專(zhuān)利名稱(chēng)：一種用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及原子層沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法。
背景技術(shù)：
原子層沉積(ALD)技術(shù)從化學(xué)氣相沉積(CVD)沉積方法演變而來(lái)。而由于其獨(dú)特的沉積方式(單原子逐層沉積)使得制備的薄膜在均一性、粗糙度等性能方面有了很大的改進(jìn)，除生長(zhǎng)速率低于CVD和物理氣相沉積(PVD)方法外，其它性能都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于它們。ALD 取代CVD和PVD是一種發(fā)展趨勢(shì)。低溫生長(zhǎng)是ALD的一個(gè)顯著特點(diǎn)，這一特點(diǎn)能大大減少能量和前軀體的消耗。到目前為止，ALD生長(zhǎng)技術(shù)仍有很大的可改進(jìn)性，因?yàn)椴⒉皇撬械腃VD/PVD前軀體都能在ALD技術(shù)上適用，比如甲烷、二氧化碳等穩(wěn)定性物質(zhì)需要高溫分解，另一些物質(zhì)如重氮甲烷等危險(xiǎn)性較大，則需要兩種物質(zhì)現(xiàn)場(chǎng)制備獲得，這些都限制了 ALD的運(yùn)用。因此， 為了使ALD最大限度的發(fā)揮其生長(zhǎng)特性，需要對(duì)現(xiàn)有設(shè)備做一些改進(jìn)來(lái)適合常用前軀體的活化分解要求(除高溫外)，比如通過(guò)增加光照來(lái)提供能量使前軀體活化以利于分解或增加催化劑來(lái)活化前軀體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，使用該方法可以實(shí)現(xiàn)較多種前軀體源的活化并達(dá)到在襯底上進(jìn)行吸附的目的。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，所述進(jìn)氣方法為裝有不同前驅(qū)體的各個(gè)源瓶之間的氣路為并行的。上述方案中，所述前軀體是通過(guò)載氣運(yùn)輸?shù)姆绞捷斔偷皆訉映练e設(shè)備反應(yīng)腔室。上述方案中，所述各個(gè)源瓶的載氣流量分別通過(guò)流量計(jì)控制。上述方案中，所述載氣流量為Isccm-lOOsccm。上述方案中，所述氣路的管壁的加熱溫度低于原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔室溫度
rc -100°c。 上述方案中，所述載氣為氬氣或氦氣。與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本發(fā)明采用的技術(shù)方案產(chǎn)生的有益效果如下本發(fā)明在滿足ALD沉積方式的同時(shí)，增加適合用ALD設(shè)備沉積薄膜的前軀體的數(shù)量，能夠?qū)崿F(xiàn)較多種前軀體源的活化并達(dá)到在襯底上進(jìn)行吸附的目的。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中串行ALD進(jìn)氣方式示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的并行ALD進(jìn)氣方式示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖1所示，本發(fā)明提供一種用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，可以實(shí)現(xiàn)多種前驅(qū)體源的活化，具體為使裝有不同前驅(qū)體的各個(gè)源瓶之間的氣路為并行的，前軀體是通過(guò)載氣運(yùn)輸?shù)姆绞捷斔偷皆訉映练e設(shè)備反應(yīng)腔室，載氣為氬氣或氦氣，載氣流量為 Isccm-lOOsccm，較小的載氣流量保證前軀體能充分混合均勻，有利于反應(yīng)的進(jìn)行，各個(gè)源瓶的載氣流量分別通過(guò)流量計(jì)控制。各個(gè)氣路在保證前軀體為氣態(tài)的情況下，氣路的管壁的加熱溫度應(yīng)低于原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔室溫度rc -100°C。實(shí)施例1 本實(shí)施例提供一種通過(guò)ALD并行氣路生成重氮甲烷進(jìn)行碳化學(xué)吸附的方法，包括如下步驟(1)把碳化鎢(0001)襯底表面用氫氣處理20分鐘，使表面形成C-H鍵；(2)兩個(gè)源瓶中分別裝入10ml_50ml的N-甲基_N_亞硝基脲和氫氧化鈉堿溶液；(3)載氣流量為20SCCm，調(diào)節(jié)使通過(guò)N-甲基_N_亞硝基脲的流量為kccm，通過(guò)氫氧化鈉堿溶液的流量為Ksccm，發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)式為
權(quán)利要求
1.一種用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，其特征在于，所述進(jìn)氣方法為裝有不同前驅(qū)體的各個(gè)源瓶之間的氣路為并行的。
2.如權(quán)利要求1所述的用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，其特征在于，所述前軀體是通過(guò)載氣運(yùn)輸?shù)姆绞捷斔偷皆訉映练e設(shè)備反應(yīng)腔室。
3.如權(quán)利要求2所述的用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，其特征在于，所述載氣流量為 lsccm_100sccmo
4.如權(quán)利要求2所述的用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，其特征在于，所述各個(gè)源瓶的載氣流量分別通過(guò)流量計(jì)控制。
5.如權(quán)利要求2所述的用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，其特征在于，所述載氣為氬氣或氦氣。
6.如權(quán)利要求1所述的用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法，其特征在于，所述氣路的管壁的加熱溫度低于原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔室溫度rc -100°c。
全文摘要
本發(fā)明涉及原子層沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于原子層沉積設(shè)備的進(jìn)氣方法。所述進(jìn)氣方法為裝有不同前驅(qū)體的各個(gè)源瓶之間的氣路為并行的。本發(fā)明在滿足ALD沉積方式的同時(shí)，增加適合用ALD設(shè)備沉積薄膜的前軀體的數(shù)量，能夠?qū)崿F(xiàn)較多種前軀體源的活化并達(dá)到在襯底上進(jìn)行吸附的目的。
文檔編號(hào)C23C16/455GK102352491SQ20111033968
公開(kāi)日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2011年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月1日
發(fā)明者萬(wàn)軍, 劉鍵, 夏洋, 李勇滔, 李超波, 江瑩冰, 石莎莉, 趙珂杰, 陳波, 陶曉俊, 饒志鵬, 黃成強(qiáng) 申請(qǐng)人:嘉興科民電子設(shè)備技術(shù)有限公司