專利名稱：一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空磁控濺射鍍AR膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種具有可調(diào)節(jié)、分離式磁靴的磁控濺射靶。
背景技術(shù)：
AR膜，又稱高透光率防反射膜，主要功能是增加貼膜的透光率，抗眩光和防紫外線的，是使用磁控濺射技術(shù)在基片上鍍五氧化二鈮Nb2O5和二氧化硅SiA光學(xué)膜層，光學(xué)膜層產(chǎn)生干涉效果來消除入射光和反射光，從而提高透過率的，這就要求相關(guān)膜層的均勻性非常高，由于有邊緣繞鍍等粒子效應(yīng)的存在，就會造成中間部分顏色與邊緣部分顏色的差異， 尤其是在做大面積玻璃AR的時候尤為明顯，時常碰到中心顏色與邊緣顏色偏差很大。而色差問題是AR膜質(zhì)量的重要評判標準。所以如何解決好大面積濺射鍍AR膜也成為一個難點。為了解決均勻性問題，常用多靶位互補的方法，但是在需要增大產(chǎn)能的時候Si02 的厚度成為嚴重的制約因素，因為SiA需要鍍120個納米左右要占用大量的靶位，而高折射率的材料如Nb2O5只需鍍15納米，只需要一對靶位就能達到需要的膜厚。這樣就可以把原來鍍金屬鈮的靶位改換成多晶硅靶就能增加鍍S^2膜層得速度，從而提高產(chǎn)能，而且硅靶通過靶間的互補，均勻性相對比較容易調(diào)節(jié)。在Nb2O5靶位少的情況下如何解決好氧化鈮層得均勻性就成為難點了。這里提出一種用分離式磁靴的方法解決膜厚均勻性問題，達到提高產(chǎn)能的目的。為了使Nb2O5成膜更均勻，常用的方法有改變布氣和磁場的不均勻排放來構(gòu)成，但是在生產(chǎn)過程中布氣相對來說比較不易調(diào)節(jié)，而且相比調(diào)節(jié)磁場效果沒有那么明顯。而這只能掌握在少數(shù)經(jīng)驗極其豐富的專家手中。在大面積AR生產(chǎn)過程中我們經(jīng)常碰到中間顏色偏黃，但是邊緣已經(jīng)發(fā)藍，此時單調(diào)二氧化硅均勻性對色差沒有效果(這是因為五氧化二妮的均勻性較差，光學(xué)膜層產(chǎn)生的干涉效果不一致)，所以在調(diào)節(jié)磁場時邊緣磁場跟著加強或減弱，無法形成很好的環(huán)形磁場束縛電子，使靶穩(wěn)定的工作。這就需要我們能夠在濺射鍍 AR膜時單方面增強中間磁場，而不改變邊緣磁場。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服以上現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點提出的，其所解決的技術(shù)問題是提供一種能使邊緣磁場不變，單方面增強中間磁場，具有可調(diào)節(jié)、分離式磁靴的磁控濺射靶。為此，本發(fā)明提供了一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶，包括有陰極座5、磁靴(1、2、 3 )、磁靴連接塊4，磁靴(1、2、3 )裝在陰極座5上，磁靴連接塊4連接著磁靴(1、2 )以及磁靴 (2、3)，其特征在于磁靴(1、2、3)分離三段并排，中間一段為可調(diào)節(jié)磁靴2。所述分段磁靴(1、2、3)上裝有分段磁鐵6、均勻磁條7，磁靴(1、3)固定在陰極座上 5，磁靴連接塊4 一端固定在磁靴(1、3)上、一端與磁靴2相連。所述磁靴2與磁靴連接塊4的連接處有螺孔41并裝有螺釘42，螺釘42深淺進出螺孔41從而推動磁靴2實現(xiàn)調(diào)節(jié)磁場，兩頭邊緣的磁場不會跟著變。
本發(fā)明有益效果是通過將磁靴分段，調(diào)進螺釘42從而調(diào)動中間磁靴，可以增強中間磁場強度，整體雖然形成一個新的不規(guī)則環(huán)形磁場但不會減小兩端的磁場強度，這樣兩端的磁場強度不至于太弱了而無法束縛電子，使得濺射不穩(wěn)定。使Nb2O5膜層的均勻性很好，調(diào)節(jié)方便；同時能夠在少靶位的情況下使用一對Nb2O5靶位，而把原來的部分Nb2O5靶位換成多晶硅靶位，從而提高生產(chǎn)效率，增大產(chǎn)能。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細的說明。圖1為現(xiàn)有技術(shù)鍍AR膜平面磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)磁靴的橫截面圖。圖3為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明可調(diào)節(jié)磁靴的橫截面圖。圖中，1、2、3為磁靴、4為磁靴連接塊、5為陰極座、為磁鐵、7為均勻磁條、41為螺孔、42為螺釘、11為現(xiàn)有技術(shù)中的磁靴。
具體實施例方式附圖中展示的，只是涉及與本發(fā)明改進相關(guān)的平面磁控濺射靶部位，平面磁控濺射靶其它部位在此省略。如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)鍍AR膜平面磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)示意圖。現(xiàn)有技術(shù)的磁靴11為一整體。圖2為現(xiàn)有技術(shù)磁靴的橫截面圖。磁鐵6、均勻磁條7和磁靴11組成一個整體磁場。磁場的強度的調(diào)節(jié)會改變影響邊緣磁場。將現(xiàn)有技術(shù)中的磁靴11分為段，把中間一段設(shè)為可調(diào)就成本發(fā)明的方案，如圖3、 4所示，一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶，包括有陰極座5、磁靴(1、2、3)、磁靴連接塊4，磁靴 (1、2、3)裝在陰極座5上，磁靴連接塊4連接著磁靴(1、2)以及磁靴(2、3)，磁靴(1、2、3)分離三段并排，中間一段為可調(diào)節(jié)磁靴2。所述分段磁靴(1、2、3)上裝有分段磁鐵6、均勻磁條7，磁靴(1、3)固定在陰極座上 5，磁靴連接塊4 一端固定在磁靴(1、3)上、一端與磁靴2相連。所述磁靴2與磁靴連接塊4的連接處有螺孔41并裝有螺釘42，螺釘42深淺進出螺孔41從而推動磁靴2實現(xiàn)調(diào)節(jié)磁場，兩頭邊緣的磁場不會跟著變。生產(chǎn)過程中為了使Nb2O5成膜更均勻需要增強中間磁場強度，只需要將磁靴連接塊4上的螺釘42往螺孔41里擰從而把中間磁靴2往靶材外面推，磁場增強，解決大面積濺射鍍AR膜均勻性問題，濺射鍍AR膜層的中心顏色與邊緣顏色偏差較小。以上實施例顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶，包括有陰極座(5)、磁靴(1、2、3)、磁靴連接塊(4)， 磁靴(1、2、3)裝在陰極座(5)上，磁靴連接塊(4)連接著磁靴(1、2)以及磁靴(2、3)，其特征在于磁靴(1、2、3)分離三段并排，中間一段為可調(diào)節(jié)磁靴(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶，其特征在于所述分段磁靴 (1、2、3)上裝有分段磁鐵(6)、均勻磁條(7)，磁靴(1、3)固定在陰極座上(5)，磁靴連接塊 (4) 一端固定在磁靴(1、3)上、一端與磁靴(2)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶，其特征在于所述磁靴(2)與磁靴連接塊(4)的連接處有螺孔(41)并裝有螺釘(42)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可調(diào)節(jié)磁靴的磁控濺射靶，包括有陰極座、磁靴、磁靴連接塊，磁靴裝在陰極座上，磁靴連接塊連接著分離磁靴，其特征在于磁靴分離三段并排，中間一段為可調(diào)節(jié)磁靴。本發(fā)明由于磁靴分離式可調(diào)結(jié)構(gòu)，調(diào)動中間磁靴可以增強中間磁場強度，不會減小兩端的磁場強度，解決鍍膜厚度均勻性問題；同時能夠在鍍AR膜時，少靶位的情況下使用一對Nb2O5靶位，而把原來的部分Nb2O5靶位換成多晶硅靶位提高生產(chǎn)效率，增大產(chǎn)能。
文檔編號C23C14/35GK102352486SQ201110362599
公開日2012年2月15日 申請日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者周學(xué)卿, 鄒定嵩 申請人:東莞市潤華光電有限公司