(huán)形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的上電極，其特征在于，所述上極板的直徑為380 420mm，所述上極板和下極板之間的距離為18 22mm，在所述空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述導(dǎo)體環(huán)的外徑尺寸為28 32mm，其內(nèi)徑尺寸為20 24mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的上電極，其特征在于，所述上極板的直徑為480 520mm，所述上極板和下極板之間的距離為8 12mm，在所述空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述導(dǎo)體環(huán)的外徑尺寸為140 160mm，其內(nèi)徑尺寸為132 152mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的上電極,其特征在于,所述上極板的直徑為580 620mm,所述上極板和下極板之間的距離為22 26mm，在所述空腔內(nèi)設(shè)有一個(gè)所述導(dǎo)體環(huán)，且所述導(dǎo)體環(huán)的外徑為尺寸為180 200mm，其內(nèi)徑尺寸為172 192mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的上電極，其特征在于，所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀為多邊環(huán)形，對應(yīng)地，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的形狀為多邊環(huán)形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的上電極，其特征在于，所述連接板在上電極所在平面上的投影的形狀為四方環(huán)形，對應(yīng)地，所述導(dǎo)體環(huán)在上電極所在平面上的投影的形狀為四方環(huán)形。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極，其特征在于，所述導(dǎo)體環(huán)采用鋁、銅或鋁合金制作而成
12.—種等離子體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的靠上位置設(shè)置有上電極，在所述反應(yīng)腔室的底部且與上電極相對的位置設(shè)有下電極，其特征在于，所述上電極采用權(quán)利要求1-11中任意一項(xiàng)所述的上電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種上電極及應(yīng)用該上電極的等離子體加工設(shè)備，所述上電極包括上極板、與所述上極板相對的下極板以及連接板，所述上極板、下極板和連接板形成空腔，在所述下極板上設(shè)置有貫穿其厚度的氣孔，其中，在所述上極板和下極板之間設(shè)有導(dǎo)體環(huán)，所述導(dǎo)體環(huán)將所述空腔分成沿其徑向方向分布的多個(gè)環(huán)形子腔室，導(dǎo)體環(huán)上有連通各環(huán)形子腔室的徑向通孔，而且在所述上極板上與每個(gè)所述環(huán)形子腔室對應(yīng)的位置設(shè)有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣通道。該上電極不僅能夠提高反應(yīng)腔室內(nèi)的工藝氣體的分布均勻性，而且能夠提高射頻電源饋入反應(yīng)腔室的能量分布均勻性，從而提高等離子體加工設(shè)備的加工均勻性。
文檔編號C23C16/505GK103031543SQ20111030333
公開日2013年4月10日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者王鍇, 韋剛 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司