專利名稱：基于咪唑鹽離子液體的化學鍍銀溶液及鍍銀方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種化學鍍銀溶液及鍍銀方法，特別是一種基于咪唑鹽離子液體的化學鍍銀溶液及鍍銀方法。
背景技術(shù)：
由于銀具有良好的可焊、耐候和導電等優(yōu)點，所以采用化學鍍銀來對銅基材的保護法已被印制電路板行業(yè)廣泛使用。目前，常用的銅基化學鍍銀有兩種方法第一種是自催化化學鍍銀法。此法由于需要使用還原劑而使得化學鍍銀溶液液處于亞穩(wěn)狀態(tài)、極不穩(wěn)定， 并且要求金屬化基底表面有金屬敏化層(常用的是Pd/Sn敏化層)，使得生產(chǎn)成本大大提高，進而阻礙其在工業(yè)生產(chǎn)上的廣泛應用。同時，為了增加鍍銀液的穩(wěn)定性，有些化學鍍銀溶液中添加氰化鉀作為絡(luò)合劑，眾所周知，氰化鉀為劇毒物質(zhì)，無論是在使用上還是在環(huán)境保護上都存在很多問題。第二種方法是置換化學鍍銀法，此法利用銅與銀的金屬活潑性不同，直接以銅作為還原劑，通過銅與銀離子的置換反應，實現(xiàn)銅表面鍍銀的目的。對于置換法鍍銀，常常使用硝酸銀作為銀源，硝酸銀的水溶液鍍液極不穩(wěn)定，往往需要現(xiàn)配現(xiàn)用。同時，銅基置換法的鍍銀溶液通常需要使用濃度較高的硝酸，在進行鍍銀的同時也會腐蝕銅基底，對后期焊接產(chǎn)生不利影響，這對于集成度越來越高、尺寸越來越小的電子器件行業(yè)來說是不可接受的。為了改善上述不足，谷長棟等人發(fā)明了以氯化膽堿基離子液體作為溶劑在銅基材表面鍍多孔納米銀的鍍液(申請?zhí)?01010231683. 3)，但是，該鍍液的溶劑由氯化膽堿基離子液體和乙二醇混配而成，在這樣無水的鍍液環(huán)境下，與化學鍍銀的工藝匹配略顯不足。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種與現(xiàn)行化學鍍銀工藝相匹配、低成本、綠色化的銅、鎳或鎳-磷合金等基材表面的化學鍍銀液的配方，施鍍后的基材具有較高的耐腐蝕性和可焊性，足以滿足印制電路板和接插件表面處理的要求。實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是化學鍍銀溶液由氯化咪唑鹽離子液體、銀鹽和水構(gòu)成。氯化咪唑鹽離子液體與水的構(gòu)成比例為氯化咪唑鹽離子液體水(體積比)= 1:9-9: 1，即氯化咪唑鹽離子液體的體積百分含量為10%-90%，銀鹽的濃度范圍為
O.001-0. lmol/L。由于氯化咪唑鹽離子液體與銀離子可形成非常穩(wěn)定的絡(luò)合物，所以本發(fā)明的化學鍍銀溶液無需添加氰化物且非常的穩(wěn)定。本發(fā)明化學鍍銀溶液中的氯化咪唑鹽離子液體的結(jié)構(gòu)式如下
權(quán)利要求
1.一種適用于銅、鎳和鎳-磷合金為基材的化學鍍銀溶液，其特征在于由氯化咪唑鹽離子液體、銀鹽和水組成。
2.權(quán)利要求I所述的化學鍍銀溶液，其特征在于氯化咪唑鹽離子液體的體積百分含量為10% _90%，銀鹽的濃度范圍為O. 001-0. lmol/L。
3.權(quán)利要求I所述的化學鍍銀溶液，其特征在于氯化咪唑鹽離子液體的體積百分含量為30% _80%，銀鹽的濃度范圍為O. 01-0. 05mol/L。
4.權(quán)利要求1所訴I所述的化學鍍銀溶液，其特征在于氯化咪唑鹽離子液體的結(jié)構(gòu)式通式
5.權(quán)利要求I所述的化學鍍銀溶液，其特征在于銀鹽為氯化銀、硫酸銀、硝酸銀和乙酸銀中的一種或兩種的混合物。
6.一種采用如權(quán)利要求1-4任一項所述的化學鍍銀溶液在銅、鎳或鎳-磷合金基材上鍍銀的方法其特征在于將待鍍銀板置于50-70°C的脫脂溶液中，5-10min后水洗；再置于室溫下的微蝕溶液中，l_3min后水洗，以去除待鍍銀板表面的氧化膜；最后，將經(jīng)過前處理的待鍍銀板置于20-60°C的化學鍍銀溶液中I-IOmin后水洗，并立即去除表面水跡。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于咪唑鹽離子液體體系的化學鍍銀溶液，化學鍍銀溶液的構(gòu)成為氯化咪唑鹽離子液體、銀鹽和水。氯化咪唑鹽離子液體與水的構(gòu)成比例為氯化咪唑鹽離子液體∶水(體積比)＝1∶9-9∶1，即氯化咪唑鹽離子液體的體積百分含量為10％-90％，銀鹽的濃度范圍為0.001-0.1mol/L。由于氯化咪唑鹽離子液體與銀離子可以形成非常穩(wěn)定的絡(luò)合物，所以本發(fā)明的化學鍍銀溶液無需添加氰化物且非常的穩(wěn)定，故此，該化學鍍銀溶液對環(huán)境非常友好，同時也消除了現(xiàn)場生產(chǎn)所帶來的安全隱患。
文檔編號C23C18/44GK102605360SQ201110309598
公開日2012年7月25日 申請日期2011年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月12日
發(fā)明者周陽, 王文昌, 王鈺蓉, 陳智棟 申請人:常州大學, 常州江工闊智電子技術(shù)有限公司