專利名稱：真空鍍不導(dǎo)電膜的方法
真空鍍不導(dǎo)電膜的方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空鍍膜的方法，尤其涉及一種真空鍍不導(dǎo)電膜的方法。背景技術(shù)：
目前，鍍膜裝飾玻璃在家電等產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用，特別的操作面板、顯示狀態(tài)面板、遙控接收面板等得到了大量的應(yīng)用，而傳統(tǒng)的玻璃裝飾膜為導(dǎo)電膜，用在觸摸或遙控開關(guān)時，因為導(dǎo)電膜屏蔽信號或連通觸摸點而無法使用，為了解決該問題，只能將導(dǎo)電膜局部蝕刻、退鍍，破壞了膜的完整性，美觀性喪失了裝飾性的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中玻璃上只能鍍導(dǎo)電膜的不足提供一種在玻璃上真空鍍不導(dǎo)電膜的方法。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，包括以下步驟
(1)提供玻璃基材；
(2)將玻璃基材進行前處理，以使玻璃基材的表面清潔；
(3)將經(jīng)前處理的玻璃基材裝載在基片架上，由傳動系統(tǒng)將基片架輸入真空室；
(4)在真空室內(nèi)設(shè)有膜料或靶材，加熱膜料或轟擊靶材，使膜料或靶材沉積在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度10nm-2000nm，薄膜的電阻大于IM Ω ；
(5)將鍍好薄膜的玻璃基材由傳動系統(tǒng)輸出真空室。
下面對以上技術(shù)方案作進一步闡述
所述將玻璃基材進行前處理，前處理包括用純度大于15ΜΩ的純凈水來清洗玻璃基材表面。
所述步驟(4)為蒸發(fā)鍍膜，步驟為將真空室內(nèi)的電子槍，通入高壓電后，電子槍發(fā)出高能離子流，離子流加熱膜料，使膜料汽化，汽化的膜料沉積在玻璃基材表面，當(dāng)沉積的薄膜達(dá)到設(shè)計膜厚時，由膜厚監(jiān)控儀發(fā)出信號使電子槍斷電停止工作。
所述步驟(4)為濺射鍍膜，步驟為先在真空環(huán)境內(nèi)通入少量的Ar或Ar和化的混合氣體或Ar和N2的混合氣體，使真空室內(nèi)的真空度達(dá)到KT1Pa,在靶材上加500V-1000V的電壓，使真空室內(nèi)的氣體電離，電離的離子在電場的作用下轟擊靶材，使靶材以原子的形式逸出并沉積在玻璃基材的表面，調(diào)整傳動系統(tǒng)的速度，從而調(diào)整膜的厚度，傳動系統(tǒng)的速度范圍 0. an/min-ian/min，薄膜的厚度 10nm_2000nm。
所述膜料為Si02、Sn、In、Cr0、Ti02、A1203、Nb205。
所述靶材為Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb 及其混合物和 SiO2、SnO, TiO2、CrO, Nb2O50
所述薄膜的材質(zhì)為Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb或者是 Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb 的氧化物或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氮化物。
膜料或靶材中Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的比率可以按客戶的要求調(diào)整，使得玻璃基材上的薄膜可以呈現(xiàn)出不同的顏色以及導(dǎo)電性能。
本發(fā)明的有益效果在于其一、裝飾性強，通過控制薄膜的厚度和薄膜中材質(zhì)的比例，形成不同的光學(xué)干涉，可以制成各種顏色的裝飾膜。
其二、具有良好的絕緣性，通過控制薄膜的厚度和薄膜中材質(zhì)的比例，使薄膜的電阻值大于1ΜΩ，形成良好的絕緣，不影響觸摸和遙控信號的傳遞。具體實施方式

實施例1
在玻璃基材表面真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，包括以下步驟
(1)提供玻璃基材；
(2)將玻璃基材進行前處理，以使玻璃基材的表面清潔；
(3)將經(jīng)前處理的玻璃基材裝載在基片架上，由傳動系統(tǒng)將基片架輸入真空室；
(4)在真空室內(nèi)設(shè)有膜料，加熱膜料，使膜料沉積在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度10nm-2000nm，薄膜的電阻大于IM Ω ；
(5)將鍍好薄膜的玻璃基材由傳動系統(tǒng)輸出真空室。
下面對以上技術(shù)方案作進一步闡述
所述將玻璃基材進行前處理，前處理包括用純度大于15ΜΩ的純凈水來清洗玻璃基材表面。
所述步驟(4)為蒸發(fā)鍍膜，步驟為將真空室內(nèi)的電子槍，通入高壓電后，電子槍發(fā)出高能離子流，離子流加熱膜料，使膜料汽化，汽化的膜料沉積在玻璃基材表面，當(dāng)沉積的薄膜達(dá)到設(shè)計膜厚時，由膜厚監(jiān)控儀發(fā)出信號使電子槍斷電停止工作。
所述膜料為Si02、Sn、In、CrO, Ti02、A1203、Nb2Ogo
所述薄膜的材質(zhì)為Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb或者是 Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb 的氧化物或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氮化物。
膜料中Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的比率可以按客戶的要求調(diào)整，使得玻璃基材上的薄膜可以呈現(xiàn)出不同的顏色以及導(dǎo)電性能。
實施例2
在玻璃基材表面真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，包括以下步驟
(1)提供玻璃基材；
(2)將玻璃基材進行前處理，以使玻璃基材的表面清潔；
(3)將經(jīng)前處理的玻璃基材裝載在基片架上，由傳動系統(tǒng)將基片架輸入真空室；
(4)在真空室內(nèi)設(shè)有靶材，轟擊靶材，使靶材沉積在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度10nm-2000nm，薄膜的電阻大于IM Ω ；
(5)將鍍好薄膜的玻璃基材由傳動系統(tǒng)輸出真空室。
下面對以上技術(shù)方案作進一步闡述
所述將玻璃基材進行前處理，前處理包括用純度大于15ΜΩ的純凈水來清洗玻璃基材表面。
所述步驟(4)為濺射鍍膜，步驟為先在真空環(huán)境內(nèi)通入少量的Ar或Ar和化的混合氣體或Ar和N2的混合氣體，使真空室內(nèi)的真空度達(dá)到KT1Pa,在靶材上加500V-1000V的電壓，使真空室內(nèi)的氣體電離，電離的離子在電場的作用下轟擊靶材，使靶材以原子的形式逸出并沉積在玻璃基材的表面，調(diào)整傳動系統(tǒng)的速度，從而調(diào)整膜的厚度，傳動系統(tǒng)的速度范圍 0. an/min-ian/min，薄膜的厚度 10nm_2000nm。
所述靶材為Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb 及其混合物和 SiO2, SnO, TiO2, CrO, Nb2O50
所述薄膜的材質(zhì)為Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb或者是 Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb 的氧化物或者是Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的氮化物。
靶材中Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb的比率可以按客戶的要求調(diào)整，使得玻璃基材上的薄膜可以呈現(xiàn)出不同的顏色以及導(dǎo)電性能。
根據(jù)上述說明書的揭示和教導(dǎo)，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實施方式進行適當(dāng)?shù)淖兏托薷?。因此，本發(fā)明并不局限于上面揭示和描述的具體實施方式
，對本發(fā)明的一些修改和變更也應(yīng)當(dāng)落入本發(fā)明的權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了一些特定的術(shù)語，但這些術(shù)語只是為了方便說明，并不對本發(fā)明構(gòu)成任何限制。
權(quán)利要求
1.一種真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，其特征在于包括以下步驟(1)提供玻璃基材；(2)將玻璃基材進行前處理，以使玻璃基材的表面清潔；(3)將經(jīng)前處理的玻璃基材裝載在基片架上，由傳動系統(tǒng)將基片架輸入真空室；(4)在真空室內(nèi)設(shè)有膜料或靶材，加熱膜料或轟擊靶材，使膜料或靶材沉積在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度10nm-2000nm，薄膜的電阻大于IM Ω ；(5)將鍍好薄膜的玻璃基材由傳動系統(tǒng)輸出真空室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，其特征在于所述將玻璃基材進行前處理，前處理包括用純度大于15ΜΩ的純凈水來清洗玻璃基材表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，其特征在于所述步驟(4)為蒸發(fā)鍍膜，步驟為將真空室內(nèi)的電子槍，通入高壓電后，電子槍發(fā)出高能離子流，離子流加熱膜料，使膜料汽化，汽化的膜料沉積在玻璃基材表面，當(dāng)沉積的薄膜達(dá)到設(shè)計膜厚時，由膜厚監(jiān)控儀發(fā)出信號使電子槍斷電停止工作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，其特征在于所述步驟(4)為濺射鍍膜，步驟為先在真空環(huán)境內(nèi)通入少量的Ar或Ar和仏的混合氣體或Ar和隊的混合氣體， 使真空室內(nèi)的真空度達(dá)到KT1I^a，在靶材上加500V-1000V的電壓，使真空室內(nèi)的氣體電離， 電離的離子在電場的作用下轟擊靶材，使靶材以原子的形式逸出并沉積在玻璃基材的表面，調(diào)整傳動系統(tǒng)的速度，從而調(diào)整膜的厚度，傳動系統(tǒng)的速度范圍0. 2m/min-12m/min，薄膜的厚度10nm-2000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，其特征在于所述膜料為Si02、Sn、 In、Cr0、Ti02、Al203、Nb205。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，其特征在于所述靶材為Si、SnUn、 Cr、Ti、Al、Nb 及其混合物和 SiO2, SnO、TiO2, CrO, Nb2Ogo
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，其特征在于所述薄膜的材質(zhì)為 Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb 或者是 Si、Sn、In、Cr、Ti、Al、Nb 的氧化物或者是 Si、Sn、In、Cr、 Ti、Al、Nb的氮化物。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種真空鍍不導(dǎo)電膜的方法，包括以下步驟先提供玻璃基材；再將玻璃基材進行前處理，以使玻璃基材的表面清潔；然后將經(jīng)前處理的玻璃基材裝載在基片架上，由傳動系統(tǒng)將基片架輸入真空室；在真空室內(nèi)設(shè)有膜料或靶材，加熱膜料或轟擊靶材，使膜料或靶材沉積在玻璃基材表面形成薄膜，薄膜的厚度10nm-2000nm，薄膜的電阻大于1MΩ；最后將鍍好薄膜的玻璃基材由傳動系統(tǒng)輸出真空室。其有益效果在于其一、裝飾性強，通過控制薄膜的厚度和薄膜中材質(zhì)的比例，形成不同的光學(xué)干涉，可以制成各種顏色的裝飾膜。其二、具有良好的絕緣性，通過控制薄膜的厚度和薄膜中材質(zhì)的比例，使薄膜的電阻值大于1MΩ，形成良好的絕緣，不影響觸摸和遙控信號的傳遞。
文檔編號C23C14/54GK102505110SQ20111041832
公開日2012年6月20日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者熊樹林 申請人:深圳市杰瑞表面技術(shù)有限公司